專(zhuān)利名稱：升壓運(yùn)算放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種放大器，并且更具體地，涉及一種升壓運(yùn)算放大器(boost operational amplifier)。
背景技術(shù)：
通常，升壓運(yùn)算放大器被頻繁地用于驅(qū)動(dòng)大尺寸電阻性或者電容性負(fù)載。圖1是一種根據(jù)相關(guān)技術(shù)的升壓運(yùn)算放大器的構(gòu)造圖，并且圖2是圖1中所示的 升壓運(yùn)算放大器的死區(qū)(靜區(qū)或不靈敏區(qū)，deadzone)的圖示。參照?qǐng)D1和圖2，為了減小即時(shí)負(fù)載切換(瞬間加載切換，instantload switching)的紋波，將穩(wěn)定用電容器(InF IOOuF)連接到要使用的升壓運(yùn)算放大器的輸 出節(jié)點(diǎn)N。這種升壓運(yùn)算放大器的特征在于具有大尺寸的輸出晶體管以使用簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)來(lái) 驅(qū)動(dòng)足夠的輸出電流。由于輸出晶體管的尺寸相當(dāng)大，因此死區(qū)(如圖2中所示)在至少 一側(cè)提供以降低待機(jī)電流(靜態(tài)電流，standby current)。當(dāng)升壓運(yùn)算放大器的輸出形成死區(qū)時(shí)，升壓運(yùn)算放大器通常在升壓運(yùn)算放大器的 上拉或者下拉過(guò)程中被驅(qū)動(dòng)，但是在死區(qū)間隔中不被驅(qū)動(dòng)。因此，在重負(fù)載狀態(tài)下可以維持 穩(wěn)定，并且也可以降低電流消耗。然而，由于向運(yùn)算放大器提供兩次輸入，所以兩次輸入相互生成的偏置發(fā)生改變。 因此，死區(qū)的特性可能不會(huì)精確地顯現(xiàn)在受控區(qū)域中。圖3A是由于偏置差異導(dǎo)致的死區(qū)擴(kuò)展的坐標(biāo)圖，并且圖3B是由于偏置差異導(dǎo)致 的負(fù)死區(qū)的坐標(biāo)圖。參照?qǐng)D3A，如果第一運(yùn)算放大器Al具有正偏置而第二運(yùn)算放大器A2 具有負(fù)偏置，則可能增大DC電平和死區(qū)。參照?qǐng)D3B，如果第一運(yùn)算放大器Al具有負(fù)偏置并且第二運(yùn)算放大器A2具有正偏 置，則用于輸出驅(qū)動(dòng)的兩個(gè)晶體管Ml和M2同時(shí)接通。因此，可能產(chǎn)生短路電流。在執(zhí)行這些操作中，如果第一和第二運(yùn)算放大器Al和A2的偏置被隨意改變，則死 區(qū)的尺寸和位置可以有變化。因此，需要補(bǔ)償這些變化。如果死區(qū)的尺寸變得相當(dāng)小或消失，則當(dāng)負(fù)載被切換時(shí)可以產(chǎn)生大的紋波。這就 意味著外部連接的電容器(未在圖示中示出)被重復(fù)充電和放電，從而增大了電流消耗。此 外，如果死區(qū)的尺寸增大，則有效偏置的尺寸增大，從而降低了運(yùn)算放大器的性能。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種升壓運(yùn)算放大器，其基本上消除了由于相關(guān)技術(shù)的局限和 缺點(diǎn)產(chǎn)生的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種升壓運(yùn)算放大器，通過(guò)該升壓運(yùn)算放大器可以減少 死區(qū)的偏置和改變。本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)、目的和特征一部分將在下文中闡述，一部分對(duì)于本領(lǐng)域的普 通技術(shù)人員而言通過(guò)下文的分析理解將變得顯而易見(jiàn)或者可以從本發(fā)明的實(shí)踐中獲得。