專利名稱：電子元器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子元器件，特別涉及一種包括由多個(gè)LC并聯(lián)諧振器組成的帶通濾波器的電子元器件。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的電子元器件，例如，已知有專利文獻(xiàn)I中記載的層疊式帶通濾波器。該層疊式帶通濾波器包括層疊體以及多個(gè)LC并聯(lián)諧振器。層疊體通過層疊多個(gè)電介質(zhì)層而構(gòu)成。各LC并聯(lián)諧振器由電容器電極及電感器電極構(gòu)成。電感器電極形成為環(huán)形。并且，各個(gè)LC并聯(lián)諧振器的環(huán)形面相互重疊。在如上的層疊式帶通濾波器中，由于環(huán)形面相互重疊，因此能夠提高相鄰LC并聯(lián)諧振器的電感電極間的耦合度，并實(shí)現(xiàn)寬頻帶化。然而，在包括由多個(gè)LC并聯(lián)諧振器組成的帶通濾波器的電子元器件中，有時(shí)為了得到所希望的特性，會(huì)希望LC并聯(lián)諧振器的電感器電極間的耦合度下降。在專利文獻(xiàn)I所記載的層疊式帶通濾波器中，作為使相鄰的LC并聯(lián)諧振器間的耦合度下降的方法，列舉有將LC并聯(lián)諧振器間的距離擴(kuò)大的方法。然而，若將LC并聯(lián)諧振器間的距離擴(kuò)大，將產(chǎn)生層疊式帶通濾波器變大的問題?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:國際公開第2007 / 119356號(hào)刊物

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術(shù)問題因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠不使元件變大、而降低線圈間耦合度的電子元器件。為解決問題所采用的技術(shù)方案本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電子元器件包括層疊體，該層疊體通過層疊多個(gè)絕緣體層而構(gòu)成；以及第一 LC并聯(lián)諧振器及第二 LC并聯(lián)諧振器，該第一 LC并聯(lián)諧振器及第二 LC并聯(lián)諧振器包括在層疊方向上延伸的過孔導(dǎo)體及設(shè)置于上述絕緣體層上的導(dǎo)體層，且呈環(huán)形，并且構(gòu)成帶通濾波器，該電子元器件的特征在于，上述第一 LC并聯(lián)諧振器的第一環(huán)形面與上述第二 LC并聯(lián)諧振器的第二環(huán)形面與層疊方向平行，且互不平行。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能不使元件變大、而調(diào)整LC并聯(lián)諧振器的線圈間的耦合度。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子元器件的外觀立體圖。圖2是電子元器件的層疊體的分解立體圖。圖3是電子元器件的等效電路圖。圖4是表示模擬結(jié)果的曲線圖。
圖5(a)是從z軸方向的正方向側(cè)透視第一變形例所涉及的電子元器件的圖。圖5 (a)是從z軸方向的正方向側(cè)透視第二變形例所涉及的電子元器件的圖。
具體實(shí)施例方式下面，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子元器件進(jìn)行說明。電子元器件的結(jié)構(gòu)下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的電子元器件的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的電子元器件10的外觀立體圖。圖2是電子元器件10的層疊體12的分解立體圖。圖3是電子元器件10的等效電路圖。圖1及圖2中，z軸方向表不層疊方向。