本公開的實施例大體上涉及存儲器裝置及存儲器裝置的操作，且更明確來說，涉及與存儲器裝置的擦除操作相關(guān)的結(jié)構(gòu)及方法。

背景技術(shù)：

1、存儲器裝置通常被提供為計算機或其它電子裝置中的內(nèi)部半導(dǎo)體集成電路。存在許多不同類型的存儲器，包含易失性及非易失性存儲器。易失性存儲器需要電力來維持其數(shù)據(jù)，且包含隨機存取存儲器(ram)、動態(tài)隨機存取存儲器(dram)或同步動態(tài)隨機存取存儲器(sdram)等。非易失性存儲器可在未供電時保存存儲數(shù)據(jù)，且包含快閃存儲器、只讀存儲器(rom)、電可擦除可編程rom(eeprom)、可擦除可編程rom(eprom)、電阻可變存儲器(例如相變隨機存取存儲器(pcram))、電阻性隨機存取存儲器(rram)、磁阻性隨機存取存儲器(mram)或三維(3d)xpointtm存儲器等。存儲器裝置及其它電子裝置的性質(zhì)可通過增強存儲器裝置中的組件的結(jié)構(gòu)及制造來改進以存取存儲器裝置的存儲單元。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在一方面中，本公開涉及一種存儲器裝置，其包括：垂直半導(dǎo)體支柱，其耦合到存儲器胞元，所述垂直半導(dǎo)體支柱具有布置為所述存儲器胞元的通道部分的通道結(jié)構(gòu)；數(shù)字線；及晶體管，其用于將所述數(shù)字線耦合到所述垂直半導(dǎo)體支柱，所述晶體管包含：柵極及柵極電介質(zhì)；晶體管通道結(jié)構(gòu)，其通過所述柵極電介質(zhì)與所述柵極分離，所述晶體管通道結(jié)構(gòu)與所述垂直半導(dǎo)體支柱的所述存儲器胞元的所述通道結(jié)構(gòu)垂直集成；分段漏極，其具有與所述晶體管通道結(jié)構(gòu)集成且從所述晶體管通道結(jié)構(gòu)的頂部邊界垂直延伸的導(dǎo)電鰭片，所述導(dǎo)電鰭片通過所述頂部邊界上的非導(dǎo)電區(qū)來彼此分離，所述分段漏極包含在所述頂部邊界下方從所述導(dǎo)電鰭片與所述非導(dǎo)電區(qū)的相交點向下延伸的部分；及漏極觸點，其接觸所述導(dǎo)電鰭片，所述漏極觸點包含所述導(dǎo)電鰭片處的鈦。

2、在另一方面中，本公開涉及一種存儲器裝置，其包括：數(shù)字線；垂直半導(dǎo)體支柱，其耦合到存儲器陣列的存儲器胞元，所述垂直半導(dǎo)體支柱具有布置為所述存儲器胞元的通道部分的多晶硅通道結(jié)構(gòu)；漏極側(cè)選擇柵極(sgd)晶體管，其包含：多晶硅晶體管通道結(jié)構(gòu)，其與所述多晶硅通道結(jié)構(gòu)集成；及分段漏極，所述分段漏極具有與所述多晶硅晶體管通道結(jié)構(gòu)集成且從所述多晶硅晶體管通道結(jié)構(gòu)的頂部邊界垂直延伸的導(dǎo)電鰭片，所述導(dǎo)電鰭片通過所述頂部邊界上的非導(dǎo)電區(qū)來彼此分離，所述分段漏極包含在所述頂部邊界下方從所述導(dǎo)電鰭片與所述非導(dǎo)電區(qū)的相交點向下延伸的部分；漏極觸點，其接觸所述導(dǎo)電鰭片，所述漏極觸點包含所述導(dǎo)電鰭片處的鈦；及存儲器控制器，其包含處理電路系統(tǒng)，所述存儲器控制器經(jīng)配置以通過將擦除電壓施加于將所述垂直半導(dǎo)體支柱電耦合到所述數(shù)字線的所述sgd晶體管的柵極來對所述垂直半導(dǎo)體支柱的所述存儲器胞元執(zhí)行擦除操作。

