技術(shù)特征：

1.一種運(yùn)算放大器增益提高電路，其特征在于：包括輸入PMOS管M1、輸入NMOS管M2、共柵NMOS管M3、負(fù)載電阻Rd、輸入共模轉(zhuǎn)換電路VCM shift和偏置電流源I_Bias，輸入信號(hào)Vin輸入到輸入PMOS管M1的柵極，輸入信號(hào)經(jīng)輸入共模轉(zhuǎn)換電路VCM shift輸入到輸入NMOS管M2的柵極，輸入PMOS管M1的源極接電源AVDD，輸入PMOS管M1的漏極分別與輸入NMOS管M2的漏極、共柵NMOS管M3的源極、偏置電流源I_Bias的輸入端連接，所述共柵NMOS管M3的漏極與負(fù)載電阻Rd的一端連接，負(fù)載電阻Rd的另一端接電源AVDD，所述輸入NMOS管M2的源極、偏置電流源的輸出端接地；所述共柵NMOS管M3的柵極接偏置電壓V_bias，所述負(fù)載電阻Rd與共柵NMOS管M3的漏極作為整個(gè)電路的輸出端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的運(yùn)算放大器增益提高電路，其特征在于：所述輸入PMOS管M1、輸入NMOS管M2和共柵NMOS管M3都工作在飽和區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的運(yùn)算放大器增益提高電路，其特征在于：所述輸入PMOS管M2的直流偏置電平與偏置電流源I_Bias的偏置電壓相同。

4.一種運(yùn)算放大器增益提高電路，其特征在于：包括輸入PMOS管M1、輸入NMOS管M2、共柵NMOS管M3和負(fù)載電阻Rd，輸入信號(hào)Vin分別輸入到輸入PMOS管M1的柵極、輸入NMOS管M2的柵極，輸入PMOS管M1的源極接電源AVDD，輸入PMOS管M1的漏極分別與輸入NMOS管M2的漏極、共柵NMOS管M3的源極連接，所述共柵NMOS管M3的漏極與負(fù)載電阻Rd的一端連接，負(fù)載電阻Rd的另一端接電源AVDD，所述輸入NMOS管M2的源極接地；所述共柵NMOS管M3的柵極接偏置電壓V_bias，所述負(fù)載電阻Rd與共柵NMOS管M3的漏極作為整個(gè)電路的輸出端。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的運(yùn)算放大器增益提高電路，其特征在于：還包括輸入共模轉(zhuǎn)換電路VCM shift，輸入信號(hào)Vin經(jīng)輸入共模轉(zhuǎn)換電路VCM shift輸入到輸入PMOS管M1的柵極。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的運(yùn)算放大器增益提高電路，其特征在于：所述輸入PMOS管M1、輸入NMOS管M2和共柵NMOS管M3都工作在飽和區(qū)。