另外，X軸方向表不沿著電子兀器件的長邊的方向；y軸方向表不沿著電子元器件10的短邊的方向。如圖1及圖2所示，電子元器件10包括層疊體12、外部電極14 (14a 14d)、LC并聯(lián)諧振器LCl LC3及引出導(dǎo)體層20 (20a、20b)、28 (28a、28b)。如圖2所示，層疊體12通過層疊由陶瓷電介質(zhì)組成的絕緣體層16 (16a 16g)而構(gòu)成，并呈長方體狀。另外，層疊體12中內(nèi)置有LC并聯(lián)諧振器LCl LC3。如圖1所示，外部電極14a設(shè)置于X軸方向的負(fù)方向一側(cè)的側(cè)面，用作為輸入電極。外部電極14b設(shè)置于X軸方向的正方向一側(cè)的側(cè)面,用作為輸出電極。外部電極14c設(shè)置于y軸方向的負(fù)方向一側(cè)的側(cè)面，用作為接地電極。外部電極14d設(shè)置于y軸方向的正方向一側(cè)的側(cè)面，用作為接地電極。如圖2所示，絕緣體層16呈長方體狀，例如由陶瓷電介質(zhì)構(gòu)成。絕緣體層16a 16g在z軸方向上按該順序排列并層疊。下面，將絕緣體層16的z軸方向的正方向一側(cè)的面稱為表面；將絕緣體層16的z軸方向的負(fù)方向一側(cè)的面稱為背面。LC并聯(lián)諧振器LCl包含線圈LI及電容器Cl。更詳細(xì)而言，LC并聯(lián)諧振器LCl由過孔導(dǎo)體bl b9、電容器導(dǎo)體層22a、線圈導(dǎo)體層24a以及接地導(dǎo)體層26組成，且呈環(huán)狀。電容器Cl由電容器導(dǎo)體層22a及接地導(dǎo)體層26構(gòu)成。接地導(dǎo)體層26是設(shè)置于LC并聯(lián)諧振器LCl的z軸方向的最負(fù)方向一側(cè)的導(dǎo)體層，設(shè)置于絕緣體層16g的表面上。接地導(dǎo)體層26呈長方形，幾乎覆蓋了絕緣體層16g的整個(gè)表面。電容器導(dǎo)體層22a是經(jīng)由絕緣體層16f來與接地導(dǎo)體層26相對(duì)的導(dǎo)體層，設(shè)置于絕緣體層16f的表面上。由此，在電容器導(dǎo)體層22a與接地導(dǎo)體層26之間產(chǎn)生靜電電容。電容器導(dǎo)體層22a呈現(xiàn)為在y軸方向上具有長邊方向的長方形，并且設(shè)置于較絕緣體層16f的對(duì)角線的交點(diǎn)更向X軸方向的負(fù)方向一側(cè)。線圈LI由過孔導(dǎo)體bl b9及線圈導(dǎo)體層24a構(gòu)成。過孔導(dǎo)體bl b4分別在z軸方向上將絕緣體層16b 16e貫穿。另外，過孔導(dǎo)體b4的z軸方向的負(fù)方向一側(cè)的端部與電容器導(dǎo)體層22a相連。由此,過孔導(dǎo)體bl b4構(gòu)成一根與電容器導(dǎo)體層22a相連、并在z軸方向上延伸的過孔導(dǎo)體。過孔導(dǎo)體b5 b9分別在z軸方向上將絕緣體層16b 16f貫穿，并設(shè)置于較過孔導(dǎo)體bl b4更向y軸方向的正方向一側(cè)。另外，過孔導(dǎo)體b9的z軸方向的負(fù)方向一側(cè)的端部與接地導(dǎo)體層26相連。由此，過孔導(dǎo)體b5 b9構(gòu)成一根與接地導(dǎo)體層26相連、并在z軸方向上延伸的過孔導(dǎo)體。線圈導(dǎo)體層24a是設(shè)置于LC并聯(lián)諧振器LCl的z軸方向的最正方向一側(cè)的導(dǎo)體層，設(shè)置于絕緣體層16b的表面上。線圈導(dǎo)體層24a呈現(xiàn)為在y軸方向的正方向一側(cè)延伸的同時(shí)向X軸方向的負(fù)方向一側(cè)前進(jìn)的、相對(duì)于y軸傾斜的線狀，并且設(shè)置于較絕緣體層16b的對(duì)角線的交點(diǎn)更向X軸方向的負(fù)方向一側(cè)。并且，線圈導(dǎo)體層24a與由過孔導(dǎo)體bl b4組成的一根過孔導(dǎo)體的z軸方向的正方向一側(cè)的端部、和由過孔導(dǎo)體b5 b9組成的一根過孔導(dǎo)體的z軸方向的正方向一側(cè)的端部相連。