本發(fā)明涉及x射線源,具體涉及一種x射線高壓發(fā)生器。
背景技術(shù):
1、x射線檢測設(shè)備目前廣泛應(yīng)用于工業(yè)無損檢測,最常見的應(yīng)用就是管道探傷、可以管路內(nèi)部裂紋、夾雜、氣孔等,x射線高壓發(fā)生器作為x檢測設(shè)備的核心部件,其主要負(fù)責(zé)產(chǎn)生高壓,作用于x射線管,產(chǎn)生x射線。。
2、傳統(tǒng)x射線探傷儀多為工頻機,直接將工頻電壓通過變壓器上升為高壓,結(jié)構(gòu)相對簡單,體積受變壓器影響,直徑較大。采用開環(huán)控制,管電壓(kv值)和管電流(ma值)受輸入電壓影響,波動較大,且由于電壓為交變電壓,產(chǎn)生x射線效率較低,軟射線劑量較多,x射線影像精度低。
3、近年來由于電力電子技術(shù)的發(fā)展,通過逆變整流技術(shù),x射線探傷儀逐漸向高頻直流機方向發(fā)展,高頻直流機器采用閉環(huán)控制,管電壓(kv值)和管電流(ma值)穩(wěn)定,重量小,體積輕,產(chǎn)生x射線效率高,軟射線劑量低,x射線影像精度高。
4、高頻x射線高壓發(fā)生器通過主變壓器將交流低壓轉(zhuǎn)換成交流高壓,后通過倍壓組件將交流電壓再次轉(zhuǎn)化為直流高壓,高壓作用于x射線管,產(chǎn)生x射線。工業(yè)x射線高壓發(fā)生器要穿透金屬層較厚,所以其所需產(chǎn)生的電壓也較高,范圍在160kv-300kv,針對管路探傷,為保證散熱及端部射線位置,多采用陽極接地x射線管。
5、但是上述采用的x射線管在運行過程中存在打火概率,通常會將打火抑制電阻長度加長,保證絕緣裕度,但這樣也會導(dǎo)致x射線發(fā)生器長度變長,體積變大。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、有鑒于此,本發(fā)明提供了一種x射線高壓發(fā)生器,以解決x射線發(fā)生器長度長,體積大的問題。
2、第一方面,本發(fā)明提供了一種x射線高壓發(fā)生器,包括:
3、tank筒體;
4、tank內(nèi)核,設(shè)置在所述tank筒體內(nèi)部;
5、x射線管組件,與所述tank筒體頂端連接,所述x射線管組件與所述tank內(nèi)核電連接;
6、底部端蓋組件,與所述tank筒體底端連接;
7、其中,所述tank內(nèi)核包括主絕緣筒以及中間支撐隔離主絕緣板,所述中間支撐隔離主絕緣板設(shè)于所述主絕緣筒內(nèi)部,且所述中間支撐隔離主絕緣板被配置為將所述主絕緣筒內(nèi)部空間分隔為兩個子空間;
8、兩個所述子空間內(nèi)適于放置所述tank內(nèi)核中電子部件。
9、通過設(shè)置主絕緣筒以及中間支撐隔離主絕緣板,且中間支撐隔離主絕緣板設(shè)于主絕緣筒內(nèi)部用于將主絕緣筒內(nèi)部空間分隔為兩個子空間,在放置tank內(nèi)核中電子部件時,根據(jù)需求將電子部件放置在兩個子空間內(nèi),使得tank內(nèi)核整體結(jié)構(gòu)更加緊湊,進而減小x射線高壓發(fā)生器的整體體積。
10、在一種可選的實施方式中,所述tank內(nèi)核還包括打火抑制電阻組件,所述打火抑制電阻組件設(shè)于所述主絕緣筒內(nèi)且與所述x射線管組件電連接;
11、所述打火抑制電阻組件包括:
12、絕緣外殼,所述絕緣外殼由其內(nèi)部分隔板分隔為x射線管安裝腔、打火抑制電阻灌膠槽;
13、pcb轉(zhuǎn)接板,設(shè)于所述x射線管安裝腔內(nèi),所述pcb轉(zhuǎn)接板與所述x射線管組件電連接;
14、若干打火抑制電阻,若干所述打火抑制電阻成之字形串聯(lián)安裝在所述打火抑制電阻灌膠槽,所述打火抑制電阻高壓輸出端與所述pcb轉(zhuǎn)接板電連接。
15、通過設(shè)置打火抑制電阻呈之字型放置,并采用灌封膠將打火抑制電阻灌封或不灌封,可防止x射線管發(fā)生打火故障時,打火抑制電阻之間發(fā)生放電。
16、在一種可選的實施方式中,所述tank內(nèi)核還包括若干均壓環(huán),相鄰兩個所述均壓環(huán)之間設(shè)有絕緣隔板;
17、其中,高壓端均壓環(huán)頂部為收口結(jié)構(gòu)。
18、在一種可選的實施方式中,主絕緣筒高壓區(qū)厚度大于低壓區(qū)厚度,所述主絕緣筒上下兩端內(nèi)壁均設(shè)置有增爬槽。
19、在主絕緣筒上下均設(shè)置有增爬槽,高壓端采用收口式高壓均壓環(huán)進行電場均化、主絕緣筒上下端部設(shè)置增爬槽,增加爬電距離,使得tank內(nèi)部電場更為均化。
20、在一種可選的實施方式中,所述x射線管組件包括:
