本申請(qǐng)涉及印制電路板領(lǐng)域，且特別涉及一種精細(xì)線路印制電路板及制備方法。

背景技術(shù)：

1、電路板精細(xì)線路工藝實(shí)現(xiàn)方面業(yè)界主要存在msap和sap兩種工藝，msap是modified?semi-additive?process(改良型半加成法)的簡稱，sap是semi-additiveprocess(半加成法)的簡稱。近年來隨著高解析度ldi(laser?direct?imaging，激光直接成像)設(shè)備及高解析力、高密著力干膜的研究發(fā)展，極少數(shù)廠家使用msap工藝已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了精細(xì)化線路的量產(chǎn)，但是更精細(xì)化線路的制作還是依靠sap工藝來實(shí)現(xiàn)。

2、sap工藝相對(duì)于msap工藝來說使用的主要材料、設(shè)備、藥水均不同，對(duì)于已擁有msap工藝的廠家來說，如果變更為sap工藝，變更意味著需要龐大的投資，設(shè)備也需要重新布局，甚至還需要因此建設(shè)新工廠，代價(jià)很大。更現(xiàn)實(shí)的做法是借用已有的msap工藝與設(shè)備，在此基礎(chǔ)上改進(jìn)，進(jìn)而盡量達(dá)到精細(xì)化線路的制作水平。

3、圖1示出了sap與msap的工藝特點(diǎn)比較示意圖，圖2示出了sap與msap的蝕刻量所形成的線路的比較示意圖。sap與msap工藝最大的區(qū)別在于sap工藝是使用化學(xué)銅作為基銅，而msap工藝是采用極薄銅箔作為基銅，在同樣的工藝流程、干膜能力情況下msap由于化學(xué)銅1和銅箔2相互貼合，導(dǎo)致基銅厚度大，后期需要相應(yīng)大的蝕刻量來形成線路，這時(shí)形成的線路要比預(yù)想的目標(biāo)線路細(xì)，不適用與高密度精細(xì)化線路形成，形成的線路粗度值較細(xì)即可能出現(xiàn)“線細(xì)”問題。

4、圖3示出了sap與msap的化學(xué)銅是否剝離的比較示意圖。要想得到更精細(xì)的線路就要求盡可能的降低基銅厚度，但是基銅厚度如果無限降低乃至露出基材的情況下，傳統(tǒng)的化學(xué)銅1與樹脂之間的結(jié)合力就無法保證，容易導(dǎo)致化學(xué)銅1分層剝離等問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的狀態(tài)而做出本申請(qǐng)。第一方面，本申請(qǐng)的目的在于提供一種精細(xì)線路印制電路板。包括：基板，所述基板為玻璃布樹脂材質(zhì)；基銅，所述基銅包括化學(xué)銅、銅箔；粘合層，所述粘合層為有機(jī)硅樹脂材質(zhì)，所述粘合層位于所述基板與所述基銅之間，所述粘合層的一面與所述基板粘接，所述粘合層的另一面與所述化學(xué)銅粘接；其中，所述粘合層的厚度值范圍為2um至4um；所述粘合層與所述基板之間的粘接力大于所述基銅與所述基板之間的粘接力。

2、作為本申請(qǐng)的更進(jìn)一步改進(jìn)，所述銅箔背離所述粘合層的一面經(jīng)歷蝕刻后，所述化學(xué)銅沉積到所述粘合層表面；所述粘合層對(duì)所述基銅的一面實(shí)現(xiàn)全覆蓋。

3、作為本申請(qǐng)的又進(jìn)一步改進(jìn)，沿垂直于所述基板所在平面的視角方向觀察，所述基板內(nèi)部包括相互垂直交叉的玻璃纖維。

4、作為本申請(qǐng)的又進(jìn)一步改進(jìn)，所述基板內(nèi)部包括玻璃纖維，所述玻璃纖維的延伸軌跡呈波浪形。

5、作為本申請(qǐng)的又進(jìn)一步改進(jìn)，所述化學(xué)銅背離所述粘合層的一面有電鍍層。

6、作為本申請(qǐng)的又進(jìn)一步改進(jìn)，所述電鍍層上具備剝膜后形成凹陷的電氣銅未析出部，所述電氣銅未析出部的底面暴露出所述化學(xué)銅。

7、作為本申請(qǐng)的又進(jìn)一步改進(jìn)，所述電鍍層上具備蝕刻坑，所述蝕刻坑增大了所述電氣銅未析出部的寬度和深度，所述蝕刻坑的底面暴露出所述粘合層。

