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一種低壓軌至軌運(yùn)算放大電路的制作方法

文檔序號(hào):7518225閱讀:210來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種低壓軌至軌運(yùn)算放大電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于無(wú)線通信領(lǐng)域,涉及一種低壓軌至軌運(yùn)算放大電路,主要應(yīng)用于室內(nèi) 無(wú)繩電話、蜂窩式移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理、便攜式音響系統(tǒng)、電池監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、以電池供電的 便攜式電子設(shè)備等。
背景技術(shù)
近幾年來(lái)移動(dòng)電話,個(gè)人數(shù)字助理,便攜式電子測(cè)量?jī)x器等以電池供電的電子產(chǎn) 品得到廣泛的使用,迫切要求我們采用低電壓、低功耗的電路來(lái)減少電池個(gè)數(shù),延長(zhǎng)電池使 用時(shí)間。我們知道一個(gè)電路系統(tǒng)的總功耗近似等于電容充放電引起的開(kāi)關(guān)功耗NCJ2dd,靜 態(tài)電流功耗IddVdd和瞬間短路電流功耗Is1otJdd之和,可以知道電路的功耗直接和電源電壓 成正比,因此只有降低電源電壓才能大幅度的降低電路的功耗。盡管降低電源電壓可能造 成電路頻帶寬度和電壓擺幅一定程度的減少,但這一點(diǎn)可以通過(guò)電路優(yōu)化設(shè)計(jì)克服。降低 電源電壓帶來(lái)的另一個(gè)好處是減少了電路正常工作所需電池個(gè)數(shù),也就減小了電子產(chǎn)品的 體積,使它們更便于攜帶。此外降低電源電壓也使晶體管所承受的耐壓降低,增加了電路的 穩(wěn)定性。然而我們知道一個(gè)電子產(chǎn)品總包括模擬電路部分和數(shù)字電路部分,數(shù)字電路的工 作電壓要求低,功耗較小,而模擬電路對(duì)電源電壓的要求比數(shù)字電路高,功耗也比數(shù)字電路 大。因此為了降低電路的功耗,實(shí)現(xiàn)模擬和數(shù)字電路都能工作在低電壓下就很有必要設(shè)計(jì) 出適應(yīng)低電壓的模擬電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了克服已有技術(shù)的不足之處,提出一種低壓軌至軌運(yùn)算放大電路。本發(fā)明電路包括三個(gè)電阻、三個(gè)電容、19個(gè)P型MOS管和17個(gè)N型MOS管,具體是第一 P型MOS管P1的漏極與偏置電阻R1的一端連接,第一 N型MOS管N1的源極 和柵極以及第四N型MOS管N4的柵極與第二 P型MOS管P2的漏極連接,第三P型MOS管P3 的柵極和漏極與分壓電阻R2的一端連接;第四P型MOS管P4的漏極和柵極以及第五P型 MOS管P5的柵極與第三P型MOS管P3的源極連接,第四N型MOS管N4的源極、第五N型MOS 管N5的漏極和第六N型MOS管N6的漏極與分壓電阻R2的另一端連接;第三N型MOS管N3 的柵極和源極、第二 N型MOS管N2的柵極、第五N型MOS管N5的柵極和第六P型MOS管P6 的源極連接,第五P型MOS管P5的漏極、第六P型MOS管P6的漏極、第六N型MOS管N6的 柵極和第七P型MOS管P7的源極連接,第六P型MOS管P6的柵極與差分信號(hào)輸入端的負(fù) 端Vin-連接,第七P型MOS管P7的柵極與差分信號(hào)輸入端的正端Vin+連接;第二 