壓電器件及壓電器件的制造方法
【專利摘要】本申請(qǐng)的壓電器件具備壓電體薄膜、功能電極、半導(dǎo)電層和支撐基板。功能電極被設(shè)置于壓電體薄膜的第一主面?zhèn)惹遗c所述壓電體薄膜進(jìn)行機(jī)電耦合。半導(dǎo)電層由半導(dǎo)體材料或、金屬與該金屬的氧化物的混合材料構(gòu)成且設(shè)置于壓電體薄膜的第二主面?zhèn)?。支撐基板設(shè)置在壓電體薄膜的第二主面?zhèn)龋顾霭雽?dǎo)電層介于壓電體薄膜與支撐基板之間。
【專利說(shuō)明】壓電器件及壓電器件的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及將壓電體薄膜接合到支撐基板的壓電器件及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，開發(fā)著很多壓電器件。上述壓電器件中，壓電體薄膜被接合于支撐基板等(例如參照專利文獻(xiàn)I?3)。
[0003]作為壓電體薄膜與支撐基板的接合法，一直以來(lái)提出并采用各種各樣的方法。例如，在被稱為親水化接合的接合法(參照專利文獻(xiàn)I。)中，首先在已被鏡面加工的薄膜側(cè)的接合面與支撐基板側(cè)的接合面各自形成無(wú)機(jī)氧化物層。接著，在無(wú)機(jī)氧化物層的表面形成羥基。接著，使薄膜側(cè)的無(wú)機(jī)氧化物層的表面與支撐基板側(cè)的無(wú)機(jī)氧化物層的表面重合，由此借助羥基彼此的氫鍵結(jié)合而使薄膜側(cè)的無(wú)機(jī)氧化物層與支撐基板側(cè)的無(wú)機(jī)氧化物層接合。接著，通過(guò)200°c以上的熱處理，使H2O自氫鍵結(jié)合的羥基脫離，由此可大幅地提高薄膜側(cè)的無(wú)機(jī)氧化物層與支撐基板側(cè)的無(wú)機(jī)氧化物層的接合強(qiáng)度。
[0004]在被稱為活化接合的接合法(參照專利文獻(xiàn)2、3。)中，首先在惰性氣體氣氛或真空中對(duì)已被鏡面加工的薄膜側(cè)的接合面與支撐基板側(cè)的接合面各自進(jìn)行濺射蝕刻，由此從表面除去污染物和進(jìn)行表面的活化。該狀態(tài)下，通過(guò)使薄膜側(cè)的接合面與支撐基板側(cè)的接合面重合，從而在非加熱環(huán)境下，薄膜側(cè)的接合面與支撐基板側(cè)的接合面隔著非結(jié)晶層而被牢固地接合。
[0005]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)I JP特開平6— 326553號(hào)公報(bào)
[0008]專利文獻(xiàn)2 JP特開2004— 343359號(hào)公報(bào)
[0009]專利文獻(xiàn)3 JP特開2005— 252550號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]-發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題-
[0011]一般而言，壓電體如果不是一定以上的電阻值、特性就會(huì)劣化，因此具有較大的電阻率。為此，通過(guò)熱施加而產(chǎn)生大的焦電荷(pyroelectric charge)。例如,鉭酸鋰或銀酸鋰等的體積電阻率高達(dá)IO8 Ω.πι以上。為此，如果在壓電體薄膜上不設(shè)置使該焦電荷自壓電體薄膜跑出的構(gòu)造，則有時(shí)在壓電體薄膜的面內(nèi)，焦電荷引起的電場(chǎng)局部地超過(guò)壓電體的矯頑電場(chǎng)。壓電體雖然不進(jìn)行自發(fā)極化就得不到充分的壓電性，但在焦電荷引起的電場(chǎng)超過(guò)了壓電體的矯頑電場(chǎng)的情況下，在該區(qū)域內(nèi)會(huì)產(chǎn)生極化反轉(zhuǎn)，壓電體薄膜的壓電性降低。再有，焦電荷也會(huì)引起功能電極的電極損壞。