S卩，過孔導(dǎo)體bl的z軸方向的正方向一側(cè)的端部與線圈導(dǎo)體層24a的y軸方向的負(fù)方向一側(cè)的端部相連。過孔導(dǎo)體b5的z軸方向的正方向一側(cè)的端部與線圈導(dǎo)體層24a的y軸方向的正方向一側(cè)的端部相連。由此，線圈LI呈現(xiàn)為“U”字型，該“U”字型以過孔導(dǎo)體b4與電容器導(dǎo)體層22a的連接點(diǎn)為一端，經(jīng)由過孔導(dǎo)體bl b4、線圈導(dǎo)體層24a以及過孔導(dǎo)體b5 b9，并以過孔導(dǎo)體b9與接地導(dǎo)體層26為另一端。如上述那樣構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振器LCl形成環(huán)形面SI。環(huán)形面SI是通過被LC并聯(lián)諧振器LCl包圍而形成的長方形的假想平面。環(huán)形面SI與z軸方向平行，并且相對(duì)于y軸傾斜，以在向y軸方向的正方向一側(cè)延伸的同時(shí)向X軸方向的負(fù)方向一側(cè)前進(jìn)。LC并聯(lián)諧振器LC2包含線圈L2及電容器C2。更具體而言，LC并聯(lián)諧振器LC2由過孔導(dǎo)體blO bl8、電容器導(dǎo)體層22b、線圈導(dǎo)體層24b以及接地導(dǎo)體層26組成，且呈環(huán)狀。電容器C2由電容器導(dǎo)體層22b及接地導(dǎo)體層26構(gòu)成。接地導(dǎo)體層26是設(shè)置于LC并聯(lián)諧振器LC2的z軸方向的最負(fù)方向一側(cè)的導(dǎo)體層，設(shè)置于絕緣體層16g的表面上。接地導(dǎo)體層26呈長方形，幾乎覆蓋了絕緣體層16g的整個(gè)表面。S卩，電容器C2與電容器Cl共用接地導(dǎo)體層26，并且電容器C2的接地導(dǎo)體層26設(shè)置于相同的絕緣體層16g的表面上。電容器導(dǎo)體層22b是經(jīng)由絕緣體層16f來與接地導(dǎo)體層26相對(duì)的導(dǎo)體層，設(shè)置于絕緣體層16f的表面上。由此，在電容器導(dǎo)體層22b與接地導(dǎo)體層26之間產(chǎn)生靜電電容。電容器導(dǎo)體層22b呈現(xiàn)為在y軸方向上具有長邊方向的長方形，并且設(shè)置于絕緣體層16f的對(duì)角線的交點(diǎn)上。線圈L2由過孔導(dǎo)體blO bl8及線圈導(dǎo)體層24b構(gòu)成。過孔導(dǎo)體blO bl3分別在z軸方向上將絕緣體層16b 16e貫穿。另外，過孔導(dǎo)體bl3的z軸方向的負(fù)方向一側(cè)的端部與電容器導(dǎo)體層22b相連。由此,過孔導(dǎo)體blO bl3構(gòu)成一根與電容器導(dǎo)體層22b相連、并在z軸方向上延伸的過孔導(dǎo)體。過孔導(dǎo)體bl4 bl8分別在z軸方向上將絕緣體層16b 16f貫穿，并設(shè)置于較過孔導(dǎo)體blO bl3更向y軸方向的正方向一側(cè)。另夕卜，過孔導(dǎo)體bl8的z軸方向的負(fù)方向一側(cè)的端部與接地導(dǎo)體層26相連。由此，過孔導(dǎo)體bl4 bl8構(gòu)成一跟與接地導(dǎo)體層26相連、并在z軸方向上延伸的過孔導(dǎo)體。線圈導(dǎo)體層24b是設(shè)置于LC并聯(lián)諧振器LC2的z軸方向的最正方向一側(cè)的導(dǎo)體層，設(shè)置于絕緣體層16b的表面上。線圈導(dǎo)體層24b呈現(xiàn)為在y軸方向上延伸的線狀，并且設(shè)置于絕緣體層16b的對(duì)角線的交點(diǎn)上。并且，線圈導(dǎo)體層24b與由過孔導(dǎo)體blO bl3組成的一根過孔導(dǎo)體的z軸方向的正方向一側(cè)的端部、和由過孔導(dǎo)體bl4 bl8組成的一根過孔導(dǎo)體的z軸方向的正方向一側(cè)的端部相連。即，過孔導(dǎo)體blO的z軸方向的正方向一側(cè)的端部與線圈導(dǎo)體層24b的y軸方向的負(fù)方向一側(cè)的端部相連。