行波混頻器、采樣器以及合成采樣器的制造方法
【專利摘要】在此公開行波混頻器、采樣器以及合成采樣器。所述電子器件包括：輸入傳輸線路(605)，其接收輸入信號；輸出傳輸線路，其發(fā)送輸出信號；本地振蕩器傳輸線路，其發(fā)送本地振蕩器信號；多個放大和混頻級，其并聯(lián)地布置在所述輸入和輸出傳輸線路之間，并且每一個均放大所述輸入信號的接收部分并且將所述輸入信號的放大部分與所述本地振蕩器信號混頻，以產(chǎn)生所述輸出信號的部分；多個放大級，其并聯(lián)地布置在所述的輸入和輸出傳輸線路之間，并且每一個均放大所述輸入信號的接收部分以產(chǎn)生所述輸出信號的部分。所述放大級位于所述電子器件的輸出側(cè)附近，所述放大和混頻級位于所述電子器件的輸入側(cè)附近。
【專利說明】行波混頻器、采樣器以及合成采樣器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及行波混頻器、采樣器以及合成采樣器。

【背景技術(shù)】
[0002]在多數(shù)高頻通信系統(tǒng)中可以發(fā)現(xiàn)混頻器和采樣器。例如，混頻器一般用于將信號從一個頻率范圍轉(zhuǎn)變到另一頻率范圍，以方便于或兼容于傳輸或信號處理。另一方面，采樣器通常用于將連續(xù)信號轉(zhuǎn)換為離散信號，以用于信號處理。
[0003]可以根據(jù)諸如帶寬、噪聲和增益等等之類的參數(shù)估計混頻器或采樣器的性能。隨著信息速率提升，下面的組件(如混頻器和采樣器)的帶寬也必須增加。類似地，需要足夠的噪聲和/或增益值來保持受處理的信息的質(zhì)量。由于開發(fā)者持續(xù)推進(jìn)處理速度和質(zhì)量的性能極限，因此這些參數(shù)中的每一個對于多數(shù)現(xiàn)代系統(tǒng)是重要的。
[0004]在高頻混頻器和采樣器中，帶寬、噪聲和增益對于固有器件特性和寄生性是敏感的。此外，存在要在這些參數(shù)之間進(jìn)行的折中。通常難以在不犧牲另外兩個參數(shù)的情況下改善一個參數(shù)。一種用于優(yōu)化這些參數(shù)的技術(shù)是通過沿著傳輸線路來分布各器件?？梢栽谛胁ǚ糯笃髦邪l(fā)現(xiàn)這種技術(shù)的基本實(shí)施方案。
[0005]此外，作為對于器件寄生性的這種強(qiáng)敏感性的結(jié)果，高頻混頻器和采樣器一般通過使得寄生性最小化或減少的專用器件或工藝而得以實(shí)現(xiàn)。例如，可以通過往往具有相對低的寄生性C的假晶高電子遷移率晶體管(PHEMT)來實(shí)現(xiàn)一些混頻器或采樣器。類似地，可以通過憑借典型地用于制造低電容二極管的專用工藝形成混頻器橋來制造一些混頻器。
[0006]不幸的是，這些專用器件和工藝通常對于制造是昂貴且低效率的。因此，對于高性能混頻器和采樣器，通常需要改進(jìn)的設(shè)計。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]在代表性實(shí)施例中，一種電子器件，包括:輸入傳輸線路，其配置為接收輸入信號；輸出傳輸線路，其配置為發(fā)送根據(jù)所述輸入信號所產(chǎn)生的輸出信號；本地振蕩器傳輸線路，其配置為發(fā)送本地振蕩器信號；多個放大和混頻級，其并聯(lián)地布置在所述輸入和輸出傳輸線路之間，并且均被配置為放大所述輸入信號的接收部分并且將所述輸入信號的所述放大部分與所述本地振蕩器信號混頻，以產(chǎn)生所述輸出信號的部分；多個放大級，其并聯(lián)地布置在所述輸入和輸出傳輸線路之間，并且均被配置為放大所述輸入信號的接收部分以產(chǎn)生所述輸出信號的部分，其中，所述多個放大級位于發(fā)送所述輸出信號的所述電子器件的輸出側(cè)附近，所述多個放大和混頻級位于接收所述輸入信號的所述電子器件的輸入側(cè)附近。