[0012]因此，在上述在先文獻(xiàn)所公開的壓電器件的構(gòu)成中，由于在壓電薄膜與支撐基板間形成有絕緣層，故焦電荷不能跑掉，有可能就會(huì)產(chǎn)生如上所述的焦電荷所引起的問(wèn)題。
[0013]為了防止發(fā)生該焦電荷引起的問(wèn)題，期望在壓電體薄膜設(shè)置使焦電荷跑出的電極構(gòu)造。然而，該情況下由于壓電器件具有不必要的電極構(gòu)造，故可利用的器件的種類被限定。例如，在濾波器或分波器等高頻器件中，高頻信號(hào)經(jīng)由不需要的電極構(gòu)造而泄漏，由此會(huì)引起特性劣化。因此，不能設(shè)置用于使焦電荷跑出的電極構(gòu)造，難以防止焦電荷引起的問(wèn)題的發(fā)生。
[0014]因而，本發(fā)明的目的在于，實(shí)現(xiàn)可回避焦電荷引起的不良發(fā)生的構(gòu)成的壓電器件及該壓電器件的制造方法，但可利用的器件的種類不被限定。
[0015]-用于解決技術(shù)問(wèn)題的方案-
[0016]本發(fā)明涉及的壓電器件具備壓電體薄膜、功能電極、半導(dǎo)電層和支撐基板。功能電極被設(shè)置于壓電體薄膜的第一主面?zhèn)惹遗c所述壓電體薄膜進(jìn)行機(jī)電耦合。半導(dǎo)電層由半導(dǎo)體材料、或金屬與該金屬的氧化物的混合材料構(gòu)成且設(shè)置于壓電體薄膜的第二主面?zhèn)取Ｖ位逶O(shè)置在壓電體薄膜的第二主面?zhèn)?，使所述半?dǎo)電層介于支撐基板與壓電體薄膜之間。
[0017]在該構(gòu)成中，熱施加時(shí)發(fā)生的焦電荷經(jīng)由半導(dǎo)電層而擴(kuò)散，焦電荷引起的電場(chǎng)在壓電體薄膜內(nèi)不會(huì)局部地升高。由此，可以防止焦電荷引起的電場(chǎng)超過(guò)壓電體薄膜的矯頑電場(chǎng)，防止壓電體薄膜內(nèi)的極化反轉(zhuǎn)的發(fā)生或功能電極的電極損壞。此外，通過(guò)設(shè)置半導(dǎo)電層，從而無(wú)需設(shè)置不必要的電極構(gòu)造，可以防止電信號(hào)的泄漏等導(dǎo)致的電特性(器件特性)的劣化。
[0018]另外，在上述的壓電器件中，半導(dǎo)電層的體積電阻率優(yōu)選為1Χ10_5(Ω.m)?I X IO2 (Ω.m)。
[0019]再有，上述的壓電器件中，半導(dǎo)電層優(yōu)選為作為半導(dǎo)體材料的鈦氧化物、鋅氧化物、氧化錯(cuò)氧化物(zirconia oxide)、鉻氧化物、娃的任一種,或是下述的混合物的任一種:鋁與鋁氧化物的混合物、鈷與鈷氧化物的混合物、銅與銅氧化物的混合物、鉻與鉻氧化物的混合物、鐵與鐵氧化物的混合物、鑰與鑰氧化物的混合物、鎳與鎳氧化物的混合物、鈮與鈮氧化物的混合物、鈦與鈦氧化物的混合物、硅與硅氧化物的混合物、鉭與鉭氧化物的混合物、鎢與鎢氧化物的混合物、鋅與鋅氧化物的混合物、鋯與鋯氧化物的混合物。
[0020]還有，上述的壓電器件中，半導(dǎo)電層優(yōu)選膜厚為IOOnm以下。
[0021]上述的壓電器件中，壓電體薄膜也可以由壓電單晶體構(gòu)成，在第一主面?zhèn)扰c第二主面?zhèn)?，該壓電體單晶體薄膜的膜應(yīng)力存在差別。
[0022]另外，在上述的壓電器件中，壓電體單晶體薄膜也可以是下述構(gòu)造:氫原子或氦原子作為介入原子(interstitial atoms)介入晶體,在第一主面?zhèn)扰c第二主面?zhèn)龋槿朐拥姆植济芏却嬖诓顒e。
[0023]在這些構(gòu)成中，如果未設(shè)置半導(dǎo)電層，熱施加時(shí)發(fā)生的焦電荷增加，壓電性因焦電荷而受損，或者產(chǎn)生功能電極的電極損壞的危險(xiǎn)性高。為此，設(shè)置半導(dǎo)電層所帶來(lái)的效用大。
