專利名稱：具有數(shù)字預(yù)失真的功率放大器的制作方法
具有數(shù)字預(yù)失真的功率放大器
本申請(qǐng)涉及一種放大器，特別是涉及一種利用化合物半導(dǎo)體晶體 管來放大經(jīng)數(shù)字預(yù)失真的輸入信號(hào)的功率放大器。
最近的無線電通信標(biāo)準(zhǔn)使用要求高線性度功率放大的復(fù)合調(diào)制方
案，諸如寬帶碼分多址(WCDMA)和正交頻分復(fù)用(OFDM)。通常， 要求放大器在109 Hz級(jí)的微波頻率下工作。
已經(jīng)提出功率放大器使用數(shù)字預(yù)失真技術(shù)來獲得必要的線性度。 但是，為了有效地運(yùn)轉(zhuǎn)，放大器的輸出與輸入信號(hào)之間的關(guān)系應(yīng)獨(dú)立 于輸入信號(hào)的動(dòng)態(tài)(dynamics)。其中輸入信號(hào)的動(dòng)態(tài)影響輸出信號(hào)的 一種方式是記憶效應(yīng)的作用。記憶效應(yīng)是由晶體管內(nèi)電子或空穴的俘 獲或釋放引起的，并依賴于前面的輸入信號(hào)值改變晶體管的特性。
已經(jīng)提出預(yù)失真算法包括無記憶項(xiàng)和記憶項(xiàng)兩者以考慮記憶效 應(yīng)。在指定頻率下以全功率計(jì)算用于任何特定放大器的復(fù)系數(shù)。
在諸如WCDMA和OFDM的調(diào)幅信號(hào)中，功率級(jí)(power level)可 以以毫秒時(shí)間幀為單位快速改變。在這些情況下，因?yàn)榧俣槿β?信號(hào)，所以降低了預(yù)失真算法的性能。放大器的線性度可能因此被降 低。線性度降低的一個(gè)后果是輸出信號(hào)中出現(xiàn)互調(diào)產(chǎn)物的相對(duì)功率。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種功率放大器，其中對(duì)于變化 的功率級(jí)的輸入信號(hào)的輸出信號(hào)的線性度得到改善。
本發(fā)明提供一種功率放大器，其具有漏極偏壓和終端阻抗，該漏 極偏壓和終端阻抗被選擇為以使得對(duì)于指定的柵極偏壓，DC輸入信號(hào)
的漏極電流與脈沖輸入信號(hào)的漏極電流是基本相同的。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種功率放大器，其包括
化合物半導(dǎo)體晶體管；
偏置電路，其用于設(shè)置化合物半導(dǎo)體晶體管的漏極偏壓； 數(shù)字預(yù)失真器，其用于在輸入信號(hào)被化合物半導(dǎo)體晶體管放大之
前使該輸入信號(hào)預(yù)失真，其中，數(shù)字預(yù)失真器的系數(shù)是對(duì)于基頻下的
最大功率的已調(diào)制信號(hào)計(jì)算的；以及
終端阻抗，其連接到化合物半導(dǎo)體晶體管；
其中終端阻抗和漏極偏壓經(jīng)選擇以使得漏極電流與漏源電壓的標(biāo) 繪圖的結(jié)果得到的負(fù)載線與經(jīng)過化合物半導(dǎo)體晶體管的特性曲線上的 點(diǎn)的軌跡近似相同，在所述點(diǎn)處，漏極電流對(duì)于相同柵極偏壓下的DC 信號(hào)和脈沖信號(hào)是基本相同的。
根據(jù)本發(fā)明的另 一 方面，提供了 一種用化合物半導(dǎo)體晶體管放大 信號(hào)的方法，該方法包括
選擇用于化合物半導(dǎo)體晶體管的漏極偏壓和終端阻抗，以使得漏 極電流與漏源電壓的標(biāo)繪圖上的結(jié)果得到的負(fù)載線與經(jīng)過化合物半導(dǎo) 體晶體管的特性曲線上的點(diǎn)的軌跡近似相同，在所述點(diǎn)處，漏極電流 對(duì)于相同柵極偏壓下的DC信號(hào)和脈沖信號(hào)是基本相同的；使信號(hào)數(shù)字
預(yù)失真，其中，數(shù)字預(yù)失真器的系數(shù)是對(duì)于基頻下的最大功率的已調(diào)
制信號(hào)計(jì)算的；以及
