本申請涉及顯示，具體地涉及一種陣列基板及其制備方法和顯示面板。

背景技術(shù)：

1、在顯示面板中包括陣列基板，在陣列基板中制備有多個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管，在驅(qū)動(dòng)晶體管的制備過程中需要對驅(qū)動(dòng)晶體管所在膜層進(jìn)行多次刻蝕得到所需的晶體管結(jié)構(gòu)，但是在使用刻蝕工藝制備驅(qū)動(dòng)晶體管的源極或漏極過程中，會(huì)對有源層的部分表面造成刻蝕影響，隨著刻蝕次數(shù)的增多，使得有源層的部分表面損壞或膜層斷開的風(fēng)險(xiǎn)也提高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N陣列基板及制備方法和顯示面板，以利于解決上述問題。

2、第一方面，本申請?zhí)峁┮环N陣列基板，包括：

3、襯底；多個(gè)第一晶體管，第一晶體管位于襯底的一側(cè)；第一晶體管包括有源層，有源層包括第一重?fù)诫s區(qū)和第二重?fù)诫s區(qū)；

4、第一信號線，第一信號線位于有源層所在膜層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)；

5、第二信號線，位于第一信號線所在膜層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)，第一信號線所在膜層與第二信號線所在膜層之間包括至少一個(gè)第一絕緣層；

6、轉(zhuǎn)接電極，轉(zhuǎn)接電極與第二信號線位于同一膜層；

7、其中，轉(zhuǎn)接電極的通過第一過孔與有源層的第一重?fù)诫s區(qū)搭接且通過第二過孔與第一信號線搭接，第二信號線通過第三過孔與有源層的第二重?fù)诫s區(qū)搭接，第一過孔與第三過孔貫穿相同的膜層。

8、第二方面，本申請?zhí)峁┮环N顯示面板，包括如第一方面提供的陣列基板。

9、第三方面，本申請?zhí)峁┮环N陣列基板的制備方法，用于制備如第一方面提供的陣列基板；

10、制備方法包括：

11、在襯底的一側(cè)制備有源層；

12、在有源層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二絕緣層；

13、在第二絕緣層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第一金屬層，并圖形化第一金屬層得到第一柵極和第一信號線；

14、在第一金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第一絕緣層；

15、在垂直于陣列基板所在平面的方向上沿第一絕緣層遠(yuǎn)離襯底的表面至第一信號線朝向第一絕緣層的表面之間刻蝕形成第二過孔；同時(shí)，在垂直于陣列基板所在平面的方向上沿第一絕緣層遠(yuǎn)離襯底的表面至有源層朝向第一絕緣層的表面之間刻蝕形成第一過孔和第三過孔；

16、對有源層暴露于第一過孔的部分和有源層暴露于第三過孔的部分進(jìn)行導(dǎo)體化；

17、在第一絕緣層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第二金屬層，并圖形化第二金屬層得到轉(zhuǎn)接電極和第二信號線；

18、在第二金屬層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)制備第一保護(hù)層。

19、在本申請實(shí)施例中，設(shè)置第一信號線經(jīng)過轉(zhuǎn)接電極與第一重?fù)诫s區(qū)搭接，且轉(zhuǎn)接電極與第二信號線同層制備，有利于在設(shè)置第一晶體管的源極與漏極不同層的制備方式中減少刻蝕次數(shù)，降低有源層被刻蝕斷開的風(fēng)險(xiǎn)，使得在有源層進(jìn)行導(dǎo)體化之前的形態(tài)良好，保證有源層在導(dǎo)體化后具備電信號傳輸?shù)哪芰Γ瑥亩ＷC第一晶體管的性能良好。并且，設(shè)置第一過孔與第三過孔貫穿相同膜層，有利于同時(shí)制備過孔，從而具備同時(shí)制備轉(zhuǎn)接電極和第二信號線的條件，降低工藝制備流程，提高制備效率，且為減少刻蝕次數(shù)做出貢獻(xiàn)。

技術(shù)特征：

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述轉(zhuǎn)接電極與所述有源層的第一重?fù)诫s區(qū)的搭接面積為s11，所述有源層與所述第一過孔的交疊面積為s12；20％≤s11/s12＜100％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二信號線與所述有源層的第二重?fù)诫s區(qū)的搭接面積為s21，所述有源層與所述第三過孔的交疊面積為s22；20％≤s21/s22＜100％。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述轉(zhuǎn)接電極包括連接的第一部、第二部，所述第一部通過第一過孔與所述有源層的第一重?fù)诫s區(qū)搭接，所述第二部位于所述第一部遠(yuǎn)離所述有源層的一側(cè)；所述第二部與所述第一部的搭接面積為s13，s13＜s11。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第二信號線包括連接的第三部、第四部，所述第三部通過所述第三過孔與所述有源層的第二重?fù)诫s區(qū)搭接，所述第四部位于所述第三部遠(yuǎn)離所述有源層的一側(cè)；所述第四部與所述第三部的搭接面積為s23，s23＜s21。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一晶體管還包括第一柵極，所述第一柵極位于所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述第一柵極所在膜層與所述有源層所在膜層之間至少包括一個(gè)第二絕緣層；所述第一柵極在第一方向上與所述第一過孔相鄰且與所述第三過孔相鄰，所述第一過孔、所述第三過孔位于所述第一柵極在所述第一方向上的相對兩側(cè)；所述第一方向?yàn)樗龅谝贿^孔與所述第三過孔相鄰排布的方向；