3、在另一方面中，本公開涉及一種形成存儲器裝置的方法，所述方法包括：形成用于存儲器陣列的垂直布置的存儲器胞元的垂直半導(dǎo)體支柱；形成與所述垂直半導(dǎo)體支柱集成的漏極側(cè)選擇柵極(sgd)晶體管，其包含：形成從所述垂直半導(dǎo)體支柱的通道結(jié)構(gòu)垂直延伸的所述sgd晶體管的晶體管通道結(jié)構(gòu)；形成從所述晶體管通道結(jié)構(gòu)的頂部邊界垂直延伸的導(dǎo)電鰭片，所述導(dǎo)電鰭片通過所述頂部邊界上的非導(dǎo)電區(qū)來彼此分離，所述導(dǎo)電鰭片及非導(dǎo)電區(qū)經(jīng)結(jié)構(gòu)化為所述sgd晶體管的分段漏極；形成在所述頂部邊界下方從所述導(dǎo)電鰭片與所述非導(dǎo)電區(qū)的相交點向下延伸的所述分段漏極的部分；及形成接觸所述導(dǎo)電鰭片的漏極觸點，所述漏極觸點包含所述導(dǎo)電鰭片處的鈦。

技術(shù)特征：

1.一種存儲器裝置，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中所述導(dǎo)電鰭片比所述晶體管通道結(jié)構(gòu)更重?fù)诫s。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器裝置，其中所述晶體管通道結(jié)構(gòu)及所述垂直支柱的所述通道結(jié)構(gòu)包含n型多晶硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中所述漏極觸點包含氮化鈦及鎢。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器裝置，其中所述漏極觸點包含布置于所述鈦與所述鎢之間的所述氮化鈦。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中所述漏極觸點通過垂直導(dǎo)電觸點耦合到所述數(shù)字線。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，其中所述垂直導(dǎo)電觸點包含鎢。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中所述分段漏極具有6個導(dǎo)電鰭片。

9.一種存儲器裝置，其包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中所述存儲器陣列經(jīng)結(jié)構(gòu)化為多個子塊，每一子塊包含耦合到多個存儲器胞元的一或多個垂直半導(dǎo)體支柱。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器裝置，其中所述sgd晶體管定位于所述多個子塊中的第一子塊中且通過具有存取線導(dǎo)體的層級的厚度的電介質(zhì)區(qū)與鄰近子塊的sgd晶體管隔離。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中所述導(dǎo)電鰭片是n+鰭片且所述鈦是在所述n+鰭片處的硅化鈦組成中。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中所述漏極觸點通過垂直鎢觸點耦合到所述數(shù)字線。

14.一種形成存儲器裝置的方法，所述方法包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述方法包含使所述導(dǎo)電鰭片及所述分段漏極的所述部分形成為n+區(qū)及使所述晶體管通道結(jié)構(gòu)形成為n區(qū)或n-區(qū)。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述方法包含使所述晶體管通道結(jié)構(gòu)及所述垂直支柱的所述通道結(jié)構(gòu)形成為n型多晶硅通道結(jié)構(gòu)。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中形成所述漏極觸點包含在所述鈦與鎢區(qū)之間形成氮化鈦。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述方法包含形成將所述分段漏極耦合到數(shù)字線的垂直導(dǎo)電觸點。

19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述方法包含使用單替換柵極金屬化來形成所述sgd晶體管的柵極及所述存儲器胞元的柵極。

20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述方法包含蝕刻通過導(dǎo)電存取線的單個層級厚度以將形成于所述存儲器陣列的子塊中的所述sgd晶體管與所述存儲器陣列的另一子塊的sgd晶體管隔離。

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及具有分段SGD漏極的存儲器裝置。各種應(yīng)用可包含經(jīng)設(shè)計以在存儲器擦除操作期間提供增強柵致漏極泄漏GIDL電流的存儲器裝置。增強操作可通過增強選擇柵極晶體管的通道結(jié)構(gòu)中的電場來提供到所述選擇柵極晶體管的分段漏極處的存儲器胞元串。所述分段漏極可具有與所述晶體管通道結(jié)構(gòu)集成且從所述晶體管通道結(jié)構(gòu)的頂部邊界垂直延伸的導(dǎo)電鰭片，其中所述導(dǎo)電鰭片通過所述頂部邊界上的非導(dǎo)電區(qū)來彼此分離。所述分段漏極可包含在所述頂部邊界下方向下延伸的部分。所述晶體管通道結(jié)構(gòu)可與形成所述存儲器胞元串的支柱的通道結(jié)構(gòu)集成。論述額外裝置、系統(tǒng)及方法。

技術(shù)研發(fā)人員：D·A·克朗皮特,C·豪德
受保護的技術(shù)使用者：美光科技公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/30