本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種硅基oled強微腔陽極的制備方法。

背景技術(shù)：

1、硅是一種重要的半導(dǎo)體集成電路材料，但由于硅是間接帶隙材料，發(fā)光效率低，為了在硅片上實現(xiàn)光電集成，在過去的幾十年，人們開展了大量硅基發(fā)光材料和器件的研究工作，如在硅襯底上集成發(fā)光材料，或者制作多孔硅等。近年來，在硅襯底上制作oleds(organic?light?emitting?diodes,有機發(fā)光二極管)為硅基光電集成開辟了一條新道路。而且，硅基oled可利用成熟的cmos技術(shù)，可在單個芯片上集成密度高且復(fù)雜的電路，從而提供了單芯片顯示系統(tǒng)的解決方案。

2、目前硅基oled器件的陽極普遍采用厚度相同的的單層結(jié)構(gòu)，制造工藝相對簡單，已經(jīng)無法滿足高亮度、高色域的要求，為了進(jìn)一步提升oled器件的效能和光色，會采用強微腔共振的器件結(jié)構(gòu)，即r/g/b子像素陽極厚度各不相同，從而獲得不同的腔長，匹配rgb不同顏色的波長。傳統(tǒng)的微腔結(jié)構(gòu)制造流程復(fù)雜，涉及多次刻蝕，造成良率偏低，而且產(chǎn)能較低。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種硅基oled強微腔陽極的制備方法。本發(fā)明只用了一道干法刻蝕工藝，有效保護(hù)了透明電極層材料，減少了工藝流程，提高了良率和產(chǎn)能。

2、為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案：

3、本發(fā)明提供了一種硅基oled強微腔陽極的制備方法，所述硅基oled強微腔陽極包括硅基基板100和位于所述基板表面的n個像素區(qū)，其中n≥1，所述像素區(qū)包括層疊設(shè)置的金屬電極層200和透明導(dǎo)電層，所述金屬電極層200與所述硅基基板100接觸，所述像素區(qū)包括間隔設(shè)置的第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)，所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層的厚度均不相同，所述透明導(dǎo)電層包括第一子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層3-1、第二子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層3-2和第三子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層3-3；

4、包括以下步驟：

5、在所述硅基基板100的表面進(jìn)行沉積，得到金屬電極沉積層200-1；

6、在所述金屬電極沉積層200-1的表面依次進(jìn)行第一透明導(dǎo)電層物質(zhì)沉積、第一涂布光刻膠和第一曝光顯影，保留所述第一子像素區(qū)上的光刻膠，然后依次進(jìn)行第二透明導(dǎo)電層物質(zhì)沉積、第二涂布光刻膠和第二曝光顯影，保留所述第二子像素區(qū)上的光刻膠，再依次進(jìn)行第三透明導(dǎo)電層物質(zhì)沉積、第三涂布光刻膠和第三曝光顯影，保留所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)上的光刻膠，利用干法刻蝕除去所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)之間的透明導(dǎo)電層物質(zhì)以及金屬電極沉積層200-1，形成所述金屬電極層200，然后去除所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)上的光刻膠，同時剝離光刻膠表面的透明導(dǎo)電層物質(zhì)，得到所述硅基oled強微腔陽極。

7、優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電層的材質(zhì)為導(dǎo)電金屬氧化物。

8、優(yōu)選地，所述導(dǎo)電金屬氧化物包括氧化銦錫和/或氧化銦鋅。

9、優(yōu)選地，所述第一子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層3-1、第二子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層3-2和第三子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層3-3材質(zhì)相同。

10、優(yōu)選地，所述硅基基板100為裸硅襯底或含電路硅襯底。

11、優(yōu)選地，所述金屬電極層200的材質(zhì)包括al、ag、tin和ti中的一種或多種。

12、優(yōu)選地，所述金屬電極層200為單層薄膜或多層復(fù)合薄膜。

13、優(yōu)選地，所述第一涂布光刻膠、第二涂布光刻膠和第三涂布光刻膠均使用pr膠。

14、優(yōu)選地，去除所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)上的光刻膠的方法為濕法去膠。

