本技術(shù)涉及無(wú)線電，具體涉及一種基于雙環(huán)結(jié)構(gòu)的頻率源模塊。

背景技術(shù)：

1、隨著無(wú)線電通信和無(wú)線電監(jiān)測(cè)技術(shù)飛速發(fā)展，整機(jī)系統(tǒng)性能提出了更高、更嚴(yán)格要求。頻率范圍、頻率步進(jìn)、信號(hào)雜散作為整機(jī)系統(tǒng)的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響整機(jī)性能。傳統(tǒng)的單環(huán)鎖相技術(shù)，整數(shù)頻率合成器難以實(shí)現(xiàn)小步進(jìn)，小數(shù)頻率合成器難以避開(kāi)整數(shù)邊界雜散。新型復(fù)雜結(jié)構(gòu)頻率合成器，可以實(shí)現(xiàn)超寬帶、小步進(jìn)、低雜散，但存在結(jié)構(gòu)復(fù)雜，體積大，功耗高，成本高等缺點(diǎn)，只能應(yīng)用于特殊平臺(tái)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的在于提供一種基于雙環(huán)結(jié)構(gòu)的頻率源模塊，解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案如下：

3、一種基于雙環(huán)結(jié)構(gòu)的頻率源模塊，包括恒溫晶振、低通濾波器i、頻率綜合器i、低通濾波器ii、頻率綜合器ii、數(shù)控衰減器、射頻開(kāi)關(guān)i、射頻開(kāi)關(guān)ii；

4、恒溫晶振連接低通濾波器i輸入端，低通濾波器i輸出端連接頻率綜合器i輸入端，頻率綜合器i輸出端連接低通濾波器ii輸入端，低通濾波器ii輸出端連接頻率綜合器ii輸入端，頻率綜合器ii輸出端連接數(shù)控衰減器輸入端，數(shù)控衰減器輸出端連接射頻開(kāi)關(guān)i輸入端、射頻開(kāi)關(guān)i輸出端連接射頻開(kāi)關(guān)ii輸入端，射頻開(kāi)關(guān)ii輸出端輸出信號(hào)。

5、作為一種優(yōu)選技術(shù)方案，恒溫晶振u11的型號(hào)為jtm2056b，恒溫晶振u11的vcc腳連接電容c87的一端、電容c88的一端、電容c89的一端、極性電容c90的正極、電感b15的一端；電感b15的另一端接入5v電壓；c87的另一端、電容c88的另一端、電容c89的另一端、極性電容c90的負(fù)極連接并接地。

6、作為一種優(yōu)選技術(shù)方案，低通濾波器i包括電容c91，電容c91的一端作為低通濾波器i輸入端連接到恒溫晶振u11的out腳，電容c91的另一端連接電容c61的一端、電感l(wèi)13的一端；電容c61的另一端接地，電感l(wèi)13的另一端連接電容c62的一端、電感l(wèi)14的一端，電容c62的另一端接地；電感l(wèi)14的另一端連接電容c63的一端并作為低通濾波器i的輸出端，電容c63的另一端接地。

7、作為一種優(yōu)選技術(shù)方案，低通濾波器ii包括電感l(wèi)5，電感l(wèi)5的一端連接電容c32的一端并作為低通濾波器ii的輸入端，電感l(wèi)5的另一端連接電容c33的一端、電感l(wèi)6的一端，電感l(wèi)6的另一端連接電容c34的一端并作為低通濾波器ii的輸出端；電容c32的另一端、電容c33的另一端、電容c34的另一端接地。

8、作為一種優(yōu)選技術(shù)方案，射頻開(kāi)關(guān)i包括芯片u4，芯片u4的型號(hào)為sis032sp3；芯片u4的1腳連接2腳、16腳、15腳并接地；芯片u4的3腳通過(guò)電容c85連接到數(shù)控衰減器的輸出端；芯片u4的4腳連接5腳、6腳并接地；芯片u4的7腳連接電容c31的一端，電容c31的另一端連接電阻r5的一端，電阻r5的另一端接地，芯片u4的8腳連接9腳并接地；芯片u4的10腳連接電阻r12的一端；電阻r12的另一端為sw引腳，連接主控芯片；芯片u4的11腳連接電容c81的一端并接入5v電壓；電容c81的另一端接地；芯片u4的12腳連接13腳并接地；芯片u4的14腳通過(guò)電容c76連接到射頻開(kāi)關(guān)ii；

9、射頻開(kāi)關(guān)ii包括芯片u3，芯片u3的型號(hào)為sis032sp3；芯片u3的3腳與芯片u4的14腳通過(guò)電容c76連接；

10、芯片u3的1腳連接2腳、16腳、15腳并接地；芯片u3的4腳連接5腳、6腳并接地；芯片u3的7腳連接電容c86的一端，電容c86的另一端連接電阻r47的一端，電阻r47的另一端接地，芯片u3的8腳連接9腳并接地；芯片u3的10腳連接電阻r6的一端；電阻r6的另一端為sw引腳，連接主控芯片；芯片u3的11腳連接電容c82的一端并接入5v電壓；電容c82的另一端接地；芯片u3的12腳連接13腳并接地；芯片u3的14腳連接電容c77的一端，電容c77的另一端輸出信號(hào)。

11、作為一種優(yōu)選技術(shù)方案，頻率綜合器i包括芯片u2及其基本電路，芯片u2的型號(hào)為hmc832alp6e；頻率綜合器ii包括芯片u1及其基本電路，芯片u1的型號(hào)為lmx2594rhat。