8、作為本申請(qǐng)的又進(jìn)一步改進(jìn)，所述精細(xì)線路印制電路板的線寬和線距均小于20um。

9、第二方面，提供一種精細(xì)線路印制電路板制備方法，其用于制造本申請(qǐng)的精細(xì)線路印制電路板，包括：步驟s1：使所述粘合層與所述銅箔相互貼合，使所述粘合層中未被所述銅箔貼合的一面與所述基板粘接；步驟s2，弱蝕刻：將所述銅箔蝕刻去除；步驟s3，化學(xué)銅：將所述化學(xué)銅沉積到所述粘合層上背離所述基板的一面上；步驟s4，貼膜露光顯影：將所述化學(xué)銅背離所述基板的一面貼光敏干膜，并置于紫外線下照射，所述光敏干膜形成電路圖案；步驟s5，電鍍：通過電鍍將所述化學(xué)銅的表面覆上一層電鍍層；步驟s6，剝膜：剝?nèi)ニ霾襟Es4中所述光敏干膜；步驟s7，蝕刻：對(duì)所述化學(xué)銅和所述電鍍層進(jìn)行部分蝕刻，剩余的部分所述化學(xué)銅和部分所述電鍍層形成與所述電路圖案匹配的線路。

10、作為本申請(qǐng)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述粘合層的有機(jī)硅樹脂含有硅酸分散劑，所述硅酸分散劑在所述基板的表面擴(kuò)張并促進(jìn)永久鍵合。

11、作為本申請(qǐng)的更進(jìn)一步改進(jìn)，所述銅箔的厚度為3um、2um或1.5um。

12、本申請(qǐng)的精細(xì)線路印制電路板的有益效果包括：以現(xiàn)有的msap工藝中印制電路板的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為基礎(chǔ)，通過新增有機(jī)硅樹脂材質(zhì)的粘合層，讓有機(jī)硅樹脂作為玻璃布樹脂與傳統(tǒng)化學(xué)銅之間的中間層，有效的提升了玻璃布樹脂材質(zhì)的基板與化學(xué)銅的結(jié)合力，降低化學(xué)銅從玻璃布樹脂材質(zhì)上剝離的概率，實(shí)現(xiàn)精細(xì)化線路的制造，從而能得到精度媲美sap工藝產(chǎn)出的印制電路板。本申請(qǐng)的精細(xì)線路印制電路板的復(fù)合層結(jié)構(gòu)具備可操作性，也有利于經(jīng)濟(jì)性。

技術(shù)特征：

1.一種精細(xì)線路印制電路板，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的精細(xì)線路印制電路板，其特征在于：所述銅箔(2)背離所述粘合層(3)的一面經(jīng)歷蝕刻后，所述化學(xué)銅(1)沉積到所述粘合層(3)表面；所述粘合層(3)對(duì)所述基銅的一面實(shí)現(xiàn)全覆蓋。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的精細(xì)線路印制電路板，其特征在于：沿垂直于所述基板(4)所在平面的視角方向觀察，所述基板(4)內(nèi)部包括相互垂直交叉的玻璃纖維(401)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的精細(xì)線路印制電路板，其特征在于：所述基板(4)內(nèi)部包括玻璃纖維(401)，所述玻璃纖維(401)的延伸軌跡呈波浪形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的精細(xì)線路印制電路板，其特征在于：所述化學(xué)銅(1)背離所述粘合層(3)的一面有電鍍層(6)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的精細(xì)線路印制電路板，其特征在于：所述電鍍層(6)上具備剝膜后形成凹陷的電氣銅未析出部(601)，所述電氣銅未析出部(601)的底面暴露出所述化學(xué)銅(1)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的精細(xì)線路印制電路板，其特征在于：所述電鍍層(6)上具備蝕刻坑(7)，所述蝕刻坑(7)增大了所述電氣銅未析出部(601)的寬度和深度，所述蝕刻坑(7)的底面暴露出所述粘合層(3)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的精細(xì)線路印制電路板，其特征在于：所述精細(xì)線路印制電路板的線寬(l)和線距(s)均小于20um。

9.一種精細(xì)線路印制電路板制備方法，用于制造權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的精細(xì)線路印制電路板，其特征在于，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的精細(xì)線路印制電路板制備方法，其特征在于：所述粘合層(3)的有機(jī)硅樹脂含有硅酸分散劑，所述硅酸分散劑在所述基板(4)的表面擴(kuò)張并促進(jìn)永久鍵合。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的精細(xì)線路印制電路板制備方法，其特征在于：所述銅箔(2)的厚度為3um、2um或1.5um。

技術(shù)總結(jié)
提供了精細(xì)線路印制電路板及制備方法。精細(xì)線路印制電路板包括：基板，基板為玻璃布樹脂材質(zhì)；基銅，基銅包括化學(xué)銅、銅箔；粘合層，粘合層為有機(jī)硅樹脂材質(zhì)，粘合層位于基板與基銅之間，粘合層的一面與基板粘接，粘合層的另一面與化學(xué)銅粘接；其中，粘合層的厚度值范圍為2um至4um；粘合層與基板之間的粘接力大于基銅與基板之間的粘接力。這樣通過新增有機(jī)硅樹脂材質(zhì)的粘合層，讓有機(jī)硅樹脂作為玻璃布樹脂與傳統(tǒng)化學(xué)銅之間的中間層，有效的提升了玻璃布樹脂材質(zhì)的基板與化學(xué)銅的結(jié)合力，實(shí)現(xiàn)精細(xì)化線路的制造，對(duì)原有的MSAP工藝設(shè)備改造成本也不高。

技術(shù)研發(fā)人員：喬遷,尤長靜,張國強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京興斐電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23