本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)。

背景技術(shù)：

在無線通信系統(tǒng)中，載波聚合(carrieraggregation，ca)可以將至少兩個(gè)連續(xù)或者不連續(xù)的載波聚合在一起，實(shí)現(xiàn)較大的傳輸帶寬，有效提高了上下行傳輸速率。載波聚合可以包括三種模式：帶內(nèi)連續(xù)聚合、帶內(nèi)不連續(xù)聚合、帶間不連續(xù)聚合。蜂窩無線通信系統(tǒng)中的lte標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)采用了載波聚合技術(shù)，對(duì)射頻電路的設(shè)計(jì)提出了新的挑戰(zhàn)。對(duì)于載波聚合的接收機(jī)而言，接收到的有用信號(hào)分布在至少兩個(gè)連續(xù)或分散的頻帶中，阻塞信號(hào)分布在有用信號(hào)附近。阻塞信號(hào)有可能驅(qū)使接收機(jī)飽和，從而降低信噪比，因此接收機(jī)需要具備充分過濾阻塞信號(hào)的能力，從而把信號(hào)強(qiáng)度較弱的有用信號(hào)解調(diào)出來，同時(shí)還應(yīng)具有一定的可控性以方便靈活使用。

目前，以圖1所示的載波聚合接收機(jī)的電路示意圖為例，載波聚合接收機(jī)的實(shí)現(xiàn)方法之一是使用低中頻鏡像抑制結(jié)構(gòu)。首先，通過天線接收兩路載波聚合射頻信號(hào)；低噪聲放大器lna(英文全稱：lownoiseamplifier)與天線相連接，用于放大接收到的信號(hào)，并抑制后級(jí)電路的噪聲；兩路并行的正交混頻器與低噪聲放大器相連接，這兩路正交混頻器可將射頻有用信號(hào)正交下變頻，驅(qū)動(dòng)正交混頻器的本振信號(hào)的頻率剛好位于天線接收到的兩路射頻載波信號(hào)頻率的中間，兩路正交混頻器的輸出為低中頻信號(hào)；鏡像抑制處理模塊(英文全稱：low-ifimagerejectionblock)與正交混頻器相連接，可將兩路低中頻有用信號(hào)分別解調(diào)出來，通過并行的兩路分別輸出。上述載波聚合接收機(jī)的實(shí)現(xiàn)方法需要在低噪聲放大器之前增加片外帶通濾波器，以抑制阻塞信號(hào)的干擾，保證接收機(jī)的有效工作，但是，片外濾波器體積大，且比較昂貴，同時(shí)帶來插入損耗和信噪比的下降。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)，可有效抑制阻塞信號(hào)，并降低成本。

第一方面提供了一種適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)，包括第一阻抗單元、第二阻抗單元以及n路跨導(dǎo)單元，其中，第一阻抗單元的一端與第二阻抗單元的一端連接，第一阻抗單元通過n路正交本振信號(hào)驅(qū)動(dòng)，各路正交本振信號(hào)在時(shí)間上互不交疊，各路正交本振信號(hào)的占空比為1/n，n＝4n，n為正整數(shù)。第二阻抗單元的另一端與地連接，第二阻抗單元通過同樣的n路正交本振信號(hào)驅(qū)動(dòng)。各路跨導(dǎo)單元與第二阻抗單元連接，不同跨導(dǎo)單元的一端與第二阻抗單元中的不同中間節(jié)點(diǎn)連接，不同跨導(dǎo)單元的另一端與第二阻抗單元中的不同中間節(jié)點(diǎn)連接，n路跨導(dǎo)單元用于對(duì)正交本振信號(hào)進(jìn)行復(fù)數(shù)信號(hào)處理。

