本發(fā)明涉及一種散熱結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

隨著處理芯片向著高頻、高集成度方向發(fā)展，顯示器向著高像素比方向發(fā)展，配備高頻處理器及高像素比顯示器的電子設(shè)備的散熱問題日益凸顯。以前，業(yè)界多采用石墨散熱片對電子設(shè)備進行散熱。近來，也有采用液冷散熱的。然而，無論是采用石墨散熱片還是液冷散熱，由于均是通過擴散方式與外界進行熱交換，散熱效率不高，散熱效果不理想。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，有必要提供一種能夠解決上述技術(shù)問題的散熱結(jié)構(gòu)。

一種散熱結(jié)構(gòu)，包括蒸發(fā)端、汽管、冷凝端及液管。所述蒸發(fā)端、汽管、冷凝管及液管依次首尾相連且相互連通形成散熱回路。所述散熱回路內(nèi)流通有第一相變材料。所述冷凝端設(shè)置有第二相變材料。所述第二相變材料與所述第一相變材料彼此隔離。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的散熱結(jié)構(gòu)由于在所述冷凝端設(shè)置有與所述第一相變材料彼此隔離的第二相變材料，可以吸收大量的熱量，進而提高散熱效率。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第一實施方式提供的散熱結(jié)構(gòu)的立體示意圖。

圖2是圖1的散熱結(jié)構(gòu)的俯視圖。

圖3是沿圖2III-III線的剖面示意圖。

圖4是沿圖2VI-VI線的剖面示意圖。

圖5是沿圖2IV-IV線的剖面示意圖。

圖6是沿圖2V-V線的剖面示意圖。

圖7是本發(fā)明第二實施方式提供的散熱結(jié)構(gòu)的示意圖。

主要元件符號說明

如下具體實施方式將結(jié)合上述附圖進一步說明本發(fā)明。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施方式對本發(fā)明提供的散熱結(jié)構(gòu)作進一步說明。

請參閱圖1、圖2及圖5，本發(fā)明第一實施方式提供的散熱結(jié)構(gòu)100包括蒸發(fā)端10，汽管20，冷凝端30及液管40。所述汽管20及液管40連接在所述蒸發(fā)端10及所述冷凝端30之間。本實施方式中，所述汽管20與所述液管40間隔設(shè)置且彼此分離。所述蒸發(fā)端10、所述汽管20、所述冷凝端30及所述液管40依次首尾相連且相互連通形成閉合的散熱回路。所述散熱回路內(nèi)流通有第一相變材料101。本實施方式中，所述散熱結(jié)構(gòu)100采用柔性電路板基材制成。所述第一相變材料101為水，酒精等。

請參閱圖3，本實施方式中，所述蒸發(fā)端10為三層結(jié)構(gòu)，包括第一層11、第二層12及第三層13。所述第二層12夾設(shè)在所述第一層11與第三層13之間。所述第一層11、第二層12及第三層13采用金屬材料制成。所述蒸發(fā)端10與熱源接觸。

所述第一層11包括底面111。自所述底面111向所述第一層11內(nèi)部蝕刻形成有多條第一溝槽112。本實施方式中，所述多條第一溝槽112相互連通。

所述第二層12包括相背的頂面121及底面122。所述頂面121與所述第一層11的底面111相對設(shè)置。本實施方式中，所述第二層12分別自所述頂面121及所述底面122向所述第二層12內(nèi)部蝕刻形成有多條第二溝槽123。所述第二層12相背兩側(cè)的第二溝槽123相互間隔。本實施方式中，所述第二層12還開設(shè)有通孔124。所述第二層12相背兩側(cè)的第二溝槽123通過所述通孔124相互連通。其他實施方式中，所述第二層12相背兩側(cè)的第二溝槽123及所述通孔124可由相互連通且貫穿所述第二層12的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)代替。

所述第三層13包括頂面131。所述頂面131與所述第二層的底面122相對設(shè)置。自所述頂面131向所述第三層13內(nèi)部蝕刻形成多條第三溝槽132。本實施方式中，所述多條第三溝槽132相互連通，且與所述多條第一溝槽112一一對應(yīng)。

