專(zhuān)利名稱(chēng)：一種自舉控制電路及包含該自舉控制電路的開(kāi)關(guān)電源的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及電路領(lǐng)域，特別涉及自舉控制電路及包含該自舉控制電路的開(kāi)關(guān) 電源。
背景技術(shù)：
開(kāi)關(guān)電源因?yàn)榫哂懈叩碾娫崔D(zhuǎn)換效率而被大量使用，由于NMOS管的導(dǎo)通電阻小， 效率高，常被用做開(kāi)關(guān)管。NMOS開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通條件是柵極電壓比源極電壓高，必須用比 NMOS開(kāi)關(guān)管源端電壓高的電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)NMOS管的導(dǎo)通與關(guān)斷，所以需要自舉電容以及自舉 控制電路。常采用的是二極管和電容構(gòu)成自舉電路。二極管P端接VCC的電壓源，N端連 接電容的一端，電容的另一端連接NMOS開(kāi)關(guān)管的源端。二極管的N端電壓始終保持比NMOS 開(kāi)關(guān)管的源端高VCC的電壓，作為NMOS開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)電路的電源，控制NMOS開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通 與關(guān)斷。由于自舉的原因，二極管采用高壓二極管。高壓PN結(jié)二極管正向?qū)▔航荡?，?dǎo) 致?lián)p耗太大。高壓肖特基二極管正向?qū)▔航敌?，但是存在高溫漏電的?wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種自舉控制電路及包含該自舉控 制電路的開(kāi)關(guān)電源，其正向?qū)▔翰钚?，?dǎo)通電阻小，開(kāi)關(guān)電源的效率高，可靠性和安全性 好。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種自舉控制電路，用于開(kāi)關(guān)電源中自舉電容的時(shí)序邏輯控制，包括時(shí)序邏輯驅(qū) 動(dòng)產(chǎn)生電路，高壓PMOS管和自舉驅(qū)動(dòng)電路；所述的時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路，利用開(kāi)關(guān)電源 中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)，產(chǎn)生高壓PMOS管的輸入信號(hào)和自舉驅(qū)動(dòng)電路的輸入信 號(hào)；所述的高壓PMOS管，利用時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路產(chǎn)生的輸出信號(hào)，控制高壓PMOS管的 導(dǎo)通與關(guān)斷，輸出為高壓PMOS管的源端電壓信號(hào)，作為自舉驅(qū)動(dòng)電路的輸入信號(hào)；所述的 自舉驅(qū)動(dòng)電路，利用時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路的輸出信號(hào)，利用NMOS開(kāi)關(guān)管的源端信號(hào)和高 壓PMOS管的輸出信號(hào)即自舉電容的兩端電壓，控制NMOS開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷，使開(kāi)關(guān)電源 正常工作。優(yōu)選地，所述的時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路，利用開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào) 制信號(hào)，經(jīng)過(guò)死區(qū)時(shí)間控制產(chǎn)生第一邏輯信號(hào)和第二邏輯信號(hào)，第一邏輯信號(hào)作為自舉驅(qū) 動(dòng)電路的輸入信號(hào)，第二邏輯信號(hào)經(jīng)過(guò)觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路，得到第三邏輯信號(hào)，作為高壓 PMOS管的輸入信號(hào)。優(yōu)選地，所述的高壓PMOS管，內(nèi)部電壓源提供高壓PMOS管的電源，連接高壓PMOS 管的漏端，利用時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路輸出信號(hào)，連接高壓PMOS管的柵極，高壓PMOS管的 襯底端連接高壓PMOS管的源端，高壓PMOS管的源端作為高壓PMOS管的輸出端，作為自舉 驅(qū)動(dòng)電路的輸入信號(hào)。
優(yōu)選地，所述的自舉驅(qū)動(dòng)電路，將時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路的輸出信號(hào)，經(jīng)過(guò)觸發(fā)式 電平轉(zhuǎn)移電路，NMOS開(kāi)關(guān)管的源端連接自舉電容的一端，高壓PMOS管的輸出信號(hào)連接自舉 電容的另一端，NMOS開(kāi)關(guān)管的源端信號(hào)作為相對(duì)低電壓，高壓PMOS管的輸出信號(hào)作為相對(duì) 高電壓，控制NMOS開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷，使開(kāi)關(guān)電源正常工作所述的死區(qū)時(shí)間控制是利用開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生的同 相不交迭的第一邏輯信號(hào)和第二邏輯信號(hào)，當(dāng)開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)是 由低電平轉(zhuǎn)換高電平時(shí)，則第二邏輯信號(hào)經(jīng)過(guò)延遲先變成高電平，接著經(jīng)過(guò)延遲第一邏輯 信號(hào)變?yōu)楦唠娖?，?dāng)開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)是由高電平轉(zhuǎn)換低電平時(shí)， 則第一邏輯信號(hào)經(jīng)過(guò)延遲先變成低電平，接著經(jīng)過(guò)延遲第二邏輯信號(hào)變?yōu)楦唠娖健?