[0008]在特定的有關(guān)實(shí)施例中，所述電子器件還包括:附加輸出傳輸線路，其配置為發(fā)送根據(jù)所述輸入信號所產(chǎn)生的附加輸出信號，其中，所述輸出信號對應(yīng)于合成采樣器的偶數(shù)采樣，所述附加輸出信號對應(yīng)于合成采樣器的奇數(shù)采樣；附加多個放大和混頻級，其并聯(lián)地布置在所述輸入傳輸線路與所述附加輸出傳輸線路之間，并且均被配置為放大所述輸入信號的接收部分，并且將所述輸入信號的放大部分與所述本地振蕩器信號混頻，以產(chǎn)生所述附加輸出信號的部分；附加多個放大級，其并聯(lián)地布置在所述輸入傳輸線路與所述附加輸出傳輸線路之間，并且均被配置為放大所述輸入信號的接收部分以產(chǎn)生所述附加輸出信號的部分，其中，所述附加多個放大級位于發(fā)送所述輸出信號的所述電子器件的所述輸出側(cè)附近，所述附加多個放大和混頻級位于接收所述輸入信號的所述電子器件的所述輸入側(cè)附近。
[0009]在特定的有關(guān)實(shí)施例中，所述電子器件還包括:一個或多個第一傳輸線路元件，其每一個均沿著所述輸入傳輸線路部署在對應(yīng)成對的放大和混頻級之間；一個或多個第二傳輸線路元件，其每一個均沿著所述輸出傳輸線路部署在對應(yīng)成對的放大和混頻級之間；一個或多個第三傳輸線路元件，其每一個均沿著所述本地振蕩器傳輸線路部署在對應(yīng)成對的放大和混頻級之間。所述第一至第三傳輸線路元件中的每一個例如可以包括電路跡線(trace)。此外，所述電子器件可以還包括:一個或多個第一傳輸線路元件，其每一個均沿著所述輸入傳輸線路部署在對應(yīng)成對的放大級之間；一個或多個第二傳輸線路元件，其每一個均沿著所述第二傳輸線路部署在對應(yīng)成對的放大級之間。
[0010]在另一代表性實(shí)施例中，一種電子器件，包括:輸入傳輸線路，其配置為接收輸入信號；輸出傳輸線路，其配置為發(fā)送根據(jù)所述輸入信號所產(chǎn)生的輸出信號；采樣時鐘傳輸線路，其配置為發(fā)送采樣時鐘信號；多個放大和采樣級，其并聯(lián)地布置在所述輸入和輸出傳輸線路之間，并且均被配置為放大所述輸入信號的接收部分并且使用所述采樣時鐘信號來對所述輸入信號的放大部分進(jìn)行采樣，以產(chǎn)生所述輸出信號的部分。
[0011]在特定的有關(guān)實(shí)施例中，所述電子器件還包括:附加輸出傳輸線路，其配置為發(fā)送根據(jù)所述輸入信號所產(chǎn)生的附加輸出信號，其中，所述輸出信號對應(yīng)于所述輸入信號的偶數(shù)采樣，所述附加輸出信號對應(yīng)于所述輸入信號的奇數(shù)采樣。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時，所描述的實(shí)施例根據(jù)以下【具體實(shí)施方式】得到最佳地理解。只要是可應(yīng)用的并且實(shí)際的，相同附圖標(biāo)記就指代相同特征。
[0013]圖1是根據(jù)代表性實(shí)施例的示出行波混頻器的電路圖。
[0014]圖2是根據(jù)代表性實(shí)施例的示出放大和混頻(A/Μ)級的電路圖。
[0015]圖3是根據(jù)代表性實(shí)施例的示出行波合成采樣器的電路圖。
[0016]圖4是根據(jù)代表性實(shí)施例的示出放大和采樣(A/S)級的電路圖。
[0017]圖5是根據(jù)代表性實(shí)施例的示出行波合成采樣器的電路圖。
[0018]圖6A是根據(jù)代表性實(shí)施例的另一行波合成采樣器的框圖。
[0019]圖6B是根據(jù)代表性實(shí)施例的圖6A的行波合成采樣器中的輸入傳輸線路的電路圖。
[0020]圖6C是根據(jù)代表性實(shí)施例的圖6A的行波合成采樣器中的本地振蕩器(LO)信號生成單元的電路圖。
[0021]圖6D是根據(jù)代表性實(shí)施例的圖6A的行波合成采樣器中的高頻帶混頻器的電路圖。
[0022]圖6E是根據(jù)代表性實(shí)施例的圖6A的行波合成采樣器中的低頻帶放大器的電路圖。
[0023]圖6F是根據(jù)代表性實(shí)施例的圖6A的行波合成采樣器中奇數(shù)采樣組合器的電路圖。
