專利名稱：信號(hào)發(fā)送器及其操作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種信號(hào)發(fā)送器，并且特別涉及一種降低電磁干擾的信號(hào)發(fā)送器。
背景技術(shù)：
近年來，電子產(chǎn)品的應(yīng)用日益廣泛，需求日益增加，各種電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)越來 越復(fù)雜。隨著電子設(shè)備為了符合高性能及高反應(yīng)度的要求，數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)傳輸速度越來越快，而 晶體管-晶體管邏輯(transistor-transistor logic, TTL)信號(hào)在印刷電路板(Printed circuit board, PCB)上傳輸?shù)念l率極限僅約為50MHz。在高速傳輸時(shí)，晶體管-晶體管邏輯 信號(hào)要達(dá)到全擺幅(Full swing)的上升時(shí)間(Rising time)太長，因此無法用晶體管-晶 體管邏輯的方式去傳送信號(hào)。若要以更高的頻率來傳送信號(hào)，可以將數(shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換成差動(dòng) 小信號(hào)的方式去傳送，差動(dòng)小信號(hào)所需的上升時(shí)間較短，可以滿足高速傳輸?shù)男枨?。雖然差動(dòng)小信號(hào)可以減少轉(zhuǎn)態(tài)的時(shí)間以達(dá)到更快的工作頻率，但在傳送的過程中 往往都會(huì)遇到電磁干擾(Electromagnetic Interference, EMI)的問題。電磁干擾主要可 分為輻射性(Radiated)與傳導(dǎo)性(Conducted)電磁干擾。輻射性電磁干擾是直接經(jīng)由開放 空間傳遞，不須要經(jīng)由任何傳輸介質(zhì)，故一般僅能以屏蔽(Shielding)、接地(Grounding) 等方式來解決。而傳導(dǎo)性EMI是經(jīng)由電源導(dǎo)線來傳遞噪聲。因此，連接在同一個(gè)系統(tǒng)的電 子裝置所產(chǎn)生的電磁干擾會(huì)經(jīng)由電源線而彼此相互干擾，造成在傳輸信號(hào)過程中信號(hào)判讀 錯(cuò)誤，使得產(chǎn)品輸出功能不正常，或是壽命因此減短。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種信號(hào)發(fā)送器及其操作方法，可降低信號(hào)傳輸時(shí)發(fā)生的電磁干擾。 本發(fā)明提出一種信號(hào)發(fā)送器，包括第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān)、第四開關(guān)、第一 受控緩沖單元以及第二受控緩沖單元。第一開關(guān)的第一端耦接至第一電壓，而其第二端耦 接至信號(hào)發(fā)送器的第一輸出端。第二開關(guān)的第一端耦接至第一開關(guān)的第二端，而第二開關(guān) 的第二端耦接至第二電壓。第三開關(guān)的第一端耦接至第一電壓，而第二端耦接至信號(hào)發(fā)送 器的第二輸出端。第四開關(guān)的第一端耦接至第三開關(guān)的第二端，而第四開關(guān)的第二端耦接 至第二電壓。第一受控緩沖單元接收第一數(shù)據(jù)信號(hào)而驅(qū)動(dòng)第一開關(guān)與第四開關(guān)。第二受控 緩沖單元接收第二數(shù)據(jù)信號(hào)而驅(qū)動(dòng)第二開關(guān)與第三開關(guān)。其中，第一受控緩沖單元與第二 受控緩沖單元依據(jù)控制信號(hào)而改變擺動(dòng)速率(slew rate)。本發(fā)明提出一種如上述信號(hào)發(fā)送器的操作方法，包括下列步驟。當(dāng)信號(hào)發(fā)送器工 作于高頻環(huán)境中時(shí)，通過該控制信號(hào)使第一受控緩沖單元與第二受控緩沖單元增加其輸出 的擺動(dòng)速率。