向化合物半導(dǎo)體晶體管提供經(jīng)數(shù)字預(yù)失真的信號(hào)。
當(dāng)漏源電壓被視為與經(jīng)過特性曲線上的點(diǎn)的軌跡近似相同時(shí)，這
意味著在特定柵極偏壓下，所述電壓通常在軌跡的值的約10%以內(nèi)，優(yōu) 選地在約5%以內(nèi)，更優(yōu)選地在約l。/。以內(nèi)。同樣，當(dāng)漏極電流被視為對(duì) 于DC信號(hào)和脈沖信號(hào)基本相同時(shí)，漏極電流不需要是完全相同的，相 反，它們通?？梢韵嗷ブg在約10%以內(nèi)，優(yōu)選地在約5%以內(nèi)，更優(yōu) 選地在約1%以內(nèi)。
本發(fā)明基于這樣的事實(shí)，即對(duì)于指定的柵極偏壓，存在這樣的漏 極電壓和輸出阻抗，在所述漏極電壓和輸出阻抗下，漏極電流對(duì)于脈 沖信號(hào)與對(duì)于DC信號(hào)是相同的，并且對(duì)于施加脈沖信號(hào)吋出現(xiàn)的靜態(tài) 偏置點(diǎn)是不變的。如果放大器在這個(gè)點(diǎn)處工作，則導(dǎo)致記憶效應(yīng)的俘
獲效應(yīng)不影響經(jīng)數(shù)字預(yù)失真的放大器的動(dòng)態(tài)行為(dynamic behaviour)， 結(jié)果得到改善的線性度。這個(gè)點(diǎn)的存在，以及其對(duì)于數(shù)字預(yù)失真放大 器的線性度的好處以前并不是公知的。
可以考慮輸入信號(hào)的性質(zhì)以導(dǎo)出對(duì)于終端阻抗的關(guān)系。在一個(gè)實(shí) 施例中，化合物半導(dǎo)體晶體管具有不變的軌跡(即經(jīng)過化合物半導(dǎo)體 晶體管的特性曲線上的點(diǎn)的軌跡，在所述點(diǎn)處，漏極電流對(duì)于DC信號(hào) 和脈沖信號(hào)是基本相同的)，該軌跡近似為直線。在本實(shí)施例中，化 合物半導(dǎo)體晶體管在B類下工作，并且終端阻抗的值為，
其中Io是最大漏極電流，Vd。是漏極偏壓，X是要被放大的信號(hào)的基 頻的振幅。
在另 一 個(gè)實(shí)施例中，化合物半導(dǎo)體晶體管具有二次不變軌跡 (quadratic invariant locus)。在本實(shí)施例中，化合物半導(dǎo)體晶體管在B類 下工作，并且終端阻抗的值為，
其中I(,是最大漏極電流，Vdc是漏極偏壓。
在進(jìn)一步的實(shí)施例中，化合物半導(dǎo)體晶體管具有恒定漏極電壓下
的不變軌跡。在本實(shí)施例中，化合物半導(dǎo)體晶體管在B類下工作，并且 終端阻抗的值為，
其中I(,是最大漏極電流，Vdc是漏極偏壓。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了--種功率放大器，其包括 化合物半導(dǎo)體晶體管；
偏置電路，其用于設(shè)置化合物半導(dǎo)體晶體管的漏極偏壓； 數(shù)字預(yù)失真器，其用于在輸入信號(hào)被化合物半導(dǎo)體晶體管放大之
前使該輸入信號(hào)預(yù)失真，其中，數(shù)字預(yù)失真器的系數(shù)是在基頻下對(duì)于 最大功率的連續(xù)信號(hào)計(jì)算的；以及
終端阻抗，其連接到化合物半導(dǎo)體晶體管；
其中，終端阻抗和漏極偏壓經(jīng)選擇以使得在緊隨于脈沖調(diào)制信號(hào) 和脈沖連續(xù)波信號(hào)被施加到晶體管之后漏極電流中基本不存在瞬態(tài)效 應(yīng)。
當(dāng)信號(hào)己在幾毫秒內(nèi)——例如約20 ms，優(yōu)選地約IO ms，更優(yōu)選 地約5ms——回到其靜態(tài)電平(quiescent level)時(shí)，通?；旧喜淮嬖?瞬態(tài)效應(yīng)。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用化合物半導(dǎo)體晶體管放大 信號(hào)的方法，該方法包括