[0024]圖6G是根據(jù)代表性實(shí)施例的圖6A的行波合成采樣器中偶數(shù)采樣組合器的電路圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025]在以下【具體實(shí)施方式】中，為了解釋而非限制的目的，闡述公開具體細(xì)節(jié)的代表性實(shí)施例以提供對于本教導(dǎo)的透徹理解。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，脫離在此公開的具體細(xì)節(jié)的根據(jù)本教導(dǎo)的其它實(shí)施例仍然在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)。此外，可以省略公知裝置和方法的描述，從而不使得示例性實(shí)施例的描述模糊。這些方法和裝置顯然在本教導(dǎo)的范圍內(nèi)。
[0026]在此所使用的術(shù)語僅用于描述特定實(shí)施例的目的，而并非意圖限制。所定義的術(shù)語要增大到本教導(dǎo)的【技術(shù)領(lǐng)域】中通常所理解和接受的限定性術(shù)語的技術(shù)和科學(xué)意義。如說明書和所附權(quán)利要求中使用的那樣，術(shù)語“一”、“一種”以及“所述”包括單數(shù)和復(fù)數(shù)指代，除非上下文另外清楚地指明。因此，例如，“一種器件”包括一個器件和多個器件。
[0027]所描述的實(shí)施例總體上涉及行波混頻器、采樣器以及合成采樣器?？梢酝ㄟ^以下操作來實(shí)現(xiàn)這些器件:在輸入傳輸線路與輸出傳輸線路之間并聯(lián)地布置各種組件，使得它們的功能性質(zhì)(例如，跨導(dǎo))得以線性地相加，而寄生性質(zhì)(例如，電感和電容)得以沿著傳輸線路分布，而不是在單個輸入或輸出點(diǎn)處聚集在一起。例如，在根據(jù)各個實(shí)施例的行波混頻器中，多個A/Μ級并聯(lián)地布置在輸入和輸出傳輸線路之間，分離的LO傳輸線路連接到A/Μ級中的每一個，以提供待與通過輸入傳輸線路所提供的輸入信號混頻的LO信號。
[0028]與單個級形成的混頻器和采樣器相比，所描述的實(shí)施例可以提供各種益處。例如，使用多個級來沿著傳輸線路分布寄生性質(zhì)可以對于特定帶寬增加增益帶寬積和/或信噪比(SNR)。也可以對于相同帶寬提供比單級放大器和混頻器更高的SNR和驅(qū)動。此外，可以使得劃分輸出信號以驅(qū)動分離電路更容易，并且可以允許以相對精確的時間對準(zhǔn)(timealignment)來組合混頻器和放大器級。上述和其它益處可以允許使用標(biāo)準(zhǔn)高頻工藝(例如鍺化硅(SiGe)和磷化銦(InP))而不是專用pHEMT工藝或用于制造低電容二極管的專用工藝來制造相對高頻(例如10GHz或更大的速率)混頻器或采樣器。
[0029]所描述的實(shí)施例在處理高頻信號的各種情況(例如計算系統(tǒng)、通信系統(tǒng)以及測試和測量系統(tǒng)，等等)中發(fā)現(xiàn)準(zhǔn)備就緒的應(yīng)用。例如，用于RF器件的測試儀器可以包括下述的行波混頻器、采樣器或合成采樣器。
[0030]圖1是根據(jù)代表性實(shí)施例的示出行波混頻器100的電路圖。如同其它混頻器，行波混頻器100接收輸入信號和LO信號，并且其在時域中產(chǎn)生輸入信號和LO信號的乘積。輸入信號典型地是射頻(RF)信號，LO信號通常包括由輸入信號與LO信號的頻率之間的差所確定的頻率。
[0031]參照圖1，行波混頻器100包括第一傳輸線路105 ( “輸入傳輸線路”)、第二傳輸線路115( “輸出傳輸線路”)、并聯(lián)地布置在第一和第二傳輸線路105與115之間的多個A/M級、第三傳輸線路110 ( “L0傳輸線路”)。第一至第三傳輸線路均包括標(biāo)記為“TL”的多個傳輸線路元件。傳輸線路元件中的每一個包括更小的傳輸線路并且具有特征延遲。A/Μ級中的每一個包括與混頻器140串聯(lián)布置的跨導(dǎo)(gm)放大器135。