通 過(guò)所撰寫(xiě)的說(shuō)明書(shū)及其權(quán)利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)和達(dá)到本發(fā)明的這 些目的和其他優(yōu)點(diǎn)。為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點(diǎn)以及根據(jù)本發(fā)明的目的，如在本文中具體體現(xiàn)和廣 泛描述的，根據(jù)本發(fā)明的升壓運(yùn)算放大器包括差分放大單元，放大并輸出所輸入的差分電 壓；第一鏡像處理單元(mirroring unit)，鏡像處理流過(guò)該差分放大單元的第一輸出端的 電流，該第一鏡像處理單元輸出鏡像處理后的第一鏡像電流；第二鏡像處理單元，鏡像處 理流過(guò)該差分放大單元的第二輸出端的電流，該第二鏡像處理單元輸出鏡像處理后的第二 鏡像電流；上拉晶體管(pull-up transistor)，連接在第一電源(power source)和輸出 節(jié)點(diǎn)之間，該上拉晶體管基于第一和第二鏡像電流進(jìn)行切換；以及下拉晶體管(pull-down transistor)，連接在第二電源和輸出節(jié)點(diǎn)之間，該上拉晶體管基于第一和第二鏡像電流進(jìn) 行切換。優(yōu)選地，升壓運(yùn)算放大器進(jìn)一步包括電流源(current source)，連接在輸出節(jié)點(diǎn) 和第二電源之間。優(yōu)選地，該升壓運(yùn)算放大器進(jìn)一步包括電阻器和電容器，串聯(lián)在上拉晶 體管的柵極和輸出節(jié)點(diǎn)之間。優(yōu)選地，第一鏡像處理單元包括第一電流鏡(電流反射鏡，current mirror)，連 接在第一電源和第一輸出端之間以及在第一電源和上拉晶體管的柵極之間，用于鏡像處理 在第一電源和第一輸出端之間流動(dòng)的電流，第一電流鏡向上拉晶體管的柵極提供鏡像處理 后的電流；以及第二電流鏡，連接在第一電源和第一輸出端之間以及在第一電源和下拉晶 體管的柵極之間，用于鏡像處理在第一電源和第一輸出端之間流動(dòng)的電流，第二電流鏡向 下拉晶體管的柵極提供鏡像處理后的電流。優(yōu)選地，第二鏡像處理單元包括第三電流鏡，連接在第一電源和第二輸出端之間 以及在第二電源和上拉晶體管的柵極之間，用于鏡像處理在第一電源和第二輸出端之間流 動(dòng)的電流，第三電流鏡向上拉晶體管的柵極提供鏡像處理后的電流；以及第四電流鏡，連接 在第一電源和第二輸出端之間以及在第二電源和下拉晶體管的柵極之間，用于鏡像處理在 第一電源和第二輸出端之間流動(dòng)的電流，第四電流鏡向下拉晶體管的柵極提供鏡像處理后 的電流。因此，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的升壓運(yùn)算放大器減小了死區(qū)的偏移，降低了短 路電流并且能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)。應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明的上述一般描述和以下的具體描述都是示例性的和說(shuō)明性 的，并且旨在提供對(duì)所要求保護(hù)的本發(fā)明的進(jìn)一步解釋。


附圖(其被包括用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解以及被整合到本申請(qǐng)中并構(gòu)成 本申請(qǐng)的一部分)、本發(fā)明的示例性實(shí)施例與說(shuō)明書(shū)一起闡述了本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的升壓運(yùn)算放大器的構(gòu)造圖2是圖1中所示的升壓運(yùn)算放大器的死區(qū)的圖示；圖3A是由于偏置差異導(dǎo)致的死區(qū)的擴(kuò)展的坐標(biāo)圖；圖3B是由于偏置差異導(dǎo)致的負(fù)死區(qū)的擴(kuò)展的坐標(biāo)圖；以及圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的升壓運(yùn)算放大器的構(gòu)造圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，在附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)例。