當(dāng)信號(hào)發(fā)送器工作于低頻環(huán)境中時(shí)，通過該控制信號(hào)使第一受控緩沖單元與 第二受控緩沖單元降低其輸出的擺動(dòng)速率。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的第一受控緩沖單元包括多個(gè)緩沖器以及一個(gè)開 關(guān)單元。這些緩沖器相互串聯(lián)而形成一個(gè)緩沖器串，其中這些緩沖器具有不同的晶體管溝 道外觀比。開關(guān)單元依據(jù)該控制信號(hào)的控制而選擇性地將這些緩沖器中的其中一個(gè)緩沖器的輸出端引接至該第一受控緩沖單元的輸出端。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的第一受控緩沖單元包括第一緩沖器、第二緩沖 器以及開關(guān)單元。第一緩沖器的內(nèi)部晶體管具有第一溝道外觀比，其中該第一緩沖器的輸 入端接收第一數(shù)據(jù)信號(hào)。第二緩沖器的內(nèi)部晶體管具有第二溝道外觀比(大于第一溝道外 觀)，其中第二緩沖器的輸入端耦接至第一緩沖器的輸出端，而第二緩沖器的輸出端耦接至 第一受控緩沖單元的輸出端。開關(guān)單元依據(jù)該控制信號(hào)的控制而選擇性地將第一緩沖器的 輸出端引接至第二緩沖器的輸出端。
基于上述，本發(fā)明通過調(diào)整第一與第二受控緩沖單元的輸出擺動(dòng)速率，以減緩在 信號(hào)發(fā)送器的輸出端因開關(guān)切換造成電壓過沖(overshoot)及下沖(undershoot)所產(chǎn)生 的電壓突波，進(jìn)而減低電磁干擾。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳 細(xì)說明如下。


圖1是依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例說明信號(hào)發(fā)送器的電路示意圖。圖2是依照本發(fā)明的實(shí)施例說明圖1中各個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)的時(shí)序示意圖。圖3是依照本發(fā)明的實(shí)施例說明圖1中第一受控緩沖單元的電路示意圖。圖4是依照本發(fā)明的實(shí)施例說明圖1中受控緩沖單元以較小擺動(dòng)速率輸出數(shù)據(jù)信 號(hào)的波形示意圖。圖5是依照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例說明圖1中第一受控緩沖單元的電路示意圖。圖6是依照本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例說明圖1中第一受控緩沖單元的電路示意圖。圖7是依照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例說明信號(hào)發(fā)送器的電路示意圖。
具體實(shí)施例方式圖1是依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例說明信號(hào)發(fā)送器的電路示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，信號(hào) 發(fā)送器100的第一輸出端OUTl及第二輸出端0UT2耦接至負(fù)載104。在此謹(jǐn)以負(fù)載104所 示等效電路表示信號(hào)發(fā)送器100的下級(jí)電路(例如信號(hào)接收器)以及信號(hào)傳輸通道(例如 印刷電路板)。因此，負(fù)載104可以以電阻R、電容Cl及電容C2來表示信號(hào)傳輸通道以及 下級(jí)電路的等效電路。信號(hào)發(fā)送器100包括第一開關(guān)SW1、第二開關(guān)SW2、第三開關(guān)SW3、第四開關(guān)SW4、第 一受控緩沖單元110及第二受控緩沖單元120。開關(guān)SWl的第一端耦接第一電壓VS1，其第 二端耦接至信號(hào)發(fā)送器100的第一輸出端OUTl。