在該技術(shù)方案中，適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)可以作為阻抗zin，第一阻抗單元通過n路正交本振信號(hào)驅(qū)動(dòng)，電容在基帶頻率處的輸入阻抗特性被平移到了射頻頻率處，即通過第一阻抗單元輸入的正交本振信號(hào)的頻率為第一中心頻率。第二阻抗單元通過同樣的n路正交本振信號(hào)驅(qū)動(dòng)，n路跨導(dǎo)單元通過復(fù)數(shù)信號(hào)處理技術(shù)，首先在基帶頻率處將電容的阻抗特性平移，然后通過正交本振信號(hào)的驅(qū)動(dòng)將此平移后的阻抗特性上變頻到射頻頻率處，即通過第二阻抗單元輸入的正交本振信號(hào)的頻率加上基帶頻率的偏移量為第二中心頻率。第一中心頻率和第二中心頻率處為高阻抗，第一中心頻率和第二中心頻率以外的頻率處為低阻抗，而有用信號(hào)位于第一中心頻率和第二中心頻率處，阻塞信號(hào)位于第一中心頻率和第二中心頻率以外的頻率處，則有用信號(hào)通過此適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)的衰減可忽略不計(jì)，而阻塞信號(hào)則得到了有效的抑制。適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)無需增加片外濾波器，可降低成本。

在第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一阻抗單元包括n個(gè)n型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(n-metal-oxide-semiconductor，nmos管)和n個(gè)可調(diào)電容，nmos管和可調(diào)電容一一對(duì)應(yīng)，各個(gè)nmos管的漏極相連接，各個(gè)nmos管的源極與對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端連接，不同nmos管的柵極輸入不同正交本振信號(hào)，各個(gè)可調(diào)電容的另一端與第二阻抗單元連接；或者各個(gè)nmos管的源級(jí)相連接，各個(gè)nmos管的漏極與對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端連接，不同nmos管的柵極輸入不同正交本振信號(hào)，各個(gè)可調(diào)電容的另一端與第二阻抗單元連接。

結(jié)合第一方面可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第二阻抗單 元包括n個(gè)nmos管和n個(gè)可調(diào)電容，nmos管和可調(diào)電容一一對(duì)應(yīng)，各個(gè)nmos管的漏極相連接，各個(gè)nmos管的源極與對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端連接，不同nmos管的柵極輸入不同正交本振信號(hào)，各個(gè)可調(diào)電容的另一端與地連接；或者各個(gè)nmos管的源級(jí)相連接，各個(gè)nmos管的漏極與對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端連接，不同nmos管的柵極輸入不同正交本振信號(hào)，各個(gè)可調(diào)電容的另一端與地連接。

結(jié)合第一方面的第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第二阻抗單元包括n個(gè)中間節(jié)點(diǎn)，中間節(jié)點(diǎn)位于nmos管與對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容相連接的電路上，當(dāng)1≤m≤3n時(shí)，第m路跨導(dǎo)單元的一端與第m個(gè)中間節(jié)點(diǎn)連接，第m路跨導(dǎo)單元的另一端與第m+n個(gè)中間節(jié)點(diǎn)連接；當(dāng)3n+1≤m≤4n時(shí)，第m路跨導(dǎo)單元的一端與第m個(gè)中間節(jié)點(diǎn)連接，第m路跨導(dǎo)單元的另一端與第m-3n個(gè)中間節(jié)點(diǎn)連接。