在所有可 能的地方，在整個(gè)附圖中使用相同的標(biāo)號(hào)表示相同或相似的部件。圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的升壓運(yùn)算放大器400的結(jié)構(gòu)圖。參照?qǐng)D4，升壓運(yùn)算放大器400包括差分放大單元410 ；第一鏡像處理單元M3、M9 和M7 ；第二鏡像處理單元M4、M5、M6、MlO和M8 ；上拉晶體管Mll ；下拉晶體管M12 ；電容器 Cl、電阻器Rl以及第一電流源ISl。差分放大單元410放大并輸出所輸入的差分電壓V+和V-。差分放大單元410包 括一對(duì)差分輸入晶體管Ml和M2，以及第二電流源IS2。在這種情況下，差分電壓表示第一 電壓V-與第二電壓V+之差。一對(duì)差分輸入晶體管Ml和M2包括第一差分輸入晶體管M1，具有向其輸入的第 一電壓V-;以及第二差分輸入晶體管M2，具有向其輸入的第二電壓V+。第二電流源IS2連接在差分輸入晶體管Ml和M2的每個(gè)總數(shù)(tale)T與第二電源 VSS之間。第一鏡像處理單元M3、M9和M7鏡像處理在差分放大單元410的第一輸出端中流 動(dòng)的電流，然后將該鏡像處理后的電流分別提供給第一節(jié)點(diǎn)W和第二節(jié)點(diǎn)N2。第二鏡像處 理單元鏡像處理在差分放大單元410的第二輸出端中流動(dòng)的電流，然后將該鏡像處理后的 電流分別提供給第一節(jié)點(diǎn)W和第二節(jié)點(diǎn)N2。在這種情況下，第一輸出端是Ml的漏極而第 二輸出端可以是M2的漏極。流過(guò)第一輸出端的電流可以是在M3的源極和漏極之間流動(dòng)的 電流，并且流過(guò)第二輸出端的電流可以是在M4的源極和漏極之間流動(dòng)的電流。第一鏡像處理單元M3、M7和M9包括第一電流鏡M3和M7以及第二電流鏡M3和 M9。例如，第一鏡像處理單元M3、M7和M9包括第一晶體管M3、第二晶體管M7和第三 晶體管M9。第一晶體管M3連接在第一電源VDD與第一輸出端之間，并且其柵極和漏極相互 連接。第二晶體管M7連接在第一電源VDD與第一節(jié)點(diǎn)m之間，并且具有連接到第一晶體 管M3的柵極的柵極。第三晶體管M9連接在第一電源VDD與第二節(jié)點(diǎn)N2之間，并且具有連 接到第一晶體管M3的柵極的柵極。第二鏡像處理單元M4、M5、M6、MlO和M8初始鏡像處理從差分放大單元410的第 二輸出端流向第三節(jié)點(diǎn)N3的電流，然后另外鏡像處理該初始鏡像處理后的電流以提供給 第二節(jié)點(diǎn)N2和第一節(jié)點(diǎn)m的每一個(gè)。例如，第二鏡像處理單元M4、M5、M6、MlO和M8包括第四晶體管M4、第五晶體管 M5、第六晶體管M6、第七晶體管MlO和第八晶體管M8。第四晶體管M4連接在第一電源VDD和第二輸出端之間，并且其柵極和漏極相互連 接。第五晶體管M5連接在第一電源VDD與第三節(jié)點(diǎn)N3之間，并且具有連接到第四晶體管