優(yōu)選地，所述的觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路，包括窄脈沖產(chǎn)生電路和電平轉(zhuǎn)移電路，所述 的窄脈沖產(chǎn)生電路，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行上升沿和下降沿進(jìn)行邊沿檢測(cè)，輸出信號(hào)為上升沿和 下降沿的邊沿檢測(cè)的窄脈沖信號(hào)，作為電平轉(zhuǎn)移電路的輸入信號(hào)，所述的電平轉(zhuǎn)移電路，包 括第一高壓NMOS管、第二高壓NMOS管、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一高壓PN結(jié)二極管、 第二高壓PN結(jié)二極管、第一電阻、第一反相器，第二反相器，第三反相器和第四反相器，所 述的第一高壓NMOS管的源端接公共地，柵端連接上升沿的窄脈沖信號(hào)，漏端連接第一高壓 PN結(jié)二極管的N端，第一 PMOS的漏端和柵極，第二高壓NMOS的源端接公共地，柵極連接下 降沿的窄脈沖信號(hào)，漏端連接第二高壓PN結(jié)二極管的N端，第二 PMOS管的漏端，第一電阻 的一端和第一反相器的輸入端，第一電阻的另一端連接第二反相器的輸出端，第一高壓PN 結(jié)二極管和第二高壓PN結(jié)二極管的P端連在一起，連接NMOS開(kāi)關(guān)管的源端，第一 PMOS管 和第二 PMOS管的柵端連在一起，源端連在一起，接到高壓PMOS管的源端，第一反相器的輸 出連接第二反相器的輸入，第一反相器和第二反相器的相對(duì)高電壓端接到高壓PMOS管的 源端，第一反相器和第二反相器的相對(duì)低電壓端連接NMOS開(kāi)關(guān)管的源端，第二反相器的輸 出連接第三反相器的輸入，第三反相器的輸出連接第四反相器的輸入，第四反相器的輸出 作為觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路的輸出信號(hào)。本發(fā)明同時(shí)提供一種開(kāi)關(guān)電源，包括自舉控制電路，用于開(kāi)關(guān)電源控制器的自舉 電容時(shí)序邏輯控制，所述的自舉控制電路包括時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路，高壓PMOS管和自舉 驅(qū)動(dòng)電路；所述的時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路，利用開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)， 經(jīng)過(guò)時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路，產(chǎn)生高壓PMOS管的輸入信號(hào)和自舉驅(qū)動(dòng)電路的輸入信號(hào)；所 述的高壓PMOS管，利用時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路產(chǎn)生的輸出信號(hào)，控制高壓PMOS管的導(dǎo)通與 關(guān)斷，輸出為高壓PMOS管的源端電壓信號(hào)，作為自舉驅(qū)動(dòng)電路的輸入信號(hào)；所述的自舉驅(qū) 動(dòng)電路，利用時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路的輸出信號(hào)，NMOS開(kāi)關(guān)管的源端信號(hào)和高壓PMOS管的 輸出信號(hào)，控制NMOS開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷，使開(kāi)關(guān)電源正常工作。優(yōu)選地，所述的時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路，利用開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào) 制信號(hào)，經(jīng)過(guò)死區(qū)時(shí)間控制產(chǎn)生第一邏輯信號(hào)和第二邏輯信號(hào)，第一邏輯信號(hào)作為自舉驅(qū) 動(dòng)電路的輸入信號(hào)，第二邏輯信號(hào)經(jīng)過(guò)觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路，得到第三邏輯信號(hào)，作為高壓 PMOS管的輸入信號(hào)。優(yōu)選地，所述的高壓PMOS管，內(nèi)部電壓源提供高壓PMOS管的電源，連接高壓PMOS 管的漏端，利用時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路輸出信號(hào)，連接高壓PMOS管的柵極，高壓PMOS管的 襯底端連接高壓PMOS管的源端，高壓PMOS管的源端作為高壓PMOS管的輸出端，作為自舉驅(qū)動(dòng)電路的輸入信號(hào)。優(yōu)選地，所述的自舉驅(qū)動(dòng)電路，將時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路的輸出信號(hào)，經(jīng)過(guò)觸發(fā)式 電平轉(zhuǎn)移電路，NMOS開(kāi)關(guān)管的源端連接電容的一端，高壓PMOS管的輸出信號(hào)連接電容的另 一端，NMOS開(kāi)關(guān)管的源端信號(hào)作為相對(duì)低電壓，高壓PMOS管的輸出信號(hào)作為相對(duì)高電壓， 控制NMOS開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷，使開(kāi)關(guān)電源正常工作。
優(yōu)選地，所述的死區(qū)時(shí)間控制是利用開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)產(chǎn) 生的同相不交迭的第一邏輯信號(hào)和第二邏輯信號(hào)，當(dāng)開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制 信號(hào)是由低電平轉(zhuǎn)換高電平時(shí)，則第二邏輯信號(hào)經(jīng)過(guò)延遲先變成高電平，接著經(jīng)過(guò)延遲第 一邏輯信號(hào)變?yōu)楦唠娖?