選擇用于化合物半導(dǎo)體晶體管的漏極偏壓和終端阻抗以使得在緊 隨于脈沖調(diào)制信號(hào)和脈沖連續(xù)波信號(hào)被施加于晶體管之后漏極電流中 基本不存在瞬態(tài)效應(yīng)；
使信號(hào)數(shù)字預(yù)失真，其中數(shù)字預(yù)失真器的系數(shù)是對(duì)于基頻下的最 大功率的連續(xù)信號(hào)計(jì)算的；以及
向化合物半導(dǎo)體晶體管提供經(jīng)數(shù)字預(yù)失真的信號(hào)。
通過選擇漏極偏壓和終端阻抗以降低瞬態(tài)效應(yīng)，俘獲效應(yīng)不影響 動(dòng)態(tài)信號(hào)，改善了輸出信號(hào)的線性度。
在任何上述方面和實(shí)施例中，化合物半導(dǎo)體晶體管可以是任何化
合物半導(dǎo)體器件，例如GaAs、 InP、或GaN器件。
現(xiàn)在將參照附圖通過舉例描述本發(fā)明的實(shí)施例，在所述附圖中 圖l繪出在各種柵極電壓偏置點(diǎn)處GaAs晶體管的漏極電流Id與漏 源電壓Vd的對(duì)比；
圖2繪出示出本發(fā)明的原理的、根據(jù)

圖1的不變軌跡；
圖3繪出根據(jù)本發(fā)明的 一 個(gè)實(shí)施例的負(fù)載線；
圖4繪出具有已調(diào)制的GaN晶體管的典型測(cè)量的響應(yīng)和其中漏極 偏壓(Vde)未經(jīng)優(yōu)化的CW信號(hào)；
圖5和6示出逐漸增大信號(hào)功率直至C W和已調(diào)制信號(hào)的瞬態(tài)效應(yīng) 為相同的效應(yīng)；
圖7繪出具有相同的峰值功率的已調(diào)制和CW脈沖信號(hào)，對(duì)于所述 信號(hào)，在本發(fā)明的實(shí)施例中，已消除瞬態(tài)效應(yīng)；
圖8繪出如本領(lǐng)域中所己知的非優(yōu)化輸出電路的互調(diào)性能；
圖9繪出根據(jù)本發(fā)明優(yōu)化的輸出電路的互調(diào)性能；
圖10示出根據(jù)本發(fā)明優(yōu)化的輸出電路與脈沖信號(hào)的隨時(shí)間的互調(diào)
行為的結(jié)果。
圖11繪出用于進(jìn)行近似的、本發(fā)明的優(yōu)化輸出的不變軌跡的更一
般形式；
圖12繪出根據(jù)本發(fā)明的另 一實(shí)施例的負(fù)載線； 圖13繪出根據(jù)本發(fā)明的進(jìn)一步實(shí)施例的負(fù)載線；
本發(fā)明被應(yīng)用于標(biāo)準(zhǔn)功率放大器電路，如本領(lǐng)域通常己知地，其 包括半導(dǎo)體化合物晶體管和數(shù)字預(yù)失真器。數(shù)字預(yù)失真器可以在現(xiàn)場(chǎng) 可編程門陣列(FPGA)或可編程DSP中實(shí)現(xiàn)。它還可以用微處理器實(shí) 現(xiàn)。
數(shù)字預(yù)失真器包括記憶項(xiàng)和無記憶項(xiàng)兩者。系數(shù)是依照本領(lǐng)域中 已知的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐對(duì)于基頻的最大功率的連續(xù)輸入信號(hào)計(jì)算的。
功率放大器電路包括建立負(fù)載阻抗的終端網(wǎng)絡(luò)。偏置電路建立漏 極偏壓。這樣的電路通常為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知。本發(fā)明的實(shí)施例 在選擇用于基頻處的終端網(wǎng)絡(luò)的特定值方面和在漏極偏壓方面與現(xiàn)有 技術(shù)不同。如下面將更詳細(xì)地描述地，終端阻抗和漏極偏壓的選擇回 引起經(jīng)改善的線性度。
本發(fā)明的所有實(shí)施例都控制化合物半導(dǎo)體晶體管使得由終端阻抗 和漏極偏壓的選擇引起的負(fù)載線近似于點(diǎn)的軌跡，在所述點(diǎn)處，漏極 電流對(duì)于脈沖信號(hào)與對(duì)于D C信號(hào)是相同的，并且對(duì)于在施加脈沖信號(hào) 時(shí)出現(xiàn)的靜態(tài)偏置點(diǎn)是不變的。
