本公開涉及一種半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體是一種屬于導(dǎo)體和絕緣體之間的中間區(qū)域的材料，并且指的是在預(yù)定條件下導(dǎo)電的材料?？梢酝ㄟ^使用這種半導(dǎo)體材料來制造各種半導(dǎo)體器件，并且例如可以制造存儲(chǔ)器件等。存儲(chǔ)器件可以被分類為易失性存儲(chǔ)器件和非易失性存儲(chǔ)器件。在非易失性存儲(chǔ)器件的情況下，即使電力被切斷，內(nèi)容也不會(huì)被刪除，并且可以在諸如移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)和pc之類的各種電子設(shè)備中使用。

2、根據(jù)最近的存儲(chǔ)容量增大的趨勢(shì)，期望提高非易失性存儲(chǔ)器件的集成度。二維布置在平面上的存儲(chǔ)器件的集成度可能受到限制。因此，已經(jīng)提出了三維布置的豎直非易失性存儲(chǔ)器件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、示例實(shí)施例嘗試提供一種能夠提高可靠性和生產(chǎn)率的半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)。

2、本公開的示例實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：電路區(qū)域，被配置為包括襯底上的外圍電路結(jié)構(gòu)；以及單元區(qū)域，與電路區(qū)域相鄰，并且被配置為包括單元陣列區(qū)域和連接區(qū)域，其中，單元區(qū)域包括：柵極堆疊結(jié)構(gòu)，被配置為包括交替地堆疊在襯底上的層間絕緣層和柵電極；溝道結(jié)構(gòu)，在單元陣列區(qū)域中，并且被配置為延伸穿過柵極堆疊結(jié)構(gòu)；主支撐結(jié)構(gòu)，在連接區(qū)域中，并且被配置為延伸穿過柵極堆疊結(jié)構(gòu)；以及接觸電極，在連接區(qū)域中，并且穿過柵極堆疊結(jié)構(gòu)連接到柵電極，并且主支撐結(jié)構(gòu)包括：第一部分，被配置為沿第一方向延伸；以及第二部分，被配置為在與第一方向交叉的第二方向上從第一部分延伸，其中，接觸電極的至少一部分被主支撐結(jié)構(gòu)的第一部分和第二部分圍繞。

3、本公開的示例實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：電路區(qū)域，被配置為包括襯底上的外圍電路結(jié)構(gòu)；以及單元區(qū)域，與電路區(qū)域相鄰，并且被配置為包括單元陣列區(qū)域和連接區(qū)域，并且單元區(qū)域可以包括：柵極堆疊結(jié)構(gòu)，被配置為包括交替地堆疊在襯底上的多個(gè)層間絕緣層和多個(gè)柵電極；溝道結(jié)構(gòu)，在單元陣列區(qū)域中，并且被配置為延伸穿過柵極堆疊結(jié)構(gòu)；支撐結(jié)構(gòu)，在連接區(qū)域中以延伸穿過柵極堆疊結(jié)構(gòu)；以及接觸電極，在連接區(qū)域中，該接觸電極穿過柵極堆疊結(jié)構(gòu)連接到柵電極，其中，柵電極中的每一個(gè)可以包括連接區(qū)域中的焊盤電極，接觸電極可以電連接到柵電極之一的焊盤電極，并且與其余柵電極絕緣，絕緣圖案設(shè)置在接觸電極和其余柵電極之間，并且接觸電極在平面圖中可以至少部分地被支撐結(jié)構(gòu)圍繞，并且可以包括：第一接觸部分，在截面圖中被柵極堆疊結(jié)構(gòu)圍繞，并且連接到外圍電路結(jié)構(gòu)；以及第二接觸部分，在所述第一接觸部分上且在所述柵極堆疊結(jié)構(gòu)上，并且連接到所述焊盤電極的上表面。

4、本公開的示例實(shí)施例提供了一種電子系統(tǒng)，包括：主襯底；半導(dǎo)體器件，在主襯底上；以及控制器，在主襯底上電連接到半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件可以包括：電路區(qū)域，被配置為包括襯底上的外圍電路結(jié)構(gòu)；以及單元區(qū)域，與電路區(qū)域相鄰，并且被配置為包括單元陣列區(qū)域和連接區(qū)域，該單元區(qū)域可以包括：柵極堆疊結(jié)構(gòu)，被配置為包括交替地堆疊在襯底上的多個(gè)層間絕緣層和多個(gè)柵電極；溝道結(jié)構(gòu)，在單元陣列區(qū)域中，并且被配置為延伸穿過柵極堆疊結(jié)構(gòu)；支撐結(jié)構(gòu)，在連接區(qū)域中，并且被配置為延伸穿過柵極堆疊結(jié)構(gòu)；以及接觸電極，在連接區(qū)域中，該接觸電極穿過柵極堆疊結(jié)構(gòu)連接到柵電極，其中，柵電極中的每一個(gè)可以包括連接區(qū)域中的被配置為連接到接觸電極的焊盤電極，接觸電極可以電連接到柵電極之一的焊盤電極，并且與其余柵電極絕緣，絕緣圖案設(shè)置在接觸電極和其余柵電極之間，并且接觸電極在平面圖中可以至少部分地被支撐結(jié)構(gòu)圍繞，并且可以包括：第一接觸部分，在截面圖中被柵極堆疊結(jié)構(gòu)圍繞，并且連接到外圍電路結(jié)構(gòu)；以及第二接觸部分，在第一接觸部分上且在柵極堆疊結(jié)構(gòu)上，并且連接到焊盤電極的上表面。

5、根據(jù)示例實(shí)施例，在用于形成多個(gè)接觸電極的蝕刻工藝步驟中，由于在相同的蝕刻環(huán)境(例如，形成有接觸電極的區(qū)域中的層的類型或厚度)中執(zhí)行蝕刻，因此可以提高半導(dǎo)體器件的可靠性和生產(chǎn)率。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中，

12.一種半導(dǎo)體器件，包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體器件，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，

19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中，

20.一種電子系統(tǒng)，包括：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件包括：電路區(qū)域，包括襯底上的外圍電路；以及單元區(qū)域，與電路區(qū)域相鄰。單元區(qū)域包括單元陣列區(qū)域和連接區(qū)域。單元區(qū)域還包括：柵極堆疊，包括交替地堆疊在襯底上的層間絕緣層和柵電極；溝道，在單元陣列區(qū)域中，該溝道延伸穿過柵極堆疊；主支撐件，在連接區(qū)域中，該主支撐件延伸穿過柵極堆疊；以及接觸電極，在連接區(qū)域中，該接觸電極穿過柵極堆疊連接到柵電極。主支撐件包括：第一部分，沿第一方向延伸；以及第二部分，在與第一方向交叉的第二方向上從第一部分沿延伸。接觸電極的至少一部分被主支撐件的第一部分和第二部分圍繞。

技術(shù)研發(fā)人員：金剛立,李世薰,林濬熙
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26