，?dāng)開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)是由高電平轉(zhuǎn)換低電 平時(shí)，則第一邏輯信號(hào)經(jīng)過(guò)延遲先變成低電平，接著經(jīng)過(guò)延遲第二邏輯信號(hào)變?yōu)楦唠娖健?yōu)選地，所述的觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路，包括窄脈沖產(chǎn)生電路和電平轉(zhuǎn)移電路，所述 的窄脈沖產(chǎn)生電路，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行上升沿和下降沿邊沿檢測(cè)，輸出信號(hào)為上升沿和下降 沿的邊沿檢測(cè)的窄脈沖信號(hào)，作為電平轉(zhuǎn)移電路的輸入信號(hào)，所述的電平轉(zhuǎn)移電路，包括第 一高壓NMOS管、第二高壓NMOS管、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一高壓PN結(jié)二極管、第二 高壓PN結(jié)二極管、第一電阻、第一反相器和第二反相器，所述的第一高壓NMOS管的源端接 公共地，柵端連接上升沿的窄脈沖信號(hào)，漏端連接第一高壓PN結(jié)二極管的N端，第一 PMOS 的漏端和柵極，第二高壓NMOS的源端接公共地，柵極連接下降沿的窄脈沖信號(hào)，漏端連接 第二高壓PN結(jié)二極管的N端，第二 PMOS管的漏端，第一電阻的一端和第一反相器的輸入 端，第一電阻的另一端連接第二反相器的輸出端，第一高壓PN結(jié)二極管和第二高壓PN結(jié)二 極管的P端連在一起，連接NMOS開(kāi)關(guān)管的源端，第一 PMOS管和第二 PMOS管的柵端連在一 起，源端連在一起，接到高壓PMOS管的源端，第一反相器的輸出連接第二反相器的輸入，第 一反相器和第二反相器的相對(duì)高電壓端接到高壓PMOS管的源端，第一反相器和第二反相 器的相對(duì)低電壓端連接NMOS開(kāi)關(guān)管的源端，第二反相器的輸出連接第三反相器的輸入，第 三反相器的輸出連接第四反相器的輸入，第四反相器的輸出作為觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路的輸 出信號(hào)。本發(fā)明所采用的技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)是本發(fā)明利用高壓PMOS管及其時(shí)序邏輯控制電路代替二極管，高溫時(shí)正常工作，正 向?qū)▔翰钚?，?dǎo)通電阻小，且沒(méi)有漏電的問(wèn)題，高效可靠安全。以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施和優(yōu)點(diǎn)作進(jìn)一步解釋。為了更清楚的說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面首先對(duì)實(shí)施例或 現(xiàn)有技術(shù)描述中所需使用的附圖作簡(jiǎn)單介紹，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施 例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲 得其他的附圖。


圖1為一種自舉控制電路的組成結(jié)構(gòu)圖；圖2為另一種自舉控制電路的組成結(jié)構(gòu)圖；圖3為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例一的一種自舉控制電路的組成結(jié)構(gòu)圖；圖4為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例二的一種自舉控制電路的組成結(jié)構(gòu)圖5為本發(fā)明一種自舉控制電路的詳細(xì)組成結(jié)構(gòu)圖；圖6為本發(fā)明一種自舉控制電路中時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路的組成結(jié)構(gòu)圖；圖7為本發(fā)明一種自舉 控制電路中高壓PMOS管具體電路圖；圖8為本發(fā)明一種自舉控制電路中自舉驅(qū)動(dòng)電路的組成結(jié)構(gòu)圖；圖9為本發(fā)明一種自舉控制電路中的時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路和高壓PMOS管的時(shí) 序圖；圖10為本發(fā)明一種自舉控制電路中的自舉驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)序圖；圖11為本發(fā)明一種自舉控制電路中的觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路的具體電路圖。
具體實(shí)施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚完整 的描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒?發(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通的技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí) 施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。對(duì)發(fā)明所涉及的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)進(jìn)行說(shuō)明MOS :metal oxide semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體；NMOS N-channe 1 metal oxide semiconductor FET，N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)
效應(yīng)晶體管。PMOS :P-channel metal oxide semiconductor FET, P 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)
效應(yīng)晶體管。為使本發(fā)明的目的，技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)表達(dá)的更加清楚明白，下面結(jié)合附圖及具體 實(shí)施例對(duì)本發(fā)明再做進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。本發(fā)明根據(jù)開(kāi)關(guān)電源高效，可靠和安全的要求，在常用的開(kāi)關(guān)電源中引入一種自 舉控制電路，替代現(xiàn)有的高壓PN結(jié)二極管或者高壓肖特基二極管，利用開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào) 制電路生成的調(diào)制信號(hào)，通過(guò)時(shí)序邏輯控制高壓PMOS管，控制自舉電容驅(qū)動(dòng)NMOS開(kāi)關(guān)管的 導(dǎo)通與關(guān)斷。參照?qǐng)D1和圖2的組成結(jié)構(gòu)圖，對(duì)于同步和非同步下的一種自舉控制電路，利用開(kāi) 關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)，通過(guò)自舉電容控制NMOS開(kāi)關(guān)管麗1的導(dǎo)通與關(guān) 斷。