過孔導(dǎo)體bl4的z軸方向的正方向一側(cè)的端部與線圈導(dǎo)體層24b的y軸方向的正方向一側(cè)的端部相連。由此，線圈L2呈現(xiàn)為“U”字型，該“U”字型以過孔導(dǎo)體bl3與電容器導(dǎo)體層22b的連接點(diǎn)為一端，經(jīng)由過孔導(dǎo)體blO bl3、線圈導(dǎo)體層24b以及過孔導(dǎo)體bl4 bl8，并以過孔導(dǎo)體bl8與接地導(dǎo)體層26為另一端。如上述那樣構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振器LC2形成為與yz平面平行(即、與z軸方向平行)的環(huán)形面S2。環(huán)形面S2是通過被LC并聯(lián)諧振器LC2包圍而形成的長方形的假想平面。從z軸方向俯視時(shí)，環(huán)形面S2與層疊體12的短邊(即、y軸方向)平行。LC并聯(lián)諧振器LC3包含線圈L3及電容器C3。更具體而言，LC并聯(lián)諧振器LC3由過孔導(dǎo)體bl9 b27、電容器導(dǎo)體層22c、線圈導(dǎo)體層24c以及接地導(dǎo)體層26組成，且呈環(huán)形。電容器C3由電容器導(dǎo)體層22c及接地導(dǎo)體層26構(gòu)成。接地導(dǎo)體層26是設(shè)置于LC并聯(lián)諧振器LC3的z軸方向的最負(fù)方向一側(cè)的導(dǎo)體層，設(shè)置于絕緣體層16g的表面上。接地導(dǎo)體層26呈長方形，幾乎覆蓋了絕緣體層16g的整個(gè)表面。S卩，電容器C3與電容器Cl、C2共用接地導(dǎo)體層26，并且電容器C3的接地導(dǎo)體層26設(shè)置于相同的絕緣體層16g的表面上。電容器導(dǎo)體層22c是經(jīng)由絕緣體層16f來與接地導(dǎo)體層26相對(duì)的導(dǎo)體層，設(shè)置于絕緣體層16f的表面上。由此，在電容器導(dǎo)體層22c與接地導(dǎo)體層26之間產(chǎn)生靜電電容。電容器導(dǎo)體層22c呈現(xiàn)為在y軸方向上具有長邊方向的長方形，并且設(shè)置于較絕緣體層16f的對(duì)角線的交點(diǎn)更向X軸方向的正方向一側(cè)。線圈L3由過孔導(dǎo)體bl9 b27及線圈導(dǎo)體層24c構(gòu)成。過孔導(dǎo)體bl9 b22分別在z軸方向上將絕緣體層16b 16e貫穿。另外，過孔導(dǎo)體b22的z軸方向的負(fù)方向一側(cè)的端部與電容器導(dǎo)體層22c相連。由此,過孔導(dǎo)體bl9 b22構(gòu)成一根與電容器導(dǎo)體層22c相連、并在z軸方向上延伸的過孔導(dǎo)體。過孔導(dǎo)體b23 b27分別在z軸方向上將絕緣體層16b 16f貫穿，并設(shè)置于較過孔導(dǎo)體bl9 b22更向y軸方向的正方向一側(cè)。另夕卜，過孔導(dǎo)體b27的z軸方向的負(fù)方向一側(cè)的端部與接地導(dǎo)體層26相連。由此，過孔導(dǎo)體b23 b27構(gòu)成一跟與接地導(dǎo)體層26相連、并在z軸方向上延伸的過孔導(dǎo)體。線圈導(dǎo)體層24c是設(shè)置于LC并聯(lián)諧振器LC3的z軸方向的最正方向一側(cè)的導(dǎo)體層，設(shè)置于絕緣體層16b的表面上。線圈導(dǎo)體層24c呈現(xiàn)為在y軸方向的正方向一側(cè)延伸的同時(shí)向X軸方向的正方向一側(cè)前進(jìn)的、相對(duì)于y軸傾斜的線狀，并且設(shè)置于較絕緣體層16b的對(duì)角線的交點(diǎn)更向X軸方向的正方向一側(cè)。并且，線圈導(dǎo)體層24c與由過孔導(dǎo)體bl9 b22組成的一根過孔導(dǎo)體的z軸方向的正方向一側(cè)的端部、和由過孔導(dǎo)體b23 b27組成的一根過孔導(dǎo)體的z軸方向的正方向一側(cè)的端部相連。即，過孔導(dǎo)體bl9的z軸方向的正方向一側(cè)的端部與線圈導(dǎo)體層24c的y軸方向的負(fù)方向一側(cè)的端部相連。過孔導(dǎo)體b23的z軸方向的正方向一側(cè)的端部與線圈導(dǎo)體層24c的y軸方向的正方向一側(cè)的端部相連。