N型MOS 管N2的源極、第六N型MOS管N6的源極、第九P型MOS管P9的源極和第十一 P型MOS管P11 的漏極連接;第八P型MOS管P8的源極、第十P型MOS管Pltl的漏極、第五N型MOS管N5的 源極和第八N型MOS管N8的源極連接;第七N型MOS管N7的柵極和源極以及第八N型MOS 管N8的柵極與第七P型MOS管P7的漏極連接,第九N型MOS管N9的柵極和源極以及第十N 型MOS管Nltl的柵極與第八P型MOS管P8的漏極連接;第十N型MOS管Nltl的源極、第十一N型MOS管N11的珊極、第九P型MOS管P9的漏極和第十二 P型MOS管P12的漏極與第二濾 波電容C2的一端連接,第十三N型MOS管N13的源極、第十四N型MOS管N14的源極、十六P 型MOS管P16的漏極、十七P型MOS管P17的漏極以及負(fù)載電容C3的一端和負(fù)載電阻R3的一 端與第二濾波電容C2的另一端連接,負(fù)載電容C3的另一端和負(fù)載電阻R3的另一端接地;第 十一 N型MOS管N11的源極、第十三P型MOS管P13的漏極、第十四P型MOS管P14的珊極和 第十八P型MOS管P18的珊極與第一濾波電容C1的一端連接,第一濾波電容C1的另一端與 第十二 P型MOS管P12的源極連接;第十五P型MOS管P15的漏極和柵極、第十四P型MOS管 P14的漏極、第十六P型MOS管P16的柵極、第十二 N型MOS管N12的源極和第十三N型MOS管 N13的珊極連接;第十五N型MOS管N15的源極和柵極、第十四N型MOS管N14的柵極、第十六 N型MOS管N16的源極、第十七P型MOS管P17的珊極和第十八P型MOS管P18的漏極連接, 第十六N型MOS管N16的珊極和第十七N型MOS管N17的珊極與第十二 N型MOS管N12的珊 極連接,第十七N型MOS管N17的源極與十九P型MOS管P19的漏極連接。第一 P型MOS管P1的柵極、第二 P型MOS管P2的柵極、第十P型MOS管Pltl的柵 極、第十一 P型MOS管P11的柵極、第十三P型MOS管P13的柵極和第十九P型MOS管P19的 柵極連接;第一 P型MOS管P1的源極、第二 P型MOS管P2的源極、第四P型MOS管P4的源 極、第五P型MOS管P5的源極、第十P型MOS管Pltl的源極、第i^一 P型MOS管P11的源極、 第十三P型MOS管P13的源極、第十四P型MOS管P14的源極、第十五P型MOS管P15的源極、 第十六P型MOS管P16的源極、第十七P型MOS管P17的源極、第十八P型MOS管P18的源極、 第十九P型MOS管P19的源極和第十二 P型MOS管P12的襯底接地。第一 N型MOS管N1的漏極、第二 N型MOS管N2的漏極、第三N型MOS管N3的漏 極、第四N型MOS管N4的漏極、第七N型MOS管N7的漏極、第八N型MOS管N8的漏極、第九 N型MOS管N9的漏極、第十N型MOS管Nltl的漏極、第i^一 N型MOS管N11的漏極、第十二 N 型MOS管N12的漏極、第十三N型MOS管N13的漏極、第十四N型MOS管N14的漏極、第十五N 型MOS管N15的漏極、第十六N型MOS管N16的漏極、第十七N型MOS管N17的漏極、第五N型 MOS管N5的襯底、第六N型MOS管N6的襯底、第八P型MOS管P8的珊極、第九P型MOS管P9 的珊極、第十二 P型MOS管P12的珊極以及偏置電阻R1的另一端均與1. 5V電源VDD連接。本發(fā)明的運(yùn)算放大電路克服了傳統(tǒng)電壓型運(yùn)算放大器深受閾值電壓限制的缺點(diǎn), 采用了適合于低電壓要求的電路單元,在電路結(jié)構(gòu)上進(jìn)行了改進(jìn),從而在常規(guī)的CMOS工 藝下實(shí)現(xiàn)了低電壓、低功耗的性能。該電路采用電流型跨導(dǎo)器,獲得了 rail-to-rail共 模電壓輸入和良好的頻率響應(yīng);增益級(jí)采用折疊式共源共柵放大電路,獲得了高電壓增益 和高電源抑制比;輸出級(jí)采用兩對(duì)反相器的AB類推挽輸出電路,獲得了高驅(qū)動(dòng)能力,具有 rail-to-rail共模電壓輸出和極低的諧波失真。


