本申請要求(2015年3月3日提交的)美國申請第14/637,117號的優(yōu)先權(quán),其全部通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域:
:本申請大體涉及電子設(shè)備中的監(jiān)視操作。更具體地,本申請涉及動態(tài)地監(jiān)視電子設(shè)備中的電流消耗。
背景技術(shù):
::電子設(shè)備通常包括一個(gè)或多個(gè)穩(wěn)壓器(regulator)。穩(wěn)壓器被設(shè)計(jì)為產(chǎn)生穩(wěn)定的電壓以對電子設(shè)備中的負(fù)載供電。在負(fù)載過多的情況下,由穩(wěn)壓器產(chǎn)生的電壓可能下降。為了避免發(fā)生此情況,監(jiān)視在穩(wěn)壓器的輸出處的電壓以確定何時(shí)負(fù)載過多。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:根據(jù)一個(gè)方面,公開了監(jiān)視設(shè)備。該監(jiān)視設(shè)備配置為監(jiān)視在穩(wěn)壓器的輸出上的電流消耗,該穩(wěn)壓器配置為產(chǎn)生用于電子設(shè)備的穩(wěn)壓電壓。該監(jiān)視設(shè)備包括:模擬模塊,配置為感測在所述穩(wěn)壓器的輸出上的電流,并且產(chǎn)生感測的電流的數(shù)字表示;以及數(shù)字模塊。該數(shù)字組件配置為:輸入感測的電流的所述數(shù)字表示;確定所述數(shù)字表示是否指示過多電流汲取;以及響應(yīng)于確定所述數(shù)字表示指示過多電流汲取,產(chǎn)生中斷,所述中斷向所述電子設(shè)備的控制器指示復(fù)位或者修改所述電子設(shè)備的部分或者全部的操作。根據(jù)另一方面,公開了芯片上系統(tǒng)。該芯片上系統(tǒng)包括:穩(wěn)壓器,包括穩(wěn)壓電壓輸出;電流感測和數(shù)字轉(zhuǎn)換模塊,配置為感測在所述穩(wěn)壓電壓輸出上的電流并且產(chǎn)生感測的電流的數(shù)字表示;數(shù)字表示分析組件,配置為分析所述數(shù)字表示并且產(chǎn)生中斷;以及性能監(jiān)視單元,配置為輸入該中斷并且響應(yīng)于接收到所述中斷而修改所述系統(tǒng)的至少一部分的操作。根據(jù)另一方面,公開了用于監(jiān)視穩(wěn)壓器的輸出上的電流消耗的方法。所述方法包括:感測在所述穩(wěn)壓器的輸出上的電流;至少部分地基于感測的電流產(chǎn)生所述電流的數(shù)字表示;分析所述數(shù)字表示;將所述數(shù)字表示的分析與閾值比較;基于所述分析與所述閾值的比較確定是否產(chǎn)生中斷;響應(yīng)于確定要產(chǎn)生中斷,產(chǎn)生所述中斷,所述中斷指示修改所述電子設(shè)備的操作。在查看以下附圖、詳細(xì)描述和權(quán)利要求書時(shí),其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見。另外,公開了其他實(shí)施例,區(qū)別每個(gè)實(shí)施例可以單獨(dú)使用或者組合在一起使用?,F(xiàn)在將參考附圖詳細(xì)描述實(shí)施例。附圖說明參考以下附圖和描述可以更好地理解該系統(tǒng)。在附圖中,在不同的視圖中類似的參考標(biāo)記指定相應(yīng)的部分。圖1A是示例非易失性存儲器系統(tǒng)的框圖。圖1B是臨時(shí)示例的存儲模塊的框圖。圖1C是例示分層存儲系統(tǒng)的框圖。圖2A是例示非易失性存儲器系統(tǒng)的控制器的示例組件的框圖。圖2B是例示非易失性存儲器存儲系統(tǒng)的非易失性存儲器的示例組件的框圖。圖3例示芯片上系統(tǒng)(SoC)的框圖。圖4例示如圖3所示的模擬組件的部分的框圖。圖5例示圖3中所示的CM數(shù)字核心的框圖。圖6例示可以包括模擬組件和數(shù)字組件的監(jiān)視設(shè)備基于感測的電流確定是否產(chǎn)生中斷的示例的流程圖。具體實(shí)施方式電子設(shè)備可以依靠一個(gè)或多個(gè)穩(wěn)定的穩(wěn)壓電壓來進(jìn)行其操作。