結(jié)合第一方面可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，跨導(dǎo)單元至少包括2個(gè)nmos管和2個(gè)p型金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(p-metal-oxide-semiconductor，pmos管)，nmos管與開關(guān)一一對(duì)應(yīng)，pmos管與開關(guān)一一對(duì)應(yīng)，nmos管包括第一nmos管或者第二nmos管，pmos管包括第三pmos管或者第四pmos管。第一nmos管的柵極分別與第二nmos管的柵極、第三pmos管的柵極以及第四pmos管的柵極連接，第一nmos管的漏極與分別與第二nmos管的漏極、第三pmos管的漏極以及第四pmos管的漏極連接，第一nmos管的源極與對(duì)應(yīng)的開關(guān)的一端連接，第一nmos管對(duì)應(yīng)的開關(guān)的另一端與電源負(fù)極連接，第一nmos管的柵極用于輸入電壓形式的信號(hào)，第一nmos管的漏極用于輸出電流形式的信號(hào)。第二nmos管的源極與對(duì)應(yīng)的開關(guān)的一端連接，第二nmos管對(duì)應(yīng)的開關(guān)的另一端與電源負(fù)極連接。第三pmos管的源極與對(duì)應(yīng)的開關(guān)的一端連接，第三pmos管對(duì)應(yīng)的開關(guān)的另一端與電源正極連接。第四pmos管的源極與對(duì)應(yīng)的開關(guān)的一端連接，第四pmos管對(duì)應(yīng)的開關(guān)的另一端與電源正極連接。

結(jié)合第一方面可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)集成得到片內(nèi)濾波器，片內(nèi)濾波器與信號(hào)通路并聯(lián)。

結(jié)合第一方面可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)置于放大器的中間節(jié)點(diǎn)上。

結(jié)合第一方面的第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第七種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，放大器包括第一nmos管和第二nmos管。第一nmos管的源極與電源負(fù)極連接，第一nmos管的漏極分別與適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)以及第二nmos管的源極連接，第一nmos管的柵極用于輸入信號(hào)。第二nmos管的漏極與負(fù)載的一端連接，第二nmos管的漏極用于輸出信號(hào)。負(fù)載的另一端與電源正極連接。

結(jié)合第一方面或者第一方面的第一種至第七種中任一種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第八種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，第一阻抗單元和第二阻抗單元通過n路正交本振信號(hào)驅(qū)動(dòng)，適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)在射頻頻率處的等效輸入阻抗包括兩個(gè)中心頻率，兩個(gè)中心頻率為兩個(gè)載波承載的有用信號(hào)對(duì)應(yīng)的頻率，兩個(gè)中心頻率以外的頻率為阻塞信號(hào)對(duì)應(yīng)的頻率，適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)在兩個(gè)中心頻率處為高阻抗特性，兩個(gè)中心頻率以外的頻率處為低阻抗特性，則通過適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)可以輸出有用信號(hào)，并抑制阻塞信號(hào)。

結(jié)合第一方面的第八種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第九種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，兩個(gè)中心頻率之間的偏移量通過跨導(dǎo)單元的等效跨導(dǎo)值和第二阻抗單元中的可調(diào)電容確定，各個(gè)中心頻率處的阻抗由n的取值和適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)的接入節(jié)點(diǎn)處的等效輸出阻抗確定，兩個(gè)中心頻率以為的頻率的阻抗通過第一阻抗單元中的nmos管的導(dǎo)通電阻和第二阻抗單元中的nmos管的導(dǎo)通電阻確定，中心頻率的帶寬通過第一阻抗單元中的可調(diào)電容和第二阻抗單元中的可調(diào)電容確定。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種載波聚合接收機(jī)的電路示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種雙頻帶濾波器的電路示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種放大器的電路示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)的框架示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種正交本振信號(hào)的分布示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)的電路示意圖；

圖7是本發(fā)明另一實(shí)施例中提供的一種適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)的電路示意圖；

圖8是本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種跨導(dǎo)單元的電路示意圖；

圖9是本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)在射頻頻率處的等效輸入阻抗的分布示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚地描述。

請(qǐng)參見圖2，圖2是本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種雙頻帶濾波器的電路示意圖，如圖所示本發(fā)明實(shí)施例中的適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)可以集成得到片內(nèi)濾波器，該片內(nèi)濾波器與信號(hào)通路并聯(lián)。

具體實(shí)現(xiàn)中，可以將適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)并聯(lián)接入到信號(hào)通路中，例如將適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)接入到接收機(jī)中低噪聲放大器之前，即可實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)因數(shù)的雙頻帶濾波器。適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)可以集成得到片內(nèi)濾波器，從而避免了片外濾波器的使用。

