光電耦合器的制造方法
【專利摘要】一種光電耦合器，所述光電耦合器由LED光源、硅光探測(cè)器和集成有LSTTL集成電路的處理芯片組成；LED光源的發(fā)光部與硅光探測(cè)器的受光部位置相對(duì)，硅光探測(cè)器的輸出端與處理芯片的輸入端電氣連接；處理芯片的輸出端形成光電耦合器的輸出部，LED光源的輸入端形成光電耦合器的輸入部；光電耦合器的輸出部與輸入部之間設(shè)置有上拉電阻。本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果是：可提高光電耦合器的工作電壓，擴(kuò)展光電耦合器的應(yīng)用范圍。
【專利說明】光電耦合器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種光電隔離技術(shù)，尤其涉及一種光電耦合器。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的光電耦合器，受其工作電壓限制，應(yīng)用范圍有限。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]針對(duì)【背景技術(shù)】中的問題，本實(shí)用新型提出了一種光電耦合器，其改進(jìn)在于:所述光電耦合器由LED光源、硅光探測(cè)器和集成有LSTTL集成電路的處理芯片組成；LED光源的發(fā)光部與娃光探測(cè)器的受光部位置相對(duì)，娃光探測(cè)器的輸出端與處理芯片的輸入端電氣連接；處理芯片的輸出端形成光電I禹合器的輸出部，LED光源的輸入端形成光電f禹合器的輸入部；光電稱合器的輸出部與輸入部之間設(shè)置有上拉電阻。
[0004]本實(shí)用新型的原理是:當(dāng)輸入部無電流輸入時(shí)，發(fā)光部不發(fā)光，受光部反向截止，處理芯片的輸入端無電流輸入，處理芯片的輸出端的三極管(即LSTTL集成電路中的三極管)截止，此時(shí)輸出部在上拉電阻的作用下呈現(xiàn)高電平(接近電源電壓)；當(dāng)輸入部加入一定電流輸入時(shí)，發(fā)光部發(fā)光，受光部在光照作用下反向?qū)ǎ幚硇酒妮斎攵擞须娏鬏斎?，處理芯片的輸出端的三極管導(dǎo)通，此時(shí)上拉電阻內(nèi)也有一定的電流流過，由于大部分壓降作用在上拉電阻上，此時(shí)輸出部呈現(xiàn)低電平；采用本實(shí)用新型的方案后，可使光電耦合器的工作電壓從現(xiàn)在的15V提高至40V。
[0005]本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果是:可提高光電耦合器的工作電壓，擴(kuò)展光電耦合器的應(yīng)用范圍。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1、本實(shí)用新型的原理示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0007]—種光電稱合器，所述光電稱合器由LED光源1、娃光探測(cè)器2和集成有LSTTL集成電路的處理芯片3組成；LED光源I的發(fā)光部與硅光探測(cè)器2的受光部位置相對(duì)，硅光探測(cè)器2的輸出端與處理芯片3的輸入端電氣連接；處理芯片3的輸出端形成光電I禹合器的輸出部,LED光源I的輸入端形成光電I禹合器的輸入部；光電I禹合器的輸出部與輸入部之間設(shè)置有上拉電阻。
【權(quán)利要求】
1.一種光電稱合器，其特征在于:所述光電稱合器由LED光源(I)、娃光探測(cè)器(2)和集成有LSTTL集成電路的處理芯片(3)組成；LED光源(I)的發(fā)光部與硅光探測(cè)器(2)的受光部位置相對(duì)，硅光探測(cè)器(2)的輸出端與處理芯片(3)的輸入端電氣連接；處理芯片(3)的輸出端形成光電I禹合器的輸出部，LED光源(I)的輸入端形成光電I禹合器的輸入部；光電耦合器的輸出部與輸入部之間設(shè)置有上拉電阻。
【文檔編號(hào)】H03K19/14GK203788268SQ201320837770
【公開日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2013年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月19日
【發(fā)明者】歐熠, 謝俊聃, 陳春霞, 徐道潤, 李冰, 李祖安, 龔磊, 張佳寧 申請(qǐng)人:中國電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所