穩(wěn)壓電壓可以由各種電子組件產(chǎn)生。一種類型的電子組件是穩(wěn)壓器。穩(wěn)壓器配置為維持恒定的電壓電平。穩(wěn)壓器可以按幾種方式來設(shè)計(jì),諸如通過使用前饋設(shè)計(jì)或這通過使用負(fù)反饋控制循環(huán)。一種具體類型的穩(wěn)壓器是低壓差(LDO)穩(wěn)壓器。LDO穩(wěn)壓器是即使當(dāng)供應(yīng)電壓非常接近輸出電壓時(shí)也可以調(diào)整(regulate)輸出電壓的DC線性穩(wěn) 壓器。預(yù)期到其他類型的穩(wěn)壓器。由穩(wěn)壓器輸出的電壓可以被供應(yīng)到各種電子設(shè)備。一種類型的電子設(shè)備是存儲設(shè)備。同樣預(yù)期到其他類型的電子設(shè)備。以下更詳細(xì)地討論,存儲設(shè)備可以包括各種模塊或者功能部分。例如,復(fù)雜的芯片上系統(tǒng)(SoC)設(shè)計(jì)可以具有許多功耗模塊。一個(gè)這樣的功耗模塊可以包括錯(cuò)誤校正碼(ECC)核心,諸如低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)。穩(wěn)壓器可以按幾種方式之一設(shè)計(jì)以服務(wù)于電子設(shè)備的不同模塊或者功能部分。按一種方式,穩(wěn)壓器可以被設(shè)計(jì)為具有高余量,使得即使當(dāng)電子設(shè)備的大部分(或者全部)的不同模塊依靠穩(wěn)壓電壓時(shí)穩(wěn)壓器也可以輸出足夠的電壓。然而,由于得到的穩(wěn)壓器的尺寸,設(shè)計(jì)足以對電子設(shè)備中的所有模塊供電的穩(wěn)壓器可能不可行。按另一方式,穩(wěn)壓器可以被設(shè)計(jì)為具有低余量,由此得到較小的覆蓋區(qū)(例如,實(shí)現(xiàn)硅面積優(yōu)化以及限制應(yīng)該由主機(jī)設(shè)備和穩(wěn)壓器兩者供應(yīng)的最大功率)。在這點(diǎn)上,當(dāng)電子設(shè)備的大多數(shù)或者全部不同的模塊依靠穩(wěn)壓電壓時(shí),被設(shè)計(jì)為具有低余量的穩(wěn)壓器不能輸出足夠的電壓。由于具有較小覆蓋區(qū)的穩(wěn)壓器,當(dāng)穩(wěn)壓器的輸出負(fù)載超過其限制時(shí),電子設(shè)備可能故障。此外,因而,穩(wěn)壓器的輸出電壓可能下降到最小允許供應(yīng)電壓電平以下??梢园磶追N方式監(jiān)視穩(wěn)壓器的輸出。在一個(gè)實(shí)施例中,可以監(jiān)視穩(wěn)壓器的輸出電壓。更具體地,響應(yīng)于確定輸出電壓下降到最小預(yù)定允許供應(yīng)電壓電平,通電復(fù)位(POR)電路將電子設(shè)備復(fù)位。在另一實(shí)施例中,可以監(jiān)視由穩(wěn)壓器輸出的電流。在更具體地實(shí)施例中,可以使用兩個(gè)組件調(diào)整該輸出電流:模擬電流感測及轉(zhuǎn)換到數(shù)字信號組件;以及產(chǎn)生中斷的數(shù)字組件。如以下更詳細(xì)地討論的,模擬電流感測及轉(zhuǎn)換到數(shù)字信號組件可以測量穩(wěn)壓器的負(fù)載,并且產(chǎn)生指示所測量的負(fù)載的數(shù)字信號分量。該數(shù)字組件可以將該數(shù)字信號分量與閾值(諸如預(yù)定的閾值或者動態(tài)設(shè)置的閾值)比較并且基于該比較產(chǎn)生對功率管理單元的中斷。響應(yīng)于接收到該中斷,功率管理單元可以將電子設(shè)備的部分或者全部復(fù)位(例如關(guān)閉電子設(shè)備中的一個(gè)或多個(gè)模塊)或者可以修改電子設(shè)備的部分或者全部的操作(例如降低時(shí)鐘頻率)。如以上所述,各種電子設(shè)備可以使用穩(wěn)壓電壓。使用穩(wěn)壓電壓的一種類型的電子設(shè)備是存儲器系統(tǒng),以下討論關(guān)注于存儲器系統(tǒng)。