本發(fā)明涉及電路板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種FPC孔金屬化工藝。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的FPC，其結(jié)構(gòu)包括基材介質(zhì)層及設(shè)置在基材介質(zhì)層兩面的導(dǎo)體銅層，傳統(tǒng)FPC孔金屬化工藝，主要是使介質(zhì)層孔處均勻涂布一層導(dǎo)電物質(zhì)，再通過鍍銅工藝的電化學(xué)反應(yīng)，使介質(zhì)層沉積一層金屬銅，將上下兩層導(dǎo)體銅層連接導(dǎo)通，形成良好的電氣導(dǎo)體。
目前業(yè)內(nèi)的高分子導(dǎo)電膜孔金屬工藝(DMSE工藝)，其流程如下：調(diào)整——水洗——氧化——水洗——催化——水洗烘干，其目的在介質(zhì)層孔處吸附涂布一層高分子導(dǎo)電物質(zhì)，為納米級(jí)涂層，但是，其涂層極薄，電阻相對(duì)較大，尤其一些撓性電路板基材的介質(zhì)層處經(jīng)鉆孔后微觀下極為光滑，吸附導(dǎo)電物質(zhì)困難，造成兩層導(dǎo)體銅層之間電阻過大，甚至開路不導(dǎo)通。因電阻過大或開路情況下，介質(zhì)層處無電流導(dǎo)通或電流過小，在鍍銅工藝時(shí)無法產(chǎn)生電化學(xué)反應(yīng)或電化學(xué)反應(yīng)不良，而引起孔銅導(dǎo)通不良問題，為此無法廣泛應(yīng)用所有FPC基材。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，提供一種FPC孔金屬化工藝，可以廣泛應(yīng)用于各類FPC基材。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：提供一種FPC金屬化工藝，其包括如下步驟，
S1、PI調(diào)整，使溫度在45-55℃之間，處理時(shí)間為2-6min，PI調(diào)整劑濃度為400-600ml/L，KOH濃度為40-60g/L；
S2、水洗；
S3、DMSE工藝。
本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明的FPC孔金屬化工藝的PI調(diào)整步驟可以使FPC常用的各類基材中的介質(zhì)層的孔壁表面得以粗化，有效吸附高分子導(dǎo)電物質(zhì)，降低導(dǎo)體銅層之間電阻,為后續(xù)DMSE工藝提供有效保障。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實(shí)施例的FPC孔金屬化工藝的流程框圖。
具體實(shí)施方式
為詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖詳予說明。
本發(fā)明最關(guān)鍵的構(gòu)思在于:本發(fā)明的工藝，可以使FPC常用的各類基材中的介質(zhì)層的孔壁表面得以粗化，有效吸附高分子導(dǎo)電物質(zhì)。
請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明FPC孔金屬化工藝，其包括如下步驟，
S1、PI調(diào)整，使溫度在50-60℃之間，處理時(shí)間為2-6min，PI調(diào)整劑濃度為400-600ml/L，KOH濃度為40-60g/L；
S2、水洗；
S3、DMSE工藝。
從上述描述可知，本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明的FPC孔金屬化工藝的PI調(diào)整步驟可以使FPC常用的各類基材中的介質(zhì)層的孔壁表面得以粗化，有效吸附高分子導(dǎo)電物質(zhì)，降低導(dǎo)體銅層之間電阻,為后續(xù)DMSE工藝提供有效保障。
進(jìn)一步的，所述PI調(diào)整劑是KOH12.5％-15％、聯(lián)氨7.0％-10％的混合溶液。
進(jìn)一步的，所述步驟S2為二級(jí)溢流水洗。
實(shí)施例一
請(qǐng)參照?qǐng)D1，本發(fā)明的實(shí)施例一為：本實(shí)施例的FPC孔金屬化工藝，包括如下步驟，
S1、PI調(diào)整，使溫度在50-60℃之間，處理時(shí)間為2-6min，PI調(diào)整劑濃度為400-600ml/L，KOH濃度為40-60g/L；
S2、水洗；
S3、DMSE工藝。
所述PI調(diào)整劑是KOH12.5％-15％、聯(lián)氨7.0％-10％的混合溶液。
進(jìn)一步的，所述步驟S2為二級(jí)溢流水洗。
綜上所述，本發(fā)明提供的FPC孔金屬化工藝的PI調(diào)整步驟可以使FPC常用的各類基材中的介質(zhì)層的孔壁表面得以粗化，有效吸附高分子導(dǎo)電物質(zhì)，降低導(dǎo)體銅層之間電阻,為后續(xù)DMSE工藝提供有效保障，能夠適用于各種FPC基材。
以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等同變換，或直接或間接運(yùn)用在相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。