技術(shù)特征：

1.一種快速響應(yīng)動態(tài)鎖存比較器，包括比較器本體；該比較器本體包括尾開關(guān)單元、預(yù)放大輸入單元、預(yù)放大復(fù)位單元、鎖存輸入單元、交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元、鎖存復(fù)位單元和正反饋單元；其特征在于：

所述比較器本體還進一步包括隔離開關(guān)單元，該隔離開關(guān)單元設(shè)置在交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元上；

上述隔離開關(guān)單元，在復(fù)位階段，截止并斷開正反饋；在比較階段，在鎖存輸入NMOS對管的作用下使交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)中的PMOS管柵電位為地GND，同時在鎖存復(fù)位PMOS對管的作用下使交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)中的NMOS管柵電位為VDD，使得交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)在進入比較階段時迅速建立正反饋，進而提高比較器本體的速度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種快速響應(yīng)動態(tài)鎖存比較器，其特征在于：

尾開關(guān)單元輸入時鐘信號clk，并連接預(yù)放大輸入單元；尾開關(guān)單元用于在比較階段為預(yù)放大輸入單元提供放電通道，從而產(chǎn)生電流；

預(yù)放大輸入單元形成比較器本體的輸入端，輸入正輸入信號ip和反輸入信號in，并連接預(yù)放大復(fù)位單元、尾開關(guān)單元和鎖存輸入單元；預(yù)放大輸入單元用于將輸入的電壓信號放大后輸出到鎖存級；

預(yù)放大復(fù)位單元輸入時鐘信號clk，并連接預(yù)放大輸入單元和鎖存輸入單元；預(yù)放大復(fù)位單元用于在復(fù)位階段使預(yù)放大復(fù)位單元的輸出fp、fn拉高到電源VDD；

鎖存輸入單元輸入端連接預(yù)放大輸入單元的輸出端，并連接交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元和正反饋單元；鎖存輸入單元用于將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換為電流信號，并在復(fù)位階段將交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元的輸入拉低到地GND；

交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元連接鎖存輸入單元、隔離開關(guān)單元和鎖存復(fù)位單元，并形成比較器本體的輸出端，輸出正輸出信號outp和反輸出信號outn；交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元用于在比較階段加快放電速度，而在鎖存階段鎖存數(shù)據(jù)；

隔離開關(guān)單元輸入時鐘信號clk，并連接交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元、鎖存復(fù)位單元、鎖存輸入單元和正反饋單元；隔離開關(guān)單元用于在復(fù)位階段斷開正反饋，而在比較階段使正反饋建立；

鎖存復(fù)位單元輸入時鐘信號clk，并連接交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元和隔離開關(guān)單元；鎖存復(fù)位單元用于在復(fù)位階段將比較器本體的輸出拉到電源VDD；

正反饋單元連接鎖存輸入單元和交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元；正反饋單元用于在比較階段導(dǎo)通，并使得交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元在比較階段增加一條放電支路。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種快速響應(yīng)動態(tài)鎖存比較器，其特征在于：所述尾開關(guān)單元包括MOS管M₁；MOS管M₁的源極與地GND連接；MOS管M₁的柵極與時鐘信號clk連接；MOS管M₁的漏極與預(yù)放大輸入單元的MOS管M₂、M₃的漏極相連。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種快速響應(yīng)動態(tài)鎖存比較器，其特征在于：所述預(yù)放大輸入單元包括MOS管M₂～M₃；MOS管M₂和MOS管M₃的源極與尾開關(guān)單元的MOS管M₁的漏極連接；MOS管M₂的柵極形成比較器本體的正輸入端，接正輸入信號ip；MOS管M₃的柵極形成比較器本體的反輸入端，接反輸入信號in；MOS管M₂的漏極與MOS管M₄的漏極相連后，形成預(yù)放大輸入單元的反輸出端fn；MOS管M₃的漏極與MOS管M₅的漏極相連后，形成預(yù)放大輸入單元的正輸出端fp。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種快速響應(yīng)動態(tài)鎖存比較器，其特征在于：所述預(yù)放大復(fù)位單元包括MOS管M₄～M₅；MOS管M₄和MOS管M₅的源極與電源VDD連接；MOS管M₄和MOS管M₅的柵極接時鐘信號clk；MOS管M₄的漏極與預(yù)放大輸入單元的反輸出端fn相連；MOS管M₅的漏極與預(yù)放大輸入單元的正輸出端fp相連。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種快速響應(yīng)動態(tài)鎖存比較器，其特征在于：所述鎖存輸入單元包括正鎖存輸入單元和反鎖存輸入單元；