內(nèi)部電壓源VCC接高壓二極管Dl的P端，高壓二極管Dl的N端連接自舉電容CO的一 端BS，自舉電容CO的另一端連接高壓NMOS開(kāi)關(guān)管麗1的源端SW，利用自舉電容CO的BS 端作為驅(qū)動(dòng)NMOS開(kāi)關(guān)管麗2的驅(qū)動(dòng)的高電平，用自舉電容CO的SW端作為驅(qū)動(dòng)NMOS開(kāi)關(guān) 管MNl的驅(qū)動(dòng)的低電平。高壓二極管Dl可采用高壓PN結(jié)二極管或者高壓肖特基二極管， 高壓PN結(jié)二極管Dl正向?qū)▔翰畲螅瑢?dǎo)致?lián)p耗太大。高壓肖特基二極管正向?qū)▔航敌。?但是存在高溫反向漏電的問(wèn)題。參照?qǐng)D3和圖4的組成結(jié)構(gòu)圖，為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例一和優(yōu)選實(shí)施例二，在同步和 非同步下的自舉控制電路組成結(jié)構(gòu)圖。如圖所示，依據(jù)本發(fā)明的一種自舉控制電路，用于開(kāi) 關(guān)電源中自舉電容的時(shí)序邏輯控制，包括時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路110，高壓PMOS管MPl和自 舉驅(qū)動(dòng)電路200?？赏瑫r(shí)參照?qǐng)D3、圖4和圖5，所述的時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路110，利用開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)，產(chǎn)生高壓PMOS管MPl的輸入信號(hào)和自舉驅(qū)動(dòng)電路200的輸入信號(hào)。所述的高壓PMOS管MP1，利用時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路110產(chǎn)生的輸出信號(hào)，控制高 壓PMOS管MPl的導(dǎo)通與關(guān)斷，輸出為高壓PMOS管MPl的源端電壓信號(hào)，作為自舉驅(qū)動(dòng)電路 200的輸入信號(hào)。所述的自舉驅(qū)動(dòng)電路200，利用時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路200的輸出信號(hào)， 利用NMOS開(kāi)關(guān)管麗1的源端信號(hào)和高壓PMOS管MPl的輸出信號(hào)即自舉電容CO的兩端電 壓，控制NMOS開(kāi)關(guān)管麗1的導(dǎo)通與關(guān)斷，使開(kāi)關(guān)電源正常工作。參照?qǐng)D6，進(jìn)一步而言，所述的時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路110，利用開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字 調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)時(shí)，是經(jīng)過(guò)死區(qū)時(shí)間控制電路310產(chǎn)生第一邏輯信號(hào)103和第二 邏輯信號(hào)301，第一邏輯信號(hào)103作為自舉驅(qū)動(dòng)電路200的輸入信號(hào)，第二邏輯信號(hào)301經(jīng) 過(guò)觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路320，得到第三邏輯信號(hào)102，作為高壓PMOS管MPl的輸入信號(hào)。繼續(xù)參照?qǐng)D6，所述的死區(qū)時(shí)間控制電路310所具有的死區(qū)時(shí)間控制作用，是利用 開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)101產(chǎn)生的同相不交迭的第一邏輯信號(hào)103和第 二邏輯信號(hào)301，當(dāng)開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)101是由低電平轉(zhuǎn)換高電平 時(shí)，則第二邏輯信號(hào)301經(jīng)過(guò)延遲先變成高電平，接著經(jīng)過(guò)延遲第一邏輯信號(hào)103變?yōu)楦唠?平，當(dāng)開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)101是由高電平轉(zhuǎn)換低電平時(shí)，則第一邏 輯信號(hào)103經(jīng)過(guò)延遲先變成低電平，接著經(jīng)過(guò)延遲第二邏輯信號(hào)301變?yōu)楦唠娖健Ｔ俅螀⒄請(qǐng)D6，第二邏輯信號(hào)301先經(jīng)過(guò)窄脈沖產(chǎn)生電路321，檢測(cè)出上升沿和下 降沿，輸出301上升沿窄脈沖和301下降沿窄脈沖，經(jīng)過(guò)電平轉(zhuǎn)移電路322，轉(zhuǎn)換成高電壓 為高壓PMOS管MPl源端電壓104，低電壓為NMOS開(kāi)關(guān)管MNl的源端電壓106。高壓PMOS 管MPl的襯底端連接高壓PMOS管MPl的源端，存在寄生漏端襯底端高壓PN結(jié)二極管。當(dāng) NMOS開(kāi)關(guān)管麗1關(guān)斷時(shí)，高壓PMOS管柵端電壓經(jīng)過(guò)一段死區(qū)時(shí)間轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗妷?06，此時(shí) 高壓PMOS管打開(kāi)。當(dāng)高壓PMOS管柵端轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠妷?04，此時(shí)高壓PMOS管關(guān)斷，停止對(duì)自 舉電容CO的充電，經(jīng)過(guò)一段死區(qū)時(shí)間NMOS開(kāi)關(guān)管麗1打開(kāi)。參照?qǐng)D7，所述的高壓PMOS管MPl，內(nèi)部電壓源VCC提供高壓PMOS管MPl的電源， 連接高壓PMOS管MPl的漏端，利用時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路110輸出第三邏輯信號(hào)102至高 壓PMOS管MPl的柵極，高壓PMOS管MPl的襯底端連接高壓PMOS管MPl的源端，高壓PMOS 管MPl的源端104作為高壓PMOS管MPl的輸出端，為自舉驅(qū)動(dòng)電路200輸入信號(hào)。參照?qǐng)D8，所述的自舉驅(qū)動(dòng)電路200，將時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路110的輸出信號(hào) 103，經(jīng)過(guò)觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路520，NMOS開(kāi)關(guān)管麗1的源端106連接自舉電容CO的一端， 高壓PMOS管MPl的輸出信號(hào)104連接自舉電容CO的另一端，NMOS開(kāi)關(guān)管麗1的源端信號(hào) 106作為相對(duì)低電壓，高壓PMOS管的輸出信號(hào)104作為相對(duì)高電壓，控制NMOS開(kāi)關(guān)管麗1 的導(dǎo)通與關(guān)斷，使開(kāi)關(guān)電源正常工作。