一種低成本自舉升壓電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種升壓電路，具體是一種低成本自舉升壓電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著汽車普及和太陽能電池技術(shù)的發(fā)展，要求用電池供電的便攜式設(shè)備越來越多，市場需要大量的低壓直流-直流電源變換器，在有些應(yīng)用中需要使用比輸入電壓更高的電壓，因此需要使用自舉升壓電路。
[0003]自舉升壓電路就是，在輸入端IN輸入一個(gè)方波信號(hào)，利用電容將電源電壓抬升至高于電源的電平，這樣就可以在輸出端輸出一個(gè)與輸入信號(hào)反相，且高電平高于電源的方波信號(hào)。目前市場上現(xiàn)有的自居升壓電路大多結(jié)構(gòu)復(fù)雜，使用電源芯片控制，成本較高，體積較大。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、使用方便的低成本自舉升壓電路，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問題。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0006]一種低成本自舉升壓電路，包括MOS管Q1、M0S管Q2、M0S管Q3和電容Cl，所述MOS管Ql的源極連接MOS管Q3的源極和電源VCC，M0S管Ql的柵極連接輸入端IN、M0S管Q2的柵極、MOS管Q4的柵極、MOS管Q5的柵極、MOS管Q6的柵極和MOS管Q7的柵極，MOS管Ql的漏極連接電容Cl和MOS管Q2的漏極，電容Cl的另一端連接MOS管Q3的源極、MOS管Q4的源極和MOS管Q6的源極，MOS管Q3的柵極連接MOS管Q4的漏極和MOS管Q5的漏極，MOS管Q5的源極接地，MOS管Q7的源極接地，MOS管Q6的漏極連接MOS管Q7的漏極和輸出端OUT。
[0007]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案:所述MOS管Ql、M0S管Q3、M0S管Q4和MOS管Q6均為PMOS管。
[0008]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案:所述MOS管Q2、M0S管Q5和MOS管Q7均為NMOS管。
[0009]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型低成本自舉升壓電路結(jié)構(gòu)簡單、元器件使用量少，僅使用多個(gè)NMOS管和PMOS管組成，結(jié)合電容實(shí)現(xiàn)了提高輸出電壓的目的，因此具有體積小、成本低和性能穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0010]圖1為低成本自舉升壓電路的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0012]請參閱圖1，一種低成本自舉升壓電路，包括MOS管QUMOS管Q2、M0S管Q3和電容Cl，所述MOS管Ql的源極連接MOS管Q3的源極和電源VCC，M0S管Ql的柵極連接輸入端IN、M0S管Q2的柵極、MOS管Q4的柵極、MOS管Q5的柵極、MOS管Q6的柵極和MOS管Q7的柵極，MOS管Ql的漏極連接電容Cl和MOS管Q2的漏極，電容Cl的另一端連接MOS管Q3的源極、MOS管Q4的源極和MOS管Q6的源極，MOS管Q3的柵極連接MOS管Q4的漏極和MOS管Q5的漏極，MOS管Q5的源極接地，MOS管Q7的源極接地，MOS管Q6的漏極連接MOS管Q7的漏極和輸出端OUT。
[0013]MOS 管 Ql、M0S 管 Q3、M0S 管 Q4 和 MOS 管 Q6 均為 PMOS 管 J0S 管 Q2、M0S 管 Q5 和 MOS 管 Q7 均為NMOS管。
[0014]本實(shí)用新型的工作原理是:當(dāng)輸入信號(hào)IN為高電平時(shí)，NMOS管Q2導(dǎo)通，PMOS管Ql截止，電路中的C點(diǎn)電位為低電平。同時(shí)Q5導(dǎo)通，Q3的柵極電位為低電平，則Q3導(dǎo)通。這就使得此時(shí)A點(diǎn)電位約為VCC，電容Cl兩端電壓約為VCC。由于Q7導(dǎo)通，Q6截止，所以B點(diǎn)的電位為低電平。這段時(shí)間為預(yù)充電周期。當(dāng)VIN變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，NMOS管Q2截止，PMOS管Ql導(dǎo)通，C點(diǎn)電位為高電平，約為VDD。同時(shí)Q5、Q7截止，Q4導(dǎo)通。這使得Q3的柵極電位升高，Q3截止。此時(shí)電路中的A點(diǎn)電位等于C點(diǎn)電位加上電容Cl兩端電壓，約為2VCC。而且Q6導(dǎo)通，因此B點(diǎn)輸出高電平，且高于VCC。這段時(shí)間為自舉升壓周期。電路結(jié)構(gòu)簡單、元器件使用量少，僅使用多個(gè)NMOS管和PMOS管組成，結(jié)合電容實(shí)現(xiàn)了提高輸出電壓的目的，因此具有體積小、成本低和性能穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低成本自舉升壓電路，包括MOS管Ql、M0S管Q2、M0S管Q3和電容Cl，其特征在于，所述MOS管Ql的源極連接MOS管Q3的源極和電源VCC，M0S管Ql的柵極連接輸入端IN、M0S管Q2的柵極、MOS管Q4的柵極、MOS管Q5的柵極、MOS管Q6的柵極和MOS管Q7的柵極，MOS管Ql的漏極連接電容Cl和MOS管Q2的漏極，電容Cl的另一端連接MOS管Q3的源極、MOS管Q4的源極和MOS管Q6的源極，MOS管Q3的柵極連接MOS管Q4的漏極和MOS管Q5的漏極，MOS管Q5的源極接地，MOS管Q7的源極接地，MOS管Q6的漏極連接MOS管Q7的漏極和輸出端OUT。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低成本自舉升壓電路，其特征在于，所述MOS管Q1、M0S管Q3、M0S管Q4和MOS管Q6均為PMOS管。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低成本自舉升壓電路，其特征在于，所述MOS管Q2、M0S管Q5和MOS管Q7均為NMOS管。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種低成本自舉升壓電路，包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和電容C1，所述MOS管Q1的源極連接MOS管Q3的源極和電源VCC，MOS管Q1的柵極連接輸入端IN、MOS管Q2的柵極、MOS管Q4的柵極、MOS管Q5的柵極、MOS管Q6的柵極和MOS管Q7的柵極，MOS管Q1的漏極連接電容C1和MOS管Q2的漏極，電容C1的另一端連接MOS管Q3的源極、MOS管Q4的源極和MOS管Q6的源極。本實(shí)用新型低成本自舉升壓電路結(jié)構(gòu)簡單、元器件使用量少，僅使用多個(gè)NMOS管和PMOS管組成，結(jié)合電容實(shí)現(xiàn)了提高輸出電壓的目的，因此具有體積小、成本低和性能穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】H02M1/08, H02M9/04
【公開號(hào)】CN205265557
【申請?zhí)枴緾N201521087825
【發(fā)明人】林漢盛
【申請人】深圳市茂隆者科技有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2015年12月25日