上述正鎖存輸入單元包括MOS管M₆；MOS管M₆的源極與地GND相連；MOS管M₆的柵極與預(yù)放大輸入單元的反輸出端fn相連；MOS管M₆的漏極與交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元的MOS管M₈的漏極相連后，形成交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元的正輸入端v1；

上述反鎖存輸入單元包括MOS管M₇；MOS管M₇的源極與地GND相連；MOS管M₇的柵極與預(yù)放大輸入單元的正輸出端fp相連；MOS管M₇的漏極與交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元的MOS管M₉的漏極相連后，形成交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元的反輸入端v2。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種快速響應(yīng)動態(tài)鎖存比較器，其特征在于：所述交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元包括MOS管M₈～M₁₁；MOS管M₈和MOS管M₉的源極與地GND相連；MOS管M₁₀和MOS管M₁₁的源極與電源VDD相連；MOS管M₈的柵極和MOS管M₁₁的漏極相連后，形成比較器本體反輸出端outn；MOS管M₉的柵極和MOS管M₁₀的漏極相連后，形成比較器本體正輸出端outp；MOS管M₁₀的柵極和MOS管M₉的漏極與交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元的反輸入端v2相連；MOS管M₁₁的柵極和MOS管M₈的漏極與交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元正輸入端v1相連。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種快速響應(yīng)動態(tài)鎖存比較器，其特征在于：所述隔離開關(guān)單元包括正隔離開關(guān)單元和反隔離開關(guān)單元；

上述正隔離開關(guān)單元包括MOS管M₁₂；MOS管M₁₂的源極與交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元的正輸入端v1相連；MOS管M₁₂的柵極與時鐘信號clk連接；MOS管M₁₂的漏極與比較器本體的正輸出端outp相連；

上述反隔離開關(guān)單元包括MOS管M₁₃；MOS管M₁₃的源極與交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元的反輸入端v2相連；MOS管M₁₃的柵極與時鐘信號clk連接；MOS管M₁₃的漏極與比較器本體的反輸出端outn相連。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種快速響應(yīng)動態(tài)鎖存比較器，其特征在于：所述鎖存復(fù)位單元包括正鎖存復(fù)位單元和反鎖存復(fù)位單元；

上述正鎖存復(fù)位單元包括MOS管M₁₄；MOS管M₁₄的源極與電源VDD連接；MOS管M₁₄的柵極與時鐘信號clk連接；MOS管M₁₄的漏極與比較器本體的正輸出端outp相連；

上述反鎖存復(fù)位單元包括MOS管M₁₅；MOS管M₁₅的源極與電源VDD連接；MOS管M₁₅的柵極與時鐘信號clk連接；MOS管M₁₅的漏極與比較器本體的反輸出端outn相連。

10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種快速響應(yīng)動態(tài)鎖存比較器，其特征在于：所述正反饋單元包括正正反饋單元和反正反饋單元；

正正反饋單元包括MOS管M₁₆；MOS管M₁₆的源極與地GND相連；MOS管M₁₆的柵極與比較器本體反輸出端outn連接；MOS管M₁₆的漏極與交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元的正輸入端v1相連；

反正反饋單元包括MOS管M₁₇；MOS管M₁₇的源極與地GND相連；MOS管M₁₇的柵極與比較器本體正輸出端outp連接；MOS管M₁₇的漏極與交叉耦合鎖存結(jié)構(gòu)單元的反輸入端v2相連。