[0024]本發(fā)明涉及的壓電器件的制造方法具有接合體形成工序、半導(dǎo)電層形成工序和功能電極形成工序。接合體形成工序是形成將金屬層介于之間的壓電體薄膜與支撐基板的接合體的工序。半導(dǎo)電層形成工序是使所述金屬層氧化來(lái)形成半導(dǎo)電層的工序。功能電極形成工序是在壓電體薄膜的第一主面?zhèn)刃纬膳c所述壓電體薄膜進(jìn)行機(jī)電耦合的功能電極的工序。半導(dǎo)電層是構(gòu)成金屬層的金屬與其氧化物混合的層、或是由構(gòu)成所述金屬層的金屬的氧化物、即半導(dǎo)體構(gòu)成的層。
[0025]在該制造方法中，可以制造設(shè)置了半導(dǎo)電層的壓電器件。為此，在壓電器件中可以防止焦電荷引起的極化反轉(zhuǎn)的發(fā)生或焦電荷引起的功能電極的電極損壞。
[0026]在上述壓電器件的制造方法中，優(yōu)選具有形成層疊于金屬層上的氧化物層的氧化物層形成工序。
[0027]在該制造方法中，氧化物層成為與金屬層的氧化反應(yīng)相對(duì)應(yīng)的氧供給源，可以大幅地降低金屬層的氧化所需的時(shí)間或者通過(guò)加熱而進(jìn)行氧化的情況下的加熱溫度。
[0028]在上述壓電器件的制造方法中，優(yōu)選在惰性氣體氣氛下或真空下連續(xù)地進(jìn)行接合體形成工序。
[0029]在該制造方法中，金屬層的表面不會(huì)被外部空氣氧化或者不會(huì)被污染物污染，可使干凈的表面彼此重合來(lái)形成金屬接合層。因此，可以更穩(wěn)定地實(shí)現(xiàn)牢固的接合。
[0030]在上述壓電器件的制造方法中，優(yōu)選具有離子注入工序和分離工序。離子注入工序是從壓電基板的接合面注入離子化的元素，在所述壓電基板之中形成所述元素集中存在的區(qū)域的工序。分離工序是通過(guò)加熱而將壓電基板中的接合面?zhèn)鹊膮^(qū)域作為壓電體薄膜來(lái)分離的工序。
[0031]還有，優(yōu)選還具有臨時(shí)支撐工序和支撐工序。臨時(shí)支撐工序是在壓電基板的離子注入面?zhèn)刃纬膳R時(shí)支撐基板的工序，該臨時(shí)支撐基板由與壓電基板同種的材料構(gòu)成，或者作用于與壓電基板的界面的熱應(yīng)力比作用于支撐基板和壓電基板的界面的熱應(yīng)力小。支撐工序是在從壓電基板分離出的壓電體薄膜形成支撐基板的工序。
[0032]在該制造方法中，能以穩(wěn)定的膜厚和所期望的晶體方位形成壓電體薄膜，并且可以提高壓電基板的材料利用效率。再有，在該制造方法中，通過(guò)離子注入使離子的元素介入壓電體薄膜的晶格間，并且其分布密度偏向一個(gè)主面?zhèn)?。結(jié)果，壓電體薄膜成為稍微翹起的狀態(tài)，與支撐基板的接合容易產(chǎn)生困難性。然而，在采用本發(fā)明涉及的制造方法的情況下，由于能夠在非加熱環(huán)境下不會(huì)受到熱應(yīng)力的影響地使壓電基板與支撐基板接合，故效用非常大。再有，設(shè)置半導(dǎo)電層而使焦電荷擴(kuò)散的效用也大。
[0033]-發(fā)明效果-
[0034]根據(jù)本發(fā)明，由于在對(duì)壓電器件施加熱時(shí)壓電體薄膜中發(fā)生的焦電荷經(jīng)由半導(dǎo)電層而分散，故焦電荷引起的電場(chǎng)在壓電體薄膜內(nèi)不會(huì)局部地升高。由此，可以防止焦電荷引起的電場(chǎng)超過(guò)壓電體薄膜的矯頑電場(chǎng)，防止壓電體薄膜中極化反轉(zhuǎn)產(chǎn)生或引起功能電極的電極損壞。此外，通過(guò)設(shè)置半導(dǎo)電層，從而無(wú)需設(shè)置不必要的電極構(gòu)造，可以防止電信號(hào)的泄漏等導(dǎo)致的電特性(器件特性)的劣化。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0035]圖1是說(shuō)明本發(fā)明第I實(shí)施方式涉及的壓電器件的構(gòu)成的圖。
[0036]圖2是對(duì)本發(fā)明第I實(shí)施方式涉及的壓電器件的制造方法的制造流程進(jìn)行說(shuō)明的圖。
