1.一種差分放大器，其特征在于，包括：第一晶體管、第二晶體管、第一電阻、第二電阻、伺服電路和發(fā)熱體；其中：
所述伺服電路連接于第一電源與所述發(fā)熱體之間，用于調(diào)節(jié)所述發(fā)熱體的輸出電流，進而調(diào)節(jié)所述發(fā)熱體的發(fā)熱量；
所述發(fā)熱體的輸出端與所述第一晶體管的第一端和所述第二晶體管的第一端相連；所述發(fā)熱體用于通過所述輸出電流調(diào)節(jié)流經(jīng)所述第一晶體管和所述第二晶體管的電流，進而調(diào)節(jié)所述第一晶體管和所述第二晶體管的發(fā)熱量；
所述第一晶體管的第二端為所述差分放大器的一個輸出端、通過所述第一電阻與第二電源相連；
所述第二晶體管的第二端為所述差分放大器的另一個輸出端、通過所述第二電阻與所述第二電源相連；
所述第一晶體管的控制端為所述差分放大器的一個輸入端；
所述第二晶體管的控制端為所述差分放大器的另一個輸入端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的差分放大器，其特征在于，還包括：導(dǎo)熱板；所述第一晶體管、所述第二晶體管及所述發(fā)熱體均設(shè)置于所述導(dǎo)熱板上；且所述第一晶體管和所述第二晶體管設(shè)置于所述導(dǎo)熱板同一位置的兩面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的差分放大器，其特征在于，所述伺服電路還用于檢測并根據(jù)所述導(dǎo)熱板的溫度，調(diào)節(jié)所述發(fā)熱體的發(fā)熱量，使所述導(dǎo)熱板的溫度為預(yù)設(shè)值。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的差分放大器，其特征在于，所述發(fā)熱體為第三晶體管或者電阻。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的差分放大器，其特征在于，所述發(fā)熱體為第三晶體管，所述伺服電路包括：恒溫調(diào)節(jié)電路、第三電阻和第四電阻；
所述恒溫調(diào)節(jié)電路的輸入端與所述第三電阻的一端及所述第一電源相連；
所述恒溫調(diào)節(jié)電路的輸出端與所述第三晶體管的控制端和所述第四電阻的一端相連；
所述第三電阻的另一端與所述第三晶體管的第一端相連；
所述第四電阻另一端與所述第三晶體管的第二端相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的差分放大器，其特征在于，所述恒溫調(diào)節(jié)電路為二極管組；所述二極管組的陽極為所述恒溫調(diào)節(jié)電路的輸入端；所述二極管組的陰極為所述恒溫調(diào)節(jié)電路的輸出端；所述二極管組包括n個串聯(lián)的二極管，n為正整數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的差分放大器，其特征在于，所述恒溫調(diào)節(jié)電路為負溫度系數(shù)電阻。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至7任一所述的差分放大器，其特征在于，所述導(dǎo)熱板為銅板、鋁板或者熱管。
9.根據(jù)權(quán)利要求2至7任一所述的差分放大器，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管為雙結(jié)型晶體管BJT、結(jié)型場效應(yīng)管JFET或者絕緣柵場效應(yīng)管MOSFET。