[0032]雖然圖1中繪制為單條線路，但傳輸線路中的每一條典型地包括用于差分信號傳送的一對導(dǎo)電材料。例如，如圖2所示，LO傳輸線路可以包括:正信號線路L0P，用于發(fā)送具有正極性的LO信號；負(fù)信號線路L0N，用于攜帶具有負(fù)極性的LO信號。類似地，還如圖2所示，輸入傳輸線路可以包括正RF線路RFP和負(fù)RF線路RFN。
[0033]第一傳輸線路105經(jīng)由第一多個傳輸線路兀件和第一端接電阻器Rt連接在輸入端口 120(或端子)與大地之間。第二傳輸線路115經(jīng)由第二多個傳輸線路元件和第二端接電阻器Rt連接在輸出端口 130與大地之間。第三傳輸線路110經(jīng)由第三多個傳輸線路元件和第三端接電阻器Rt連接在LO端口與大地之間。傳輸線路元件典型地采取電路跡線(諸如公知的集成電路(IC)制造工藝所生產(chǎn)的那些電路跡線)的形式，并且它們的特征延遲至少部分地通過那些電路跡線的性質(zhì)而得以確定。在各條傳輸線路上包括端接電阻器，以使得破壞性的信號反射最小化。
[0034]第一傳輸線路105被配置為:通過輸入端口 120接收第一信號(“輸入信號”或“RF信號”)。第二傳輸線路115被配置為:通過輸出端口 130發(fā)送與第一信號有關(guān)地產(chǎn)生的第二信號(“輸出信號”)。第三傳輸線路110被配置為:將LO信號提供給多個A/Μ級中的每一個的混頻器。Gm放大器135被配置為:將第一傳輸線路105上顯現(xiàn)的電壓轉(zhuǎn)換為提供給各個混頻器140的電流?；祛l器140被配置為:將LO信號與各個轉(zhuǎn)換后的電壓混頻。
[0035]在典型操作期間，輸入信號提供給第一傳輸線路105的輸入端口 120。隨著輸入信號順著第一傳輸線路105向下傳播，單獨(dú)A/Μ級通過在第二傳輸線路115上感應(yīng)放大的并且頻率轉(zhuǎn)變的互補(bǔ)前向行波來進(jìn)行響應(yīng)。第一和第二傳輸線路105和115典型地設(shè)計為使得它們的傳輸線路元件產(chǎn)生基本上相等的延遲，這導(dǎo)致單獨(dú)A/Μ級的各個輸出在相位上相力口?？梢酝ㄟ^正確選擇兩條線路的傳播常數(shù)和長度來實(shí)現(xiàn)具有基本上相等的延遲的傳輸線路元件的設(shè)計。
[0036]行波混頻器100的總體增益通常是A/Μ級的數(shù)量的線性函數(shù)，在增加的級數(shù)量的情況下展現(xiàn)出加性增益。更具體地，行波混頻器100在增加的級數(shù)量的情況下展現(xiàn)出加性增益。這種與跨過傳輸線路的寄生性的分布耦合的加性增益使得行波混頻器100能夠在保持期望的SNR的同時實(shí)現(xiàn)增加的增益帶寬積。
[0037]圖2是根據(jù)代表性實(shí)施例的示出A/Μ級200的電路圖。A/Μ級200表示通過gm放大器135之一和混頻器140之一形成的A/Μ級的一種可能的實(shí)施方案。雖然以雙極結(jié)型晶體管(BJT)來構(gòu)建所示的A/Μ級，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，可以通過其它類型的晶體管(例如結(jié)型柵場效應(yīng)晶體管(JFET)或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET))來構(gòu)建功能類似或等同的A/Μ級。
[0038]參照圖2，A/Μ級200包括gm放大器235和混頻器240。
[0039]A/Μ級200通過連接到gm放大器235的一對差分信號線路來接收輸入RF信號，并且其通過連接到混頻器240的一對差分信號線路來接收LO信號。A/Μ級200通過正RF線路RFP來接收具有正極性的RF信號，并且其通過負(fù)RF線路RFN來接收具有負(fù)極性的RF信號。A/Μ級200通過正LO線路LOP來接收具有正極性的LO信號，并且其通過負(fù)LO線路LON來接收具有負(fù)極性的LO信號。