參照?qǐng)D11，所述的觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路320或520，包括窄脈沖產(chǎn)生電路321或 521和電平轉(zhuǎn)移電路322或522。繼續(xù)參照?qǐng)D11，所述的窄脈沖產(chǎn)生電路321或521，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行上升沿和下降 沿進(jìn)行邊沿檢測(cè)，輸出信號(hào)為上升沿和下降沿的邊沿檢測(cè)的窄脈沖信號(hào)，作為電平轉(zhuǎn)移電 路的輸入信號(hào)。進(jìn)一步參照?qǐng)D11，所述的電平轉(zhuǎn)移電路322或522，包括第一高壓NMOS管MN81、 第二高壓NMOS管MN82、第一 PMOS管MP81、第二 PMOS管MP82、第一高壓PN結(jié)二極管D81、第二高壓PN結(jié)二極管D82、第一電阻R1、第一反相器810和第二反相器820，所述的第一高 壓NMOS管MN81的源端接公共地，柵端連接上升沿的窄脈沖信號(hào)，漏端連接第一高壓PN結(jié) 二極管D81的N端，第一 PMOS管MP81的漏端和柵端，第二高壓NMOS管MN82的源端接公共 地，柵端連接下降沿的窄脈沖信號(hào)，漏端連接第二高壓PN結(jié)二極管D82的N端，第二 PMOS管 MP82的漏端，第一電阻Rl的一端和第一反相器810的輸入端，第一電阻Rl的另一端連接第 二反相器820的輸出端，第一高壓PN結(jié)二極管D81和第二高壓PN結(jié)二極管D82的P端連 在一起，連接NMOS開(kāi)關(guān)管MNl的源端106。第一 PMOS管MP81和第二 PMOS管MP82的柵端 連在一起，第一 PMOS管MP81和第二 PMOS管MP82的源端連在一起，連接到高壓PMOS管的 源端104。第一反相器810的輸出連接第二反相器820的輸入，第一反相器810和第二反 相器820的相對(duì)高電壓端接到高壓PMOS管的源端104，第一反相器810和第二反相器820 的相對(duì)低電壓端連接NMOS開(kāi)關(guān)管MNl的源端106，第二反相器820的輸出連接第三反相器 830的輸入，第三反相器830的輸出連接第四反相器840的輸入，第四反相器840的輸出作 為觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路的輸出信號(hào)。 再次參照?qǐng)D11，所述的電平轉(zhuǎn)移電路322或522中的反相器810，反相器820和電 阻R1，構(gòu)成鎖存電路。當(dāng)上升沿或者下降沿的窄脈沖不觸發(fā)時(shí)，鎖存電路將狀態(tài)鎖存。當(dāng)上 升沿或者下降沿的窄脈沖觸發(fā)時(shí)，鎖存電路的平衡被破壞，由上升沿或者下降沿的窄脈沖 的觸發(fā)決定新的狀態(tài)，最終鎖存新的穩(wěn)態(tài)。下面對(duì)所述的一種自舉控制電路的工作過(guò)程和工作原理進(jìn)行詳細(xì)描述。 參照?qǐng)D6的組成結(jié)構(gòu)圖和圖9的時(shí)序圖，開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成調(diào)制信號(hào) 101，用來(lái)控制開(kāi)關(guān)管的占空比，達(dá)到開(kāi)關(guān)電源最終的穩(wěn)定狀態(tài)。利用開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制 電路生成的調(diào)制信號(hào)101，產(chǎn)生的同相不交迭的第一邏輯信號(hào)103和第二邏輯信號(hào)301，當(dāng) 開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)101是由低電平轉(zhuǎn)換為高電平時(shí)，則第二邏輯信 號(hào)301經(jīng)過(guò)延遲先變成高電平，接著經(jīng)過(guò)延遲第一邏輯信號(hào)103變?yōu)楦唠娖?，?dāng)開(kāi)關(guān)電源中 數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)101是由高電平轉(zhuǎn)換低電平時(shí)，則第一邏輯信號(hào)103經(jīng)過(guò)延 遲先變成低電平，接著經(jīng)過(guò)延遲第二邏輯信號(hào)301變?yōu)楦唠娖健１景l(fā)明采用高壓PMOS管MPl代替?zhèn)鹘y(tǒng)的高壓二極管D1，用時(shí)序邏輯控制高壓 PMOS 二極管MPl打開(kāi)關(guān)斷。高壓PMOS管MPl在自舉電容CO自舉時(shí)，高壓PMOS管MPl關(guān) 斷，同時(shí)寄生二極管反偏。在自舉電容CO不自舉時(shí)，高壓PMOS管MPl打開(kāi)，同時(shí)寄生二極 管正偏，給自舉電容CO充電，使自舉電容CO兩端壓差保持在VCC。參照?qǐng)D9時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路和高壓PMOS管的時(shí)序圖，第二邏輯信號(hào)301先經(jīng) 過(guò)邊沿檢測(cè)，檢測(cè)出上升沿和下降沿，輸出301上升沿窄脈沖和301下降沿窄脈沖，經(jīng)過(guò)觸 發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路，轉(zhuǎn)換成高電壓為高壓PMOS管MPl源端電壓104，低電壓為NMOS開(kāi)關(guān)管 麗1的源端電壓106。高壓PMOS管MPl的襯底端連接高壓PMOS管的源端，存在寄生漏端襯 底端高壓PN結(jié)二極管。當(dāng)NMOS開(kāi)關(guān)管麗1關(guān)斷時(shí)，高壓PMOS管MPl柵端電壓經(jīng)過(guò)一段死 區(qū)時(shí)間轉(zhuǎn)變?yōu)榈碗妷?06，此時(shí)高壓PMOS管MPl打開(kāi)，此時(shí)寄生二極管正偏，給自舉電容CO 充電；當(dāng)高壓PMOS管MPl柵端轉(zhuǎn)變?yōu)楦唠妷?04，此時(shí)高壓PMOS管MPl關(guān)斷，停止對(duì)自舉電 容CO的充電，經(jīng)過(guò)一段死區(qū)時(shí)間NMOS開(kāi)關(guān)管麗1打開(kāi)，自舉電容CO開(kāi)始自舉時(shí)，寄生二極 管反偏，自舉電容CO不會(huì)通過(guò)高壓PMOS管漏電。做死區(qū)時(shí)間的目的是為了在自舉電容CO 在開(kāi)始自舉之前一段死區(qū)時(shí)間高壓PMOS管MPl關(guān)斷，防止在自舉的時(shí)候，高壓PMOS管MPl沒(méi)有關(guān)斷，導(dǎo)致自舉不能自舉。