請(qǐng)參見圖3，圖3是本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種放大器的電路示意圖，如圖所示本發(fā)明實(shí)施例中的適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)可以置于放大器的中間節(jié)點(diǎn)上。

其中，放大器包括第一nmos管和第二nmos管。第一nmos管的源極與電源負(fù)極連接，第一nmos管的漏極分別與復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)以及第二nmos管的源極連接，第一nmos管的柵極用于輸入信號(hào)。第二nmos管的漏極與負(fù)載的一端連接，第二nmos管的漏極用于輸出信號(hào)。負(fù)載的另一端與電源正極連接。

具體實(shí)現(xiàn)中，將適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)并聯(lián)接入放大器中， 可實(shí)現(xiàn)對(duì)兩個(gè)中心頻率以外的其它頻率信號(hào)的抑制，或者說完成了雙頻帶的放大，使原來的放大器成為帶寬可調(diào)的雙頻帶放大器。該放大器包含共源共柵放大單元，共源共柵也就是說一個(gè)共柵mos管疊加在了一個(gè)共源mos管之上，信號(hào)由共源mos管的柵極輸入，由共柵mos管的漏極輸出。將此雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)并行接入共源共柵mos管的中間節(jié)點(diǎn)上，這樣對(duì)于整個(gè)電路來說，電壓增益就表現(xiàn)出了雙頻帶的特性，也就是說完成了雙頻帶的放大。

請(qǐng)參見圖4，圖4是本發(fā)明實(shí)施例中提供的一種適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)的框架示意圖，如圖所示本發(fā)明實(shí)施例中的適用于雙頻帶載波聚合的復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)由第一模塊和第二模塊串聯(lián)而成。

其中，第一模塊由多通路濾波器(n-pathfilter)組成，第一模塊即第一阻抗單元，第一阻抗單元通過n路正交本振信號(hào)驅(qū)動(dòng)，輸入第一阻抗單元的正交本振信號(hào)的頻率為第一中心頻率，即flo。第二模塊的一端與第一模塊連接，第二模塊的另一端與地連接，第二模塊包括第二阻抗單元和n路跨導(dǎo)單元，第二阻抗單元由多通路濾波器組成，n路跨導(dǎo)單元與第二阻抗單元并聯(lián)，即不同跨導(dǎo)單元的一端與第二阻抗單元中的不同中間節(jié)點(diǎn)連接，不同跨導(dǎo)單元的另一端與第二阻抗單元中的不同中間節(jié)點(diǎn)連接，第二模塊通過相同的n路正交本振信號(hào)驅(qū)動(dòng)，第二中心頻率的大小為flo+δf，第一中心頻率和第二中心頻率之間的偏移量為δf。

其中，如圖5所示，各路正交本振信號(hào)在時(shí)間上互不交疊，各路正交本振信號(hào)的占空比為1/n，n＝4n，n為正整數(shù)。flo＝1/t，t為n路正交本振信號(hào)的時(shí)間周期。例如，n＝1時(shí)，n＝4，各路正交本振信號(hào)的占空比為1/4。又如，n＝2時(shí)，n＝8，各路正交本振信號(hào)的占空比為1/8。

其中，如圖6所示，第一阻抗單元包括n個(gè)nmos管和n個(gè)可調(diào)電容，nmos管和可調(diào)電容一一對(duì)應(yīng)，各個(gè)nmos管的漏極相連接，各個(gè)nmos管的源極與對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端連接，不同nmos管的柵極輸入不同正交本振信號(hào)，各個(gè)可調(diào)電容的另一端相連接。例如，n＝1時(shí)，n＝4，第一阻抗單元包括4個(gè)nmos管和4個(gè)可調(diào)電容，nmos管和可調(diào)電容一一對(duì)應(yīng)，第一nmos管的柵極輸入第一路正交本振信號(hào)，第二nmos管的柵極輸入第二路正交本振信號(hào)，第三nmos管的柵極輸入第三路正交本振信號(hào)，第四nmos管的柵極輸入 第四路正交本振信號(hào)，各個(gè)nmos管的漏極相連接，各個(gè)nmos管的源極與對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端連接，各個(gè)可調(diào)電容的另一端相連接。

