本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，并且更具體地，涉及膜層結(jié)構(gòu)、膜層結(jié)構(gòu)的制備方法和顯示基板。

背景技術(shù)：

1、現(xiàn)階段，在以有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light-emitting?diode，oled)作為發(fā)光器件的顯示基板中，oled多采用頂發(fā)射結(jié)構(gòu)，在該頂發(fā)射結(jié)構(gòu)中，oled陽(yáng)極的膜層結(jié)構(gòu)為氧化銦錫(indium?tin?oxide，ito)層、銀(ag)層和ito層依次堆疊的復(fù)合結(jié)構(gòu)。

2、但是，在上述膜層結(jié)構(gòu)的制備過(guò)程中，需要進(jìn)行ito晶化處理，該處理通常會(huì)造成膜層結(jié)構(gòu)中的ito層出現(xiàn)一些孔洞，或稱(chēng)針孔(pin?hole)。由于ito層孔洞的存在，會(huì)使oled陽(yáng)極的膜層結(jié)構(gòu)外部的雜質(zhì)進(jìn)入到膜層結(jié)構(gòu)內(nèi)部，與ag層發(fā)生反應(yīng)，使得陽(yáng)極發(fā)生異常，最終導(dǎo)致顯示器的畫(huà)面存在暗點(diǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N膜層結(jié)構(gòu)、膜層結(jié)構(gòu)的制備方法和顯示基板，能夠進(jìn)一步降低膜層結(jié)構(gòu)內(nèi)部或者外部的雜質(zhì)通過(guò)ito層的針孔接觸到金屬層的概率，以進(jìn)一步增加ito層對(duì)金屬層的保護(hù)能力，以避免應(yīng)用該膜層結(jié)構(gòu)的顯示器畫(huà)面存在暗點(diǎn)。

2、第一方面，提供了一種膜層結(jié)構(gòu)，該膜層結(jié)構(gòu)包括：平坦(planarization?layer，pln)層；第一ito層，第一ito層位于pln層之上，第一ito層包括n層第一ito子層，n層第一ito子層的膜質(zhì)互不相同，n大于1；金屬層，金屬層位于第一ito層之上；第二ito層，第二ito層位于金屬層之上，第二ito層包括m層第二ito子層，m層第二ito子層的膜質(zhì)互不相同，m大于1。

3、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，第一ito層還包括：第一阻隔層，第一阻隔層位于兩層第一ito子層之間，或者位于n層第一ito子層之上，或者位于n層第一ito子層之下；和/或，第二ito層還包括：第二阻隔層，第二阻隔層位于兩層第二ito子層之間，或者位于m層第二ito子層之上，或者位于m層第二ito子層之下。

4、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，金屬層的材料為ag，第一阻隔層和/或第二阻隔層的材料為ag、鉬(mo)或者鋁(al)，第一阻隔層和第二阻隔層的厚度小于或者等于10nm。

5、結(jié)合第一方面，在第一方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，上述n等于2，上述m等于2，第一ito子層和第二ito子層的厚度在[1nm,4.5nm]內(nèi)。

6、第二方面，提供了一種膜層結(jié)構(gòu)的制備方法，該方法包括：沉積pln層；在pln之上沉積第一ito層，第一ito層包括n層第一ito子層，n層第一ito子層的膜質(zhì)互不相同，n大于1；在第一ito層之上沉積金屬層；在金屬層之上沉積第二ito層，第二ito層包括m層第二ito子層，m層第二ito子層的膜質(zhì)互不相同，m大于1。

7、結(jié)合第二方面，在第二方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，在pln層之上至少沉積n層第一ito子層，n層第一ito子層對(duì)應(yīng)的工藝參數(shù)互不相同；在金屬層之上至少沉積m層第二ito子層，m層第二ito子層對(duì)應(yīng)的工藝參數(shù)互不相同。

8、結(jié)合第二方面，在第二方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，在pln層之上沉積第一阻隔層，或者在第n-i層第一ito子層之上沉積第一阻隔層，i大于或者等于0且小于n；和/或，在金屬層之上沉積第二阻隔層，或者在第m-j層第二ito子層之上沉積第二阻隔層，j大于或者等于0且小于m。

9、結(jié)合第二方面，在第二方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，金屬層的材料為ag，第一阻隔層或第二阻隔層的材料為ag、mo或者al，第一阻隔層和第二阻隔層的厚度小于或者等于10nm。

10、結(jié)合第二方面，在第二方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，上述n等于2，上述m等于2，第一ito子層和第二ito子層的厚度在[1nm,4.5nm]內(nèi)。