12、本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下有益效果：

13、本實(shí)用新型提供一種頻率合成器，主要是通過(guò)雙環(huán)結(jié)構(gòu)模式，即前級(jí)頻率綜合器輸出頻率信號(hào)作為參考信號(hào)，提供給第二級(jí)頻率綜合器，第二級(jí)頻率綜合器輸出所需頻率信號(hào)。同時(shí)根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合需求，鏈路級(jí)聯(lián)數(shù)控衰減器調(diào)整輸出信號(hào)功率，級(jí)聯(lián)兩級(jí)射頻開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)調(diào)制功能。

14、恒溫晶振輸出信號(hào)通過(guò)低通濾波器i，對(duì)信號(hào)雜散及諧波進(jìn)行一定抑制后進(jìn)入頻率綜合器i，頻率綜合器i輸出一段小步進(jìn)、低頻率信號(hào)，此信號(hào)經(jīng)過(guò)低通濾波器ii，對(duì)此信號(hào)雜散及諧波進(jìn)行一定抑制后作為參考信號(hào)進(jìn)入頻率綜合器ii，頻率綜合器ii輸出所需頻率信號(hào)，后級(jí)經(jīng)過(guò)數(shù)控衰減器調(diào)整輸出信號(hào)功率，經(jīng)過(guò)兩級(jí)射頻開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)調(diào)制功能。

15、本實(shí)用新型是一種電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的頻率合成器，超寬帶、小步進(jìn)、低雜散，電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、電路元件少，因此體積小、功耗低、成本較低。

技術(shù)特征：

1.一種基于雙環(huán)結(jié)構(gòu)的頻率源模塊，特征在于，包括恒溫晶振、低通濾波器i、頻率綜合器i、低通濾波器ii、頻率綜合器ii、數(shù)控衰減器、射頻開(kāi)關(guān)i、射頻開(kāi)關(guān)ii；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙環(huán)結(jié)構(gòu)的頻率源模塊，其特征在于，恒溫晶振u11的型號(hào)為jtm2056b，恒溫晶振u11的vcc腳連接電容c87的一端、電容c88的一端、電容c89的一端、極性電容c90的正極、電感b15的一端；電感b15的另一端接入5v電壓；c87的另一端、電容c88的另一端、電容c89的另一端、極性電容c90的負(fù)極連接并接地。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙環(huán)結(jié)構(gòu)的頻率源模塊，其特征在于，低通濾波器i包括電容c91，電容c91的一端作為低通濾波器i輸入端連接到恒溫晶振u11的out腳，電容c91的另一端連接電容c61的一端、電感l(wèi)13的一端；電容c61的另一端接地，電感l(wèi)13的另一端連接電容c62的一端、電感l(wèi)14的一端，電容c62的另一端接地；電感l(wèi)14的另一端連接電容c63的一端并作為低通濾波器i的輸出端，電容c63的另一端接地。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙環(huán)結(jié)構(gòu)的頻率源模塊，其特征在于，低通濾波器ii包括電感l(wèi)5，電感l(wèi)5的一端連接電容c32的一端并作為低通濾波器ii的輸入端，電感l(wèi)5的另一端連接電容c33的一端、電感l(wèi)6的一端，電感l(wèi)6的另一端連接電容c34的一端并作為低通濾波器ii的輸出端；電容c32的另一端、電容c33的另一端、電容c34的另一端接地。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙環(huán)結(jié)構(gòu)的頻率源模塊，其特征在于，射頻開(kāi)關(guān)i包括芯片u4，芯片u4的型號(hào)為sis032sp3；芯片u4的1腳連接2腳、16腳、15腳并接地；芯片u4的3腳通過(guò)電容c85連接到數(shù)控衰減器的輸出端；芯片u4的4腳連接5腳、6腳并接地；芯片u4的7腳連接電容c31的一端，電容c31的另一端連接電阻r5的一端，電阻r5的另一端接地，芯片u4的8腳連接9腳并接地；芯片u4的10腳連接電阻r12的一端；電阻r12的另一端為sw引腳，連接主控芯片；芯片u4的11腳連接電容c81的一端并接入5v電壓；電容c81的另一端接地；芯片u4的12腳連接13腳并接地；芯片u4的14腳通過(guò)電容c76連接到射頻開(kāi)關(guān)ii；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于雙環(huán)結(jié)構(gòu)的頻率源模塊，其特征在于，頻率綜合器i包括芯片u2及其基本電路，芯片u2的型號(hào)為hmc832alp6e；頻率綜合器ii包括芯片u1及其基本電路，芯片u1的型號(hào)為lmx2594rhat。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)公開(kāi)了一種基于雙環(huán)結(jié)構(gòu)的頻率源模塊，涉及無(wú)線電技術(shù)領(lǐng)域。1、一種基于雙環(huán)結(jié)構(gòu)的頻率源模塊，特征在于，包括恒溫晶振、低通濾波器I、頻率綜合器I、低通濾波器II、頻率綜合器II、數(shù)控衰減器、射頻開(kāi)關(guān)I、射頻開(kāi)關(guān)II；恒溫晶振連接低通濾波器I輸入端，低通濾波器I輸出端連接頻率綜合器I輸入端，頻率綜合器I輸出端連接低通濾波器II輸入端，低通濾波器II輸出端連接頻率綜合器II輸入端，頻率綜合器II輸出端連接數(shù)控衰減器輸入端，數(shù)控衰減器輸出端連接射頻開(kāi)關(guān)I輸入端、射頻開(kāi)關(guān)I輸出端連接射頻開(kāi)關(guān)II輸入端，射頻開(kāi)關(guān)II輸出端輸出信號(hào)。

技術(shù)研發(fā)人員：黎思龍,曾濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都厲行科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240516
技術(shù)公布日：2025/1/6