1.三電極的常溫大氣壓等離子體氣體發(fā)生裝置，其特征在于，該裝置具有一個(gè)介質(zhì)阻擋層(3)，在所述介質(zhì)阻擋層(3)的中部設(shè)置有一個(gè)針形電極(1)，在介質(zhì)阻擋層(3)的外層安裝有金屬外電極(4)，在外電極(4)的外層安裝有永久磁鐵(5)，在介質(zhì)阻擋層(3)的內(nèi)層設(shè)置有一個(gè)網(wǎng)格電極(2)，所述網(wǎng)格電極(2)為兩端開口的環(huán)狀片材，在網(wǎng)格電極(2)上分布有柵網(wǎng)電極孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三電極的常溫大氣壓等離子體氣體發(fā)生裝置，其特征在于，所述針形電極(1)為耐高溫材質(zhì)的針形電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三電極的常溫大氣壓等離子體氣體發(fā)生裝置，其特征在于，所述針形電極是(1)為鎢或鉬材質(zhì)的針形電極。
4.實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生等離子體氣體的方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：在金屬外電極(4)和網(wǎng)格電極(2)之間加上交流電壓信號(hào)，在網(wǎng)格電極上產(chǎn)生表面微放電等離子體氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生等離子體氣體的方法，其特征在于，所述交流電壓信號(hào)為正弦波、方波、鋸齒波或脈沖波。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生等離子體氣體的方法，其特征在于，所述交流電壓信號(hào)的頻率范圍為0.1-50千赫茲，電壓峰峰值范圍為2.5-15千伏。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生等離子體氣體的方法，其特征在于，在網(wǎng)格電極(2)和針形電極(1)之間加上直流電壓信號(hào)，在網(wǎng)格電極和針形電極之間產(chǎn)生電暈或者輝光放電等離子體氣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生等離子體氣體的方法，其特征在于，所述直流電壓信號(hào)幅度為0.5-10千伏之間，電流范圍在10微安-100毫安之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生等離子體氣體的方法，其特征在于，當(dāng)電流控制在0.5毫安以下時(shí)，在網(wǎng)格電極(2)和針形電極(1)之間產(chǎn)生電暈等離子體氣體，當(dāng)電流控制在0.5毫安以上時(shí)，在網(wǎng)格電極(2)和針形電極(1)之間產(chǎn)生輝光等離子體氣體。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生等離子體氣體的方法，其特征在于，當(dāng)不采用永久磁鐵(5)時(shí)，在網(wǎng)格電極(2)和針形電極(1)之間產(chǎn)生的輝光等離子體表現(xiàn)為一個(gè)線性的通道，并不覆蓋兩個(gè)電極之間的所有空間；當(dāng)采用永久磁鐵(5)時(shí)，在網(wǎng)格電極(2)和針形電極(1)之間產(chǎn)生的輝光等離子體線性通道，由于磁場(chǎng)力的推動(dòng)而繞著針形電極快速旋轉(zhuǎn)，從而形成等離子體圓片，覆蓋兩個(gè)電極之間的所有空間。