開關(guān)SW2的第一端耦接至開關(guān)SWl的第二 端，其第二端耦接至第二電壓VS2。開關(guān)SW3的第一端耦接電壓VS1，其第二端耦接至信號(hào) 發(fā)送器100的第二輸出端0UT2。開關(guān)SW4的第一端耦接至開關(guān)SW3的第二端，其第二端耦 接至電壓VS2。上述第一電壓VSl與第二電壓VS2可以表示任意的不同電壓準(zhǔn)位。在本實(shí)施例 中，電壓VSl可以是系統(tǒng)電源的電壓準(zhǔn)位，電壓VS2可以是接地電壓準(zhǔn)位。上述開關(guān)SWl SW4可以用任何方式實(shí)現(xiàn)，例如用N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(N-channel metal oxide semiconductor, NM0S)晶體管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)SWl SW4。
第一受控緩沖單元110接收第一數(shù)據(jù)信號(hào)D1而驅(qū)動(dòng)第一開關(guān)SW1與第四開關(guān) SW4。第二受控緩沖單元120接收第二數(shù)據(jù)信號(hào)D2而驅(qū)動(dòng)第二開關(guān)SW2與第三開關(guān)SW3。 其中，第一受控緩沖單元110與第二受控緩沖單元120受控制信號(hào)的控制而可以動(dòng)態(tài)地改 變其輸出信號(hào)的擺動(dòng)速率(slew rate)。圖2是依照本發(fā)明的實(shí)施例說明圖1中各個(gè)數(shù)據(jù)信號(hào)的時(shí)序示意圖。在此將數(shù)據(jù) 信號(hào)D1與D2為高準(zhǔn)位的狀態(tài)定義為“使能”，而將數(shù)據(jù)信號(hào)D1與D2為低準(zhǔn)位的狀態(tài)定義 為“禁用”，但本發(fā)明不限于此。第一受控緩沖單元110在第一數(shù)據(jù)信號(hào)D1為使能(enable) 的期間驅(qū)動(dòng)開關(guān)SW1與SW4使其導(dǎo)通，而在第一數(shù)據(jù)信號(hào)D1為禁用(disable)的期間驅(qū)動(dòng) 開關(guān)SW1與SW4使其斷開。相類似地，第二受控緩沖單元120在第二數(shù)據(jù)信號(hào)D2為使能的 期間驅(qū)動(dòng)開關(guān)SW2與SW3為導(dǎo)通，而在第二數(shù)據(jù)信號(hào)D2為禁用的期間驅(qū)動(dòng)開關(guān)SW2與SW3 使其斷開。因此，信號(hào)發(fā)送器100就可以將全擺幅(full swing)數(shù)據(jù)信號(hào)D1與D2轉(zhuǎn)換為 差動(dòng)信號(hào)(differential signal)，并通過輸出端0UT1與0UT2將此差動(dòng)信號(hào)輸出給負(fù)載 104。所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以視其設(shè)計(jì)需求而以任何方式實(shí)現(xiàn)第一受控緩沖單 元110與第二受控緩沖單元120。以下僅以第一受控緩沖單元110作為說明例，第二受控緩 沖單元120的實(shí)施方式也可以參照第一受控緩沖單元110的相關(guān)說明。圖3是依照本發(fā)明的實(shí)施例說明圖1中第一受控緩沖單元110的電路示意圖。第 一受控緩沖單元110包括多個(gè)緩沖器112-1、112-2、…、112-n以及開關(guān)單元111。緩沖器 112-1、112-2、…、112-n相互串聯(lián)而形成一個(gè)緩沖器串。其中，緩沖器112-1、112-2、…、 112-n具有不同的晶體管溝道外觀比，因此各自具有不同的輸出驅(qū)動(dòng)能力。在本實(shí)施例中， 該緩沖器串是以逐級(jí)增加輸出驅(qū)動(dòng)能力的方式安排緩沖器112-1、112-2、…、112-n，也就是 說緩沖器112-1的晶體管溝道外觀比是該緩沖器串中最小者，緩沖器112-2的晶體管溝道 外觀比大于緩沖器112-1，而緩沖器112-n的晶體管溝道外觀比是該緩沖器串中最大者。