由此，線圈L3呈現(xiàn)為“U”字型，該“U”字型以過孔導(dǎo)體b22與電容器導(dǎo)體層22c的連接點(diǎn)為一端，經(jīng)由過孔導(dǎo)體bl9 b22、線圈導(dǎo)體層24c以及過孔導(dǎo)體b23 b27，并以過孔導(dǎo)體b27與接地導(dǎo)體層26為另一端。如上述那樣構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振器LC3形成環(huán)形面S3。環(huán)形面S3是通過被LC并聯(lián)諧振器LC3包圍而形成的長方形的假想平面。環(huán)形面S3與z軸方向平行，并且相對(duì)于y軸傾斜，以在向y軸方向的正方向一側(cè)延伸的同時(shí)向X軸方向的正方向一側(cè)前進(jìn)。如上所述，在從X軸方向(S卩、環(huán)形面SI的法線方向)俯視時(shí)，LC并聯(lián)諧振器LCl LC3的環(huán)形面SI S3至少有一部分重疊。并且，環(huán)形面SI與環(huán)形面S3夾著環(huán)形面S2。由此，如圖3所示，LC并聯(lián)諧振器LCl的線圈LI與LC并聯(lián)諧振器LC2的線圈L2產(chǎn)生電磁場耦合。另外，LC并聯(lián)諧振器LC2的線圈L2與LC并聯(lián)諧振器LC3的線圈L3產(chǎn)生電磁場I禹合。其中，環(huán)形面S1、S2、S3互不平行。具體而言,在從Z軸方向的正方向一側(cè)俯視時(shí)，y軸方向的負(fù)方向一側(cè)的端部上的環(huán)形面S1、S3與環(huán)形面S2的間隔、比y軸方向的正方向一側(cè)的端部上的環(huán)形面S1、S3與環(huán)形面S2的間隔要窄。從Z軸方向的正方向一側(cè)俯視時(shí)，環(huán)形面S1、S3設(shè)置為相對(duì)于環(huán)形面S2呈線對(duì)稱。如上述那樣構(gòu)成的LC并聯(lián)諧振器LCl LC3構(gòu)成帶通濾波器。引出導(dǎo)體層20a設(shè)置于絕緣體層16f的表面上，與電容器導(dǎo)體層22a相連，并且弓I出至絕緣體層16f的X軸方向的負(fù)方向一側(cè)的短邊。由此，引出導(dǎo)體層20a與外部電極14a相連。其結(jié)果是，LC并聯(lián)諧振器LCl在電容器Cl與線圈LI之間與外部電極14a電連接。引出導(dǎo)體層20b設(shè)置于絕緣體層16f的表面上，與電容器導(dǎo)體層22c相連，并且弓I出至絕緣體層16f的X軸方向的正方向一側(cè)的短邊。由此,引出導(dǎo)體層20b與外部電極14b相連。其結(jié)果是，LC并聯(lián)諧振器LC3在電容器C3與線圈L3之間與外部電極14b電連接。引出導(dǎo)體層28a設(shè)置于絕緣體層16g的表面上，與接地導(dǎo)體層26相連，并且引出至絕緣體層16g的y軸方向的負(fù)方向一側(cè)的長邊。由此，引出導(dǎo)體層28a與外部電極14c相連。其結(jié)果是，LC并聯(lián)諧振器LCl LC3分別在電容器Cl C3與線圈LI L3之間與外部電極14c電連接。引出導(dǎo)體層28b設(shè)置于絕緣體層16g的表面上，與接地導(dǎo)體層26相連，并且引出至絕緣體層16g的y軸方向的正方向一側(cè)的長邊。由此，引出導(dǎo)體層28b與外部電極14d相連。其結(jié)果是，LC并聯(lián)諧振器LCl LC3分別在電容器Cl C3與線圈LI L3之間與外部電極14d電連接。接下來，參照?qǐng)D1至圖3，對(duì)電子元器件10的動(dòng)作的一示例進(jìn)行說明。例如，在從外部電極14a輸入具有正電壓的高頻信號(hào)Sigl時(shí),如圖3所不,在從x軸方向的正方向一側(cè)俯視時(shí)，該高頻信號(hào)Sigl順時(shí)針流動(dòng)。LC并聯(lián)諧振器LCl的線圈LI與LC并聯(lián)諧振器LC2的線圈L2產(chǎn)生電磁場耦合。