[0037]圖3是圖2所示的制造流程的各工序中的示意圖。
[0038]圖4是圖2所示的制造流程的各工序中的示意圖。
[0039]圖5是圖2所示的制造流程的各工序中的示意圖。[0040]圖6是對(duì)本發(fā)明第2實(shí)施方式涉及的壓電器件的制造方法的制造流程進(jìn)行說(shuō)明的圖。
[0041]圖7是圖6所示的制造流程的各工序中的示意圖。
[0042]圖8是圖6所示的制造流程的各工序中的示意圖。
[0043]圖9是對(duì)本發(fā)明第3實(shí)施方式涉及的壓電器件的制造方法的制造流程進(jìn)行說(shuō)明的圖。
[0044]圖10是圖9所示的制造流程的各工序中的示意圖。
[0045]圖11是圖9所示的制造流程的各工序中的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0046]《第I實(shí)施方式》
[0047]首先，關(guān)于本發(fā)明第I實(shí)施方式涉及的壓電器件，以SAW(Surface Acoustic Wave;聲表面波)器件為具體例進(jìn)行說(shuō)明。
[0048]圖1是表示本實(shí)施方式的SAW器件10的構(gòu)成的圖。
[0049]SAW 器件 10 具備層疊基板部 80、IDT (Inter-digital Transducer)電極 50、保護(hù)絕緣膜70和布線60。對(duì)于層疊基板部80，作為整體的厚度約250 μ m,具備壓電體單晶體薄膜11、支撐基板12、氧化物層31、32、半導(dǎo)電層44和電介質(zhì)層21。
[0050]支撐基板12設(shè)置于層疊基板部80的最底面。在此，支撐基板12由氧化鋁基板或氧化鎂基板構(gòu)成。氧化鋁基板或氧化鎂基板是熱傳導(dǎo)良好且線膨脹率比壓電單晶體材料小的材質(zhì)。通過(guò)采用這種支撐基板12，從而SAW器件10改善了頻率溫度特性或散熱性?耐電性(electric power handling `capability)。
[0051]氧化物層32層疊形成于支撐基板12的上表面。雖然后述詳細(xì)內(nèi)容，但該氧化物層32是為了形成半導(dǎo)電層44而被設(shè)置的。在此，氧化物層32由氧化硅膜構(gòu)成。
[0052]半導(dǎo)電層44層疊形成于氧化物層32的上表面。該半導(dǎo)電層44是為了使壓電體薄膜11中發(fā)生的焦電荷擴(kuò)散且防止壓電體薄膜11中局部的極化反轉(zhuǎn)或IDT電極50的電極損壞而被設(shè)置的。再有，該半導(dǎo)電層44也被使用于壓電體薄膜11與支撐基板12的接合。在此，半導(dǎo)電層44由作為半導(dǎo)體的鈦氧化物構(gòu)成。
[0053]另外，半導(dǎo)電層44除了鈦氧化物以外，也可以是作為半導(dǎo)體材料的鋅氧化物、氧化鋯氧化物、鉻氧化物、硅的任一種、或、鈦與鈦氧化物的混合物、鋁與鋁氧化物的混合物、鈷與鈷氧化物的混合物、銅與銅氧化物的混合物、鉻與鉻氧化物的混合物、鐵與鐵氧化物的混合物、鑰與鑰氧化物的混合物、鎳與鎳氧化物的混合物、鈮與鈮氧化物的混合物、硅與硅氧化物的混合物、鉭與鉭氧化物的混合物、鎢與鎢氧化物的混合物、鋅與鋅氧化物的混合物、鋯與鋯氧化物的混合物等。
[0054]氧化物層31層疊形成于半導(dǎo)電層44的上表面。該氧化物層31與前述的氧化物層32同樣，是為了形成半導(dǎo)電層44而被設(shè)置的。在此，氧化物層32由氧化硅膜構(gòu)成。