開關(guān)單元111耦接至緩沖器112-1、112_2、…、112-n的輸出端。開關(guān)單元111依 據(jù)控制信號(hào)的控制而選擇性地將緩沖器112-1、112-2、…、112-n的其中一個(gè)緩沖器的輸出 端引接至第一受控緩沖單元110的輸出端，以便輸出數(shù)據(jù)信號(hào)D1’給開關(guān)SW1與SW4。當(dāng)信號(hào)發(fā)送器100工作于高頻環(huán)境中時(shí)，開關(guān)單元111依據(jù)控制信號(hào)的控制而選 擇將具有較大晶體管溝道外觀比的緩沖器(例如緩沖器112-n)的輸出端引接至第一受控 緩沖單元110的輸出端，以增加第一受控緩沖單元110的輸出擺動(dòng)速率。圖2說明了受控 緩沖單元110與120以較大擺動(dòng)速率輸出數(shù)據(jù)信號(hào)D1’與D2’的波形圖。因此，當(dāng)信號(hào)發(fā) 送器100工作于高頻環(huán)境中，本實(shí)施例可以通過控制信號(hào)使受控緩沖單元110與120增加 其輸出的擺動(dòng)速率。在可以滿足額定工作頻率的前提下，本實(shí)施例可以盡可能地調(diào)小受控緩沖單元 110與120的輸出擺動(dòng)速率，以減緩在信號(hào)發(fā)送器100的輸出端0UT1與0UT2因開關(guān)SW1 SW4的切換造成電壓過沖(overshoot)及下沖(undershoot)所產(chǎn)生的電壓突波，進(jìn)而減低 電磁干擾。因此，開關(guān)單元111可以選擇將具有較小晶體管溝道外觀比的緩沖器(例如緩沖 器112-2)的輸出端引接至第一受控緩沖單元110的輸出端，以減小第一受控緩沖單元110 的輸出擺動(dòng)速率。圖4是依照本發(fā)明實(shí)施例說明圖1中受控緩沖單元110與120以較小擺 動(dòng)速率輸出數(shù)據(jù)信號(hào)D1’與D2’的波形示意圖。
當(dāng)該信號(hào)發(fā)送器工作于一個(gè)低頻環(huán)境中時(shí)，開關(guān)單元111依據(jù)控制信號(hào)的控制而 選擇將具有較小晶體管溝道外觀比的緩沖器(例如緩沖器112-1)的輸出端引接至第一受 控緩沖單元110的輸出端，以減小第一受控緩沖單元110的輸出擺動(dòng)速率。因此，當(dāng)信號(hào)發(fā) 送器100工作于低頻環(huán)境中，本實(shí)施例可以通過控制信號(hào)使受控緩沖單元110與120降低 其輸出的擺動(dòng)速率。第一受控緩沖單元110并不限于圖3所示的實(shí)現(xiàn)方式。例如，圖5是依照本發(fā)明 的另一個(gè)實(shí)施例說明圖1中第一受控緩沖單元110的電路示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5，第一受控 緩沖單元110包括第一非門501、第二非門502、第三非門503、第四非門504以及開關(guān)單元 111。第一非門501的輸入端接收第一數(shù)據(jù)信號(hào)D1。第二非門502的輸入端耦接至第一非 門501的輸出端，而第二非門502的輸出端耦接至第三非門503的輸入端。第四非門504 的輸入端耦接至第三非門503的輸出端，而第四非門504的輸出端耦接至第一受控緩沖單 元110的輸出端，以便輸出數(shù)據(jù)信號(hào)D1’給開關(guān)SW1與SW4。第一非門501的內(nèi)部晶體管具有第一溝道外觀比，而第二非門502的內(nèi)部晶體管 具有第二溝道外觀比，其中第二溝道外觀比大于第一溝道外觀比，因此第二非門502的輸 出驅(qū)動(dòng)能力大于第一非門501。以此類推，第三非門503的內(nèi)部晶體管的第三溝道外觀比 大于第二溝道外觀比，而第四非門504的內(nèi)部晶體管的第四溝道外觀比大于第三溝道外觀 比。開關(guān)單元111可以依據(jù)控制信號(hào)的控制而選擇性地將第二非門502的輸出端引接 至第四非門504的輸出端，以便將第二非門502所輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)D1’傳送給開關(guān)SW1與 SW4。