本發(fā)明公開(kāi)一種bdmp封裝方法，特別是一種新型的用于difem射頻模組的bdmp封裝方法。
背景技術(shù)：
1、國(guó)內(nèi)射頻前端模組廠商通常會(huì)采用bdmp的封裝方式來(lái)實(shí)現(xiàn)射頻模組的封裝。"bdmp"全稱是?"bare?die?molded?package"，這種封裝是將裸saw芯片上生長(zhǎng)出錫球（bump），然后直接倒裝在基板上，再注塑成模組的方式。
2、在saw晶圓上形成錫球（solder?bumps）的工藝流程為：
3、①首先清洗晶圓，以去除表面污染物和氧化層。通過(guò)化學(xué)鍍的方式，在晶圓焊盤（pad）上沉積鎳、鈀和金。這些金屬層對(duì)于確保良好的焊接接合和防止錫擴(kuò)散至焊料中非常重要。
4、②使用專門的設(shè)備（如絲網(wǎng)印刷）在金層上精確地涂抹錫膏，這一步是為了在晶圓上建立物理和電氣連接點(diǎn)，為接下來(lái)的回流焊過(guò)程做好準(zhǔn)備。錫膏通常由錫焊料與助焊劑組成。錫焊料：通常由錫（sn）和其他金屬（如鉛、銀、銅）的合金組成，選擇合金的成份取決于所需的熔點(diǎn)和機(jī)械特性。助焊劑是為了幫助清除金屬表面的氧化物，減少表面張力，使焊料能更好地流動(dòng)和粘附。
5、③將晶圓放入回流焊爐，逐漸加熱至超過(guò)錫膏的熔點(diǎn)。這個(gè)過(guò)程中，錫膏熔化并在金屬墊上形成圓頂形的錫球。隨著爐溫的下降，錫固化，形成堅(jiān)固的焊點(diǎn)。
6、④使用適當(dāng)?shù)娜軇┗蚯逑匆簩?duì)晶圓進(jìn)行清洗，以去除助焊劑殘留物。徹底干燥晶圓，確保沒(méi)有殘留的清洗液。
7、⑤將晶圓切割，打包編帶。
8、該工藝的缺點(diǎn)主要有：ⅰ.需要進(jìn)行化學(xué)鍍，化學(xué)鍍時(shí)需要高溫，但是saw晶圓很薄，在巨大溫差下容易發(fā)生裂片情況；ⅱ.在植錫球時(shí)，由于要刷錫膏，需要對(duì)不同類型的晶圓定制不同的鋼網(wǎng)，制作費(fèi)用昂貴且不易于變更植球方案；ⅲ.在清洗助焊劑時(shí)需要用到一些化學(xué)藥水，容易腐蝕saw濾波器。
9、將已經(jīng)植球的芯片sip封裝為模組的工藝流程如下：
10、①用smt機(jī)臺(tái)將saw濾波器芯片，開(kāi)關(guān)精確放置在pcb基板上，pcb基板上刷有錫膏，之后通過(guò)回流爐進(jìn)行回流焊接，以將濾波器芯片與開(kāi)關(guān)固定在基板上。
11、②在pcb基板上附上一層50μm厚的tsa膜，以保護(hù)saw濾波器，以免使后續(xù)的cmolding工序中的環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)入空腔。
12、③使用環(huán)氧樹(shù)脂通過(guò)壓力對(duì)pcb基板、濾波器、開(kāi)關(guān)進(jìn)行擠壓注塑。
13、④固化后，使用劃片機(jī)對(duì)封裝后的pcb基板進(jìn)行切割，得到一粒粒的difem射頻模組。
14、該工藝的缺點(diǎn)主要為：在smt工序中，需要將植球后的芯片倒裝在基板上，在此過(guò)程中，錫球倒裝到基板上會(huì)出現(xiàn)很多的工藝問(wèn)題，如：空洞等。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、針對(duì)上述提到的現(xiàn)有技術(shù)中的通常采用bdmp的封裝方式來(lái)實(shí)現(xiàn)射頻模組的封裝，錫球倒裝到基板上會(huì)出現(xiàn)很多的工藝問(wèn)題的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供一種新型的用于difem射頻模組的bdmp封裝方法，用球焊機(jī)在晶圓上植金球的方式替代印刷錫膏植錫球的方式，采用倒裝機(jī)進(jìn)行封裝，可解決上述問(wèn)題。
2、本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題采用的技術(shù)方案是：一種新型的用于difem射頻模組的bdmp封裝方法，該封裝方法包括下述步驟：