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一晶體管還包括第一柵極，所述第一柵極位于所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，所述第一柵極所在膜層與所述有源層所在膜層之間至少包括一個(gè)第二絕緣層；所述第一柵極在第一方向上與所述第一過孔相鄰且與所述第三過孔相鄰，所述第一過孔、所述第三過孔位于所述第一柵極在所述第一方向上的相對兩側(cè)；所述第一方向?yàn)樗龅谝贿^孔與所述第三過孔相鄰排布的方向；

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣層包括第二絕緣層部；在第一方向上，所述第二絕緣層部位于相鄰的兩個(gè)所述第一過孔與所述第三過孔之間；沿垂直于所述陣列基板所在面的方向，所述第二絕緣層部與所述第一柵極交疊；

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣層包括第二絕緣層部；在第一方向上，所述第二絕緣層部位于相鄰的兩個(gè)所述第一過孔與所述第三過孔之間；沿垂直于所述陣列基板所在面的方向，所述第二絕緣層部與所述第一柵極交疊；

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一晶體管還包括第一柵極，所述第一柵極位于所述有源層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)；所述第一柵極所在膜層與所述有源層所在膜層之間至少包括一個(gè)第二絕緣層；所述第一柵極在第一方向上與所述第一過孔相鄰且與所述第三過孔相鄰，所述第一過孔、所述第三過孔位于所述第一柵極在所述第一方向上的相對兩側(cè)；所述第一方向?yàn)樗龅谝贿^孔與所述第三過孔相鄰排布的方向

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述第一過孔暴露的所述第一部分柵極沿所述第一方向的寬度為w1，w1≥1μm；

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層包括第一絕緣層部；在所述第一方向上，所述第一絕緣層部位于所述第一過孔與所述第三過孔之間；沿垂直于所述陣列基板所在面的方向，所述第一絕緣層部位于所述第二部分柵極遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)，且所述第一絕緣層部覆蓋所述第二部分柵極；

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一信號線與所述第二信號線的材料不同。

14.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-13任一項(xiàng)所述的陣列基板。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括多個(gè)發(fā)光器件；所述第一信號線用于傳輸數(shù)據(jù)電壓，所述第二信號線用于與所述發(fā)光器件電連接。

16.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，用于制備如權(quán)利要求1-13任一項(xiàng)所述的陣列基板；

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制備方法，其特征在于，所述在所述第二絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)制備第一金屬層，并圖形化所述第一金屬層得到第一柵極和第一信號線，包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制備方法，其特征在于，在垂直于陣列基板所在平面的方向上沿所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的表面至所述第一信號線朝向所述第一絕緣層的表面之間刻蝕形成第二過孔；同時(shí)，在垂直于陣列基板所在平面的方向上沿所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的表面至所述有源層朝向所述第一絕緣層的表面之間刻蝕形成第一過孔和第三過孔，包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的制備方法，其特征在于，所述對所述有源層暴露于所述第一過孔的部分和所述有源層暴露于所述第三過孔的部分進(jìn)行導(dǎo)體化：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制備方法，其特征在于，所述在所述第一絕緣層遠(yuǎn)離所述襯底的一側(cè)制備第二金屬層，并圖形化所述第二金屬層得到轉(zhuǎn)接電極和第二信號線，包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請實(shí)施例提供的一種陣列基板及制備方法和顯示面板，陣列基板包括多個(gè)第一晶體管，第一晶體管包括有源層，有源層包括第一重?fù)诫s區(qū)和第二重?fù)诫s區(qū)。第一信號線位于有源層所在膜層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)。第二信號線位于第一信號線所在膜層遠(yuǎn)離襯底的一側(cè)，第一信號線所在膜層與第二信號線所在膜層之間包括至少一個(gè)第一絕緣層。轉(zhuǎn)接電極與第二信號線位于同一膜層。轉(zhuǎn)接電極的通過第一過孔與有源層的第一重?fù)诫s區(qū)搭接且通過第二過孔與第一信號線搭接，第二信號線通過第三過孔與有源層的第二重?fù)诫s區(qū)搭接，第一過孔與第三過孔貫穿相同的膜層。本申請有利于減少制備第一晶體管過程中的刻蝕次數(shù)，降低有源層被刻蝕斷開的風(fēng)險(xiǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：謝鋒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：湖北長江新型顯示產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/23