若開關(guān)單元111為斷開狀態(tài)，則第四非門504所輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)D1’會(huì)被傳送給開關(guān) SW1與SW4。因此，第一受控緩沖單元110可以依據(jù)控制信號(hào)的控制而動(dòng)態(tài)地改變其輸出信 號(hào)的擺動(dòng)速率(slew rate)。第一受控緩沖單元110也可參照?qǐng)D6實(shí)施。圖6是依照本發(fā)明的再一個(gè)實(shí)施例說 明圖1中第一受控緩沖單元110的電路示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6，第一受控緩沖單元110包括第 一緩沖器112-1、第二緩沖器112-2以及開關(guān)單元111。第一緩沖器112-1的輸入端接收第 一數(shù)據(jù)信號(hào)D1。第二緩沖器112-2的輸入端耦接至第一緩沖器112-1的輸出端，而第二緩 沖器112-2的輸出端耦接至第一受控緩沖單元110的輸出端。第一緩沖器112-1的內(nèi)部晶 體管具有第一溝道外觀比，而第二緩沖器112-2內(nèi)部晶體管的第二溝道外觀比大于第一溝 道外觀比。開關(guān)單元111可以依據(jù)控制信號(hào)的控制而選擇性地將第一緩沖器112-1的輸出端 引接至第二緩沖器112-2的輸出端，以便將第一緩沖器112-1所輸出的數(shù)據(jù)信號(hào)D1’傳送 給開關(guān)SW1與SW4。若開關(guān)單元111為斷開狀態(tài)，則第二緩沖器112-2所輸出的數(shù)據(jù)信號(hào) D1’會(huì)被傳送給開關(guān)SW1與SW4。因此，第一受控緩沖單元110可以依據(jù)控制信號(hào)的控制而 動(dòng)態(tài)地改變其輸出信號(hào)的擺動(dòng)速率。值得注意的是，為了減緩因開關(guān)SW1 SW4的切換造成電壓過沖(overshoot)及 下沖(undershoot)的電壓突波而調(diào)小受控緩沖單元110與120的輸出擺動(dòng)速率，會(huì)降低信 號(hào)發(fā)送器100的最大工作頻率。在滿足額定電磁干擾的前提下，設(shè)計(jì)者可以使用低臨界電 壓(low threshold voltage)晶體管(臨界電壓低于0. 6V的晶體管)來實(shí)現(xiàn)第一開關(guān)SW1、 第二開關(guān)SW2、第三開關(guān)SW3與第四開關(guān)SW4。由于降低了開關(guān)SW1 SW4的臨界電壓，在開關(guān)切換的過程中能夠使開關(guān)SW1 SW4提早導(dǎo)通，因此可以提升信號(hào)發(fā)送器100的最大
工作頻率。在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，信號(hào)發(fā)送器還可以包括緩沖單元與電流源等元件。 圖7是依照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例說明信號(hào)發(fā)送器700的電路示意圖。信號(hào)發(fā)送器700的 實(shí)現(xiàn)方式可以參照?qǐng)D1及相關(guān)說明，故相同部分便不再贅述。請(qǐng)參照?qǐng)D7，本實(shí)施例的信號(hào) 發(fā)送器700除了具有圖1的信號(hào)發(fā)送器100的元件外，還包括第一電流源A1及第二電流源 A2。電流源A1耦接于第一電壓VS1與第一開關(guān)SW1的第一端之間，并且耦接于第一電壓 VS1與第三開關(guān)SW3的第一端之間。電流源A2耦接于第二電壓VS2與第二開關(guān)SW2的第二 端之間，并且耦接于第二電壓VS2與第四開關(guān)SW4的第二端之間。電流源A1提供電流II至開關(guān)SW1與SW3的第一端，而電流源A2則用于從開關(guān) SW2與SW4的第二端汲取電流12。