技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開(kāi)了一種環(huán)形振蕩電路和環(huán)形振蕩器。其中，該環(huán)形振蕩電路包括：用于輸出偏置電流的參考電壓產(chǎn)生電路、偏置電路和環(huán)形振蕩結(jié)構(gòu)，偏置電路包括：第一NMOS晶體管，漏極和柵極連接到參考電壓產(chǎn)生電路的偏置電流輸出端；第二NMOS晶體管，柵極和漏極均與第一NMOS晶體管的源極相連接，第二NMOS晶體管的源極接地；第三NMOS晶體管，柵極與第一NMOS晶體管的柵極相連接，漏極與第一PMOS晶體管的漏極相連接；以及電阻R，一端與第三NMOS晶體管的源極相連接，電阻R包括串聯(lián)的具有正溫度系數(shù)的第一電阻和具有負(fù)溫度系數(shù)的第二電阻。通過(guò)本申請(qǐng)，解決了現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法在降低溫度系數(shù)對(duì)環(huán)形振蕩器輸出振蕩頻率的影響的同時(shí)減低功耗和面積的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：賈海瓏
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
文檔號(hào)碼：201510215867
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.29
技術(shù)公布日：2016.12.07