15、本發(fā)明提供了一種硅基oled強微腔陽極的制備方法，所述硅基oled強微腔陽極包括硅基基板100和位于所述基板表面的n個像素區(qū)，其中n≥1，所述像素區(qū)包括層疊設(shè)置的金屬電極層200和透明導(dǎo)電層，所述金屬電極層200與所述硅基基板100接觸，所述像素區(qū)包括間隔設(shè)置的第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)，所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層的厚度均不相同，所述透明導(dǎo)電層包括第一子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層3-1、第二子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層3-2和第三子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層3-3；包括以下步驟：在所述硅基基板100的表面進(jìn)行沉積，得到金屬電極沉積層200-1；在所述金屬電極沉積層200-1的表面依次進(jìn)行第一透明導(dǎo)電層物質(zhì)沉積、第一涂布光刻膠和第一曝光顯影，保留所述第一子像素區(qū)上的光刻膠，然后依次進(jìn)行第二透明導(dǎo)電層物質(zhì)沉積、第二涂布光刻膠和第二曝光顯影，保留所述第二子像素區(qū)上的光刻膠，再依次進(jìn)行第三透明導(dǎo)電層物質(zhì)沉積、第三涂布光刻膠和第三曝光顯影，保留所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)上的光刻膠，利用干法刻蝕除去所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)之間的透明導(dǎo)電層物質(zhì)以及金屬電極沉積層200-1，形成所述金屬電極層200，然后去除所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)上的光刻膠，同時剝離光刻膠表面的透明導(dǎo)電層物質(zhì)，得到所述硅基oled強微腔陽極。

16、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果如下：

17、本發(fā)明提出了一種硅基oled強微腔陽極的制備方法，只用了一道干法刻蝕工藝，有效保護(hù)了透明電極層材料，減少了工藝流程，提高了良率和產(chǎn)能，降低了制備成本。

技術(shù)特征：

1.一種硅基oled強微腔陽極的制備方法，其特征在于，所述硅基oled強微腔陽極包括硅基基板(100)和位于所述基板表面的n個像素區(qū)，其中n≥1，所述像素區(qū)包括層疊設(shè)置的金屬電極層(200)和透明導(dǎo)電層，所述金屬電極層(200)與所述硅基基板(100)接觸，所述像素區(qū)包括間隔設(shè)置的第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)，所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層的厚度均不相同，所述透明導(dǎo)電層包括第一子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層(3-1)、第二子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層(3-2)和第三子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層(3-3)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層的材質(zhì)為導(dǎo)電金屬氧化物。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電金屬氧化物包括氧化銦錫和/或氧化銦鋅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述第一子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層(3-1)、第二子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層(3-2)和第三子像素區(qū)的透明導(dǎo)電層(3-3)的材質(zhì)相同。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述硅基基板(100)為裸硅襯底或含電路硅襯底。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述金屬電極層(200)的材質(zhì)包括al、ag、tin和ti中的一種或多種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的制備方法，其特征在于，所述金屬電極層(200)為單層薄膜或多層復(fù)合薄膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一涂布光刻膠、第二涂布光刻膠和第三涂布光刻膠均使用pr膠。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，去除所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)上的光刻膠的方法為濕法去膠。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種硅基OLED強微腔陽極的制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明利用干法刻蝕除去所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)之間的透明導(dǎo)電層物質(zhì)以及金屬電極沉積層，形成所述金屬電極層，然后去除所述第一子像素區(qū)、第二子像素區(qū)和第三子像素區(qū)上的光刻膠，同時剝離光刻膠表面的透明導(dǎo)電層物質(zhì)，得到所述硅基OLED強微腔陽極。本發(fā)明只用了一道干法刻蝕工藝，有效保護(hù)了透明電極層材料，減少了工藝流程，提高了良率和產(chǎn)能。

技術(shù)研發(fā)人員：許亦鵬,吳遠(yuǎn)武,吳迪,陳小童
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湖畔光芯半導(dǎo)體（江蘇）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/2