圖1為本發(fā)明的電路圖。
具體實(shí)施例方式如圖1所示,一種低壓軌至軌運(yùn)算放大電 包括三個(gè)電阻、三個(gè)電容、19個(gè)P型 MOS管和17個(gè)N型MOS管,具體是
第一 P型MOS管P1的漏極與偏置電阻R1的一端連接,第一 N型MOS管N1的源極 和柵極以及第四N型MOS管N4的柵極與第二 P型MOS管P2的漏極連接,第三P型MOS管P3 的柵極和漏極與分壓電阻R2的一端連接;第四P型MOS管P4的漏極和柵極以及第五P型 MOS管P5的柵極與第三P型MOS管P3的源極連接,第四N型MOS管N4的源極、第五N型MOS 管N5的漏極和第六N型MOS管N6的漏極與分壓電阻R2的另一端連接;第三N型MOS管N3 的柵極和源極、第二 N型MOS管N2的柵極、第五N型MOS管N5的柵極和第六P型MOS管P6 的源極連接,第五P型MOS管P5的漏極、第六P型MOS管P6的漏極、第六N型MOS管N6的 柵極和第七P型MOS管P7的源極連接,第六P型MOS管P6的柵極與差分信號(hào)輸入端的負(fù) 端Vin-連接,第七P型MOS管P7的柵極與差分信號(hào)輸入端的正端Vin+連接;第二 N型MOS 管N2的源極、第六N型MOS管N6的源極、第九P型MOS管P9的源極和第十一 P型MOS管P11 的漏極連接;第八P型MOS管P8的源極、第十P型MOS管Pltl的漏極、第五N型MOS管N5的 源極和第八N型MOS管N8的源極連接;第七N型MOS管N7的柵極和源極以及第八N型MOS 管N8的柵極與第七P型MOS管P7的漏極連接,第九N型MOS管N9的柵極和源極以及第十N 型MOS管Nltl的柵極與第八P型MOS管P8的漏極連接;第十N型MOS管Nltl的源極、第十一 N型MOS管N11的珊極、第九P型MOS管P9的漏極和第十二 P型MOS管P12的漏極與第二濾 波電容C2的一端連接,第十三N型MOS管N13的源極、第十四N型MOS管N14的源極、十六P 型MOS管P16的漏極、十七P型MOS管P17的漏極以及負(fù)載電容C3的一端和負(fù)載電阻R3的一 端與第二濾波電容C2的另一端連接,負(fù)載電容C3的另一端和負(fù)載電阻R3的另一端接地;第 十一 N型MOS管N11的源極、第十三P型MOS管P13的漏極、第十四P型MOS管P14的珊極和 第十八P型MOS管P18的珊極與第一濾波電容C1的一端連接,第一濾波電容C1的另一端與 第十二 P型MOS管P12的源極連接;第十五P型MOS管P15的漏極和柵極、第十四P型MOS管 P14的漏極、第十六P型MOS管P16的柵極、第十二 N型MOS管N12的源極和第十三N型MOS管 N13的珊極連接;第十五N型MOS管N15的源極和柵極、第十四N型MOS管N14的柵極、第十六 N型MOS管N16的源極、第十七P型MOS管P17的珊極和第十八P型MOS管P18的漏極連接, 第十六N型MOS管N16的珊極和第十七N型MOS管N17的珊極與第十二 N型MOS管N12的珊 極連接,第十七N型MOS管N17的源極與十九P型MOS管P19的漏極連接。第一 P型MOS管P1的柵極、第二 P型MOS管P2的柵極、第十P型MOS管Pltl的柵 極、第十一 P型MOS管P11的柵極、第十三P型MOS管P13的柵極和第十九P型MOS管P19的 柵極連接;第一 P型MOS管P1的源極、第二 P型MOS管P2的源極、第四P型MOS管P4的源 極、第五P型MOS管P5的源極、第十P型MOS管Pltl的源極、第i^一 P型MOS管P11的源極、 第十三P型MOS管P13的源極、第十四P型MOS管P14的源極、第十五P型MOS管P15的源極、 第十六P型MOS管P16的源極、第十七P型MOS管P17的源極、第十八P型MOS管P18的源極、 第十九P型MOS管P19的源極和第十二 P型MOS管P12的襯底接地。