1.一種基于多電感耦合的超寬帶放大器,其特征在于:包括多電感高階耦合網(wǎng)絡(luò)和多級級聯(lián)網(wǎng)絡(luò);其中,
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多電感耦合的超寬帶放大器,其特征在于:所述的多電感高階輸入匹配網(wǎng)絡(luò)和多電感高階級間匹配網(wǎng)絡(luò)分別為多電感六階輸入匹配網(wǎng)絡(luò)和多電感六階級間匹配網(wǎng)絡(luò)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于多電感耦合的超寬帶放大器,其特征在于:所述的共源共柵放大模塊包括cascode形式連接的nmos晶體管m1和m2,所述的nmos晶體管m1的漏極與nmos晶體管m2的源極連接,所述的nmos晶體管m1和m2還與多電感六階輸入匹配網(wǎng)絡(luò)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于多電感耦合的超寬帶放大器,其特征在于:所述的nmos晶體管m1和m2的襯底連接高阻r到地。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于多電感耦合的超寬帶放大器,其特征在于:所述的多電感六階輸入匹配網(wǎng)絡(luò)包括電感l(wèi)1、電感l(wèi)2、電感l(wèi)3、電容c1、電容c2和柵源寄生電容cgs1;所述的電容c1的一端與輸入接口in和電容c2的一端連接,所述的電容c2的另一端接地;
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多電感耦合的超寬帶放大器,其特征在于:所述的共源共柵放大模塊包括cascode形式連接的nmos晶體管m3和m4;所述的nmos晶體管m3的漏極與nmos晶體管m4的源極連接,所述的nmos晶體管m3和m4還與多電感六階級間匹配網(wǎng)絡(luò)連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于多電感耦合的超寬帶放大器,其特征在于:所述的nmos晶體管m3和m4,以及nmos晶體管m5的襯底連接高阻r到地,以減小襯底噪聲電流,降低襯底噪聲。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于多電感耦合的超寬帶放大器,其特征在于:所述的多電感六階級間匹配網(wǎng)絡(luò)包括前級級間匹配電路和本級級間匹配電路;所述的前級級間匹配電路與nmos晶體管m3和m4連接;所述的本級級間匹配電路與nmos晶體管m5連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種基于多電感耦合的超寬帶放大器,其特征在于:所述的前級級間匹配電路包括前級電感l(wèi)5、前級電感l(wèi)6、前級電感l(wèi)4、前級電容c3、前級柵源寄生電容cgs2;所述的前級電容c3、前級電感l(wèi)5的一端并聯(lián)連接在nmos晶體管m3的柵極;且所述的前級電容c3、前級電感l(wèi)5的另一端接電壓偏置模塊,所述的電壓偏置模塊為前級電容c3、前級電感l(wèi)5提供偏置電壓vg2;
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種基于多電感耦合的超寬帶放大器,其特征在于:所述的本級級間匹配電路包括本級電感l(wèi)8、本級電感l(wèi)9、前級電感l(wèi)7、本級電容c4、本級電容c5、本級柵源寄生電容cgs3;所述的本級電感l(wèi)8、本級電容c4的一端并聯(lián)連接在nmos晶體管m5的柵極;所述的本級電感l(wèi)8、本級電容c4的另一端接電壓偏置模塊,所述的電壓偏置模塊為本級電感l(wèi)8、本級電容c4提供偏置電壓vg3;