這些點(diǎn)的存在可以通過對(duì)化合物半導(dǎo)體晶體管進(jìn)行的實(shí)驗(yàn)來證
明。圖1示出在各種柵極電壓偏置點(diǎn)處對(duì)于GaAs晶體管的漏極電流Id與 漏源電壓Vd的對(duì)比的圖。曲線2是在DC條件下。跡線4和6是相同的柵極 偏壓設(shè)置的標(biāo)繪圖(pot)，其具有不同的靜態(tài)漏極偏壓條件和施加的 寬度為0.5ii s持續(xù)時(shí)間的小占空因數(shù)脈沖。低漏極電壓下漏極電流的減 小主要是由電子俘獲引起的。較高漏極電壓下漏極電流的增大主要是 由空穴俘獲引起的。
圖l示出對(duì)于每個(gè)柵極偏壓，存在這樣的漏極電壓，漏極電流在該 漏極電壓下與DC電流相同并且對(duì)于施加脈沖信號(hào)時(shí)出現(xiàn)的靜態(tài)偏置點(diǎn) 是不變的。圖2繪出這些漏極電壓的近似軌跡8，其形成根據(jù)本發(fā)明的 負(fù)載線?？梢钥闯鲈谶@種情形中軌跡近似于直線。
本發(fā)明提供一種RF阻抗終端使得晶體管在遵循圖2中的點(diǎn)的軌跡8 的負(fù)載線上工作。需要的阻抗終端可以通過用關(guān)于對(duì)晶體管的工作的
限制的知識(shí)進(jìn)行分析晶體管來進(jìn)行近似。
為了達(dá)到最高效率，放大器在B類中工作。在那樣的情形中，漏極 電流Id的形式為
=0611 —2;r
(1)
其中I。是漏極電流的振幅。傅立葉級(jí)數(shù)表示為
<formula>formula see original document page 11</formula>(2)
如果輸出電壓受限于缺少諧波，貝U:
X是基頻的振幅并且X《1。根據(jù)這個(gè)分析，I-V平面中的軌跡(圖 2中的負(fù)載線)是<formula>formula see original document page 11</formula>
(4)
和
<formula>formula see original document page 11</formula>
等式(4)是直線，其斜率為
見
(6)并且當(dāng)I二O時(shí)，V = Vdc。結(jié)果得到的軌跡10在圖3中示出。
如果終端負(fù)載是基頻下的電阻器，值為R，則來自等式(2)和(3)
,。 w
因此，負(fù)載線的斜率為-R/2。因此，Vde和R的值可以經(jīng)選擇以致 結(jié)果得到的負(fù)載線遵循圖2中所示的軌跡8 。
或者，還可以通過向化合物半導(dǎo)體晶體管施加脈沖調(diào)制或連續(xù)波 (CW)來確定Vde和R。以緊隨已去除脈沖之后的時(shí)間的函數(shù)測(cè)量漏極 電流。這可以通過測(cè)量漏極/源極電路中的電阻器兩端的電壓來執(zhí)行。 圖4繪出具有已調(diào)制信號(hào)12的GaN晶體管的測(cè)量的典型響應(yīng)，和具有未 經(jīng)優(yōu)化的漏極偏壓(Vdc)的CW信號(hào)14。這兩個(gè)信號(hào)的平均功率是相同 的。圖4還繪出靜態(tài)電平16?？梢钥吹揭颜{(diào)制信號(hào)上的下沖明顯大于CW 信號(hào)的，這指示所述效應(yīng)是俘獲相關(guān)的而非熱相關(guān)的。圖5和6示出逐 漸增大信號(hào)功率直至CW與已調(diào)制信號(hào)的瞬態(tài)效應(yīng)相同的效應(yīng)(圖6)。 這發(fā)生在相同的峰值信號(hào)電平(peak signal level)下并因此非常可能是 由俘獲效應(yīng)引起的。
如果隨后在基頻下與有效荷載阻抗一起調(diào)節(jié)漏極電壓，則可以基 本上消除瞬態(tài)效應(yīng)。圖7繪出對(duì)于具有相同峰值功率的己調(diào)制和C W脈 沖信號(hào)的這個(gè)結(jié)果。