由此，若在從X軸方向的正方向一側(cè)俯視時(shí)、高頻信號(hào)Sigl在LC并聯(lián)諧振器LCl中順時(shí)針流動(dòng)，則由于電磁感應(yīng)，在從X軸方向的正方向一側(cè)俯視時(shí)，高頻信號(hào)Sig2在LC并聯(lián)諧振器LC2中逆時(shí)針流動(dòng)。LC并聯(lián)諧振器LC2與LC并聯(lián)諧振器LC3產(chǎn)生電磁場耦合。由此，若在從x軸方向的正方向一側(cè)俯視時(shí)、高頻信號(hào)Sig2在LC并聯(lián)諧振器LC2中順時(shí)針流動(dòng)，則由于電磁感應(yīng)，在從X軸方向的正方向一側(cè)俯視時(shí)，高頻信號(hào)Sig3在LC并聯(lián)諧振器LC3中逆時(shí)針流動(dòng)。由此，從外部電極14b輸出高頻信號(hào)Sig3。這里，LC并聯(lián)諧振器LCl LC3分別具有由線圈LI L3及電容器Cl C3所定的固有的諧振頻率。并且，LC并聯(lián)諧振器LCl LC3的阻抗在這些諧振頻率下變大。由此，從外部電極14b輸出由這些諧振頻率所定的規(guī)定頻帶的高頻信號(hào)Sig3。(電子元器件的制造方法)接下來，參照?qǐng)D1及圖2對(duì)電子元器件10的制造方法進(jìn)行說明。首先，準(zhǔn)備將成為絕緣體層16的陶瓷生片。接下來，在各個(gè)將成為絕緣體層16b 16f的陶瓷生片上形成過孔導(dǎo)體bl b27。具體而言，對(duì)將成為絕緣體層16b 16f的陶瓷生片照射激光束，以形成過孔。接下來，利用印刷涂布等方法，將Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等導(dǎo)電性糊料填充入這些過孔中。接下來，通過絲網(wǎng)印刷法或光刻法等方法在將成為絕緣體層16b、16f、16g的陶瓷生片上涂布以Ag、Pd、Cu、Au或它們的合金等為主要成分的導(dǎo)電性糊料，由此來形成引出導(dǎo)體層20a、20b、電容器導(dǎo)體層22a 22c、線圈導(dǎo)體層24a 24c、接地導(dǎo)體層26以及引出導(dǎo)體層28a、28b。此外，也可以在形成引出導(dǎo)體層20a、20b、電容器導(dǎo)體層22a、22b以及線圈導(dǎo)體層24a 24c時(shí)，將導(dǎo)電性糊料填充到過孔中。接下來，層疊各個(gè)陶瓷生片。具體而言，配置將成為絕緣體層16g的陶瓷生片。接下來，在將成為絕緣體層16g的陶瓷生片上配置將成為絕緣體層16f的陶瓷生片。此后，把將成為絕緣體層16f的陶瓷生片壓接在將成為絕緣體層16g的陶瓷生片上。此后，對(duì)于將成為16e，16d，16c, 16b，16a的陶瓷生片，也以該順序同樣地進(jìn)行層疊及壓接。通過上述工序，母層疊體得以形成。利用靜水壓沖壓等對(duì)該母層疊體實(shí)施正式壓接。接下來，利用刀刃將母層疊體切割成規(guī)定尺寸的層疊體12。對(duì)該未燒成的層疊體12進(jìn)行脫粘合劑處理及燒成。通過上述工序，得到燒成后的層疊體12。對(duì)層疊體12實(shí)施滾筒加工，來進(jìn)行倒角。此后，通過例如浸潰法等方法、在層疊體12的表面上涂布主要成分為銀的電極糊料并進(jìn)行燒接，由此形成將成為外部電極14的銀電極。最后，通過對(duì)銀電極的表面實(shí)施鍍Ni/鍍Sn，從而形成外部電極14。經(jīng)過以上的工序，完成圖1所示的電子元器件10。(效果)根據(jù)如上那樣構(gòu)成的電子元器件10，能夠不使元件變大、而降低線圈LI L3的耦合度。下面，將電子元器件10與、環(huán)形面SI S3平行的比較例所涉及的電子元器件作比較來進(jìn)行說明。比較例所涉及的電子元器件中的環(huán)形面S1、S3與環(huán)形面S2的間隔、與電子元器件10的y軸方向的正方向一側(cè)的端部上的環(huán)形面S1、S3與環(huán)形面S2的間隔相等。在比較例所涉及的電子元器件中，由于環(huán)形面SI S3平行，因此在法線方向上從環(huán)形面S2產(chǎn)生的磁通量通過環(huán)形面S1、S3。