所述第一層11、第二層12及第三層13通過粘膠14粘結(jié)。所述第一溝槽112與所述第二層12的頂面121的第二溝槽123相對設(shè)置。所述第三溝槽132與所述第二層12的底面122的第二溝槽123相對設(shè)置。本實施方式中，所述第三溝槽132通過所述通孔124與所述第一溝槽112相互連通。所述第三溝槽132，所述第二溝槽123，所述通孔124及所述第一溝槽112圍成一個汽化空間15。本實施方式中，由于所述第二層12開設(shè)有通孔124連通所述第三溝槽132，所述第二溝槽123，所述通孔124及所述第一溝槽112，可提升毛細作用力，增加液體回流的動力，促進液體回流。

請一并參閱圖1，圖2及圖4，所述汽管20與所述蒸發(fā)端10相連通。本實施方式中，所述汽管20為兩層結(jié)構(gòu)，包括相對設(shè)置的頂層21及底層22。

所述頂層21包括下表面211。自所述下表面211向所述頂層21內(nèi)部蝕刻形成至少一個頂層凹槽212。本實施方式中，自所述下表面211項所述頂層21內(nèi)部蝕刻形成一個頂層凹槽212。在所述頂層凹槽212的底部蝕刻形成有多個頂層溝槽2121。所述頂層凹槽212及所述頂層溝槽2121均沿所述頂層21的軸向設(shè)置。

所述底層22包括上表面221。所述上表面221與所述頂層21的下表面211相對設(shè)置。自所述上表面221向所述底層22內(nèi)部蝕刻形成有底層凹槽222。所述底層凹槽222與所述頂層凹槽212對應(yīng)。在所述底層凹槽222的底部蝕刻形成有多個底層溝槽2221。所述底層凹槽222及所述底層溝槽2221均沿所述底層22的軸向設(shè)置。本實施方式中，所述底層溝槽2221與所述頂層溝槽2121一一對應(yīng)。

所述頂層21與所述底層22通過粘膠23粘結(jié)。所述頂層凹槽212與所述底層凹槽222相對設(shè)置。所述頂層凹槽212與所述底層凹槽222圍成汽道24。所述汽道24的一端與所述汽化空間15連通。

請一并參閱圖1，圖2及圖5，所述冷凝端30與所述汽道24的另一端相連。本實施方式中，所述冷凝端30為三層結(jié)構(gòu)，包括頂部外層31，內(nèi)層32及底部外層33。所述內(nèi)層32夾設(shè)在所述頂部外層31與所述底部外層33之間。

所述頂部外層31包括下表面311。自所述下表面311向所述頂部外層31內(nèi)部形成一個外層凹槽312。

所述內(nèi)層32包括相背的頂面321及底面322。所述頂面321與所述頂部外層31的下表面311相對設(shè)置。自所述頂面321向所述內(nèi)層32內(nèi)部形成有一個與所述外層凹槽312對應(yīng)的內(nèi)層凹槽323。自所述底面322向所述內(nèi)層32內(nèi)部形成有內(nèi)層溝槽324。所述內(nèi)層溝槽324與所述內(nèi)層凹槽323相背設(shè)置。

所述底部外層33包括上表面331。所述上表面331與所述內(nèi)層32的底面322相對設(shè)置。自所述上表面331向所述底部外層33內(nèi)部形成外層溝槽332。所述外層溝槽332與所述內(nèi)層溝槽324對應(yīng)。

所述頂部外層31，內(nèi)層32及底部外層33通過粘膠34粘結(jié)。所述外層凹槽312與所述內(nèi)層凹槽323相對設(shè)置，并圍成一個密閉的收容空間35。所述收容空間35收容有第二相變材料36。本實施方式中，所述第二相變材料36不同于所述第一相變材料101，且所述第二相變材料36較之所述第一相變材料101具有更快速的散熱效率。所述第二相變材料36可為蠟等。所述第二相變材料36發(fā)生相變的溫度范圍大致為30~40℃。所述外層溝槽332與所述內(nèi)層溝槽324相對設(shè)置，并圍成一個液化空間37。所述液化空間37與所述收容空間35彼此隔離。所述第一相變材料與所述第二相變材料36相互隔離。所述液化空間37的一端與所述汽道24遠離所述蒸發(fā)端10的一端相互連通。本實施方式中，所述液化空間37呈S型設(shè)置，以增大散熱面積，加快散熱速率。