因此,在一個(gè)實(shí) 施例中,模擬電流感測及轉(zhuǎn)換到數(shù)字信號組件以及產(chǎn)生中斷的數(shù)字組件可以與存儲器系統(tǒng)一起(或者在存儲器系統(tǒng)內(nèi))使用。在一個(gè)替換實(shí)施例中,模擬電流感測及轉(zhuǎn)換到數(shù)字信號組件以及產(chǎn)生中斷的數(shù)字組件可以與其他電子設(shè)備一起(或者在其他電子設(shè)備內(nèi))使用。公開的兩種類型的電子設(shè)備僅僅是用于例示目的。預(yù)期到其他類型的電子設(shè)備。在這點(diǎn)上,在此指向存儲器系統(tǒng)的任何討論同樣可以應(yīng)用于其他電子設(shè)備。圖1A是例示非易失性存儲器系統(tǒng)的框圖。非易失性存儲器系統(tǒng)100包括控制器102和可以由一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲器裸片104構(gòu)成的非易失性存儲器??刂破?02和非易失性存儲器裸片104之一或者兩者可以使用穩(wěn)壓電壓。如在此使用的,術(shù)語裸片指代在單個(gè)半導(dǎo)體基板上形成的非易失性存儲器單元集以及用于管理那些非易失性存儲器單元的物理操作的相關(guān)電路。控制器102與主機(jī)系統(tǒng)相接口并且向非易失性存儲器裸片104發(fā)送用于讀取、編程和擦除操作的命令序列??刂破?02(其可以是快閃存儲器控制器)可以采取處理電路、微處理器或處理器以及計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的形式,該計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)存儲可由例如(微)處理器、邏輯門、開關(guān)、專用集成電路(ASIC)、可編程邏輯控制器和嵌入微控制器執(zhí)行的計(jì)算機(jī)可讀程序代碼(例如軟件或固件)??刂破?02可以配置有硬件和/或固件以進(jìn)行以下所述以及在流程圖中示出的各種功能。而且,被示出為在控制器內(nèi)部的一些組件也可以存儲在控制器外部,并且可以使用其他控制組件。另外,短語“操作地與…...通信”可以意味著直接與之通信或者經(jīng)過一個(gè)或多個(gè)組件間接(有線或無線)與之通信,這可能有或者可能沒有在此示出或描述。如在此使用的,快閃存儲器控制器是管理在快閃存儲器上存儲的數(shù)據(jù)并且與諸如計(jì)算機(jī)或者電子設(shè)備的主機(jī)通信的設(shè)備。除了在此所述的具體功能性之外,快閃存儲器控制器還可以具有各種功能性。例如,快閃存儲器控制器可以對快閃存儲器格式化以確保存儲器恰當(dāng)?shù)夭僮?、?biāo)出壞的快閃存儲器單元以及分配空閑單元以替換將來故障的單元。空閑單元的一些部分可以用于保持固件以操作快閃存儲器控制器以及實(shí)現(xiàn)其他特征。在操作中,當(dāng)主機(jī)需要從快閃存儲器讀取數(shù)據(jù)或者向快閃存儲器寫入數(shù)據(jù)時(shí),其將與快閃存儲器控制器通信。如果主機(jī)提供了數(shù)據(jù)將被讀取/寫入的邏輯地址,快閃存儲器控制器可以將從主機(jī)接收到的邏輯地址轉(zhuǎn)換為快閃存儲器中的物理地址。 (可替換地,主機(jī)可以提供物理地址)??扉W存儲器控制器還可以進(jìn)行各種存儲器管理功能,諸如但不限于磨損均衡(分發(fā)寫入以避免否則將被重復(fù)地寫入的存儲器的特定塊的磨損)和垃圾收集(在塊滿了以后,僅將有效頁的數(shù)據(jù)移動到新塊,使得可以擦出并重新使用完整塊)。非易失性存儲器裸片104可以包括任何適當(dāng)?shù)姆且资源鎯橘|(zhì),包括NAND快閃存儲器單元和/或NOR快閃存儲器單元。非易失性存儲器裸片104的一個(gè)示例可以包括存儲器集成電路芯片。存儲器單元可以采取固態(tài)(例如快閃)存儲器單元的形式并且可以是一次可編程的、幾次可編程的或者多次可編程的。存儲器單元還可以是已知的或者以后發(fā)展的單級單元(SLC)、多級單元(MLC)、三級單元(TLC)或者使用其他存儲器單元級技術(shù)。而且,存儲器單元可以以二維或者三維方式制造??