6M4的柵極的柵極。第六晶體管M6連接在第三節(jié)點(diǎn)N3與第二電源VSS之間，并且其柵極和 漏極相連。第七晶體管MlO連接在第二節(jié)點(diǎn)N2與第二電源VSS之間，并且具有連接到第六 晶體管M6的柵極的柵極。以及，第八晶體管M8連接在第一節(jié)點(diǎn)m與第二電源VSS之間， 并且具有連接到第六晶體管M6的柵極的柵極。上拉晶體管Mll連接在第一電源VDD與輸出節(jié)點(diǎn)Nqut之間，并且具有連接到第一 節(jié)點(diǎn)m的柵極。具體地，上拉晶體管Mii基于在第一節(jié)點(diǎn)m的電壓執(zhí)行切換。下拉晶體管M12連接在第二電源VSS與輸出節(jié)點(diǎn)Nott之間，并且具有連接到第二 節(jié)點(diǎn)N2的柵極。具體地，下拉晶體管M12基于第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓執(zhí)行切換。第一電流源ISl連接在輸出節(jié)點(diǎn)Nott與第二電源VSS之間。電容器Cl和電阻器 Rl串聯(lián)在第一節(jié)點(diǎn)m與輸出節(jié)點(diǎn)Nqut之間。第一至第五晶體管M3至M5、M7和M9的每一個(gè)是PMOS晶體管，而第六至第八晶體 管M6、MlO和M8可以是NMOS晶體管。在這種情況下，第一節(jié)點(diǎn)m是第二晶體管M7的漏 極、第八晶體管M8的漏極和上拉晶體管Mll的柵極相互連接的接入點(diǎn)。第二節(jié)點(diǎn)N2是第 三晶體管M9的漏極和第七晶體管MlO的漏極連接的接入點(diǎn)。以及，第三節(jié)點(diǎn)N3是第五晶 體管M5的漏極以及第六晶體管M6的漏極和柵極連接的接入點(diǎn)。上拉晶體管Mll可以包括PMOS晶體管，并且下拉晶體管M12可以包括NMOS晶體管。以下將解釋圖4中所示的升壓運(yùn)算放大器400的操作。首先，包含在升壓運(yùn)算放大器400中的的晶體管的W/L比示出如下。(ff/L)M3/ (ff/L)M7 = (ff/L)M4/ (W/L)M5，(W/L)M6 = (W/L)M8，其中 W 禾P L 分別表示晶體 管的寬度和長(zhǎng)度。如果DC電壓施加到升壓運(yùn)算放大器400的輸入差分放大單元410，則通過(guò)上拉驅(qū) 動(dòng)控制單元420、上拉輸出晶體管Mll和第一電流源ISl產(chǎn)生具有與輸入電壓相同DC電平 的輸出電壓OUT。根據(jù)“(W/L)M3/(W/L)M9< 1，(ff/L)M6/(ff/L)M10 > 1” 的設(shè)計(jì)，第二節(jié)點(diǎn) N2 變?yōu)榕c第 二電源VSS相等以斷開(kāi)下拉輸出晶體管M12，從而不影響輸出。如果這樣的話，升壓運(yùn)算放 大器400的輸出的電流路徑只包括上拉輸出晶體管Mll和第一電流源IS1。在這種情況下， 如果大負(fù)載連接到升壓運(yùn)算放大器400的輸出時(shí)，輸出電壓OUT即時(shí)降低。因此，從輸出產(chǎn) 生紋波。此時(shí)，第一節(jié)點(diǎn)m的電平變?yōu)椤暗汀倍侠妷?，并且輸出電壓out升高至正常目 標(biāo)DC電平。即，在用于連接負(fù)載的負(fù)載切換的情況下，產(chǎn)生“過(guò)沖(overshoot)”。這種過(guò)沖被 快速下拉。在過(guò)沖超過(guò)預(yù)設(shè)目標(biāo)水平時(shí)，第六晶體管的電流突然降低，由此第七晶體管MlO 的電流也降低。第七晶體管MlO的電流降低導(dǎo)致第二節(jié)點(diǎn)N2的電壓升高，從而接通下拉輸 出晶體管M12。因此，大的過(guò)沖可以被快速穩(wěn)定。如果過(guò)沖電壓被快速降低而進(jìn)入死區(qū)時(shí)，下拉輸出晶體管M12再次被斷開(kāi)，而不 影響電路系統(tǒng)。之后，下拉功能可以通過(guò)第一電流源ISi執(zhí)行。在“下拉”的情況下，不產(chǎn) 生“下沖(under-shoot)”，以防止上拉電路大規(guī)模地進(jìn)行操作。以及，能夠消除紋波。如果采用了本發(fā)明提出的結(jié)構(gòu)或構(gòu)造，由于使用一個(gè)運(yùn)算放大器410同時(shí)沒(méi)有分開(kāi)的輸入，所以能夠降低死區(qū)的偏移，使其小于利用兩個(gè)獨(dú)立的運(yùn)算放大器實(shí)現(xiàn)的升壓電 路的死區(qū)偏移。