專利名稱：基于帶隙基準(zhǔn)源且復(fù)位點(diǎn)可變的上電復(fù)位por電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種集成電路中的上電復(fù)位電路，特別涉及ー種基于帶隙基準(zhǔn)源且復(fù)位點(diǎn)可變的上電復(fù)位POR電路。
背景技術(shù)：
上電復(fù)位電路是當(dāng)電源電壓高于或低于某ー個電壓值時產(chǎn)生的復(fù)位信號給鎖存器和(或)模擬電路用。常規(guī)的電阻和電容(即RC)復(fù)位電路隨エ藝和溫度的不同，其變化比較大。圖I為傳統(tǒng)的帶隙基準(zhǔn)源電路，圖中運(yùn)算放大器Al的輸出端連接R4，Rl的一端連接R4的輸出端，另一端分別于PNP三極管Ql的發(fā)射極、運(yùn)算放大器Al的正輸入端連接，Ql的集電極、基極均接地；R2的一端接R4的輸出端，另一端分別與R3、運(yùn)算放大器Al的負(fù)輸入端連接，R3的輸出端與PNP三極管Q2的發(fā)射極連接，Q2的集電極、基極均接地。調(diào)整電阻的比例和PNP的面積比可以得到基準(zhǔn)電壓Vref。圖I中，如果將Al的輸出與R4的連接斷開，R4接電源，Al的輸出就是復(fù)位信號，這樣就構(gòu)成了傳統(tǒng)的基于帶隙基準(zhǔn)源的上電復(fù)位電路，該電路的復(fù)位點(diǎn)只能在帶隙基準(zhǔn)電壓I. 25V附近。基于上述原因，設(shè)計ー種結(jié)構(gòu)簡單，隨エ藝和溫度變化比較小，復(fù)位點(diǎn)相對比較靈活的上電復(fù)位電路是本領(lǐng)域技術(shù)人員一個亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種基于帶隙基準(zhǔn)源且復(fù)位點(diǎn)可變的上電復(fù)位POR電路，使得其隨エ藝和溫度變化比較小，且復(fù)位點(diǎn)相對比較靈活。本發(fā)明的技術(shù)方案是一種基于帶隙基準(zhǔn)源且復(fù)位點(diǎn)可變的上電復(fù)位POR電路，包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第一 PNP三極管、第二 PNP三極管以及運(yùn)算放大器，電源輸入端連接第四電阻，所述第五電阻連接在第四電阻的輸出端與地之間，所述第一電阻一端連接第四電阻的輸出端，另一端分別與第一 PNP三極管的發(fā)射極和運(yùn)算放大器的正輸入端連接，所述第一 PNP三極管的集電極和基地接地，所述第二電阻一端連接第四電阻的輸出端，另一端分別于第三電阻和運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端連接，所述第三電阻的輸出端與第二 PNP三極管的發(fā)射極連接，所述第二 PNP三極管的集電極和基地接地。進(jìn)ー步地，所述第二 PNP三極管的發(fā)射極面積是第一 PNP三極管的發(fā)射極面積的一倍以上。優(yōu)選地，所述第二 PNP三極管Q2的發(fā)射極面積是第一 PNP三極管Ql的發(fā)射極面積的8倍或24倍。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明在傳統(tǒng)的基于帶隙基準(zhǔn)源的電路中増加一個電阻可實現(xiàn)復(fù)位點(diǎn)大于I. 25V且隨エ藝和溫度變化比較小的電壓值。本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)簡単，容易實現(xiàn)，通用性強(qiáng)，復(fù)位信號POR隨エ藝和溫度變化比較小，可廣泛應(yīng)用于各類系統(tǒng)，特別是應(yīng)用于對復(fù)位電壓點(diǎn)要求比較高的電源管理和功率因數(shù)校正等系統(tǒng)中。


圖I是帶隙基準(zhǔn)源電路的原理圖；圖2是本發(fā)明實施例I的電路原理圖。