[0040]gm放大器235包括均以放大配置而布置的一對BJT 205和210。BJT 205在其基極處接收具有正極性的RF信號，BJT 210在其基極處接收具有負(fù)極性的RF信號。gm放大器235還包括布置在BJT 205和210的各個發(fā)射極與電流源ICS之間的一對電阻器Rl和R2以及電容器Cl，如圖所示。
[0041]混頻器240是包括兩個交叉耦合的差分對晶體管的吉爾伯特混頻器。具體地，其包括第一對發(fā)射極連接的BJT 215和220以及第二對發(fā)射極連接的BJT 225和230。第一對的各個發(fā)射極連接到BJT 205的集電極，第二對的各個發(fā)射極連接到BJT 210的集電極。BJT 215和230的各個基極通過正LO線路LOP接收具有正極性的LO信號，BJT 220和225的各個基極通過負(fù)LO線路LON接收具有負(fù)極性的LO信號。正和負(fù)LO線路LOP和LON通過對應(yīng)電感器LI和L2連接到正供電電壓Vcc。
[0042]BJT 215和225的各個集電極連接到負(fù)混頻輸出線路MixN，BJT 220和230的各個集電極連接到正混頻輸出線路MixP。在例如圖1所示的電子器件的上下文中，每個A/M級的正和負(fù)混頻輸出線路MixP和MixN典型地連接到輸出傳輸線路，其形成混頻器的電流輸出在相位上相加和的系統(tǒng)。
[0043]圖3是根據(jù)代表性實(shí)施例的示出行波采樣器300的電路圖。除了以采樣器340代替混頻器140并且以采樣時鐘信號代替LO信號之外，行波采樣器300與行波混頻器100類似。每個gm放大器135和對應(yīng)采樣器340的組合構(gòu)成放大和采樣(A/S)級。通?？梢哉請D1的描述類推地理解行波采樣器300的操作。具體地，可以根據(jù)以下圖4的描述來理解A/S級的操作。
[0044]圖4是根據(jù)代表性實(shí)施例的示出A/S級400的電路圖。A/S級400表示由gm放大器135之一和米樣器340之一形成的A/Μ級的一種可能的實(shí)施方案。
[0045]參照圖4，A/S級400包括gm放大器435和采樣器440。A/S級400通過連接到gm放大器435的一對差分信號線路來接收輸入RF信號，并且其通過連接到采樣器440的一對差分信號線路來接收采樣時鐘信號。A/S級400通過正RF線路RFP來接收具有正極性的RF信號，并且其通過負(fù)RF線路RFN來接收具有負(fù)極性的RF信號。A/S級400通過正采樣時鐘線路SCKP來接收具有正極性的采樣時鐘信號，并且其通過負(fù)采樣時鐘線路SCKN來接收具有負(fù)極性的采樣時鐘信號。
[0046]gm放大器435具有與圖2的gm放大器235相同的結(jié)構(gòu)和功能。其包括以與圖2中的對應(yīng)特征相同的配置所布置的一對BJT 405和410、一對電阻器Rl和R2以及電容器Cl。
[0047]除了采樣器440的輸出并非交叉耦合之外，采樣器440與混頻器240類似。每個采樣器輸出的集電極去往分離的分布式叉齒(tine)。這產(chǎn)生奇數(shù)和偶數(shù)采樣。所得到的采樣具有采樣時鐘周期的近似1/2的孔徑寬度。更具體地，采樣器440包括第一對發(fā)射極連接的BJT 415和420以及第二對發(fā)射極連接的BJT 425和430。第一對的各個發(fā)射極連接到BJT 405的集電極，第二對的各個發(fā)射極連接到BJT 410的集電極。BJT 415和430的各個基極通過正采樣時鐘線路SCKP接收具有正極性的采樣時鐘信號，BJT 420和425的各個基極通過負(fù)采樣時鐘線路SCKN接收具有負(fù)極性的采樣時鐘信號。正和負(fù)采樣時鐘線路SCKP和SCKN通過對應(yīng)電感器LI和L2連接到正供電電壓Vcc。