具體實(shí)現(xiàn)中，第一模塊在n路正交本振信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下，電容在基帶頻率處的輸入阻抗特性被平移到了射頻頻率處，即flo，實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)因數(shù)的射頻阻抗網(wǎng)絡(luò)。

第二阻抗單元包括n個(gè)nmos管和n個(gè)可調(diào)電容，nmos管和可調(diào)電容一一對(duì)應(yīng)，各個(gè)nmos管的漏極相連接，各個(gè)nmos管的源極與對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端連接，不同nmos管的柵極輸入不同正交本振信號(hào)，各個(gè)可調(diào)電容的另一端相連接。例如，n＝1時(shí)，n＝4，第二阻抗單元包括4個(gè)nmos管和4個(gè)可調(diào)電容，nmos管和可調(diào)電容一一對(duì)應(yīng)，第一nmos管的柵極輸入第一路正交本振信號(hào)，第二nmos管的柵極輸入第二路正交本振信號(hào)，第三nmos管的柵極輸入第三路正交本振信號(hào)，第四nmos管的柵極輸入第四路正交本振信號(hào)，各個(gè)nmos管的漏極與第一阻抗單元中各個(gè)可調(diào)電容的另一端相連接，各個(gè)nmos管的源極與對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端連接，各個(gè)可調(diào)電容的另一端與地連接。

第二阻抗單元中各個(gè)nmos管的源極和對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端之間包含一個(gè)中間節(jié)點(diǎn)，當(dāng)1≤m≤3n時(shí)，第m路跨導(dǎo)單元的一端與第m個(gè)中間節(jié)點(diǎn)連接，第m路跨導(dǎo)單元的另一端與第m+n個(gè)中間節(jié)點(diǎn)連接；當(dāng)3n+1≤m≤4n時(shí)，第m路跨導(dǎo)單元的一端與第m個(gè)中間節(jié)點(diǎn)連接，第m路跨導(dǎo)單元的另一端與第m-3n個(gè)中間節(jié)點(diǎn)連接。例如，n＝1時(shí)，n＝4，第一nmos管的源極和對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端之間的中間節(jié)點(diǎn)為p1，第二nmos管的源極和對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端之間的中間節(jié)點(diǎn)為p2，第三nmos管的源極和對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端之間的中間節(jié)點(diǎn)為p3，第四nmos管的源極和對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端之間的中間節(jié)點(diǎn)為p4，第一跨導(dǎo)單元的一端與p1連接，第一跨導(dǎo)單元的另一端與p2連接；第二跨導(dǎo)單元的一端與p2連接，第二跨導(dǎo)單元的另一端與p3連接；第三跨導(dǎo)單元的一端與p3連接，第三跨導(dǎo)單元的另一端與p4連接；第四跨導(dǎo)單元的一端與p4連接，第四跨導(dǎo)單元的另一端與p1連接。又如，n＝2時(shí)，n＝8，第m個(gè)nmos管的源極和對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端之間的中間節(jié)點(diǎn)為pm，第一跨導(dǎo)單元的一端與p1連接，第一跨導(dǎo)單元的另一端與p3連接；第二跨導(dǎo)單元的一端與p2連接，第二跨導(dǎo)單元的另一端與p4連接；第三跨導(dǎo)單元的一端與p3連接，第三跨導(dǎo)單元的另一端 與p5連接；第四跨導(dǎo)單元的一端與p4連接，第四跨導(dǎo)單元的另一端與p6連接；第五跨導(dǎo)單元的一端與p5連接，第五跨導(dǎo)單元的另一端與p7連接；第六跨導(dǎo)單元的一端與p6連接，第六跨導(dǎo)單元的另一端與p8連接；第七跨導(dǎo)單元的一端與p7連接，第七跨導(dǎo)單元的另一端與p1連接；第八跨導(dǎo)單元的一端與p8連接，第八跨導(dǎo)單元的另一端與p2連接。