如果(W/L)M3/(W/L)M7> 1 并且(W/L)M9/(W/L)M11 < 1，當(dāng)比率調(diào)整為(W/L)M3/(W/ L)M6 = (W/L)M9/(w/L)M10 = ι時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)具有與以上描述相反的死區(qū)特性的升壓運(yùn)算放大器。在小規(guī)模DDI的情況下，內(nèi)部地產(chǎn)生和使用電源。如果電流消耗變得相當(dāng)大，則會(huì) 導(dǎo)致產(chǎn)生問(wèn)題。在這種情況下，如果使用圖4中所示的升壓運(yùn)算放大器400，則能夠顯著降 低由于死區(qū)變化所產(chǎn)生的功耗。由于運(yùn)算放大器的偏移變小，所以能夠驅(qū)動(dòng)精確的電平。因 此，能夠顯著提高圖像質(zhì)量和產(chǎn)率。分路調(diào)節(jié)器(并聯(lián)穩(wěn)壓器，shunt regulator)，其提供驅(qū)動(dòng)線的假接地(virtual ground)，具有在+/-方向上流動(dòng)的大電流。在這種情況下，在輸出驅(qū)動(dòng)器中形成死區(qū)從 而降低待機(jī)電流。死區(qū)具有幾mV的相當(dāng)?shù)偷碾娖揭约皫装才嗟奶幚砗蟮碾娏?handled current)。因此，驅(qū)動(dòng)器的尺寸相當(dāng)大。如果由于死區(qū)重疊而產(chǎn)生短路電流，則會(huì)產(chǎn)生大的短路。如果輸出驅(qū)動(dòng)器的偏置 偏移增大，則會(huì)產(chǎn)生假接地的偏移。因此，穩(wěn)定的電平檢測(cè)變得困難。如果圖4中所示的升 壓OP被用于這種輸出驅(qū)動(dòng)器，則能夠以小的偏置偏移來(lái)驅(qū)動(dòng)精確的DC電平。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，在不背離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可以進(jìn)行 各種更改及變形。因此，只要它們?cè)谒綑?quán)利要求及其等同替換的范圍內(nèi)，本發(fā)明意在涵蓋 這些更改和變形。
權(quán)利要求
一種升壓運(yùn)算放大器，包括差分放大單元，放大并輸出所輸入的差分電壓；第一鏡像處理單元，鏡像處理流過(guò)所述差分放大單元的第一輸出端的電流，所述第一鏡像處理單元輸出鏡像處理后的第一鏡像電流；第二鏡像處理單元，鏡像處理流過(guò)所述差分放大單元的第二輸出端的電流，所述第二鏡像處理單元輸出鏡像處理后的第二鏡像電流；上拉晶體管，連接在第一電源和輸出節(jié)點(diǎn)之間，所述上拉晶體管基于所述第一鏡像電流和所述第二鏡像電流進(jìn)行切換；以及下拉晶體管，連接在第二電源和所述輸出節(jié)點(diǎn)之間，所述上拉晶體管基于所述第一鏡像電流和所述第二鏡像電流進(jìn)行切換。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓運(yùn)算放大器，進(jìn)一步包括電流源，連接在所述輸出節(jié)點(diǎn) 和所述第二電源之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓運(yùn)算放大器，所述第一鏡像處理單元包括第一電流鏡，連接在所述第一電源和所述第一輸出端之間以及在所述第一電源和所 述上拉晶體管的柵極之間，用于鏡像處理在所述第一電源和所述第一輸出端之間流動(dòng)的電 流，所述第一電流鏡向所述上拉晶體管的柵極提供所述鏡像處理后的電流；以及第二電流鏡，連接在所述第一電源和所述第一輸出端之間以及在所述第一電源和所 述下拉晶體管的柵極之間，用于鏡像處理在所述第一電源和所述第一輸出端之間流動(dòng)的電 