一種光電耦合式開關(guān)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及開關(guān)領(lǐng)域，具體地，涉及一種光電耦合式遠(yuǎn)控開關(guān)。
【背景技術(shù)】
[0002]常用的光電耦合開關(guān)有發(fā)光二極管和光敏二極管構(gòu)成，發(fā)光半導(dǎo)體在光敏元件旁邊，通過施加在發(fā)光半導(dǎo)體二端的電壓而使發(fā)光半導(dǎo)體發(fā)光，再由發(fā)光半導(dǎo)體的光線觸發(fā)光敏元件，而使連接在關(guān)敏元件兩端的電路導(dǎo)通。
[0003]為了實(shí)現(xiàn)器件的智能化，現(xiàn)在越來越多的電子設(shè)備采用遠(yuǎn)控技術(shù)。遠(yuǎn)控開關(guān)是遠(yuǎn)控技術(shù)中很重要的一方面。怎樣實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)控開關(guān)的可靠性，是十分重要的。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型為了解決上述技術(shù)問題提供一種光電耦合式開關(guān)，其開關(guān)的可靠性尚ο
[0005]本實(shí)用新型解決上述問題所采用的技術(shù)方案是:
[0006]—種光電耦合式開關(guān)，其特征在于:包括控制端口，所述的控制端口同時(shí)連接在第一二極管的陽極和光電耦合芯片的CATHODE引腳相連，所述的第一二極管的陰極通過第一電阻與接地的第一電容相連，所述的第一二極管的陰極與光電耦合芯片的COLLECTOR引腳相連且通過第二電阻與光電耦合芯片的ANODE引腳相連，所述的光電耦合芯片的EMITTER引腳與可控硅的G極相連，所述的可控硅的K極接地且A極通過繼電器與第一二極管的陰極相連，可控硅的A極同時(shí)連接在第二二極管的陽極，所述的第二二極管的陰極與第一二極管的陰極相連。
[0007]作為優(yōu)選，所述的光電耦合芯片的EMITTER引腳上連接有接地的第二電容。
[0008]作為優(yōu)選，所述的第一電阻的阻值為1歐姆至10歐姆。
[0009]作為優(yōu)選，所述的光電耦合芯片為TLP621。
[0010]作為優(yōu)選，所述的第二電阻的阻值為12千歐姆。
[0011]作為優(yōu)選，所述的第一二極管和第二二極管的均為IN5408。
[0012]綜上，本實(shí)用新型的有益效果是:
[0013]本實(shí)用新型的電子開關(guān)，其利用二極管的單向?qū)щ娦院凸怆婑詈闲酒墓怆婑詈闲?、信號單向性?shí)現(xiàn)對繼電器的控制，提高整個(gè)開關(guān)的可靠性。
【附圖說明】
[0014]圖1是本實(shí)用新型的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合實(shí)施例及附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0016]實(shí)施例1:
[0017]如圖1所示的一種光電耦合式開關(guān)，其特征在于:包括控制端口，所述的控制端口同時(shí)連接在第一二極管D1的陽極和光電耦合芯片的CATHODE引腳相連，所述的第一二極管D1的陰極通過第一電阻R1與接地的第一電容C1相連，所述的第一二極管D1的陰極與光電耦合芯片的COLLECTOR引腳相連且通過第二電阻R2與光電耦合芯片的ANODE引腳相連，所述的光電耦合芯片的EMITTER引腳與可控硅S的G極相連，所述的可控硅S的K極接地且A極通過繼電器J與第一二極管D2的陰極相連，可控硅S的A極同時(shí)連接在第二二極管D2的陽極，所述的第二二極管D2的陰極與第一二極管D1的陰極相連。
[0018]本發(fā)明的控制端口電源來自電子設(shè)備機(jī)內(nèi)受遠(yuǎn)控電路控制的開關(guān)電源。電子設(shè)備開機(jī)后，控制端口的電壓通過第一二極管和第一電阻向第一電容充電，光電親合芯片內(nèi)部的發(fā)射二極管成截止?fàn)顟B(tài)，可控硅不導(dǎo)通，電源開關(guān)自鎖，電子設(shè)備正常工作。在用遠(yuǎn)控器關(guān)機(jī)后，電子設(shè)備內(nèi)的電壓消失，由于第一二極管的單向?qū)щ娦?，第一電容蓄存的電源只能通過第二電阻和光電耦合芯片的發(fā)射二極管向控制端口電壓的負(fù)載回路放電，光電耦合芯片的光敏接收管導(dǎo)通，可控硅的G極得電觸發(fā)導(dǎo)通，繼電器瞬間吸合，電源開關(guān)開釋，電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)控關(guān)機(jī)。采用本發(fā)明的電子開關(guān)，其利用二極管的單向?qū)щ娦院凸怆婑詈闲酒墓怆婑詈闲?、信號單向性?shí)現(xiàn)對繼電器的控制，提高整個(gè)開關(guān)的可靠性。
