本發(fā)明涉及陶瓷復(fù)合基板及陶瓷復(fù)合基板的制造方法。

背景技術(shù)：

1、在專利文獻(xiàn)1中公開了一種陶瓷金屬電路基板，其具備陶瓷基板、和分別借助接合層接合到該陶瓷基板的第1面及第2面的第1金屬板及第2金屬板。在該電路基板中，在第1金屬板的、與陶瓷基板的接合面的相反側(cè)的面設(shè)置有金屬被膜，在第2金屬板的、與陶瓷基板的接合面的相反側(cè)的面的一部分存在為了安裝半導(dǎo)體元件或金屬端子而未設(shè)置金屬被膜的部位。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本專利第6797797號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、本發(fā)明提供一種能夠提高電路部間的絕緣性的陶瓷復(fù)合基板及陶瓷復(fù)合基板的制造方法。

3、用于解決課題的手段

4、本發(fā)明的一個(gè)方面的陶瓷復(fù)合基板具備：陶瓷板；第1電路部，其設(shè)置于陶瓷板的主面；和第2電路部，其以沿著規(guī)定方向在與第1電路部之間隔開間隔的狀態(tài)下設(shè)置于主面。第1電路部具有設(shè)置于主面的接合體、借助接合體接合到主面的金屬體、和以覆蓋金屬體的表面及接合體中的從金屬體伸出的部分的方式形成的金屬被膜。接合體包含與金屬體接合且銀的含量為50質(zhì)量％以上的銀接合層。金屬被膜包含以覆蓋銀接合層中的與第2電路部相對(duì)的側(cè)面的方式形成的側(cè)方部分。上述側(cè)方部分的靠近第2電路部的端部與銀接合層的靠近第2電路部的端部之間的規(guī)定方向上的距離l大于金屬被膜的厚度h。

5、距離l可以大于2μm。厚度h可以為2μm以上。

6、陶瓷板可以含有氮化硅或氮化鋁。金屬被膜可以含有鎳或金。

7、本發(fā)明的一個(gè)方面的陶瓷復(fù)合基板的制造方法包括：在陶瓷板的主面上借助接合體而接合了金屬體的狀態(tài)的中間體中，以形成沿著規(guī)定方向相互隔開間隔的狀態(tài)的第1電路部及第2電路部的方式，對(duì)金屬體的一部分及接合體的一部分進(jìn)行蝕刻的工序，其中，接合體包含與金屬體接合且銀的含量為50質(zhì)量％以上的銀接合層；在進(jìn)行蝕刻的工序之后，以形成側(cè)方部分的方式形成金屬被膜的工序，其中，該側(cè)方部分覆蓋構(gòu)成第1電路部的金屬體的一部分的表面、并且覆蓋構(gòu)成第1電路部的銀接合層的一部分中的與第2電路部相對(duì)的側(cè)面。金屬被膜中包含的側(cè)方部分的靠近第2電路部的端部與構(gòu)成第1電路部的銀接合層的一部分的靠近第2電路部的端部之間的規(guī)定方向上的距離l大于金屬被膜的厚度h。

8、發(fā)明效果

9、根據(jù)本發(fā)明，提供能夠提高電路部間的絕緣性的陶瓷復(fù)合基板及陶瓷復(fù)合基板的制造方法。

技術(shù)特征：

1.陶瓷復(fù)合基板，其具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷復(fù)合基板，其中，所述距離l大于2μm，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陶瓷復(fù)合基板，其中，所述陶瓷板含有氮化硅或氮化鋁，

4.陶瓷復(fù)合基板的制造方法，其包括：

技術(shù)總結(jié)
陶瓷復(fù)合基板具備：陶瓷板；第1電路部，其設(shè)置于陶瓷板的主面；和第2電路部，其以沿著規(guī)定方向在與第1電路部之間隔開間隔的狀態(tài)下設(shè)置于主面。第1電路部具有設(shè)置于主面的接合體、借助接合體接合到主面的金屬體、和以覆蓋金屬體的表面及接合體中的從金屬體伸出的部分的方式形成的金屬被膜。接合體包含與金屬體接合且銀的含量為50質(zhì)量％以上的銀接合層。金屬被膜包含以覆蓋銀接合層中的與第2電路部相對(duì)的側(cè)面的方式形成的側(cè)方部分。上述側(cè)方部分的靠近第2電路部的端部與銀接合層的靠近第2電路部的端部之間的規(guī)定方向上的距離L大于金屬被膜的厚度H。

技術(shù)研發(fā)人員：津川優(yōu)太,矢野清治,田中淳一
受保護(hù)的技術(shù)使用者：電化株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/4