具體實(shí)現(xiàn)中，各路跨導(dǎo)單元的輸入輸出都連接在第二阻抗單元的不同中間節(jié)點(diǎn)上。各路跨導(dǎo)單元的功能是把電壓轉(zhuǎn)化為電流輸出。不同跨導(dǎo)單元的輸入級(jí)都連接在不同的中間節(jié)點(diǎn)上，不同跨導(dǎo)單元的輸出級(jí)也都連接在了不同的中間節(jié)點(diǎn)上。對(duì)于各路跨導(dǎo)單元，輸入節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)支路的本振信號(hào)和輸出節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)支路的本振信號(hào)的相位相差90度。各路跨導(dǎo)單元輸入節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)支路的本振信號(hào)的相位同時(shí)超前于該路跨導(dǎo)單元輸出節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)支路的本振信號(hào)相位，或者各路跨導(dǎo)單元輸入節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)支路的本振信號(hào)的相位同時(shí)滯后于該路跨導(dǎo)單元輸出節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)支路的本振信號(hào)相位。加入了跨導(dǎo)單元的這種技術(shù)就稱作復(fù)數(shù)信號(hào)處理技術(shù)，其目的在于通過復(fù)數(shù)信號(hào)處理，把電容在基帶頻率處的阻抗平移到另一個(gè)射頻頻率處，即flo+δf，實(shí)現(xiàn)了高品質(zhì)因數(shù)且中心頻率可調(diào)的射頻阻抗網(wǎng)絡(luò)。

可選的，如圖7所示，第一阻抗單元包括n個(gè)nmos管和n個(gè)可調(diào)電容，nmos管和可調(diào)電容一一對(duì)應(yīng)，各個(gè)nmos管的源極相連接，各個(gè)nmos管的漏極與對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端連接，不同nmos管的柵極輸入不同正交本振信號(hào)，各個(gè)可調(diào)電容的另一端相連接。

進(jìn)一步的，第二阻抗單元包括n個(gè)nmos管和n個(gè)可調(diào)電容，nmos管和可調(diào)電容一一對(duì)應(yīng)，各個(gè)nmos管的源極相連接，各個(gè)nmos管的漏極與對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端連接，不同nmos管的柵極輸入不同正交本振信號(hào)，各個(gè)可調(diào)電容的另一端相連接。

第二阻抗單元中各個(gè)nmos管的漏極和對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端之間包含一個(gè)中間節(jié)點(diǎn)，當(dāng)1≤m≤3n時(shí)，第m路跨導(dǎo)單元的一端與第m個(gè)中間節(jié)點(diǎn)連接，第m路跨導(dǎo)單元的另一端與第m+n個(gè)中間節(jié)點(diǎn)連接；當(dāng)3n+1≤m≤4n時(shí)，第m路跨導(dǎo)單元的一端與第m個(gè)中間節(jié)點(diǎn)連接，第m路跨導(dǎo)單元的另一端與第m-3n個(gè)中間節(jié)點(diǎn)連接。

在可選實(shí)施例中，nmos管用于實(shí)現(xiàn)開關(guān)的功能，nmos管的源級(jí)和漏極的電位相同，所以無需區(qū)分源級(jí)和漏極。也就是說，第一阻抗單元中各個(gè)nmos 管的漏極相連接，各個(gè)nmos管的源極與對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端連接；或者各個(gè)nmos管的源級(jí)相連接，各個(gè)nmos管的漏極與對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端連接。進(jìn)一步的，各個(gè)nmos管的漏極相連接，各個(gè)nmos管的源極與對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端連接；或者各個(gè)nmos管的源級(jí)相連接，各個(gè)nmos管的漏極與對(duì)應(yīng)的可調(diào)電容的一端連接。具體不受本發(fā)明實(shí)施例的限制。