第一 N型MOS管N1的漏極、第二 N型MOS管N2的漏極、第三N型MOS管N3的漏 極、第四N型MOS管N4的漏極、第七N型MOS管N7的漏極、第八N型MOS管N8的漏極、第九 N型MOS管N9的漏極、第十N型MOS管Nltl的漏極、第i^一 N型MOS管N11的漏極、第十二 N 型MOS管N12的漏極、第十三N型MOS管N13的漏極、第十四N型MOS管N14的漏極、第十五N 型MOS管N15的漏極、第十六N型MOS管N16的漏極、第十七N型MOS管N17的漏極、第五N型 MOS管N5的襯底、第六N型MOS管N6的襯底、第八P型MOS管P8的珊極、第九P型MOS管P9的珊極、第十二 P型MOS管P12的珊極以及偏置電阻R1的另一端均與1. 5V電源VDD連接。偏置電阻R1和第一 P型MOS管P1、第二 P型MOS管P2構(gòu)成電路的主偏置電路,主 偏置電流設(shè)計(jì)為5 μ A。第一 N型MOS管N1和第四N型MOS管N4為輸入級(jí)正常工作提供恒 定的電流源。輸入級(jí)是一個(gè)由兩個(gè)互相平行的NMOS和PMOS差分對(duì)及其電流源組成的電流 型跨導(dǎo)器。第五N型MOS管N5和第六N型MOS管N6組成PMOS差分對(duì)跨導(dǎo)器,第四N型MOS 管N4是它的電流源;第六P型MOS管P6和第七P型MOS管P7組成NMOS差分對(duì)跨導(dǎo)器,第 五P型MOS管P5是它的電流沉。采用折疊共源的第九N型MOS管N9、第十N型MOS管Ν1(1、 第—^一 N型MOS管Νη、第八P型MOS管P8、第九P型MOS管P9、第十P型MOS管Pltl、第i^一 P型MOS管Pn、第十二 P型MOS管P12、第十三P型MOS管P13組成運(yùn)放第二級(jí)放大電路實(shí)際 上是一種跨阻放大器,它將輸入級(jí)產(chǎn)生的電流信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡妷盒盘?hào),并進(jìn)行放大輸出。其中 第—^一 P型MOS管P11和第十二 P型MOS管P12作為輸入級(jí)的偏置電流沉;第八P型MOS管 P8、第九P型MOS管P9、第九N型MOS管N9、第十N型MOS管Nltl構(gòu)成一種折疊共源共柵電流 鏡;第十一 N型MOS管N11和第十三P型MOS管P13組成共源組態(tài)放大電路,第一濾波電容 C1是密勒補(bǔ)償電容,第十二 P型MOS管P12相當(dāng)于一個(gè)電阻,阻值隨著漏源兩端的電壓而動(dòng) 態(tài)地變化,可以消除第一濾波電容C1前向耦合引起的RHP零點(diǎn)效應(yīng)。第十二 P型MOS管P12 采用MOSFET而不用固定電阻,是為了減小芯片的面積和對(duì)相位裕度動(dòng)態(tài)地調(diào)整。該放大器 采用的是一種電流折疊電路技術(shù),它把輸入級(jí)PMOS差分對(duì)的漏端直接連到共源共柵器件 的源極上,使得共模輸入電壓增大,對(duì)電源電壓要求降低,同時(shí)又具有共源共柵電路固有的 良好特性。電路中第十P型MOS管Pltl和第i^一 P型MOS管P11吸收的電流等于從輸入級(jí) 差分對(duì)第五N型MOS管N5、第六N型MOS管N6或第六P型MOS管P6、第七P型MOS管P7流 入的電流與第八P型MOS管P8、第九P型MOS管P9、第九N型MOS管N9、第十N型MOS管Nltl 的電流之和。平衡時(shí),第九P型MOS管P9的電流等于第十N型MOS管Nltl的電流。