技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)的實(shí)施例提供了一種用于氮化鎵GaN器件的電路系統(tǒng)和和方法。該電路系統(tǒng)包括：負(fù)偏壓電路，被配置為提供GaN器件的柵極負(fù)偏壓；漏極開(kāi)關(guān)電路，被配置為接通或斷開(kāi)GaN器件的漏極正電壓；以及控制電路，被配置為基于負(fù)偏壓的提供來(lái)控制漏極開(kāi)關(guān)電路，以使得漏極正電壓在柵極電壓達(dá)到負(fù)偏壓之后接通并且在負(fù)偏壓完全消失之前斷開(kāi)。

技術(shù)研發(fā)人員：馮保良;石晶晶;李在清
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海貝爾股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.04.19
技術(shù)公布日：2017.10.31