實(shí)施例涉及具有低驅(qū)動(dòng)電壓、高效率和長(zhǎng)壽命的多層電極、包括該多層電極的發(fā)光二極管和包括該發(fā)光二極管的顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在顯示設(shè)備中，有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備是下一代顯示設(shè)備，這不僅僅是由于其寬視角和優(yōu)異的對(duì)比度，而且由于其快速的響應(yīng)速度。

2、在有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，薄膜晶體管和發(fā)光二極管(例如，有機(jī)發(fā)光元件)布置在基板上，并且發(fā)光二極管自身發(fā)光。有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備用作諸如移動(dòng)電話的小型產(chǎn)品的顯示單元，并且還用作諸如電視機(jī)的大型產(chǎn)品的顯示單元。

3、發(fā)光二極管可具有如下結(jié)構(gòu)：其中第一電極(例如，陽(yáng)極)布置在基板上，并且空穴傳輸區(qū)域、發(fā)射層、電子傳輸區(qū)域和第二電極(例如，陰極)依次形成在第一電極上。從第一電極注入的空穴經(jīng)由空穴傳輸區(qū)域移動(dòng)到發(fā)射層，并且從第二電極注入的電子經(jīng)由電子傳輸區(qū)域移動(dòng)到發(fā)射層。諸如空穴和電子的載流子在發(fā)射層區(qū)域中復(fù)合以生成激子。隨著這些激子從激發(fā)態(tài)變?yōu)榛鶓B(tài)，生成光。

4、應(yīng)當(dāng)理解，該背景技術(shù)部分部分地旨在提供用于理解該技術(shù)的有用的背景。然而，該背景技術(shù)部分也可包括在本文中公開(kāi)的主題的對(duì)應(yīng)有效申請(qǐng)日之前并非相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員已知或理解的一部分的想法、構(gòu)思或認(rèn)知。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、實(shí)施例包括具有低驅(qū)動(dòng)電壓、高效率和長(zhǎng)壽命的發(fā)光二極管以及包括該發(fā)光二極管的顯示設(shè)備。然而，實(shí)施例不限制本公開(kāi)的范圍。

2、另外的方面將部分地在隨后的描述中陳述，并且部分地將從描述而顯而易見(jiàn)的，或可通過(guò)本公開(kāi)的實(shí)施例的實(shí)踐而得知。

3、根據(jù)實(shí)施例，一種顯示設(shè)備可包括在基板上的第一電極、面向所述第一電極的第二電極以及在所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)射層，其中所述第二電極可包括：包括第一基礎(chǔ)金屬和不同于所述第一基礎(chǔ)金屬的第一添加劑金屬的第一導(dǎo)電層、在所述第一導(dǎo)電層上且包括單一金屬材料的第二導(dǎo)電層和在所述第二導(dǎo)電層上且包括第二基礎(chǔ)金屬和不同于所述第二基礎(chǔ)金屬的第二添加劑金屬的第三導(dǎo)電層。

4、在一實(shí)施例中，所述第一基礎(chǔ)金屬可包括ag、au、cu、al和mg中的至少一種。在一實(shí)施例中，所述第一基礎(chǔ)金屬可包括具有等于或大于約1×107s/m的電導(dǎo)率的金屬中的至少一種。

5、在一實(shí)施例中，所述第一添加劑金屬可包括mg、ca、li、au、al、yb、cu和sm中的至少一種。在一實(shí)施例中，所述第一添加劑金屬可包括具有等于或小于約3ev的功函數(shù)的金屬中的至少一種。

6、在一實(shí)施例中，所述單一金屬材料可包括ag、au、cu、al和mg中的至少一種。在一實(shí)施例中，所述單一金屬材料可包括具有等于或大于約1×107s/m的電導(dǎo)率的金屬中的至少一種。

7、在一實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層的厚度可小于所述第二導(dǎo)電層的厚度。

8、在一實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層的厚度可在約至約的范圍內(nèi)。

9、在一實(shí)施例中，所述第二導(dǎo)電層的厚度可在約至約的范圍內(nèi)。

10、在一實(shí)施例中，所述第二電極可具有均包括所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)。

11、在一實(shí)施例中，所述第一基礎(chǔ)金屬與所述第一添加劑金屬的體積比可在約99:1至約1:1的范圍內(nèi)。

12、在一實(shí)施例中，所述第二基礎(chǔ)金屬可包括ag、au、cu、al和mg中的至少一種。在一實(shí)施例中，所述第二基礎(chǔ)金屬可包括具有等于或大于約1×107s/m的電導(dǎo)率的金屬中的至少一種。

13、在一實(shí)施例中，所述第二添加劑金屬可包括mg、ca、li、au、al、yb、cu和sm中的至少一種。在一實(shí)施例中，所述第二添加劑金屬可包括具有等于或小于約3ev的功函數(shù)的金屬中的至少一種。

14、在一實(shí)施例中，所述第三導(dǎo)電層可包括與所述第一導(dǎo)電層相同的材料。

15、在一實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層的厚度可小于所述第三導(dǎo)電層的厚度。

