本公開總體上涉及電子設(shè)備，并且更特別地，涉及半導(dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法。

背景技術(shù)：

1、非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備是在其中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)即使在電源中斷時(shí)也保持原樣的存儲(chǔ)器設(shè)備。隨著其中存儲(chǔ)器單元在襯底之上以單層形式形成的二維非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的集成程度的提高達(dá)到極限，最近已經(jīng)提出三維非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備，在三維非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備中，存儲(chǔ)器單元在襯底之上垂直堆疊。

2、三維非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備包括：交替堆疊的層間絕緣層和柵極電極，以及穿透層間絕緣層和柵極電極的通道層，并且存儲(chǔ)器單元沿通道層堆疊。已經(jīng)開發(fā)了各種結(jié)構(gòu)和各種制造方法來提高這種具有三維結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的操作可靠性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、依照本公開的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體設(shè)備，該半導(dǎo)體設(shè)備包括：柵極堆疊結(jié)構(gòu)，包括交替堆疊的層間絕緣層和導(dǎo)電層；通道結(jié)構(gòu)，在柵極堆疊結(jié)構(gòu)中在垂直方向上延伸；以及存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，插置在導(dǎo)電層與通道結(jié)構(gòu)之間，其中存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中的每個(gè)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)包括阻擋絕緣層和電荷俘獲層，阻擋絕緣層和電荷俘獲層依次形成在導(dǎo)電層中的每個(gè)導(dǎo)電層的側(cè)壁上，并且其中層間絕緣層的與通道結(jié)構(gòu)接觸的側(cè)壁位于與電荷俘獲層的與通道結(jié)構(gòu)接觸的側(cè)壁相同的線上，或者層間絕緣層的與通道結(jié)構(gòu)接觸的側(cè)部與電荷俘獲層的側(cè)壁相比進(jìn)一步朝向通道結(jié)構(gòu)突出。

2、依照本公開的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法，該方法包括：形成垂直孔，垂直孔穿透堆疊結(jié)構(gòu)的至少一部分，在堆疊結(jié)構(gòu)中，第一材料層和第二材料層交替堆疊；通過將通過垂直孔暴露的第二材料層的側(cè)壁蝕刻到某個(gè)厚度，形成凹陷區(qū)域；通過氧化通過凹陷區(qū)域暴露的第二材料層的側(cè)壁，形成阻擋絕緣層；在相應(yīng)的凹陷區(qū)域中形成電荷俘獲層，其中電荷俘獲層通過第一材料層在垂直方向上彼此間隔開；以及沿垂直孔的側(cè)壁依次形成隧道絕緣層和通道層。

3、依照本公開的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體設(shè)備，該半導(dǎo)體設(shè)備包括：柵極堆疊結(jié)構(gòu)，包括交替堆疊的層間絕緣層和導(dǎo)電層；通道結(jié)構(gòu)，在柵極堆疊結(jié)構(gòu)中在垂直方向上延伸；以及存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，插置在導(dǎo)電層與通道結(jié)構(gòu)之間，其中存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中的每個(gè)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)包括阻擋絕緣層、電荷俘獲層和隧道絕緣層，阻擋絕緣層、電荷俘獲層和隧道絕緣層依次形成在導(dǎo)電層中的每個(gè)導(dǎo)電層的側(cè)壁上，并且其中層間絕緣層的與通道結(jié)構(gòu)接觸的側(cè)壁位于與隧道絕緣層的與通道結(jié)構(gòu)接觸的側(cè)壁相同的線上，或?qū)娱g絕緣層的與通道結(jié)構(gòu)接觸的側(cè)部與隧道絕緣層的側(cè)壁相比進(jìn)一步朝向通道結(jié)構(gòu)突出。

4、依照本公開的一個(gè)實(shí)施例，提供了一種制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法，該方法包括：形成垂直孔，垂直孔穿透堆疊結(jié)構(gòu)的至少一部分，在堆疊結(jié)構(gòu)中，第一材料層和第二材料層交替堆疊；通過將通過垂直孔暴露的第二材料層的側(cè)壁蝕刻到某個(gè)厚度，形成第一凹陷區(qū)域；通過氧化通過第一凹陷區(qū)域暴露的第二材料層的側(cè)壁，形成阻擋絕緣層；在相應(yīng)的第一凹陷區(qū)域中形成電荷俘獲層，其中電荷俘獲層通過第一材料層在垂直方向上彼此間隔開；通過將通過垂直孔暴露的電荷俘獲層的側(cè)壁蝕刻到某個(gè)厚度，形成第二凹陷區(qū)域；在相應(yīng)的第二凹陷區(qū)域中形成隧道絕緣層；以及沿垂直孔的側(cè)壁形成通道層。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，

7.一種制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法，所述方法包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括：在形成所述通道層之后，用導(dǎo)電層替代所述第二材料層。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，

12.一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體設(shè)備，

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體設(shè)備，

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體設(shè)備，

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體設(shè)備，

17.一種制造半導(dǎo)體設(shè)備的方法，所述方法包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括：在形成所述通道層之后，用導(dǎo)電層替代所述第二材料層。

20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，

技術(shù)總結(jié)
提供了半導(dǎo)體設(shè)備和半導(dǎo)體設(shè)備的制造方法。半導(dǎo)體設(shè)備包括：柵極堆疊結(jié)構(gòu)，包括交替堆疊的層間絕緣層和導(dǎo)電層；通道結(jié)構(gòu)，在柵極堆疊結(jié)構(gòu)中在垂直方向上延伸；以及存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)，插置在導(dǎo)電層與通道結(jié)構(gòu)之間。存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)中的每個(gè)存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)包括阻擋絕緣層和電荷俘獲層，阻擋絕緣層和電荷俘獲層依次形成在導(dǎo)電層中的每個(gè)導(dǎo)電層的側(cè)壁上。層間絕緣層的與通道結(jié)構(gòu)接觸的側(cè)壁位于與電荷俘獲層的與通道結(jié)構(gòu)接觸的側(cè)壁相同的線上，或者層間絕緣層的與通道結(jié)構(gòu)接觸的側(cè)部與電荷俘獲層的側(cè)壁相比進(jìn)一步突出。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭盛旭
受保護(hù)的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6