具體實施例方式應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用 于限定本發(fā)明。參照附圖2，提出本發(fā)明的具體實施例2，如圖所示，一種基于帶隙基準(zhǔn)源且復(fù)位點(diǎn)可變的上電復(fù)位POR電路，包括第一電阻R1、第二電阻R2、第三電阻R3、第四電阻R4、第五電阻R5、第一 PNP三極管Ql、第二 PNP三極管Q2以及運(yùn)算放大器A2，電源輸入端\c連接第四電阻R4，所述第五電阻R5連接在第四電阻R4的輸出端與地之間，所述第一電阻Rl — 端連接第四電阻R4的輸出端，另一端分別與第一 PNP三極管Ql的發(fā)射極和運(yùn)算放大器A2 的正輸入端連接，所述第一 PNP三極管Ql的集電極和基地接地，所述第二電阻R2 —端連接第四電阻R4的輸出端，另一端分別于第三電阻R3和運(yùn)算放大器A2的負(fù)輸入端連接，所述第三電阻R3的輸出端與第二 PNP三極管Q2的發(fā)射極連接，所述第二 PNP三極管Q2的集電極和基地接地。所述第二 PNP三極管Q2的發(fā)射極面積是第一 PNP三極管Ql的發(fā)射極面積的一倍以上。優(yōu)選為，所述第二 PNP三極管Q2的發(fā)射極面積是第一 PNP三極管Ql的發(fā)射極面積的8倍或24倍。圖2中用A表示發(fā)射極面積，第二 PNP三極管Q2的發(fā)射極面積是第一 PNP 三極管Ql的發(fā)射極面積的η倍，其中η大于I。圖2中Z點(diǎn)的電壓是比較器的閾值電壓，Vz = VEB2+(l+R2/R3)VTlnn，其中Vt是熱電壓，具有正溫度系數(shù)，Veb2具有負(fù)溫度系數(shù)，調(diào)整R2和R3的比值可以得到與溫度無關(guān)的閾值電壓Vz ；比較器通過判斷X和Y點(diǎn)的電壓來判斷電源電壓的范圍。閾值電壓Vz基本是一定的，電阻R4和增加的電阻R5的比值可以改變電源電壓在何值時到達(dá)電壓Vz，從而可以實現(xiàn)復(fù)位點(diǎn)的調(diào)節(jié)可變。
權(quán)利要求
1.一種基于帶隙基準(zhǔn)源且復(fù)位點(diǎn)可變的上電復(fù)位POR電路，其特征在于包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第一 PNP三極管、第二 PNP三極管以及運(yùn)算放大器，電源輸入端連接第四電阻，所述第五電阻連接在第四電阻的輸出端與地之間，所述第一電阻一端連接第四電阻的輸出端，另一端分別與第一 PNP三極管的發(fā)射極和運(yùn)算放大器的正輸入端連接，所述第一 PNP三極管的集電極和基地接地，所述第二電阻一端連接第四電阻的輸出端，另一端分別于第三電阻和運(yùn)算放大器的負(fù)輸入端連接，所述第三電阻的輸出端與第二 PNP三極管的發(fā)射極連接，所述第二 PNP三極管的集電極和基地接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的基于帶隙基準(zhǔn)源且復(fù)位點(diǎn)可變的上電復(fù)位POR電路，其特征在于所述第二 PNP三極管的發(fā)射極面積是第一 PNP三極管的發(fā)射極面積的一倍以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于帶隙基準(zhǔn)源且復(fù)位點(diǎn)可變的上電復(fù)位POR電路，其特征在于所述第二 PNP三極管的發(fā)射極面積是第一 PNP三極管的發(fā)射極面積的8倍或24倍。
全文摘要
一種基于帶隙基準(zhǔn)源且復(fù)位點(diǎn)可變的上電復(fù)位POR電路，包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、第五電阻、第一PNP三極管、第二PNP三極管以及運(yùn)算放大器，在傳統(tǒng)的基于帶隙基準(zhǔn)源的電路中增加一個電阻可實現(xiàn)復(fù)位點(diǎn)大于1.25V且隨工藝和溫度變化比較小的電壓值。本發(fā)明電路結(jié)構(gòu)簡單，容易實現(xiàn)，通用性強(qiáng)，復(fù)位信號POR隨工藝和溫度變化比較小，可廣泛應(yīng)用于各類系統(tǒng)，特別是應(yīng)用于對復(fù)位電壓點(diǎn)要求比較高的電源管理和功率因數(shù)校正等系統(tǒng)中。
文檔編號H03K17/22GK102624369SQ20121000825
公開日2012年8月1日 申請日期2012年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月12日
發(fā)明者徐挺, 石萬文, 雷紅軍 申請人:蘇州華芯微電子股份有限公司