16、在一實(shí)施例中，所述第三導(dǎo)電層的厚度可在約至約的范圍內(nèi)。

17、在一實(shí)施例中，所述第二基礎(chǔ)金屬與所述第二添加劑金屬的體積比可在約99:1至約1:1的范圍內(nèi)。

18、在一實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層與所述第三導(dǎo)電層的厚度比可為約1:6:1。

19、根據(jù)實(shí)施例，一種發(fā)光二極管可包括第一電極、面向所述第一電極的第二電極以及在所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)射層，其中所述第二電極可包括：包括第一基礎(chǔ)金屬和不同于所述第一基礎(chǔ)金屬的第一添加劑金屬的第一導(dǎo)電層、在所述第一導(dǎo)電層上且包括單一金屬材料的第二導(dǎo)電層和在所述第二導(dǎo)電層上且包括第二基礎(chǔ)金屬和不同于所述第二基礎(chǔ)金屬的第二添加劑金屬的第三導(dǎo)電層。

20、在一實(shí)施例中，所述第一基礎(chǔ)金屬可包括ag、au、cu、al和mg中的至少一種。在一實(shí)施例中，所述第一基礎(chǔ)金屬可包括具有等于或大于約1×107s/m的電導(dǎo)率的其它金屬中的至少一種。

21、在一實(shí)施例中，所述第一添加劑金屬可包括mg、ca、li、au、al、yb、cu和sm中的至少一種。在一實(shí)施例中，所述第一添加劑金屬可包括具有等于或小于約3ev的功函數(shù)的金屬中的至少一種。

22、在一實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層的厚度可小于所述第二導(dǎo)電層的厚度。

23、在一實(shí)施例中，所述第一基礎(chǔ)金屬與所述第一添加劑金屬的體積比可在約99:1至約1:1的范圍內(nèi)。

24、在一實(shí)施例中，所述第二基礎(chǔ)金屬可包括ag、au、cu、al和mg中的至少一種。在一實(shí)施例中，所述第二基礎(chǔ)金屬可包括具有等于或大于約1×107s/m的電導(dǎo)率的金屬中的至少一種。

25、在一實(shí)施例中，所述第二添加劑金屬可包括mg、ca、li、au、al、yb、cu和sm中的至少一種。在一實(shí)施例中，所述第二添加劑金屬可包括具有等于或小于約3ev的功函數(shù)的金屬中的至少一種。

26、在一實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層的厚度可小于所述第三導(dǎo)電層的厚度。

27、在一實(shí)施例中，所述第二基礎(chǔ)金屬與所述第二添加劑金屬的體積比可在約99:1至約1:1的范圍內(nèi)。

28、在一實(shí)施例中，所述單一金屬材料可包括ag、au、cu、al和mg中的至少一種。在一實(shí)施例中，所述單一金屬材料可包括具有等于或大于約1×107s/m的電導(dǎo)率的其它金屬中的至少一種。

29、在一實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層與所述第三導(dǎo)電層的厚度比可為約1:6:1。

30、根據(jù)實(shí)施例，一種多層電極可包括：包括第一基礎(chǔ)金屬和不同于所述第一基礎(chǔ)金屬的第一添加劑金屬的第一導(dǎo)電層、在所述第一導(dǎo)電層上且包括單一金屬材料的第二導(dǎo)電層以及在所述第二導(dǎo)電層上且包括第二基礎(chǔ)金屬和不同于所述第二基礎(chǔ)金屬的第二添加劑金屬的第三導(dǎo)電層。

31、本公開(kāi)的實(shí)施例的以上和其他方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將從以下描述、附圖和權(quán)利要求而更加顯而易見(jiàn)。

32、這些方面可通過(guò)使用系統(tǒng)、方法、計(jì)算機(jī)程序或特定系統(tǒng)、方法和計(jì)算機(jī)程序的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。

技術(shù)特征：

1.一種多層電極，其特征在于，所述多層電極包括：

2.如權(quán)利要求1所述的多層電極，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層的厚度和所述第三導(dǎo)電層的厚度中的每一個(gè)小于所述第二導(dǎo)電層的厚度。

3.如權(quán)利要求1所述的多層電極，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層的厚度和所述第三導(dǎo)電層的厚度中的每一個(gè)在至的范圍內(nèi)。

4.如權(quán)利要求1所述的多層電極，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層的厚度在至的范圍內(nèi)。

5.如權(quán)利要求1所述的多層電極，其特征在于，所述多層電極具有均包括所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的多個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求1所述的多層電極，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層與所述第三導(dǎo)電層的厚度比為1:6:1。

7.一種發(fā)光二極管，包括：

8.一種顯示設(shè)備，包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)涉及多層電極、包括該多層電極的發(fā)光二極管和顯示設(shè)備。所述多層電極包括：包括第一基礎(chǔ)金屬和不同于所述第一基礎(chǔ)金屬的第一添加劑金屬的第一導(dǎo)電層、在所述第一導(dǎo)電層上且包括單一金屬材料的第二導(dǎo)電層和在所述第二導(dǎo)電層上且包括第二基礎(chǔ)金屬和不同于所述第二基礎(chǔ)金屬的第二添加劑金屬的第三導(dǎo)電層。

技術(shù)研發(fā)人員：李學(xué)忠,賈允碩,金東贊,文智永,宋河珍,尹智煥,黃載薰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20220902
技術(shù)公布日：2024/12/30