本申請(qǐng)涉及智能檢測(cè)領(lǐng)域,且更為具體地,涉及一種超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝。
背景技術(shù):
1、隨著電子產(chǎn)品朝著更小、更薄、更輕的方向發(fā)展,對(duì)電路板的設(shè)計(jì)和制造提出了更高的要求。超薄基板是實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備輕薄化的關(guān)鍵技術(shù)之一,它不僅有助于減少設(shè)備的整體體積和重量,還能提高電子產(chǎn)品的集成度和性能。在超薄基板生產(chǎn)中通常采用鐳鉆(激光鉆孔)工藝來(lái)形成通孔,但由于基板厚度極薄,通常只有幾十微米,加上孔徑也越來(lái)越小,這種高密集的孔徑通常在幾十微米到幾百微米之間,這使得通孔位置很容易發(fā)生偏移。這種偏移會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)通不良等嚴(yán)重的質(zhì)量問(wèn)題,不僅影響了產(chǎn)品的可靠性,還大大降低了生產(chǎn)良品率。因此,孔偏的識(shí)別對(duì)于確保產(chǎn)品質(zhì)量和性能至關(guān)重要。
2、傳統(tǒng)的孔偏識(shí)別方法在超薄基板鐳鉆高密集通孔工藝中通常依賴于人工檢測(cè)或簡(jiǎn)單的自動(dòng)化機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)。然而,人工檢測(cè)容易受到操作者疲勞、注意力不集中等因素的影響,這會(huì)導(dǎo)致檢測(cè)結(jié)果的一致性和準(zhǔn)確性下降,并且也無(wú)法滿足現(xiàn)代高密度電路板制造對(duì)速度和精度的雙重需求。此外,傳統(tǒng)的機(jī)器視覺(jué)系統(tǒng)在超薄基板鐳鉆高密集通孔工藝中可能缺乏足夠的分辨率和算法支持,難以準(zhǔn)確識(shí)別微小的孔偏。也就是,這類系統(tǒng)通常依賴于普通的光學(xué)成像設(shè)備,其分辨率有限,不足以捕捉超薄基板上微小孔徑的細(xì)節(jié),特別是在孔間距極小的情況下,從而導(dǎo)致檢測(cè)結(jié)果不夠準(zhǔn)確。
3、因此,期望一種優(yōu)化的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請(qǐng)針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn),提供了一種超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝。
2、根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面,提供了一種超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其包括:
3、提供超薄基板材料;
4、對(duì)所述超薄基板材料進(jìn)行表面清潔以得到清潔后的超薄基板材料;
5、將所述清潔后的超薄基板材料固定在加工臺(tái)上,并使用視覺(jué)系統(tǒng)對(duì)所述清潔后的超薄基板材料進(jìn)行精確定位;
6、采用高精度激光設(shè)備對(duì)所述清潔后的超薄基板材料進(jìn)行激光鉆孔以得到鉆孔后的超薄基板材料;
7、使用光學(xué)檢測(cè)設(shè)備對(duì)所述鉆孔后的超薄基板材料進(jìn)行孔偏識(shí)別以得到孔偏識(shí)別結(jié)果,所述孔偏識(shí)別結(jié)果用于表示是否存在孔偏。
8、結(jié)合本申請(qǐng)的第一方面,在本申請(qǐng)第一方面的一種超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝中,使用光學(xué)檢測(cè)設(shè)備對(duì)所述鉆孔后的超薄基板材料進(jìn)行孔偏識(shí)別以得到孔偏識(shí)別結(jié)果,所述孔偏識(shí)別結(jié)果用于表示是否存在孔偏,包括:獲取由所述光學(xué)檢測(cè)設(shè)備采集的所述鉆孔后的超薄基板材料的鉆孔分布檢測(cè)圖像;從數(shù)據(jù)庫(kù)提取鉆孔分布設(shè)計(jì)圖像;將所述鉆孔分布檢測(cè)圖像和所述鉆孔分布設(shè)計(jì)圖像輸入鉆孔分布特征提取器以得到鉆孔分布檢測(cè)特征圖和鉆孔分布設(shè)計(jì)特征圖;將所述鉆孔分布檢測(cè)特征圖和所述鉆孔分布設(shè)計(jì)特征圖輸入基于網(wǎng)格能量顯著性引導(dǎo)的特征門控增強(qiáng)模塊以得到網(wǎng)格粒度鉆孔分布檢測(cè)增強(qiáng)特征圖和網(wǎng)格粒度鉆孔分布設(shè)計(jì)增強(qiáng)特征圖;計(jì)算所述網(wǎng)格粒度鉆孔分布檢測(cè)增強(qiáng)特征圖和所述網(wǎng)格粒度鉆孔分布設(shè)計(jì)增強(qiáng)特征圖之間的鉆孔分布差分特征圖;基于所述鉆孔分布差分特征圖,得到所述孔偏識(shí)別結(jié)果。