作為本發(fā)明達(dá)到最佳負(fù)載和漏極電壓偏置條件的證明，用全功率 WCDMA信號(hào)來確定用于向化合物半導(dǎo)體晶體管提供信號(hào)的數(shù)字預(yù)失 真器的系數(shù)。圖8繪出非優(yōu)化輸出電路的互調(diào)性能。全功率信號(hào)由跡線 18繪出，功率下降6dB的輸入信號(hào)由跡線20示出。輸入信號(hào)的功率下降 6dB時(shí)，互調(diào)產(chǎn)物增加15dB。圖9繪出優(yōu)化輸出電路的互調(diào)性能。全功率信號(hào)由跡線22繪出，功率下降6dB的輸入信號(hào)由跡線24示 出。輸入信號(hào)的功率下降6dB時(shí)，互調(diào)產(chǎn)物的功率僅增加3dB。
圖10示出脈沖信號(hào)的行為的測(cè)量的結(jié)果。在3MHz帶寬內(nèi)，作為吋 間的函數(shù)測(cè)量三階互調(diào)產(chǎn)物的功率。非優(yōu)化電路由跡線26繪出，優(yōu)化 電路由跡線28示出。作為時(shí)間的函數(shù)，優(yōu)化的解明顯更好。
在上述討論的情形中，軌跡被近似為直線，通常這將不是對(duì)于大 多數(shù)晶體管的情形。圖11中示出軌跡30的更一般的解。與這個(gè)軌跡相 應(yīng)的負(fù)載線是通過增大輸入信號(hào)使得輸出電路開始飽和來近似的。一 個(gè)這樣的輸出電流是
<formula>formula see original document page 13</formula>(8)
傅立葉級(jí)數(shù)為
<formula>formula see original document page 13</formula>
(9)
如果輸出電壓再次受限于缺少諧波，則
<formula>formula see original document page 13</formula> (10)
其中X《1。因此，X二l時(shí)，IV平面中的軌跡為
<formula>formula see original document page 13</formula>
(11)
圖2中示出這個(gè)軌跡32。如果由下式給出負(fù)載電阻，則所述軌跡
很近似于圖ll:
<formula>formula see original document page 14</formula>
如果進(jìn)一步增大輸入信號(hào)，則電流趨向于由下式定義的方波:
/ = 6 = 0 — ;r =0(9 = ;r ~> 2;r
(13)
它的傅里葉級(jí)數(shù)為<formula>formula see original document page 14</formula>
在極限情形(limiting case)中的軌跡是圖13中繪出的軌跡34，其
具有<formula>formula see original document page 14</formula>
雖然已參照單個(gè)化合物半導(dǎo)體晶體管描述的實(shí)施例，但是在替代 實(shí)施例中可以使用超過 一 個(gè)的晶體管。
權(quán)利要求
1. 一種功率放大器，其包括化合物半導(dǎo)體晶體管；偏置電路，其用于設(shè)置所述化合物半導(dǎo)體晶體管的漏極偏壓；數(shù)字預(yù)失真器，其用于在輸入信號(hào)被所述化合物半導(dǎo)體晶體管放大之前使該輸入信號(hào)預(yù)失真，其中，在基頻對(duì)于最大功率的已調(diào)制信號(hào)計(jì)算所述數(shù)字預(yù)失真器的系數(shù)；以及終端阻抗，其連接到所述化合物半導(dǎo)體晶體管；其中，所述終端阻抗和漏極偏壓被選擇為以使得漏極電流與漏源電壓的標(biāo)繪圖上所得到的負(fù)載線與經(jīng)過所述化合物半導(dǎo)體晶體管的特性曲線上的點(diǎn)的軌跡近似相同，在所述點(diǎn)處，所述漏極電流對(duì)于相同的柵極偏壓下的DC信號(hào)和脈沖信號(hào)基本相同。
