本發(fā)明普遍地涉及高頻模塊，更詳細(xì)地，涉及具備多個(gè)芯片的高頻模塊。

背景技術(shù)：

1、在專(zhuān)利文獻(xiàn)1公開(kāi)了一種彈性波裝置（高頻模塊），其具備多層基板（安裝基板）、第1彈性波濾波器芯片、第2彈性波濾波器芯片、第1電感器、以及第2電感器。第1電感器與第1彈性波濾波器芯片對(duì)應(yīng)地設(shè)置。第2電感器與第2彈性波濾波器芯片對(duì)應(yīng)地設(shè)置。

2、第1彈性波濾波器芯片以及第2彈性波濾波器芯片被倒裝芯片安裝在多層基板上。在彈性波裝置中，第1電感器的至少一部分形成在第1彈性波濾波器芯片上。此外，在彈性波裝置中，第2電感器的至少一部分形成在多層基板。

3、在先技術(shù)文獻(xiàn)

4、專(zhuān)利文獻(xiàn)

5、專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2018－107509號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問(wèn)題

2、在高頻模塊中，希望在謀求小型化的同時(shí)抑制特性的下降。

3、本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠在謀求小型化的同時(shí)抑制特性的下降的高頻模塊。

4、用于解決問(wèn)題的技術(shù)方案

5、本發(fā)明的一個(gè)方式涉及的高頻模塊具備安裝基板、第1芯片、以及第2芯片。所述安裝基板具有主面。所述第1芯片包含第1濾波器的多個(gè)第1彈性波諧振器中的至少一個(gè)。所述第1芯片配置在所述安裝基板。所述第2芯片包含第2濾波器的多個(gè)第2彈性波諧振器中的至少一個(gè)。所述第2芯片配置在所述第1芯片中的與所述安裝基板側(cè)相反側(cè)。所述第1芯片具有所述第2芯片側(cè)的第1主面以及所述安裝基板側(cè)的第2主面。所述第2芯片具有所述第1芯片側(cè)的第3主面以及與所述第1芯片側(cè)相反側(cè)的第4主面。與所述第1濾波器相關(guān)的第1電路要素配置在所述第1芯片的所述第2主面?zhèn)取Ｅc所述第2濾波器相關(guān)的第2電路要素配置在所述第2芯片的所述第4主面?zhèn)取?/p>

6、本發(fā)明的另一個(gè)方式涉及的高頻模塊具備安裝基板、第1芯片、第2芯片、電子部件、布線部、以及樹(shù)脂層。所述安裝基板具有主面。所述第1芯片包含第1濾波器的多個(gè)第1彈性波諧振器中的至少一個(gè)。所述第1芯片配置在所述安裝基板的所述主面。所述第2芯片包含第2濾波器的多個(gè)第2彈性波諧振器中的至少一個(gè)。所述第2芯片配置在所述第1芯片中的與所述安裝基板側(cè)相反側(cè)。所述電子部件配置在所述安裝基板的所述主面。所述電子部件具有位于所述安裝基板的所述主面?zhèn)鹊牡?電極和位于與所述主面?zhèn)认喾磦?cè)的第2電極。所述布線部將所述第2濾波器和所述電子部件連接。所述第1芯片具有所述第2芯片側(cè)的第1主面以及所述安裝基板側(cè)的第2主面。所述第2芯片具有所述第1芯片側(cè)的第3主面以及與所述第1芯片側(cè)相反側(cè)的第4主面。與所述第1濾波器相關(guān)的電路要素配置在所述第1芯片的所述第2主面。所述樹(shù)脂層配置在所述安裝基板的所述主面。所述樹(shù)脂層覆蓋所述第1芯片的外周面的至少一部分、所述第2芯片的外周面的至少一部分以及所述電子部件的外周面的至少一部分。所述布線部包含導(dǎo)體圖案部。所述導(dǎo)體圖案部跨越所述第2芯片的所述第4主面、所述樹(shù)脂層中的與所述安裝基板側(cè)相反側(cè)的主面、以及所述電子部件的所述第2電極而設(shè)置。

7、發(fā)明效果

8、本發(fā)明的上述方式涉及的高頻模塊能夠在謀求小型化的同時(shí)抑制特性的下降。

技術(shù)特征：

1.一種高頻模塊，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻模塊，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高頻模塊，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻模塊，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻模塊，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4、5中的任一項(xiàng)所述的高頻模塊，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1、2、4、5中的任一項(xiàng)所述的高頻模塊，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻模塊，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻模塊，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻模塊，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻模塊，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻模塊，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻模塊，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻模塊，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻模塊，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻模塊，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求1～16中的任一項(xiàng)所述的高頻模塊，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求1～16中的任一項(xiàng)所述的高頻模塊，其中，

19.根據(jù)權(quán)利要求1～18中的任一項(xiàng)所述的高頻模塊，其中，

20.一種高頻模塊，具備：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明在謀求小型化的同時(shí)抑制特性的下降。在高頻模塊（100）中，第1芯片（4）包含第1濾波器（1）的多個(gè)第1彈性波諧振器（14）中的至少一個(gè)，并配置在安裝基板（9）。第2芯片（5）包含第2濾波器（2）的多個(gè)第2彈性波諧振器（24）中的至少一個(gè)。第2芯片（5）配置在第1芯片（4）中的與安裝基板（9）側(cè)相反側(cè)。第1芯片（4）具有第2芯片（5）側(cè)的第1主面（41）以及安裝基板（9）側(cè)的第2主面（42）。第2芯片（5）具有第1芯片（4）側(cè)的第3主面（51）以及與第1芯片（4）側(cè)相反側(cè)的第4主面（52）。與第1濾波器（1）相關(guān)的第1電路要素配置在第1芯片（4）的第2主面（42）側(cè)。與第2濾波器（2）相關(guān)的第2電路要素配置在第2芯片（5）的第4主面（52）側(cè)。

技術(shù)研發(fā)人員：黑柳琢真,伊藤貴紀(jì),高橋秀享,可兒廣幸
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社村田制作所
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30