另一方面，在電子元器件10中，環(huán)形面S1、S3相對(duì)于環(huán)形面S2傾斜。因此，電子元器件10中，從X軸方向俯視時(shí)，環(huán)形面S2從環(huán)形面S1、S3向y軸方向的負(fù)方向一側(cè)露出。由此，電子元器件10中，在法線方向上從環(huán)形面S2產(chǎn)生的磁通量的一部分不通過環(huán)形面S1、S3。這樣，在電子元器件10中，比較例所涉及的電子元器件中通過環(huán)形面S1、S3的磁通量不通過環(huán)形面S1、S3。因此，電子元器件10中的線圈LI L3之間的耦合度、較環(huán)形面SI S3平行的電子元器件中的線圈LI L3之間的耦合度有所降低。然而，如上所述，比較例所涉及的電子元器件中的環(huán)形面S1、S3與環(huán)形面S2的間隔、與電子元器件10的y軸方向的正方向一側(cè)的端部上的環(huán)形面S1、S3與環(huán)形面S2的間隔相等。因此，電子元器件10的芯片尺寸與比較例所涉及的電子元器件的芯片尺寸相等。如上所述，在電子元器件10中，能夠不使元件變大、而降低線圈LI L3的耦合度。為進(jìn)一步明確電子元器件10起到的效果，本發(fā)明申請(qǐng)人進(jìn)行了如下說明的計(jì)算機(jī)模擬。具體而言，制作電子元器件10的模型(第一模型)及比較例所涉及的電子元器件的模型(第二模型)，并對(duì)它們的通過特性進(jìn)行了考察。圖4是表示模擬結(jié)果的曲線圖。縱軸表示插入損耗，橫軸表示頻率。根據(jù)圖4可知第一模型的通頻帶較第二模型要窄。這里，已知在帶通濾波器中、線圈LI L3之間的耦合度越低、通頻帶就越窄。由此，根據(jù)本模擬可知第一模型與第二模型相比，線圈LI L3之間的耦合度更低。(變形例)下面，參照

變形例所涉及的電子元器件。圖5(a)是從z軸方向的正方向一側(cè)來透視第一變形例所涉及的電子元器件的圖。圖5(b)是從z軸方向的正方向一側(cè)來透視第二變形例所涉及的電子元器件的圖。如圖5(a)所示，電子元器件IOa中，從z軸方向俯視時(shí)，環(huán)形面S1、S3也可以與環(huán)形面S2呈直角。由此,從X軸方向俯視時(shí)，環(huán)形面S2從環(huán)形面S1、S3向y軸方向的負(fù)方向一側(cè)露出的面積變大。其結(jié)果是，電子元器件IOa中的線圈LI L3之間的耦合度進(jìn)一步降低。另外，如圖5(b)所示，電子元器件IOb中，從z軸方向俯視時(shí)，環(huán)形面SI的一端及環(huán)形面S3的一端也可以在環(huán)形面S2的中點(diǎn)處最靠近該環(huán)形面S2。由此，環(huán)形面SI與環(huán)形面S3之間被環(huán)形面S2隔開。其結(jié)果是，LC并聯(lián)諧振器LCl與LC并聯(lián)諧振器LC3難以產(chǎn)生電磁場耦合。其結(jié)果是，電子元器件IOb中的LC并聯(lián)諧振器LCl LC3之間的耦合度進(jìn)
一步降低。工業(yè)上的實(shí)用性如上所述，本發(fā)明適用于電子元器件，特別在能不使元件變大而使LC并聯(lián)諧振器的耦合度降低這一點(diǎn)上較為優(yōu)異。標(biāo)號(hào)說明Cl C3 :電容器LI L3:線圈LCl LC3 LC并聯(lián)諧振器SI S3 :環(huán)形面bl b27 :過孔導(dǎo)體10、10a、IOb 電子元器件12 :層疊體14a 14d :外部電極16a 16g :絕緣體層20a、20b、28a、28b :引出導(dǎo)體層22a 22c 電容器導(dǎo)體層24a 24c :線圈導(dǎo)體層26 :接地導(dǎo)體層
權(quán)利要求
1.一種電子元器件，包括: 層疊體，該層疊體通過層疊多個(gè)絕緣體層而構(gòu)成；以及 第一 LC并聯(lián)諧振器及第二 LC并聯(lián)諧振器，該第一 LC并聯(lián)諧振器及第二 LC并聯(lián)諧振器包括在層疊方向上延伸的過孔導(dǎo)體、及設(shè)置于所述絕緣體層上的導(dǎo)體層，且呈環(huán)形，并且構(gòu)成帶通濾波器， 所述第一 LC并聯(lián)諧振器的第一環(huán)形面與所述第二 LC并聯(lián)諧振器的第二環(huán)形面與層疊方向平行，且互不平行