2. —種利用化合物半導(dǎo)體晶體管放大信號(hào)的方法，該方法包括 選擇所述化合物半導(dǎo)體晶體管的漏極偏壓和終端阻抗以使得漏極電流與漏源電壓的標(biāo)繪圖上所得到的負(fù)載線與經(jīng)過所述化合物半導(dǎo) 體晶體管的特性曲線上的點(diǎn)的軌跡近似相同，在所述點(diǎn)處，所述漏極電流對(duì)亍相同柵極偏壓下的DC信號(hào)和脈沖信號(hào)是基本相同的；使所述信號(hào)數(shù)字預(yù)失真，其中，在基頻對(duì)于最大功率的已調(diào)制信 號(hào)計(jì)算所述數(shù)字預(yù)失真器的系數(shù)；以及將所述數(shù)字預(yù)失真的信號(hào)提供至所述化合物半導(dǎo)體晶體管。
3. 如權(quán)利要求1所述的功率放大器或如權(quán)利要求2所述的方法，其 中，所述化合物半導(dǎo)體晶體管在B類下工作，并且所述終端阻抗的值為其中，Io是最大漏極電流，Vde是漏極偏壓，X是要被放大的信號(hào)的 基頻的振幅。
4.如權(quán)利要求1所述的功率放大器或如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述化合物半導(dǎo)體晶體管在B類下工作，并且所述終端阻抗的值為，其中，Io是最大漏極電流，Vdc是漏極偏壓。
5. 如權(quán)利要求1所述的功率放大器或如權(quán)利要求2所述的方法，其 中，所述化合物半導(dǎo)體晶體管在B類下工作，并且所述終端阻抗的值為，2 /0其中，Io是最大漏極電流，Vde是漏極偏壓。
6. —種功率放大器，其包括化合物半導(dǎo)體晶體管；偏置電路，其用于設(shè)置所述化合物半導(dǎo)體晶體管的漏極偏壓； 數(shù)字預(yù)失真器，其用于在輸入信號(hào)被所述化合物半導(dǎo)體晶體管放大之前使該輸入信號(hào)預(yù)失真，其中，在基頻對(duì)于最大功率的連續(xù)信號(hào) 計(jì)算所述數(shù)字預(yù)失真器；以及終端阻抗，其連接到所述化合物半導(dǎo)體晶體管；其中，所述終端阻抗和漏極偏壓被選擇為以使得在緊隨于脈沖 調(diào)制信號(hào)和脈沖連續(xù)波信號(hào)被施加到所述晶體管之后，所述漏極電流 中基本沒有瞬態(tài)效應(yīng)。
7 —種利用化合物半導(dǎo)體晶體管放大信號(hào)的方法，該方法包括 選擇所述化合物半導(dǎo)體晶體管的漏極偏壓和終端阻抗以使得在緊隨于脈沖調(diào)制信號(hào)和脈沖連續(xù)波信號(hào)被施加于所述晶體管之后，所 述漏極電流中基本不存在瞬態(tài)效應(yīng)；使所述信號(hào)數(shù)字預(yù)失真，其中，在基頻對(duì)于最大功率的連續(xù)信號(hào) 計(jì)算所述數(shù)字預(yù)失真器的系數(shù)；以及將所述數(shù)字預(yù)失真的信號(hào)提供至所述化合物半導(dǎo)體晶體管。
8.如前述權(quán)利要求中的任何一項(xiàng)所述的功率放大器或方法，其 中，所述化合物半導(dǎo)體晶體管是GaAs、 InP或GaN器件。
全文摘要
討論了一種利用數(shù)字預(yù)失真的化合物半導(dǎo)體晶體管的功率放大器。該放大器具有經(jīng)改善的線性度。對(duì)于指定的柵極偏壓，存在這樣的漏極電壓，在所述漏極電壓下，漏極電流對(duì)于脈沖信號(hào)與對(duì)于DC信號(hào)是相同的，并且對(duì)于施加脈沖信號(hào)時(shí)出現(xiàn)的靜態(tài)偏置點(diǎn)是不變的。如果放大器在這個(gè)點(diǎn)處工作，則導(dǎo)致記憶效應(yīng)的俘獲效應(yīng)不影響數(shù)字預(yù)失真的放大器的動(dòng)態(tài)行為，結(jié)果得到改善的線性度。這個(gè)點(diǎn)的存在，以及其對(duì)于數(shù)字預(yù)失真放大器的線性度的好處以前并未被認(rèn)識(shí)到。
文檔編號(hào)H03F3/20GK101379697SQ200780004441
公開日2009年3月4日 申請(qǐng)日期2007年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月3日
發(fā)明者約翰·戴維·羅茲 申請(qǐng)人:菲爾特羅尼克公開有限公司