同樣，當(dāng)自舉電容CO降下來(lái)的時(shí)候，經(jīng)過(guò)一段死區(qū)時(shí)間，高 壓PMOS管MPl才打開(kāi)，防止在自舉電容CO降下來(lái)的時(shí)候，高壓PMOS管MPl提前打開(kāi)，自舉 電容CO的高電壓通過(guò)未關(guān)斷的高壓PMOS管MPl傳到內(nèi)部VCC電壓源端，燒毀器件。做死 區(qū)時(shí)間的目的是為了使自舉電容CO不會(huì)通過(guò)高壓PMOS管MPl和寄生高壓二極管漏電，一 定的時(shí)間余度，提高了自舉電路的可靠性。參照?qǐng)D8自舉驅(qū)動(dòng)電路的組成結(jié)構(gòu)圖和圖10的時(shí)序圖，第一邏輯信號(hào)103經(jīng)過(guò)觸 發(fā)式電平轉(zhuǎn)移信號(hào)，轉(zhuǎn)換成高電壓為高壓PMOS管MPl源端電壓104，低電壓為NMOS開(kāi)關(guān)管 麗1的源端電壓106。高壓PMOS管MPl源端電壓104和匪OS開(kāi)關(guān)管麗1源端電壓106分 別為自舉電容CO的兩端電壓，兩端壓差始終維持VCC左右的壓差。經(jīng)過(guò)觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移 之 后，當(dāng)邏輯信號(hào)由低電平106轉(zhuǎn)變成高電平104時(shí)開(kāi)始打開(kāi)NMOS開(kāi)關(guān)管麗1，打開(kāi)NMOS開(kāi) 關(guān)管麗1的同時(shí)，NMOS開(kāi)關(guān)管麗1源端電壓106會(huì)上升，由于自舉電容CO兩端電壓不能突 變，自舉電容CO另一端電壓104也會(huì)上升，提供足夠高的電平以打開(kāi)NMOS開(kāi)關(guān)管麗1，最終 NMOS開(kāi)關(guān)管麗1源端電壓106會(huì)上升到電源電壓，104會(huì)上升到比電源電壓高VCC的電壓， 使NMOS開(kāi)關(guān)管麗1工作在深線(xiàn)性區(qū)。當(dāng)邏輯信號(hào)由高電平104轉(zhuǎn)變成低電平106時(shí)開(kāi)始 關(guān)斷NMOS開(kāi)關(guān)管麗1，關(guān)斷NMOS開(kāi)關(guān)管麗1的同時(shí)，NMOS源端電壓106會(huì)下降，由于自舉 電容CO兩端電壓不能突變，自舉電容CO另一端電壓104也會(huì)下降，最終NMOS源端電壓會(huì) 下降到低電平，104始終和106保持VCC的電壓差，最終關(guān)閉NMOS開(kāi)關(guān)管麗1。即在自舉電 容CO自舉的同時(shí)邏輯信號(hào)打開(kāi)NMOS開(kāi)關(guān)管麗1，在自舉電容CO兩端電壓降下來(lái)的同時(shí)關(guān) 斷NMOS開(kāi)關(guān)管Mm。本發(fā)明的時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路中已經(jīng)包含死區(qū)時(shí)間電路，由開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào) 制電路生成的調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生兩個(gè)不交迭的同相信號(hào)，一個(gè)用于NMOS開(kāi)關(guān)管麗1的驅(qū)動(dòng)，另 一個(gè)在有匪OS同步管麗2時(shí)，經(jīng)過(guò)一個(gè)反相器再去驅(qū)動(dòng)匪OS同步管麗2，使匪OS開(kāi)關(guān)管 麗1和NMOS同步管麗2的驅(qū)動(dòng)信號(hào)為反相不交迭信號(hào)，使NMOS開(kāi)關(guān)管MNl和NMOS同步管 麗2不同時(shí)導(dǎo)通，同時(shí)存在死區(qū)時(shí)間，防止從電源引腳VDD到地的電流。本發(fā)明利用高壓PMOS管MPl及時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)代替高壓PN結(jié)二極管或者肖特基二 極管D1，導(dǎo)通電阻小，且沒(méi)有漏電的問(wèn)題，高效可靠安全?；谝陨显颍景l(fā)明的自舉控制電路應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源無(wú)疑是最理想的選擇。當(dāng) 然也不限于此領(lǐng)域的應(yīng)用，在具體相同的應(yīng)用條件下，本發(fā)明的自舉控制電路都可以適用。本發(fā)明還公開(kāi)了一種開(kāi)關(guān)電源，所述的開(kāi)關(guān)電源也包括以上各實(shí)施例所描述的自 舉控制電路，為了篇幅考慮，在此不在螯述，參照前面相關(guān)部分的描述即可。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神 和原則之內(nèi)，所作的的任何修改，等同替換，改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
一種自舉控制電路，用于開(kāi)關(guān)電源中自舉電容的時(shí)序邏輯控制，其特征在于所述的自舉控制電路包括時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路，高壓PMOS管和自舉驅(qū)動(dòng)電路；所述的時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路，利用開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)，產(chǎn)生高壓PMOS管的輸入信號(hào)和自舉驅(qū)動(dòng)電路的輸入信號(hào)；所述的高壓PMOS管，利用時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路產(chǎn)生的輸出信號(hào)，控制高壓PMOS管的導(dǎo)通與關(guān)斷，輸出為高壓PMOS管的源端電壓信號(hào)，作為自舉驅(qū)動(dòng)電路的輸入信號(hào)；所述的自舉驅(qū)動(dòng)電路，利用時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路的輸出信號(hào)，利用NMOS開(kāi)關(guān)管的源端信號(hào)和高壓PMOS管的輸出信號(hào)即自舉電容的兩端電壓，控制NMOS開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷，使開(kāi)關(guān)電源正常工作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自舉控制電路，其特征在于所述的時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路，利用開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)，經(jīng)過(guò) 