21、x射線管,適于與所述pcb轉(zhuǎn)接板電連接;
22、x射線管固定絕緣罩,套設(shè)在所述x射線管外側(cè);
23、其中,所述x射線管固定絕緣罩與所述絕緣外殼錯層安裝。
24、在一種可選的實施方式中,所述x射線管組件還包括電連接組件,與所述x射線管電連接,所述電連接組件包括若干彈簧觸頭,所有所述彈簧觸頭適于與所述pcb轉(zhuǎn)接板抵接并電連接。
25、在一種可選的實施方式中,所述x射線管組件還包括:
26、固定散熱器,與所述x射線管連接,所述x射線管固定絕緣罩與所述固定散熱器連接,所述固定散熱器與所述x射線管固定絕緣罩之間構(gòu)成用于放置所述x射線管的放置空間;
27、風(fēng)扇,與所述固定散熱器連接。
28、在一種可選的實施方式中,所述x射線管組件還包括陰極支撐,所述陰極支撐設(shè)于所述x射線管固定絕緣罩與所述x射線管之間。
29、在一種可選的實施方式中,所述tank內(nèi)核還包括:
30、固定支架,一側(cè)與所述主絕緣筒遠(yuǎn)離所述x射線管組件一端部連接,所述固定支架另一側(cè)與底部安裝板連接;
31、壓力調(diào)節(jié)件,設(shè)于所述固定支架與所述底部安裝板之間的空間內(nèi)。
32、在一種可選的實施方式中,所述tank內(nèi)核還包括:
33、倍壓組件,設(shè)于一個所述子空間內(nèi)部,所述倍壓組件與所述均壓環(huán)等電位連接,且高壓端均壓環(huán)與倍壓組件中倍壓板高壓端輸出端等電位;
34、主變壓器以及燈絲變壓器組件,主變壓器以及燈絲變壓器組件設(shè)于另一個所述子空間內(nèi)部。
35、本發(fā)明提供的一種x射線高壓發(fā)生器,具有如下優(yōu)點:
36、1.本發(fā)明提供一種x射線高壓發(fā)生器,tank內(nèi)核設(shè)置在tank筒體內(nèi)部,x射線管組件與tank筒體頂端連接,x射線管組件與tank內(nèi)核電連接;底部端蓋組件與tank筒體底端連接;其中,tank內(nèi)核包括主絕緣筒以及中間支撐隔離主絕緣板,中間支撐隔離主絕緣板設(shè)于主絕緣筒內(nèi)部,且中間支撐隔離主絕緣板被配置為將主絕緣筒內(nèi)部空間分隔為兩個子空間;兩個子空間內(nèi)適于放置tank內(nèi)核中電子部件。
37、此結(jié)構(gòu)的x射線高壓發(fā)生器,通過設(shè)置主絕緣筒以及中間支撐隔離主絕緣板,且中間支撐隔離主絕緣板設(shè)于主絕緣筒內(nèi)部用于將主絕緣筒內(nèi)部空間分隔為兩個子空間,在放置tank內(nèi)核中電子部件時,根據(jù)需求將電子部件放置在兩個子空間內(nèi),使得tank內(nèi)核整體結(jié)構(gòu)更加緊湊,進而減小x射線高壓發(fā)生器的整體體積。
38、2.本發(fā)明提供一種x射線高壓發(fā)生器,tank內(nèi)核還包括打火抑制電阻組件,打火抑制電阻組件設(shè)于主絕緣筒內(nèi)且與x射線管組件電連接。
39、打火抑制電阻組件包括絕緣外殼、pcb轉(zhuǎn)接板以及若干打火抑制電阻,絕緣外殼由其內(nèi)部分隔板分隔為x射線管安裝腔、打火抑制電阻灌膠槽;pcb轉(zhuǎn)接板設(shè)于x射線管安裝腔內(nèi),pcb轉(zhuǎn)接板與x射線管組件電連接;若干打火抑制電阻成之字形串聯(lián)安裝在打火抑制電阻灌膠槽,打火抑制電阻高壓輸出端與pcb轉(zhuǎn)接板電連接。
40、此結(jié)構(gòu)的x射線高壓發(fā)生器,通過設(shè)置打火抑制電阻呈之字型放置,并采用灌封膠將打火抑制電阻灌封或不灌封,可防止x射線管發(fā)生打火故障時,打火抑制電阻之間發(fā)生放電。
41、3.本發(fā)明提供一種x射線高壓發(fā)生器,tank內(nèi)核還包括若干均壓環(huán),相鄰兩個均壓環(huán)之間設(shè)有絕緣隔板;其中,高壓端均壓環(huán)頂部為收口結(jié)構(gòu)。主絕緣筒高壓區(qū)厚度大于低壓區(qū)厚度,主絕緣筒上下兩端內(nèi)壁均設(shè)置有增爬槽。
42、此結(jié)構(gòu)的x射線高壓發(fā)生器,高壓端部增加均壓環(huán),均壓環(huán)電位從倍壓組件中選取固定電位進行等電位連接,在均壓環(huán)之間設(shè)置絕緣隔板,防止均壓環(huán)之間放電,其中高壓均壓環(huán)與倍壓板高壓端輸出端等電位,其頂部做收口設(shè)計,主絕緣筒為變徑設(shè)計,高壓區(qū)厚度厚,低壓區(qū)厚度薄,且在主絕緣筒上下均設(shè)置有增爬槽,高壓端采用收口式高壓均壓環(huán)進行電場均化、主絕緣筒上下端部設(shè)置增爬槽,增加爬電距離,使得tank內(nèi)部電場更為均化。