2.如權(quán)利要求1所述的電子元器件，其特征在于， 所述層疊體呈長方體狀，并且在從層疊方向俯視時(shí)，所述第二環(huán)形面與所述層疊體的邊平行。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電子元器件，其特征在于， 所述第一環(huán)形面與所述第二環(huán)形面呈直角。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述電子元器件，其特征在于， 所述電子元器件進(jìn)一步包括第三LC并聯(lián)諧振器，該第三LC并聯(lián)諧振器包括在層疊方向上延伸的過孔導(dǎo)體、及設(shè)置于所述絕緣體層上的導(dǎo)體層，且呈環(huán)形，并且與所述第一 LC并聯(lián)諧振器及所述第二 LC并聯(lián)諧振器一同構(gòu)成帶通濾波器， 所述第三LC并聯(lián)諧振器的第三環(huán)形面與層疊方向平行， 所述第一環(huán)形面與所述第三環(huán)形面夾著所述第二環(huán)形面。
5.如權(quán)利要求4所述的電子元器件，其特征在于， 所述第二環(huán)形面與所述第三環(huán)形面互不平行。
6.如權(quán)利要求5所述的電子元器件，其特征在于， 從層疊方向俯視時(shí)，所述第一環(huán)形面的一端及所述第三環(huán)形面的一端在所述第二環(huán)形面的中點(diǎn)處最靠近該第二環(huán)形面。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的電子元器件，其特征在于， 所述第一 LC并聯(lián)諧振器包含線圈及電容器， 所述電容器包含: 接地導(dǎo)體層，該接地導(dǎo)體層包括設(shè)置于所述第一 LC并聯(lián)諧振器的層疊方向的最下側(cè)的所述導(dǎo)體層；以及 電容器導(dǎo)體層，該電容器導(dǎo)體層包括經(jīng)由所述絕緣體層來與所述接地導(dǎo)體層相對(duì)的所述導(dǎo)體層， 所述線圈包含: 第一線圈過孔導(dǎo)體，該第一線圈過孔導(dǎo)體與所述電容器導(dǎo)體層相連、且包括在層疊方向上延伸的所述過孔導(dǎo)體； 第二線圈過孔導(dǎo)體，該第二線圈過孔導(dǎo)體與所述接地導(dǎo)體層相連、且包括在層疊方向上延伸的所述過孔導(dǎo)體；以及 線圈導(dǎo)體層，該線圈導(dǎo)體層包括所述導(dǎo)體層，該導(dǎo)體層與所述第一線圈過孔導(dǎo)體的層疊方向的上側(cè)端部、和所述第二線圈過孔導(dǎo)體的層疊方向的上側(cè)端部相連。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子元器件，能不使元件變大而降低LC并聯(lián)諧振器的耦合度。層疊體(12)通過層疊多個(gè)絕緣體層(16)而構(gòu)成。LC并聯(lián)諧振器(LC1～LC3)是由在z軸方向上延伸的過孔導(dǎo)體、及設(shè)置于絕緣體層(16)上的導(dǎo)體層組成且呈環(huán)形的LC并聯(lián)諧振器，并構(gòu)成帶通濾波器。LC并聯(lián)諧振器(LC1、LC3)的環(huán)形面(S1，S3)、與LC并聯(lián)諧振器(LC2)的環(huán)形面(S2)與z軸方向平行，且互不平行。
文檔編號(hào)H03H7/09GK103081357SQ201280002751
公開日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2012年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月25日
發(fā)明者增田博志 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所