死區(qū)時(shí)間控制產(chǎn)生第一邏輯信號(hào)和第二邏輯信號(hào)，第一邏輯信號(hào)作為自舉驅(qū)動(dòng)電路的輸入 信號(hào)，第二邏輯信號(hào)經(jīng)過(guò)觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路，得到第三邏輯信號(hào)，作為高壓PMOS管的輸 入信號(hào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自舉控制電路，其特征在于所述的高壓PMOS管，內(nèi)部電壓源提供高壓PMOS管的電源，連接高壓PMOS管的漏端，利 用時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路輸出信號(hào)，連接高壓PMOS管的柵極，高壓PMOS管的襯底端連接高 壓PMOS管的源端，高壓PMOS管的源端作為高壓PMOS管的輸出端，作為自舉驅(qū)動(dòng)電路的輸 入信號(hào)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種自舉控制電路，其特征在于所述的自舉驅(qū)動(dòng)電路，將時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路的輸出信號(hào)，經(jīng)過(guò)觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電 路，NMOS開(kāi)關(guān)管的源端連接自舉電容的一端，高壓PMOS管的輸出信號(hào)連接自舉電容的另一 端，NMOS開(kāi)關(guān)管的源端信號(hào)作為相對(duì)低電壓，高壓PMOS管的輸出信號(hào)作為相對(duì)高電壓，控 制NMOS開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷，使開(kāi)關(guān)電源正常工作。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種自舉控制電路，其特征在于所述的死區(qū)時(shí)間控制是利用開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生的同相不 交迭的第一邏輯信號(hào)和第二邏輯信號(hào)，當(dāng)開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)是由低 電平轉(zhuǎn)換高電平時(shí)，則第二邏輯信號(hào)經(jīng)過(guò)延遲先變成高電平，接著經(jīng)過(guò)延遲第一邏輯信號(hào) 變?yōu)楦唠娖剑?dāng)開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)是由高電平轉(zhuǎn)換低電平時(shí)，則第 一邏輯信號(hào)經(jīng)過(guò)延遲先變成低電平，接著經(jīng)過(guò)延遲第二邏輯信號(hào)變?yōu)楦唠娖健?br> 6.根據(jù)權(quán)利要求2或4所述的一種自舉控制電路，其特征在于所述的觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路，包括窄脈沖產(chǎn)生電路和電平轉(zhuǎn)移電路，所述的窄脈沖產(chǎn) 生電路，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行上升沿和下降沿進(jìn)行邊沿檢測(cè)，輸出信號(hào)為上升沿和下降沿的邊 沿檢測(cè)的窄脈沖信號(hào)，作為電平轉(zhuǎn)移電路的輸入信號(hào)，所述的電平轉(zhuǎn)移電路，包括第一高壓 NMOS管、第二高壓NMOS管、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一高壓PN結(jié)二極管、第二高壓PN 結(jié)二極管、第一電阻、第一反相器，第二反相器，第三反相器和第四反相器，所述的第一高壓 NMOS管的源端接公共地，柵端連接上升沿的窄脈沖信號(hào)，漏端連接第一高壓PN結(jié)二極管的 N端，第一 PMOS的漏端和柵極，第二高壓NMOS的源端接公共地，柵極連接下降沿的窄脈沖信 號(hào)，漏端連接第二高壓PN結(jié)二極管的N端，第二 PMOS管的漏端，第一電阻的一端和第一反相器的輸入端，第一電阻的另一端連接第二反相器的輸出端，第一高壓PN結(jié)二極管和第二 高壓PN結(jié)二極管的P端連在一起，連接NMOS開(kāi)關(guān)管的源端，第一 PMOS管和第二 PMOS管的 柵端連在一起，源端連在一起，接到高壓PMOS管的源端，第一反相器的輸出連接第二反相 器的輸入，第一反相器和第二反相器的相對(duì)高電壓端接到高壓PMOS管的源端，第一反相器 和第二反相器的相對(duì)低電壓端連接NMOS開(kāi)關(guān)管的源端，第二反相器的輸出連接第三反相 器的輸入，第三反相器的輸出連接第四反相器的輸入，第四反相器的輸出作為觸發(fā)式電平 轉(zhuǎn)移電路的輸出信號(hào)。
7.一種開(kāi)關(guān)電源，其特征在于，所述的開(kāi)關(guān)電源包括自舉控制電路，用于開(kāi)關(guān)電源控制 器的自舉電容時(shí)序邏輯控制，所述的自舉控制電路包括時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路，高壓PMOS 管和自舉驅(qū)動(dòng)電路；所述的時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路，利用開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)，經(jīng)過(guò) 時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路，產(chǎn)生高壓PMOS管的輸入信號(hào)和自舉驅(qū)動(dòng)電路的輸入信號(hào)。所述的高壓PMOS管，利用時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路產(chǎn)生的輸出信號(hào)，控制高壓PMOS管的 導(dǎo)通與關(guān)斷，輸出為高壓PMOS管的源端電壓信號(hào)，作為自舉驅(qū)動(dòng)電路的輸入信號(hào)。所述的自舉驅(qū)動(dòng)電路，利用時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路的輸出信號(hào)，NMOS開(kāi)關(guān)管的源端信 號(hào)和高壓PMOS管的輸出信號(hào)，控制NMOS開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷，使開(kāi)關(guān)電源正常工作。