[0048]BJT 415至430的各個集電極連接到與正和負(fù)極性的偶數(shù)和奇數(shù)采樣對應(yīng)的采樣輸出線路。更具體地，BJT 415的集電極連接到負(fù)極性偶數(shù)采樣輸出線路ISEN，BJT 420的集電極連接到負(fù)極性奇數(shù)采樣輸出線路ISON，BJT425的集電極連接到正極性奇數(shù)采樣輸出線路IS0P，BJT 430的集電極連接到正極性偶數(shù)采樣輸出線路ISEP。在例如圖1所示的電子器件的上下文中，每個A/Μ級的輸出線路ISEN、ISON、ISOP和ISEP典型地連接到輸出傳輸線路，其形成采樣器的電流輸出在相位上相加和的系統(tǒng)。
[0049]圖5是根據(jù)代表性實(shí)施例的不出行波合成米樣器500的電路圖，圖6A至圖6G是根據(jù)代表性實(shí)施例的示出另一行波合成采樣器600的各個示圖。
[0050]合成采樣的特定原理以及用于執(zhí)行合成采樣的示例技術(shù)描述于2011年4月29日提交的美國專利申請N0.13/097，882中，其主題內(nèi)容通過引用的方式合并到此。通常，合成采樣器產(chǎn)生均包括混頻的高頻帶信號和放大的低頻帶信號的組合的采樣。偶數(shù)采樣等于高頻帶信號加上低頻帶信號，奇數(shù)采樣等于高頻帶信號減去低頻帶信號。用于合成采樣的行波設(shè)計可以在保持可接受的SNR的同時在單個級中執(zhí)行合成采樣。此外，行波設(shè)計的分布式屬性允許精確組合每個采樣的混頻和未混頻分量。
[0051]參照圖5，除了行波合成采樣器500省略混頻器140中的兩個之外，行波合成采樣器500包括與行波混頻器100相同的特征。所示電路僅產(chǎn)生偶數(shù)或奇數(shù)采樣，需要附加電路來產(chǎn)生對應(yīng)的奇數(shù)或偶數(shù)采樣。圖6A至圖6G提供這種附加電路的示例以及可以包括在圖5所示特征中的附加細(xì)節(jié)。
[0052]參照圖6A至圖6G,行波合成米樣器600包括輸入傳輸線路605、L0信號生成單兀610、高頻帶混頻器615、低頻帶放大器620、奇數(shù)采樣組合器625以及偶數(shù)采樣組合器630。通常如圖6A所示那樣布置這些特征，圖6B至圖6G示出圖6A中的特征的更詳細(xì)的示例。在圖6B至圖6G中，虛線指示所示信號線路連接到不同附圖中的信號線路，字母“A”至“S”指示這些不同信號線路之間的對應(yīng)性。如圖6A至圖6G所示，對于偶數(shù)和奇數(shù)采樣提供兩條輸出傳輸線路和對應(yīng)輸出濾波器，而非僅一條輸出傳輸線路。此外，圖6B至圖6G不出差分信號線路以及有關(guān)組件的示例。
[0053]在圖5和圖6所示的實(shí)施例中，低頻帶和高頻帶信號都沿著差分輸入線路而得以感測，然后要么混頻要么放大并組合到兩個輸出差分對上。這些輸出對然后經(jīng)濾波以形成奇數(shù)和偶數(shù)采樣。如上所述，偶數(shù)與奇數(shù)采樣之間的差是這樣的:從高頻帶信號減去低頻帶信號以生成奇數(shù)采樣，而低頻帶信號與高頻帶信號相加以生成偶數(shù)采樣。圖6中所產(chǎn)生的奇數(shù)和偶數(shù)采樣包含用于再現(xiàn)RF輸入信號的所有必要信息。
[0054]如上所述，在特定實(shí)施例中，可以通過在一對傳輸線路之間并入跨導(dǎo)放大器和混頻器或采樣器并且通過附加傳輸線路來驅(qū)動混頻器或采樣器而實(shí)現(xiàn)行波混頻器、采樣器或合成采樣器。這些器件相對于傳統(tǒng)技術(shù)提供各種潛在益處，例如改進(jìn)的帶寬、增益和噪聲特性以及減少的成本。
[0055]雖然在此公開了代表性實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，根據(jù)本教導(dǎo)的很多變形都是可能的，并且仍然在所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。因此，除了在所附權(quán)利要求范圍內(nèi)之夕卜，本教導(dǎo)不受限制。
【權(quán)利要求】