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員可以視其設(shè)計(jì)需求而任 意決定前述電流II與12的值，例如可以將電流源A1與A2的電流II與12的值均設(shè)定為 1(1為實(shí)數(shù))。綜上所述，上述各個(gè)實(shí)施例通過調(diào)整受控緩沖單元110與120的輸出擺動(dòng)速率，以 減緩在信號(hào)發(fā)送器100 (或700)的輸出端與電源端因開關(guān)切換造成電壓過沖(overshoot) 及下沖(undershoot)所產(chǎn)生的電壓突波，因此可以減低電磁干擾。雖然已經(jīng)如前所述用實(shí)施例公開了本發(fā)明，然而其并非用于限定本發(fā)明，任何所 屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出些許的更動(dòng)與修改， 故本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種信號(hào)發(fā)送器，包括一個(gè)第一開關(guān)，其第一端耦接至一個(gè)第一電壓，其第二端耦接至該信號(hào)發(fā)送器的第一輸出端；一個(gè)第二開關(guān)，其第一端耦接至該第一開關(guān)的第二端，該第二開關(guān)的第二端耦接至一個(gè)第二電壓；一個(gè)第三開關(guān)，其第一端耦接至該第一電壓，其第二端耦接至該信號(hào)發(fā)送器的第二輸出端；一個(gè)第四開關(guān)，其第一端耦接至該第三開關(guān)的第二端，該第四開關(guān)的第二端耦接至該第二電壓；一個(gè)第一受控緩沖單元，用于接收一個(gè)第一數(shù)據(jù)信號(hào)而驅(qū)動(dòng)該第一開關(guān)與該第四開關(guān)，其中該第一受控緩沖單元受一個(gè)控制信號(hào)的控制而改變擺動(dòng)速率；以及一個(gè)第二受控緩沖單元，用于接收一個(gè)第二數(shù)據(jù)信號(hào)而驅(qū)動(dòng)該第二開關(guān)與該第三開關(guān)，其中該第二受控緩沖單元受該控制信號(hào)的控制而改變擺動(dòng)速率。
2.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)發(fā)送器，其中該第一受控緩沖單元在該第一數(shù)據(jù)信號(hào)是使 能的期間驅(qū)動(dòng)該第一與該第四開關(guān)為導(dǎo)通，以及該第二受控緩沖單元在該第二數(shù)據(jù)信號(hào)是 使能的期間驅(qū)動(dòng)該第二與該第三開關(guān)為導(dǎo)通。
3.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)發(fā)送器，其中該第一受控緩沖單元包括多個(gè)緩沖器，其相互串聯(lián)而形成一個(gè)緩沖器串，其中該多個(gè)緩沖器具有不同的晶體管 溝道外觀比；以及一個(gè)開關(guān)單元，用于依據(jù)該控制信號(hào)的控制而選擇性地將該多個(gè)緩沖器中的其中一個(gè) 緩沖器的輸出端引接至該第一受控緩沖單元的輸出端。
4.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)發(fā)送器，其中該第一受控緩沖單元包括一個(gè)第一緩沖器，其內(nèi)部晶體管具有一個(gè)第一溝道外觀比，其中該第一緩沖器的輸入 端接收該第一數(shù)據(jù)信號(hào)；一個(gè)第二緩沖器，其內(nèi)部晶體管具有大于該第一溝道外觀比的一個(gè)第二溝道外觀比， 其中該第二緩沖器的輸入端耦接至該第一緩沖器的輸出端，而該第二緩沖器的輸出端耦接 至該第一受控緩沖單元的輸出端；以及一個(gè)開關(guān)單元，用于依據(jù)該控制信號(hào)的控制而選擇性地將該第一緩沖器的輸出端引接 至該第二緩沖器的輸出端。