假設(shè)輸 入級(jí)的NMOS差分對(duì)工作,如果輸入電壓Vin向正電源方向升高,于是Iin+增加Δ I,Iin_降低 Δ I,這些變化反映為第八P型MOS管P8電流增加Δ I,第九P型MOS管P9電流減少了 ΔΙ, 結(jié)果流進(jìn)第九N型MOS管N9、第十N型MOS管Nltl漏極的電流是2 Δ I。第十九P型MOS管P19、第十二 N型MOS管N12、第十六N型MOS管N16、第十七N型 MOS管N17組成偏置電流源,第十九P型MOS管P19的柵級(jí)接運(yùn)放的主偏置,第十二 N型MOS 管N12、第十六N型MOS管N16分別與第十七N型MOS管N17組成電流鏡。輸入電路是由第 十四P型MOS管P14、第十五P型MOS管P15、第十八P型MOS管P18和第十五N型MOS管N15 組成,輸出電路是由兩個(gè)反相器第十三N型MOS管N13、第十六P型MOS管P16及第十四N型 MOS管N14、第十七P型MOS管P17構(gòu)成,它們的輸出點(diǎn)接在一起共同作為運(yùn)放的輸出。由于 運(yùn)放的工作電源為1.5V,MOS器件的閾值電壓為0. 75V左右,因此每一對(duì)反相器只有一只 MOSFET工作在飽和區(qū)(第十六P型MOS管P16,第十四N型MOS管N14),而另外一只工作在 截止區(qū)(第十三N型MOS管N13,第十七P型MOS管P17)。該電路采用適合于低電壓的電流型跨導(dǎo)器,折疊共源共柵放大電路和低功耗的AB 類推挽輸出電路等子電路結(jié)構(gòu),整個(gè)電路只由36只M0SFET,三只電容和三只電阻組成。
權(quán)利要求
一種低壓軌至軌運(yùn)算放大電路,包括三個(gè)電阻、三個(gè)電容、19個(gè)P型MOS管和17個(gè)N型MOS管,其特征是第一P型MOS管P1的漏極與偏置電阻R1的一端連接,第一N型MOS管N1的源極和柵極以及第四N型MOS管N4的柵極與第二P型MOS管P2的漏極連接,第三P型MOS管P3的柵極和漏極與分壓電阻R2的一端連接;第四P型MOS管P4的漏極和柵極以及第五P型MOS管P5的柵極與第三P型MOS管P3的源極連接,第四N型MOS管N4的源極、第五N型MOS管N5的漏極和第六N型MOS管N6的漏極與分壓電阻R2的另一端連接;第三N型MOS管N3的柵極和源極、第二N型MOS管N2的柵極、第五N型MOS管N5的柵極和第六P型MOS管P6的源極連接,第五P型MOS管P5的漏極、第六P型MOS管P6的漏極、第六N型MOS管N6的柵極和第七P型MOS管P7的源極連接,第六P型MOS管P6的柵極與差分信號(hào)輸入端的負(fù)端Vin 連接,第七P型MOS管P7的柵極與差分信號(hào)輸入端的正端Vin+連接;第二N型MOS管N2的源極、第六N型MOS管N6的源極、第九P型MOS管P9的源極和第十一P型MOS管P11的漏極連接;第八P型MOS管P8的源極、第十P型MOS管P10的漏極、第五N型MOS管N5的源極和第八N型MOS管N8的源極連接;第七N型MOS管N7的柵極和源極以及第八N型MOS管N8的柵極與第七P型MOS管P7的漏極連接,第九N型MOS管N9的柵極和源極以及第十N型MOS管N10的柵極與第八P型MOS管P8的漏極連接;第十N型MOS管N10的源極、第十一N型MOS管N11的珊極、第九P型MOS管P9的漏極和第十二P型MOS管P12的漏極與第二濾波電容C2的一端連接,第十三N型MOS管N13的源極、第十四N型MOS管N14的源極、十六P型MOS管P16的漏極、十七P型MOS管P17的漏極以及負(fù)載電容C3的一端和負(fù)載電阻R3的一端與第二濾波電容C2的另一端連接,負(fù)載電容C3的另一端和負(fù)載電阻R3的另一端接地;第十一N型MOS管N11的源極、第十三P型MOS管P13的漏極、第十四P型MOS管P14的珊極和第十八P型MOS管P18的珊極與第一濾波電容