8.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種自舉控制電路，其特征在于所述的時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路，利用開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)，經(jīng)過(guò) 死區(qū)時(shí)間控制產(chǎn)生第一邏輯信號(hào)和第二邏輯信號(hào)，第一邏輯信號(hào)作為自舉驅(qū)動(dòng)電路的輸入 信號(hào)，第二邏輯信號(hào)經(jīng)過(guò)觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路，得到第三邏輯信號(hào)，作為高壓PMOS管的輸 入信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種自舉控制電路，其特征在于所述的高壓PMOS管，內(nèi)部電壓源提供高壓PMOS管的電源，連接高壓PMOS管的漏端，利 用時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路輸出信號(hào)，連接高壓PMOS管的柵極，高壓PMOS管的襯底端連接高 壓PMOS管的源端，高壓PMOS管的源端作為高壓PMOS管的輸出端，作為自舉驅(qū)動(dòng)電路的輸 入信號(hào)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種自舉控制電路，其特征在于所述的自舉驅(qū)動(dòng)電路，將時(shí)序邏輯驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電路的輸出信號(hào)，經(jīng)過(guò)觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電 路，NMOS開(kāi)關(guān)管的源端連接電容的一端，高壓PMOS管的輸出信號(hào)連接電容的另一端，NMOS 開(kāi)關(guān)管的源端信號(hào)作為相對(duì)低電壓，高壓PMOS管的輸出信號(hào)作為相對(duì)高電壓，控制NMOS開(kāi) 關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷，使開(kāi)關(guān)電源正常工作。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述一種自舉控制電路，其特征在于所述的死區(qū)時(shí)間控制是利用開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生的同相不 交迭的第一邏輯信號(hào)和第二邏輯信號(hào)，當(dāng)開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)是由低 電平轉(zhuǎn)換高電平時(shí)，則第二邏輯信號(hào)經(jīng)過(guò)延遲先變成高電平，接著經(jīng)過(guò)延遲第一邏輯信號(hào) 變?yōu)楦唠娖?，?dāng)開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)是由高電平轉(zhuǎn)換低電平時(shí)，則第 一邏輯信號(hào)經(jīng)過(guò)延遲先變成低電平，接著經(jīng)過(guò)延遲第二邏輯信號(hào)變?yōu)楦唠娖健?br> 12.根據(jù)權(quán)利要求9或11所述一種自舉控制電路，其特征在于所述的觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路，包括窄脈沖產(chǎn)生電路和電平轉(zhuǎn)移電路，所述的窄脈沖產(chǎn)生電路，對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行上升沿和下降沿邊沿檢測(cè)，輸出信號(hào)為上升沿和下降沿的邊沿檢 測(cè)的窄脈沖信號(hào)，作為電平轉(zhuǎn)移電路的輸入信號(hào)，所述的電平轉(zhuǎn)移電路，包括第一高壓NMOS 管、第二高壓NMOS管、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一高壓PN結(jié)二極管、第二高壓PN結(jié)二 極管、第一電阻、第一反相器和第二反相器，所述的第一高壓NMOS管的源端接公共地，柵端 連接上升沿的窄脈沖信號(hào)，漏端連接第一高壓PN結(jié)二極管的N端，第一 PMOS的漏端和柵 極，第二高壓NMOS的源端接公共地，柵極連接下降沿的窄脈沖信號(hào)，漏端連接第二高壓PN 結(jié)二極管的N端，第二PMOS管的漏端，第一電阻的一端和第一反相器的輸入端，第一電阻的 另一端連接第二反相器的輸出端，第一高壓PN結(jié)二極管和第二高壓PN結(jié)二極管的P端連 在一起，連接NMOS開(kāi)關(guān)管的源端，第一 PMOS管和第二 PMOS管的柵端連在一起，源端連在一 起，接到高壓PMOS管的源端，第一反相器的輸出連接第二反相器的輸入，第一反相器和第 二反相器的相對(duì)高電壓 端接到高壓PMOS管的源端，第一反相器和第二反相器的相對(duì)低電 壓端連接NMOS開(kāi)關(guān)管的源端，第二反相器的輸出連接第三反相器的輸入，第三反相器的輸 出連接第四反相器的輸入，第四反相器的輸出作為觸發(fā)式電平轉(zhuǎn)移電路的輸出信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種自舉控制電路及包含此自舉控制電路的開(kāi)關(guān)電源。本發(fā)明為解決現(xiàn)有高壓PN結(jié)二極管的損耗問(wèn)題，以及高壓肖特基二極管高溫漏電的問(wèn)題，利用高壓PMOS管及其時(shí)序邏輯控制電路代替高壓PN結(jié)二極管或者高壓肖特基二極管，提供一種自舉電容的時(shí)序邏輯控制電路。利用開(kāi)關(guān)電源中數(shù)字調(diào)制電路生成的調(diào)制信號(hào)，通過(guò)時(shí)序邏輯控制高壓PMOS管，控制自舉電容驅(qū)動(dòng)NMOS開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通與關(guān)斷，提高開(kāi)關(guān)電源的效率，可靠性和安全性。
文檔編號(hào)H03K19/0185GK101944904SQ201010229050
公開(kāi)日2011年1月12日 申請(qǐng)日期2010年7月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月16日
發(fā)明者代國(guó)定, 方展忠, 楊令, 胡波, 黃鵬 申請(qǐng)人:昌芯(西安)集成電路科技有限責(zé)任公司;深圳市泰德工業(yè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)有限公司