5.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)發(fā)送器，其中該第一受控緩沖單元包括一個(gè)第一非門，其內(nèi)部晶體管具有一個(gè)第一溝道外觀比，其中該第一非門的輸入端接 收該第一數(shù)據(jù)信號(hào)；一個(gè)第二非門，其內(nèi)部晶體管具有大于該第一溝道外觀比的一個(gè)第二溝道外觀比，其 中該第二非門的輸入端耦接至該第一非門的輸出端；一個(gè)第三非門，其內(nèi)部晶體管具有大于該第二溝道外觀比的一個(gè)第三溝道外觀比，其 中該第三非門的輸入端耦接至該第二非門的輸出端；一個(gè)第四非門，其內(nèi)部晶體管具有大于該第三溝道外觀比的一個(gè)第四溝道外觀比，其 中該第四非門的輸入端耦接至該第三非門的輸出端，而該第四非門的輸出端耦接至該第一 受控緩沖單元的輸出端；以及一個(gè)開關(guān)單元，用于依據(jù)該控制信號(hào)的控制而選擇性地將該第二非門的輸出端引接至 該第四非門的輸出端。
6.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)發(fā)送器，還包括一個(gè)第一電流源，耦接于該第一電壓與該第一開關(guān)的第一端之間，以及耦接于該第一 電壓與該第三開關(guān)的第一端之間，用于提供一個(gè)第一電流；以及一個(gè)第二電流源，耦接于該第二電壓與該第二開關(guān)的第二端之間，以及耦接于該第二 電壓與該第四開關(guān)的第二端之間，用于汲取一個(gè)第二電流。
7.如權(quán)利要求1所述的信號(hào)發(fā)送器，其中該第一開關(guān)、該第二開關(guān)、該第三開關(guān)與該第 四開關(guān)為晶體管。
8.如權(quán)利要求7所述的信號(hào)發(fā)送器，其中該第一開關(guān)、該第二開關(guān)、該第三開關(guān)與該第 四開關(guān)為金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
9.如權(quán)利要求7所述的信號(hào)發(fā)送器，其中該第一開關(guān)、該第二開關(guān)、該第三開關(guān)與該第 四開關(guān)為低臨界電壓晶體管。
10.一種如權(quán)利要求1的信號(hào)發(fā)送器的操作方法，包括當(dāng)該信號(hào)發(fā)送器工作于一個(gè)高頻環(huán)境中時(shí)，通過該控制信號(hào)使該第一受控緩沖單元與 該第二受控緩沖單元增加其輸出的擺動(dòng)速率；以及當(dāng)該信號(hào)發(fā)送器工作于一個(gè)低頻環(huán)境中時(shí)，通過該控制信號(hào)使該第一受控緩沖單元與 該第二受控緩沖單元降低其輸出的擺動(dòng)速率。
11.如權(quán)利要求10所述的信號(hào)發(fā)送器的操作方法，其中在該第一數(shù)據(jù)信號(hào)是使能的期 間使該第一受控緩沖單元驅(qū)動(dòng)該第一與該第四開關(guān)為導(dǎo)通，以及在該第二數(shù)據(jù)信號(hào)是使能 的期間使該第二受控緩沖單元驅(qū)動(dòng)該第二與該第三開關(guān)為導(dǎo)通。
全文摘要
一種信號(hào)發(fā)送器，包括第一、第二、第三、第四開關(guān)以及第一、第二受控緩沖單元。第一與第三開關(guān)的第一端耦接至第一電壓，而第一與第三開關(guān)的第二端耦接至信號(hào)發(fā)送器的第一與第二輸出端。第二與第四開關(guān)的第一端分別耦接至第一開關(guān)與第三開關(guān)的第二端。第二與第四開關(guān)的第二端耦接至第二電壓。第一受控緩沖單元接收第一數(shù)據(jù)信號(hào)而驅(qū)動(dòng)第一開關(guān)與第四開關(guān)。第二受控緩沖單元接收第二數(shù)據(jù)信號(hào)而驅(qū)動(dòng)第二開關(guān)與第三開關(guān)。其中，第一受控緩沖單元與第二受控緩沖單元依據(jù)控制信號(hào)而改變擺動(dòng)速率。
文檔編號(hào)H03K19/003GK101841320SQ200910130119
公開日2010年9月22日 申請(qǐng)日期2009年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月20日
發(fā)明者黃國展, 黃志豪 申請(qǐng)人:承景科技股份有限公司