[0019]實(shí)施例2:
[0020]如圖1所示的一種光電耦合式開關(guān)，本實(shí)施例在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上做了優(yōu)化，即所述的光電耦合芯片的EMITTER引腳上連接有接地的第二電容C2。在光電耦合芯片的EMITTER引腳上連接一個(gè)接地電容，即在可控硅的G極連接一接地電容，可有效的起到抑制干擾作用，防止可控硅誤觸發(fā)。
[0021]第一電阻在電路中起防護(hù)作用，但是其值不應(yīng)過大，避免在關(guān)機(jī)過程中消耗掉過多第一電容的電能，優(yōu)選的，所述的第一電阻的阻值為1歐姆至10歐姆。
[0022]為了提高開關(guān)的可靠性，所述的光電耦合芯片為TLP621。
[0023]所述的第二電阻的阻值為12千歐姆。
[0024]所述的第一二極管和第二二極管的均為IN5408。
[0025]如上所述，可較好的實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種光電耦合式開關(guān)，其特征在于:包括控制端口，所述的控制端口同時(shí)連接在第一二極管的陽極和光電耦合芯片的CATHODE引腳相連，所述的第一二極管的陰極通過第一電阻與接地的第一電容相連，所述的第一二極管的陰極與光電耦合芯片的COLLECTOR引腳相連且通過第二電阻與光電耦合芯片的ANODE引腳相連，所述的光電耦合芯片的EMITTER引腳與可控硅的G極相連，所述的可控硅的K極接地且A極通過繼電器與第一二極管的陰極相連，可控硅的A極同時(shí)連接在第二二極管的陽極，所述的第二二極管的陰極與第一二極管的陰極相連。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光電耦合式開關(guān)，其特征在于:所述的光電耦合芯片的EMITTER引腳上連接有接地的第二電容。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光電耦合式開關(guān)，其特征在于:所述的第一電阻的阻值為1歐姆至10歐姆。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光電親合式開關(guān)，其特征在于:所述的光電親合芯片為TLP621o5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光電耦合式開關(guān)，其特征在于:所述的第二電阻的阻值為12千歐姆。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光電親合式開關(guān)，其特征在于:所述的第一二極管和第二二極管的均為IN5408。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種光電耦合式開關(guān)，其特征在于：包括控制端口，所述的控制端口同時(shí)連接在第一二極管的陽極和光電耦合芯片的CATHODE引腳相連，所述的第一二極管的陰極通過第一電阻與接地的第一電容相連，所述的第一二極管的陰極與光電耦合芯片的COLLECTOR引腳相連且通過第二電阻與光電耦合芯片的ANODE引腳相連，所述的光電耦合芯片的EMITTER引腳與可控硅的G極相連，所述的可控硅的K極接地且A極通過繼電器與第一二極管的陰極相連，可控硅的A極同時(shí)連接在第二二極管的陽極，所述的第二二極管的陰極與第一二極管的陰極相連，其開關(guān)的可靠性高。
【IPC分類】H03K17/78
【公開號】CN204967786
【申請?zhí)枴緾N201520756548
【發(fā)明人】徐曉青
【申請人】成都思邁科技發(fā)展有限責(zé)任公司
【公開日】2016年1月13日
【申請日】2015年9月28日