[0055]電介質(zhì)層21層疊形成于氧化物層31的上表面。該電介質(zhì)層21是為了達(dá)到將SAW器件10中的表面彈性波封入表層并獲得良好的特性的功能而被設(shè)置的。在此使用的電介質(zhì)層21是膜厚為700nm的氧化娃膜(未圖不)和膜厚為1400nm的氮化招膜(未圖不)的層疊膜。其中，電介質(zhì)層21并不是必需的構(gòu)成，也可以不設(shè)置。[0056]壓電單晶體薄膜11層疊形成于電介質(zhì)層21的上表面。在此使用的壓電單晶體薄膜11是LT(鉭酸鋰)單晶體的薄膜。另外，壓電單晶體薄膜11的材料優(yōu)選從LT、LN(LiNbO3)、LBO(Li2B4O7)、硅酸鎵鑭(La3Ga5SiO14)、KN(KNbO3)等壓電材料中適宜選擇。那些壓電材料之中LT或LN容易發(fā)生焦電荷，因此在壓電單晶體薄膜11由LT或LN構(gòu)成的情況下，通過(guò)設(shè)置半導(dǎo)電層44，從而防止焦電荷成為原因的不良狀況的發(fā)生的效用較大。
[0057]IDT電極50或布線60在壓電體單晶體薄膜11的上表面形成圖案。IDT電極50是本實(shí)施方式中的功能電極，與壓電體單晶體薄膜11進(jìn)行機(jī)電耦合，與壓電體單晶體薄膜11一起構(gòu)成表面彈性波元件。布線60在IDT電極50與外部電路之間傳輸高頻信號(hào)。在此使用的IDT電極50或布線60是鋁與鈦的層疊膜。其中，鋁膜也可以采用主要包含鋁的合金、例如Al — Cu合金等。
[0058]這種構(gòu)成的SAW器件10中，壓電體單晶體薄膜11 (在此為厚度500nm的LT單晶體)的矯頑電場(chǎng)約為20~30kV / mm。為此，壓電體單晶體薄膜11的極化軸為壓電體單晶體薄膜11的主面法線方向的情況下，如果向壓電體單晶體薄膜11的兩主面間施加10~15V電壓的電場(chǎng)，則超過(guò)壓電體單晶體薄膜11的矯頑電場(chǎng)而產(chǎn)生極化反轉(zhuǎn)。再有，壓電體單晶體薄膜11的極化軸自壓電體單晶體薄膜11的主面法線方向傾斜的情況下，導(dǎo)致極化反轉(zhuǎn)的電場(chǎng)增大，在極化軸自壓電體單晶體薄膜11的主面法線方向傾斜45°的情況下，需要14.1~21.2V電壓的電場(chǎng)。
[0059]在此，如果壓電體單晶體薄膜11中發(fā)生的焦電荷在半導(dǎo)電層44中未被擴(kuò)散，則十幾V的電壓為容易實(shí)現(xiàn)極化反轉(zhuǎn)的電壓電平。為此通過(guò)利用半導(dǎo)電層44使壓電單晶體薄膜11中發(fā)生的焦電荷擴(kuò)散，從而可以防止焦電荷引起的電場(chǎng)的集中，回避極化反轉(zhuǎn)區(qū)域的發(fā)生與IDT電極50的電極損壞。具體是，在半導(dǎo)電層44的厚度為0.1~IOOnm的范圍內(nèi)，如果電阻率為I XlO2 (Ω.m) 以下，則壓電體單晶體薄膜11上幾乎不會(huì)引起極化反轉(zhuǎn)。以下示出該現(xiàn)象。
[0060]對(duì)于形成了體積電阻率不同的半導(dǎo)電層的多個(gè)壓電基板，將l_Xlmm的區(qū)域作為I個(gè)單元，對(duì)因250°C下的熱施加而發(fā)生了極化反轉(zhuǎn)的單元的個(gè)數(shù)進(jìn)行了調(diào)查。結(jié)果獲得了以下的調(diào)查結(jié)果。
[0061][表 I]
[0062]
【權(quán)利要求】
1.一種壓電器件，具備: 壓電體薄膜； 功能電極，其被設(shè)置在所述壓電體薄膜的第一主面?zhèn)惹遗c所述壓電體薄膜機(jī)電耦合； 半導(dǎo)電層，其由半導(dǎo)體材料、或金屬與該金屬的氧化物的混合材料組成，被設(shè)置在所述壓電體薄膜的第二主面?zhèn)?；? 支撐基板，其被設(shè)置于所述壓電體薄膜的第二主面?zhèn)?