流，所述第二電流鏡向所述下拉晶體管的柵極提供所述鏡像處理后的電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓運(yùn)算放大器，所述第二鏡像處理單元包括第三電流鏡，連接在所述第一電源和所述第二輸出端之間以及在所述第二電源和所 述上拉晶體管的柵極之間，用于鏡像處理在所述第一電源和所述第二輸出端之間流動(dòng)的電 流，所述第三電流鏡向所述上拉晶體管的柵極提供所述鏡像處理后的電流；以及第四電流鏡，連接在所述第一電源和所述第二輸出端之間以及在所述第二電源和所 述下拉晶體管的柵極之間，用于鏡像處理在所述第一電源和所述第二輸出端之間流動(dòng)的電 流，所述第四電流鏡向所述下拉晶體管的柵極提供所述鏡像處理后的電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓運(yùn)算放大器，所述第一鏡像處理單元包括第一晶體管，連接在所述第一電源與所述第一輸出端之間，并且具有相連的柵極和漏極；第二晶體管，連接在所述第一電源與所述上拉晶體管的柵極之間，所述第二晶體管具 有連接到所述第一晶體管的柵極的柵極；第三晶體管，連接在所述第一電源與所述下拉晶體管的柵極之間，連接到所述第一晶 體管的所述柵極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓運(yùn)算放大器，所述第二鏡像處理單元包括第四晶體管，連接在所述第一電源和所述第二輸出端之間，具有相互連接的漏極和柵極；第五晶體管，具有連接到所述第一電源的一端，所述第五晶體管具有連接到所述第四 晶體管的柵極的柵極；第六晶體管，連接在所述第五晶體管的另一端與所述第二電源之間，具有相互連接的漏極和柵極；第七晶體管，連接在所述下拉晶體管的柵極與所述第二電源之間，所述第七晶體管具 有連接到所述第六晶體管的柵極的柵極；以及第八晶體管，連接在所述上拉晶體管的柵極與所述第二電源之間，所述第八晶體管具 有連接到所述第六晶體管的柵極的柵極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的升壓運(yùn)算放大器，其中所述第一晶體管至所述第三晶體管中 的每一個(gè)包括NMOS晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的升壓運(yùn)算放大器，其中所述第四晶體管和所述第五晶體管中 的每一個(gè)包括NMOS晶體管，并且其中所述第六晶體管至第八晶體管中的每一個(gè)包括PMOS 晶體管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的升壓運(yùn)算放大器，其中所述上拉晶體管包括NMOS晶體管，并 且其中所述下拉晶體管包括所述PMOS晶體管。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的升壓運(yùn)算放大器，進(jìn)一步包括串聯(lián)在所述上拉晶體管的柵 極和所述輸出節(jié)點(diǎn)之間的電阻器和電容器。
全文摘要
本發(fā)明披露了一種升壓運(yùn)算放大器。本發(fā)明包括差分放大單元，放大并輸出所輸入的差分電壓；第一鏡像處理單元，鏡像處理流過(guò)該差分放大單元的第一輸出端的電流，該第一鏡像處理單元輸出鏡像處理后的第一鏡像電流；第二鏡像處理單元，鏡像處理流過(guò)該差分放大單元的第二輸出端的電流，該第二鏡像處理單元輸出鏡像處理后的第二鏡像電流；上拉晶體管，連接在第一電源和輸出節(jié)點(diǎn)之間，上拉晶體管基于該第一和第二鏡像電流進(jìn)行切換；以及下拉晶體管，連接在第二電源和輸出節(jié)點(diǎn)之間，下拉晶體管基于該第一和第二鏡像電流進(jìn)行切換。
文檔編號(hào)H03F3/45GK101882916SQ20091021554
公開(kāi)日2010年11月10日 申請(qǐng)日期2009年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月29日
發(fā)明者李元孝 申請(qǐng)人:東部高科股份有限公司