3、步驟s1、植金球：將待處理的晶圓固定在載具上，通過(guò)打火桿加熱金絲，使金絲的末端熔化形成一個(gè)圓球，然后將金球?qū)?zhǔn)到晶圓上的特定焊盤，將金球輕輕壓在焊盤上，并同時(shí)施加超聲波振動(dòng)，超聲波振動(dòng)和壓力共同作用使金球與焊盤焊接在一起，形成一個(gè)微小的金球焊點(diǎn)，金球焊接在焊盤上，金絲被切斷，留下一個(gè)完整的金球焊點(diǎn)在焊盤上；
4、步驟s2、晶圓切割：使用劃片機(jī)沿預(yù)定的切割道將晶圓切割成單獨(dú)的芯片；
5、步驟s3、芯片和開(kāi)關(guān)倒裝：用倒裝機(jī)通過(guò)金-金鍵合的原理，將saw芯片和開(kāi)關(guān)倒裝到射頻模組的pcb基板上；
6、步驟s4、覆膜：將膜附在貼有saw芯片和開(kāi)關(guān)的pcb基板上；
7、步驟s5、覆保護(hù)膜：將保護(hù)膜附在步驟s4的覆膜表面，并對(duì)其進(jìn)行固化；
8、步驟s6、切割pcb基板：將固化后的pcb板沿著pcb板的切割道進(jìn)行切割編帶，得到difem模組。
9、本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題采用的技術(shù)方案進(jìn)一步還包括：
10、所述的步驟s2中，晶圓切割之前在晶圓表面涂上保護(hù)層。
11、所述的步驟s2中，晶圓切割之后去除表面的保護(hù)層，得到切割后的芯片。
12、所述的步驟s1中，植金球時(shí)，在同一個(gè)位置上，連續(xù)植兩個(gè)金球。
13、所述的步驟s4中，覆膜時(shí)采用tsa膜或者環(huán)氧樹(shù)脂膜。
14、所述的tsa膜或者環(huán)氧樹(shù)脂膜厚度為50μm。
15、所述的保護(hù)膜采用氧樹(shù)脂膜或塑膠膜。
16、所述的保護(hù)膜采用氧樹(shù)脂膜時(shí)，采用烘箱進(jìn)行固化，烘箱的固化溫度為150℃~250℃。
17、本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明大大簡(jiǎn)化了bdmp封裝的工藝步驟，提高了生產(chǎn)效率；減少了生產(chǎn)中所需的材料和能源消耗，還降低了人力和維護(hù)成本；降低了工藝問(wèn)題出現(xiàn)的概率，從而提高了產(chǎn)品的整體質(zhì)量和一致性。
18、下面將結(jié)合具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說(shuō)明。
1.一種新型的用于difem射頻模組的bdmp封裝方法，其特征是：所述的封裝方法包括下述步驟：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型的用于difem射頻模組的bdmp封裝方法，其特征是：所述的步驟s2中，晶圓切割之前在晶圓表面涂上保護(hù)層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型的用于difem射頻模組的bdmp封裝方法，其特征是：所述的步驟s2中，晶圓切割之后去除表面的保護(hù)層，得到切割后的芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型的用于difem射頻模組的bdmp封裝方法，其特征是：所述的步驟s1中，植金球時(shí)，在同一個(gè)位置上，連續(xù)植兩個(gè)金球。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型的用于difem射頻模組的bdmp封裝方法，其特征是：所述的步驟s4中，覆膜時(shí)采用tsa膜或者環(huán)氧樹(shù)脂膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的新型的用于difem射頻模組的bdmp封裝方法，其特征是：所述的tsa膜或者環(huán)氧樹(shù)脂膜厚度為50μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型的用于difem射頻模組的bdmp封裝方法，其特征是：所述的保護(hù)膜采用氧樹(shù)脂膜或塑膠膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型的用于difem射頻模組的bdmp封裝方法，其特征是：所述的保護(hù)膜采用氧樹(shù)脂膜時(shí)，采用烘箱進(jìn)行固化，烘箱的固化溫度為150℃~250℃。