11、結(jié)合第二方面，在第二方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，在完成在金屬層之上沉積第二ito層的操作時(shí)，得到第一膜層結(jié)構(gòu)，在第一膜層結(jié)構(gòu)之上涂覆光刻膠；對(duì)第一膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕；去除殘留在第一膜層結(jié)構(gòu)之上的光刻膠；對(duì)第一膜層結(jié)構(gòu)進(jìn)行ito晶化處理，得到第二膜層結(jié)構(gòu)。

12、第三方面，提供了一種顯示基板，包括發(fā)光器件，該發(fā)光器件包括上述第一方面的膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中任意一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的膜層結(jié)構(gòu)。

13、結(jié)合第三方面，在第三方面的某些實(shí)現(xiàn)方式中，發(fā)光器件為oled。

14、第四方面，提供了一種膜層結(jié)構(gòu)的制備裝置，包括處理器和存儲(chǔ)器，其中，處理器和存儲(chǔ)器相連，其中，存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)程序代碼，處理器用于調(diào)用程序代碼，以執(zhí)行上述第二方面的方法設(shè)計(jì)中任意一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的方法。

15、第五方面，提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，該計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行以實(shí)現(xiàn)上述第二方面的方法設(shè)計(jì)中任意一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的方法。

16、第六方面，提供了一種計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，包括指令，當(dāng)該指令被處理器運(yùn)行時(shí)，使得計(jì)算機(jī)執(zhí)行上述第二方面的方法設(shè)計(jì)中任意一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的方法。

技術(shù)特征：

1.一種膜層結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一ito層(320)還包括：第一阻隔層(322)，所述第一阻隔層(322)位于兩層所述第一ito子層(321)之間，或者位于所述n層第一ito子層(321)之上，或者位于所述n層第一ito子層(321)之下；和/或，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的膜層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬層(330)的材料為銀ag，所述第一阻隔層(322)和/或所述第二阻隔層(342)的材料為ag、鉬mo或者鋁al，所述第一阻隔層(322)和所述第二阻隔層(342)的厚度小于或者等于10nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的膜層結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述n等于2，所述m等于2，所述第一ito子層(321)和所述第二ito子層(341)的厚度在[1nm,4.5nm]內(nèi)。

5.一種膜層結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述pln之上沉積第一ito層包括：在所述pln層之上至少沉積所述n層第一ito子層，所述n層第一ito子層對(duì)應(yīng)的工藝參數(shù)互不相同；

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述pln層之上至少沉積所述n層第一ito子層包括：在所述pln層之上沉積第一阻隔層，或者在第(n-i)層所述第一ito子層之上沉積所述第一阻隔層，所述i大于或者等于0且小于所述n；和/或，

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述金屬層的材料為銀ag，所述第一阻隔層或所述第二阻隔層的材料為ag、鉬mo或者鋁al，所述第一阻隔層和所述第二阻隔層的厚度小于或者等于10nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求5至8中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述n等于2，所述m等于2，所述第一ito子層和所述第二ito子層的厚度在[1nm,4.5nm]內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求5至9中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在完成所述在所述金屬層之上沉積第二ito層的操作時(shí)，得到第一膜層結(jié)構(gòu)，所述方法還包括：

11.一種顯示基板，其特征在于，包括發(fā)光器件，所述發(fā)光器件包括如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的膜層結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示基板，其特征在于，所述發(fā)光器件為有機(jī)發(fā)光二極管oled。

13.一種膜層結(jié)構(gòu)的制備裝置，其特征在于，包括處理器和存儲(chǔ)器，其中，所述處理器和存儲(chǔ)器相連，其中，所述存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)程序代碼，所述處理器用于調(diào)用所述程序代碼，以執(zhí)行如權(quán)利要求5至10中任一項(xiàng)所述的方法。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)?zhí)峁┝四咏Y(jié)構(gòu)、膜層結(jié)構(gòu)的制備方法和顯示基板，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該膜層結(jié)構(gòu)包括：PLN層；第一ITO層，第一ITO層位于PLN層之上，第一ITO層包括N層第一ITO子層，N層第一ITO子層的膜質(zhì)互不相同，N大于1；金屬層，金屬層位于第一ITO層之上；第二ITO層，第二ITO層位于金屬層之上，第二ITO層包括M層第二ITO子層，M層第二ITO子層的膜質(zhì)互不相同，M大于1?；谠摲桨?，能夠進(jìn)一步降低膜層結(jié)構(gòu)內(nèi)部或者外部的雜質(zhì)通過(guò)ITO層的針孔接觸到金屬層的概率，以進(jìn)一步增加ITO層對(duì)金屬層的保護(hù)能力，以避免應(yīng)用該膜層結(jié)構(gòu)的顯示器畫(huà)面存在暗點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：張健,魏小丹,姜偉,胥立
受保護(hù)的技術(shù)使用者：京東方科技集團(tuán)股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23