請一并參閱圖1，圖2及圖6，本實施方式中，所述液管40為兩層結(jié)構(gòu)，包括相對設(shè)置的頂層41及底層42。

所述頂層41包括下表面411。自所述下表面411向所述頂層21內(nèi)部蝕刻形成至少一個頂層凹槽412。本實施方式中，自所述下表面411項所述頂層41內(nèi)部蝕刻形成一個頂層凹槽412。在所述頂層凹槽412的底部蝕刻形成有多個頂層溝槽4121。所述頂層凹槽412及所述頂層溝槽4121均沿所述頂層41的軸向設(shè)置。

所述底層42包括上表面421。所述上表面421與所述頂層41的下表面411相對設(shè)置。自所述上表面421向所述底層42內(nèi)部蝕刻形成有底層凹槽422。所述底層凹槽422與所述頂層凹槽412對應(yīng)。在所述底層凹槽4121的底部蝕刻形成有多個底層溝槽4221。所述底層凹槽421及所述底層溝槽4221均沿所述底層42的軸向設(shè)置。本實施方式中，所述底層溝槽4221與所述頂層溝槽4121一一對應(yīng)。

所述頂層41與所述底層42通過粘膠43粘結(jié)。所述頂層凹槽412與所述底層凹槽422相對設(shè)置。所述頂層凹槽412與所述底層凹槽422圍成一個液道44。所述液道44的兩端分別與所述汽化空間15及所述液化空間37遠離所述汽道24的一端連通。本實施方式中，所述液管40的頂層溝槽4121及底層溝槽4221的密度大于所述汽管20的頂層溝槽2121及底層溝槽2221的密度，以提升毛細作用力，使在所述冷凝端30液化后的所述第一相變材料101順利回流至所述蒸發(fā)端10。為進一步提升所述第一相變材料101回流效果，本實施方式中，所述蒸發(fā)端10的第二層12部分延伸入所述液道44。

工作時，所述第一相變材料101在所述蒸發(fā)端10吸收熱量汽化為蒸汽，蒸汽沿所述汽管20傳輸至所述冷凝端30，在所述冷凝端30內(nèi)，蒸汽釋放熱量液化為液體，液體沿所述液管40回流至所述蒸發(fā)端10，如此循環(huán)往復(fù)。

可以理解的是，其他實施方式中，為進一步提升毛細作用力，可對所述汽管20的頂層凹槽212、頂層溝槽2121、底層凹槽222及底層溝槽2221，以及所述液管40的頂層凹槽412、頂層溝槽4121、底層凹槽422及底層溝槽2221的表面進行棕化處理。

請參閱圖7，本發(fā)明第二實施方式所提供的散熱結(jié)構(gòu)200與本發(fā)明第一實施方式提供的散熱結(jié)構(gòu)100大致相同，其區(qū)別在于所述散熱結(jié)構(gòu)200包括兩個蒸發(fā)端50，所述蒸發(fā)端50的結(jié)構(gòu)與所述蒸發(fā)端10的結(jié)構(gòu)相同；所述汽管60遠離所述冷凝端70的一端具有兩個汽管分支61，每一個所述汽管分支61與一個所述蒸發(fā)端50對應(yīng)連通；所述液管80遠離所述冷凝端70的一端具有兩個液管分支81，每一個液管分支81與一個所述蒸發(fā)端50對應(yīng)連通。本實施方式中所述散熱結(jié)構(gòu)200同時對兩個熱源進行散熱。

可以理解的是，其他實施方式中，所述散熱結(jié)構(gòu)200也可包括多個蒸發(fā)端50，所述汽管60及液管80遠離所述冷凝端70的一端分別包括多個分支，所述汽管分支61及液管分支71與所述蒸發(fā)端50一一對應(yīng)相互連通。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的散熱結(jié)構(gòu)由于在所述冷凝端設(shè)置有與所述第一相變材料彼此隔離的第二相變材料，可以吸收大量的熱量，進而提高散熱效率。另外，由于所述汽管與液管分離，可在散熱回路內(nèi)設(shè)置更多相變材料，提升回流速度，加快散熱速度，并可對具有該散熱結(jié)構(gòu)的電子設(shè)備均勻散熱。

可以理解的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它各種相應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。