9、本申請(qǐng)由于采用了以上的技術(shù)方案,具有顯著的技術(shù)效果:
10、本申請(qǐng)?zhí)峁┑某』彖D鉆高密集通孔孔偏的工藝,其采用基于計(jì)算機(jī)視覺(jué)的圖像識(shí)別和處理技術(shù)來(lái)進(jìn)行鉆孔分布檢測(cè)圖像和鉆孔分布設(shè)計(jì)圖像的鉆孔分布特征提取和網(wǎng)格顯著特征增強(qiáng),以此根據(jù)所述鉆孔分布檢測(cè)圖像和所述鉆孔分布設(shè)計(jì)圖像增強(qiáng)后的特征之間的鉆孔分布差分來(lái)智能地得到孔偏識(shí)別結(jié)果。這樣,能夠捕捉到更細(xì)小的孔徑細(xì)節(jié),提高了高密集通孔孔偏識(shí)別的準(zhǔn)確性和精度,并且減少了人為因素的影響,確保了檢測(cè)的一致性和可靠性,使得識(shí)別過(guò)程更加自動(dòng)化和高效。
1.一種超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,使用光學(xué)檢測(cè)設(shè)備對(duì)所述鉆孔后的超薄基板材料進(jìn)行孔偏識(shí)別以得到孔偏識(shí)別結(jié)果,所述孔偏識(shí)別結(jié)果用于表示是否存在孔偏,包括:
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,將所述鉆孔分布檢測(cè)圖像和所述鉆孔分布設(shè)計(jì)圖像輸入鉆孔分布特征提取器以得到鉆孔分布檢測(cè)特征圖和鉆孔分布設(shè)計(jì)特征圖,包括:將所述鉆孔分布檢測(cè)圖像和所述鉆孔分布設(shè)計(jì)圖像輸入基于深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型的鉆孔分布特征提取器以得到所述鉆孔分布檢測(cè)特征圖和所述鉆孔分布設(shè)計(jì)特征圖。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,所述基于深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型的鉆孔分布特征提取器為基于空洞卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型的鉆孔分布特征提取器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,將所述鉆孔分布檢測(cè)特征圖和所述鉆孔分布設(shè)計(jì)特征圖輸入基于網(wǎng)格能量顯著性引導(dǎo)的特征門控增強(qiáng)模塊以得到網(wǎng)格粒度鉆孔分布檢測(cè)增強(qiáng)特征圖和網(wǎng)格粒度鉆孔分布設(shè)計(jì)增強(qiáng)特征圖,包括:
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,計(jì)算所述鉆孔分布檢測(cè)局部特征圖的集合中的各個(gè)鉆孔分布檢測(cè)局部特征圖的能量顯著性描述因子以得到鉆孔分布檢測(cè)局部能量顯著性描述因子的集合,包括:
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,將所述鉆孔分布檢測(cè)局部能量顯著性描述因子的集合輸入基于門控函數(shù)的局部特征自適應(yīng)選擇器以得到鉆孔分布檢測(cè)局部顯著調(diào)制權(quán)重的集合,包括:
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,對(duì)所述鉆孔分布檢測(cè)局部能量顯著性描述因子的集合進(jìn)行歸一化處理以得到歸一化鉆孔分布檢測(cè)局部能量顯著性描述因子的集合,包括:
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,計(jì)算所述網(wǎng)格粒度鉆孔分布檢測(cè)增強(qiáng)特征圖和所述網(wǎng)格粒度鉆孔分布設(shè)計(jì)增強(qiáng)特征圖之間的鉆孔分布差分特征圖,包括:計(jì)算所述網(wǎng)格粒度鉆孔分布檢測(cè)增強(qiáng)特征圖和所述網(wǎng)格粒度鉆孔分布設(shè)計(jì)增強(qiáng)特征圖之間的按位置差分以得到所述鉆孔分布差分特征圖。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的超薄基板鐳鉆高密集通孔孔偏的工藝,其特征在于,基于所述鉆孔分布差分特征圖,得到所述孔偏識(shí)別結(jié)果,包括:將所述鉆孔分布差分特征圖輸入基于分類器的孔偏識(shí)別器以得到所述孔偏識(shí)別結(jié)果。