技術(shù)特征：

1.一種基于開(kāi)關(guān)調(diào)制的多重反饋型階比濾波電路，其特征在于，包括控制信號(hào)輸入端、第一電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊、第二電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊、第三電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊、電容C₁、電容C₂以及運(yùn)放；

其中，第一電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊的一端一方面通過(guò)第二電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊連接所述運(yùn)放的反相輸入端，另一方面通過(guò)第二電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊連接所述運(yùn)放的輸出端；

電容C₁的一端接地，另一端連接所述第一電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊的一端；電容C₂的一端連接所述運(yùn)放的反向輸出端，另一端連接所述運(yùn)放的輸出端；

所述運(yùn)放的同相輸入端接地；控制信號(hào)輸入端連接第一電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊中開(kāi)關(guān)S1的控制端、第二電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊開(kāi)關(guān)S2的控制端、第三電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊開(kāi)關(guān)S3的控制端，用于控制第一電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊中開(kāi)關(guān)S1、第二電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊開(kāi)關(guān)S2、第三電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊開(kāi)關(guān)S3的通斷。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于開(kāi)關(guān)調(diào)制的多重反饋型階比濾波電路，其特征在于，所述第一電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊包括電阻R₁、開(kāi)關(guān)S1；所述第二電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊包括電阻R₂、開(kāi)關(guān)S2；所述第三電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊包括電阻R₃、開(kāi)關(guān)S3；

其中，所述電阻R₁的一端連接開(kāi)關(guān)S1的一端，開(kāi)關(guān)S1的另一端連接開(kāi)關(guān)S2的一端，開(kāi)關(guān)S2的另一端連接電阻R₂的一端，電阻R₂的另一端連接所述運(yùn)放的反相輸入端；

電阻R₃的一端連接所述開(kāi)關(guān)S1的另一端，另一端連接開(kāi)關(guān)S3的一端，開(kāi)關(guān)S3的另一端連接所述運(yùn)放的輸出端；

電容C₁的一端接地，另一端連接所述開(kāi)關(guān)S1的另一端。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于開(kāi)關(guān)調(diào)制的多重反饋型階比濾波電路，其特征在于，所述第一電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊包括電阻R₁、開(kāi)關(guān)S1；所述第二電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊包括電阻R₂、開(kāi)關(guān)S2；所述第一電阻開(kāi)關(guān)串聯(lián)模塊包括電阻R₃、開(kāi)關(guān)S3；

其中，所述電阻R₁的一端連接開(kāi)關(guān)S1的一端，另一端連接開(kāi)關(guān)S2的一端；開(kāi)關(guān)S2的另一端連接電阻R₂的一端，電阻R₂的另一端連接所述運(yùn)放的反相輸入端；

電阻R₃的一端連接所述電阻R₁的另一端，另一端連接開(kāi)關(guān)S3的一端，開(kāi)關(guān)S3的另一端連接所述運(yùn)放的輸出端；

電容C₁的一端接地，另一端連接所述電阻R₁的另一端。

4.一種基于開(kāi)關(guān)調(diào)制的多重反饋型階比濾波電路制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1：選定參數(shù)n，確定全導(dǎo)通頻率f_T或全導(dǎo)通角頻率ω_T，其中，開(kāi)關(guān)控制信號(hào)的頻率為被積分信號(hào)頻率的n倍；

步驟S2：確定運(yùn)放的型號(hào)；確定各電容和各電阻值，使得品質(zhì)因數(shù)直流放大倍數(shù)

步驟S3：根據(jù)被濾波信號(hào)頻率f_n確定脈寬調(diào)制控制信號(hào)的周期T；脈寬調(diào)制控制信號(hào)的周期其中，導(dǎo)通時(shí)間為

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于開(kāi)關(guān)調(diào)制的多重反饋型階比濾波電路制造方法，其特征在于，步驟S2包括如下步驟：

步驟S201：選定C₂；

步驟S202：令參數(shù)k＝2πf_TC₂；

步驟S203：確定各電容和各電阻值，C₁＝4Q²(1+A)C₂，