，使所述半?dǎo)電層介于所述支撐基板與所述壓電體薄膜之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓電器件，其中， 所述半導(dǎo)電層的體積電阻率為IX 10-5(Ω.m)~1Χ102(Ω.m)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的壓電器件，其中， 所述半導(dǎo)電層是作為半導(dǎo)體材料的鈦氧化物、鋅氧化物、氧化鋯氧化物、鉻氧化物、硅的任一種，或者是以下所述的混合物的任一種:鋁與鋁氧化物的混合物、鈷與鈷氧化物的混合物、銅與銅氧化物的混合物、鉻與鉻氧化物的混合物、鐵與鐵氧化物的混合物、鑰與鑰氧化物的混合物、鎳與鎳氧化物的混合物、鈮與鈮氧化物的混合物、鈦與鈦氧化物的混合物、硅與硅氧化物的混合物、鉭與鉭氧化物的混合物、鎢與鎢氧化物的混合物、鋅與鋅氧化物的混合物、鋯與鋯氧化物的混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的彈性波器件的制造方法，其中， 所述半導(dǎo)電層的膜厚為 IOOnm以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的壓電器件，其中， 所述壓電體薄膜由壓電單晶體構(gòu)成，是膜應(yīng)力在第一主面?zhèn)扰c第二主面?zhèn)却嬖诓顒e的晶體構(gòu)造。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的壓電器件，其中， 由所述壓電單晶體構(gòu)成的壓電體薄膜是氫原子或氦原子作為介入原子介入晶體，且介入原子的分布密度在第一主面?zhèn)扰c第二主面?zhèn)却嬖诓顒e的晶體構(gòu)造。
7.一種壓電器件的制造方法，具有: 形成將金屬層介于之間的壓電體薄膜與支撐基板的接合體的接合體形成工序； 使所述金屬層氧化來(lái)形成半導(dǎo)電層的半導(dǎo)電層形成工序；和 在所述壓電體薄膜的第一主面?zhèn)刃纬膳c所述壓電體薄膜進(jìn)行機(jī)電耦合的功能電極的功能電極形成工序， 所述半導(dǎo)電層是構(gòu)成所述金屬層的金屬與其氧化物混合的層，或是由半導(dǎo)體構(gòu)成的層，該半導(dǎo)體是構(gòu)成所述金屬層的金屬的氧化物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的壓電器件的制造方法，其中， 該制造方法還具有形成層疊于所述金屬層上的氧化物層的氧化物層形成工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的壓電器件的制造方法，其中， 所述接合體形成工序在惰性氣體氣氛下或真空下被連續(xù)地進(jìn)行。
10.根據(jù)權(quán)利要求7~9中任一項(xiàng)所述的壓電器件的制造方法，其中， 該制造方法還具有: 從壓電基板的接合面注入離子化的元素，以在所述壓電基板之中形成所述元素集中存在的區(qū)域的離子注入工序；和通過(guò)加熱而將所述壓電基板中的接合面?zhèn)鹊膮^(qū)域作為壓電體薄膜殘留下來(lái)的分離工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求7~9中任一項(xiàng)所述的壓電器件的制造方法，其中， 該制造方法還具有: 向壓電基板注入離子化的元素，以在所述壓電基板之中形成所述元素集中存在的區(qū)域的離子注入工序； 在所述壓電基板的離子注入面?zhèn)龋纬捎膳c所述壓電基板同種的材料構(gòu)成、或者作用于與所述壓電基板的界面的熱應(yīng)力比作用于所述支撐基板和所述壓電基板的界面的熱應(yīng)力小的臨時(shí)支撐基板的臨時(shí)支撐工序； 通過(guò)加熱而將壓電體薄膜從所述壓電基板分離的分離工序；以及 在自所述壓電基板分離出的·所述壓電體薄膜上形成所述支撐基板的支撐工序。
【文檔編號(hào)】H03H9/145GK103718457SQ201280038231
【公開日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2012年7月25日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月29日
【發(fā)明者】巖本敬 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所