C1的一端連接,第一濾波電容C1的另一端與第十二P型MOS管P12的源極連接;第十五P型MOS管P15的漏極和柵極、第十四P型MOS管P14的漏極、第十六P型MOS管P16的柵極、第十二N型MOS管N12的源極和第十三N型MOS管N13的珊極連接;第十五N型MOS管N15的源極和柵極、第十四N型MOS管N14的柵極、第十六N型MOS管N16的源極、第十七P型MOS管P17的珊極和第十八P型MOS管P18的漏極連接,第十六N型MOS管N16的珊極和第十七N型MOS管N17的珊極與第十二N型MOS管N12的珊極連接,第十七N型MOS管N17的源極與十九P型MOS管P19的漏極連接;第一P型MOS管P1的柵極、第二P型MOS管P2的柵極、第十P型MOS管P10的柵極、第十一P型MOS管P11的柵極、第十三P型MOS管P13的柵極和第十九P型MOS管P19的柵極連接;第一P型MOS管P1的源極、第二P型MOS管P2的源極、第四P型MOS管P4的源極、第五P型MOS管P5的源極、第十P型MOS管P10的源極、第十一P型MOS管P11的源極、第十三P型MOS管P13的源極、第十四P型MOS管P14的源極、第十五P型MOS管P15的源極、第十六P型MOS管P16的源極、第十七P型MOS管P17的源極、第十八P型MOS管P18的源極、第十九P型MOS管P19的源極和第十二P型MOS管P12的襯底接地;第一N型MOS管N1的漏極、第二N型MOS管N2的漏極、第三N型MOS管N3的漏極、第四N型MOS管N4的漏極、第七N型MOS管N7的漏極、第八N型MOS管N8的漏極、第九N型MOS管N9的漏極、第十N型MOS管N10的漏極、第十一N型MOS管N11的漏極、第十二N型MOS管N12的漏極、第十三N型MOS管N13的漏極、第十四N型MOS管N14的漏極、第十五N型MOS管N15的漏極、第十六N型MOS管N16的漏極、第十七N型MOS管N17的漏極、第五N型MOS管N5的襯底、第六N型MOS管N6的襯底、第八P型MOS管P8的珊極、第九P型MOS管P9的珊極、第十二P型MOS管P12的珊極以及偏置電阻R1的另一端均與1.5V電源VDD連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種低壓軌至軌運(yùn)算放大電路。本發(fā)明電路包括三個(gè)電阻、三個(gè)電容、19個(gè)P型MOS管和17個(gè)N型MOS管。該電路采用適合于低電壓的電流型跨導(dǎo)器,折疊共源共柵放大電路和低功耗的AB類推挽輸出電路等子電路結(jié)構(gòu),克服了傳統(tǒng)電壓型運(yùn)算放大器深受閾值電壓限制的缺點(diǎn),采用了適合于低電壓要求的電路單元,在電路結(jié)構(gòu)上進(jìn)行了改進(jìn),從而在常規(guī)的CMOS工藝下實(shí)現(xiàn)了低電壓、低功耗的性能。該電路采用電流型跨導(dǎo)器,獲得了rail-to-rail共模電壓輸入和良好的頻率響應(yīng);增益級(jí)采用折疊式共源共柵放大電路,獲得了高電壓增益和高電源抑制比;輸出級(jí)采用兩對(duì)反相器的AB類推挽輸出電路,獲得了高驅(qū)動(dòng)能力,具有rail-to-rail共模電壓輸出和極低的諧波失真。
文檔編號(hào)H03F3/45GK101958692SQ20101051409
公開(kāi)日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2010年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月19日
發(fā)明者應(yīng)智花, 黃海云 申請(qǐng)人:杭州電子科技大學(xué)
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