其中，以圖8所示，跨導(dǎo)單元(gm-cell)至少包括2個(gè)nmos管和2個(gè)pmos管，nmos管與開關(guān)一一對(duì)應(yīng)，pmos管與開關(guān)一一對(duì)應(yīng)，nmos管包括第一nmos管或者第二nmos管，pmos管包括第三pmos管或者第四pmos管；第一nmos管的柵極分別與第二nmos管的柵極、第三pmos管的柵極以及第四pmos管的柵極連接，第一nmos管的漏極與分別與第二nmos管的漏極、第三pmos管的漏極以及第四pmos管的漏極連接，第一nmos管的源極與對(duì)應(yīng)的開關(guān)的一端連接，第一nmos管對(duì)應(yīng)的開關(guān)的另一端與電源負(fù)極連接，第一nmos管的柵極用于輸入電壓形式的信號(hào)，第一nmos管的漏極用于輸出電流形式的信號(hào)；第二nmos管的源極與對(duì)應(yīng)的開關(guān)的一端連接，第二nmos管對(duì)應(yīng)的開關(guān)的另一端與電源負(fù)極連接；第三pmos管的源極與對(duì)應(yīng)的開關(guān)的一端連接，第三pmos管對(duì)應(yīng)的開關(guān)的另一端與電源正極連接；第四pmos管的源極與對(duì)應(yīng)的開關(guān)的一端連接，第四pmos管對(duì)應(yīng)的開關(guān)的另一端與電源正極連接。各路跨導(dǎo)單元的跨導(dǎo)指的是該跨導(dǎo)單元的輸出電流與該跨導(dǎo)單元的輸入電壓的比值。

具體實(shí)現(xiàn)中，通過第一模塊和第二模塊的串聯(lián)，并且在n路正交本振信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下，此復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)在射頻頻率處的等效輸入阻抗如圖9所示，等效的輸入阻抗有兩個(gè)峰值，其中一個(gè)峰值對(duì)應(yīng)的頻率即為本振信號(hào)的頻率，另一個(gè)峰值對(duì)應(yīng)的頻率相對(duì)于本振信號(hào)頻率有一定偏移。兩個(gè)峰值對(duì)應(yīng)的頻率之間的偏移量，即δf，由n路跨導(dǎo)單元的等效跨導(dǎo)值和第二阻抗單元的可調(diào)電容確定。兩個(gè)峰值對(duì)應(yīng)的頻率處的阻抗較大，由n的取值和此復(fù)阻抗網(wǎng)絡(luò)接入節(jié)點(diǎn)處的等效輸出阻抗確定。兩個(gè)峰值對(duì)應(yīng)的頻率以外的頻率的阻抗通過第一阻抗單元中的nmos管的導(dǎo)通電阻和第二阻抗單元中的nmos管的導(dǎo)通電阻確定。兩個(gè)頻帶的阻抗峰值都有很高的品質(zhì)因數(shù)，可以通過改變第一阻抗單元中可調(diào)電容和第二阻抗單元中可調(diào)電容來改變此品質(zhì)因數(shù)的大小。第一中心頻率的帶寬可以通過第一阻抗單元中的可調(diào)電容確定，第二中心頻率的帶寬可以通過第二阻 抗單元中的可調(diào)電容確定。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包括于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對(duì)上述術(shù)語的示意性表述不是必須針對(duì)相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。此外，在不相互矛盾的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以將本說明書中描述的不同實(shí)施例或示例以及不同實(shí)施例或示例的特征進(jìn)行結(jié)合和組合。

此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個(gè)該特征。在本發(fā)明的描述中，“多個(gè)”的含義是至少兩個(gè)，例如兩個(gè)，三個(gè)等，除非另有明確具體的限定。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例，可以理解的是，上述實(shí)施例是示例性的，不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行變化、修改、替換和變型。