1.一種電子器件，包括: 輸入傳輸線路(605),其配置為接收輸入信號； 輸出傳輸線路，其配置為發(fā)送根據(jù)所述輸入信號所產(chǎn)生的輸出信號； 本地振蕩器傳輸線路，其配置為發(fā)送本地振蕩器信號； 多個放大和混頻級，其并聯(lián)地布置在所述輸入和輸出傳輸線路之間，并且每一個均配置為放大所述輸入信號的接收部分并且將所述輸入信號的放大部分與本地振蕩器信號混頻，以產(chǎn)生所述輸出信號的部分；以及 多個放大級，其并聯(lián)地布置在所述輸入和輸出傳輸線路之間，并且每一個均配置為放大所述輸入信號的接收部分以產(chǎn)生所述輸出信號的部分，其中，所述多個放大級位于發(fā)送所述輸出信號的所述電子器件的輸出側(cè)附近，所述多個放大和混頻級位于接收所述輸入信號的所述電子器件的輸入側(cè)附近。
2.如權(quán)利要求1所述的電子器件，還包括: 附加輸出傳輸線路，其配置為發(fā)送根據(jù)所述輸入信號所產(chǎn)生的附加輸出信號，其中，所述輸出信號對應(yīng)于合成米樣器(340)的偶數(shù)米樣,所述附加輸出信號對應(yīng)于合成米樣器(340)的奇數(shù)采樣； 附加多個放大和混頻級，其并聯(lián)地布置在所述輸入傳輸線路(605)與所述附加輸出傳輸線路之間，并且每一個均配置為放大所述輸入信號的接收部分并且將所述輸入信號的放大部分與所述本地振蕩器信號混頻，以產(chǎn)生所述附加輸出信號的部分；以及 附加多個放大級，其并聯(lián)地布置在所述輸入傳輸線路(605)與所述附加輸出傳輸線路之間，并且每一個均配置為放大所述輸入信號的接收部分以產(chǎn)生所述附加輸出信號的部分，其中，所述附加多個放大級位于發(fā)送所述輸出信號的所述電子器件的所述輸出側(cè)附近，所述附加多個放大和混頻級位于接收所述輸入信號的所述電子器件的所述輸入側(cè)附近。
3.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述放大和混頻級中的每一個均包括跨導(dǎo)放大器(135)，其布置為與吉爾伯特混頻器(140)串聯(lián)。
4.如權(quán)利要求3所述的電子器件，其中，所述放大級中的每一個均包括跨導(dǎo)放大器(135)。
5.如權(quán)利要求1所述的電子器件，其中，所述輸出信號包括混頻的高頻帶信號和放大的低頻帶信號的組合。
6.如權(quán)利要求5所述的電子器件，其中，所述多個放大和混頻級產(chǎn)生所述混頻的高頻帶信號，所述多個放大級產(chǎn)生所述放大的低頻帶信號。
7.如權(quán)利要求1所述的電子器件，還包括: 一個或多個第一傳輸線路(105)元件，其每一個均沿著輸入傳輸線路(605)部署在對應(yīng)成對的放大和混頻級之間； 一個或多個第二傳輸線路(115)元件，其每一個均沿著所述輸出傳輸線路部署在對應(yīng)成對的放大和混頻級之間；以及 一個或多個第三傳輸線路(110)元件，其每一個均沿著所述本地振蕩器傳輸線路部署在對應(yīng)成對的放大和混頻級之間。
8.如權(quán)利要求7所述的電子器件，其中，所述第一至第三傳輸線路(110)元件中的每一個均包括電路跡線。
9.如權(quán)利要求7所述的電子器件，還包括:一個或多個第一傳輸線路(105)元件，其每一個均沿著輸入傳輸線路(605)部署在對應(yīng)成對的放大級之間；以及 一個或多個第二傳輸線路(115)元件，其每一個均沿著第二傳輸線路(115)部署在對應(yīng)成對的放大級之間。
10.一種通信系統(tǒng)，其包括如權(quán)利要求1所述的電子器件。
【文檔編號】H03F3/45GK104518737SQ201410491519
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2014年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】K·C·格里格斯 申請人:安捷倫科技有限公司