刂破?02和非易失性存儲器裸片104之間的接口可以是任何適當(dāng)?shù)目扉W接口,諸如ToggleMode200、400或800。在一個(gè)實(shí)施例中,存儲器系統(tǒng)100可以是基于卡的系統(tǒng),諸如安全數(shù)字(SD)或者微安全數(shù)字(微SD)卡。在一個(gè)可替換實(shí)施例中,存儲器系統(tǒng)100可以是嵌入式存儲器系統(tǒng)的部分。盡管在圖1A所示的例子中非易失性存儲器系統(tǒng)100包括在控制器102和非易失性存儲器裸片104之間的單個(gè)通道,但是在此描述的主題不限于具有單個(gè)存儲器通道。例如,在諸如圖1B-C所示的一些NAND存儲器系統(tǒng)架構(gòu)中,取決于控制器性能,2、4、8或更多NAND通道可以存在于控制器和NAND存儲器設(shè)備之間。在在此所述的任意實(shí)施例中,多于單個(gè)通道可以存儲在控制器和存儲器裸片之間,即使在圖中示出了單個(gè)通道。圖1B例示包括多個(gè)非易失性存儲器系統(tǒng)100的存儲模塊200。這樣,存儲模塊200可以包括與主機(jī)以及與存儲系統(tǒng)204相接口的存儲控制器202,存儲系統(tǒng)204包括多個(gè)非易失性存儲器系統(tǒng)100。存儲控制器202和非易失性存儲器系統(tǒng)100之間的接口可以是總線接口,諸如串行高級技術(shù)附件(SATA)或者外圍組件接口快速(PCIe)接口。在一個(gè)實(shí)施例中,存儲模塊200可以是諸如在諸如膝上型計(jì)算機(jī)和平板計(jì)算機(jī)的便攜式計(jì)算設(shè)備中找到的固態(tài)驅(qū)動器(SSD)。圖1C是例示分層存儲系統(tǒng)的框圖。分層存儲系統(tǒng)210包括多個(gè)存儲控制器202,其每個(gè)控制各自的存儲系統(tǒng)204。主機(jī)系統(tǒng)212可以經(jīng)由總線接口訪問分層存儲系統(tǒng)內(nèi)的存儲器。在一個(gè)實(shí)施例中,總線接口可以是非易失性存 儲器快速(NVMe)或者以太網(wǎng)上的光纖通道(FCoE)接口。在一個(gè)實(shí)施例中,圖1C所示的系統(tǒng)可以是諸如將在數(shù)據(jù)中心或者需要大容量存儲的其他位置中找到的可由多個(gè)主機(jī)計(jì)算機(jī)訪問的可機(jī)架安裝的(rackmountable)大容量存儲系統(tǒng)。圖2A是更詳細(xì)地例示控制器102的示例組件的框圖。控制器102包括與主機(jī)相接口的前端模塊108、與一個(gè)或多個(gè)非易失性存儲器裸片104相接口的后端模塊110、以及進(jìn)行現(xiàn)在將詳細(xì)描述的功能的各種其他模塊。例如,模塊可以采取被設(shè)計(jì)用于與其他組件一起使用的封裝的功能硬件單元、可由通常進(jìn)行相關(guān)功能中的特定功能的(微)處理器或者處理電路執(zhí)行的程序代碼(例如軟件或固件)的一部分、或者與更大的系統(tǒng)相接口的自包含的硬件或者軟件組件的形式??刂破?02的模塊可以包括模擬電流感測/轉(zhuǎn)換模塊111和數(shù)字信號分析模塊112。如以下更詳細(xì)地說明的,模擬電流感測/轉(zhuǎn)換模塊111可以感測來自穩(wěn)壓器119的輸出(諸如穩(wěn)壓器119的電壓輸出)的模擬電流并且可以將感測的模擬電流轉(zhuǎn)換為數(shù)字表示。數(shù)字信號分析模塊112配置為接收該數(shù)字表示以分析該數(shù)字表示(諸如在數(shù)字表示的一部分期間對系統(tǒng)時(shí)鐘周期的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)),并且基于該分析確定是否產(chǎn)生中斷(諸如將計(jì)數(shù)的系統(tǒng)時(shí)鐘周期的數(shù)量與閾值比較)。盡管在一些實(shí)現(xiàn)方式中該模擬電流感測/轉(zhuǎn)換模塊111和數(shù)字信號分析模塊112可以是控制器102的部分,但是在其他實(shí)現(xiàn)方式中,該模擬電流感測/轉(zhuǎn)換模塊111和數(shù)字信號分析模塊112的全部或者一部分可以是與控制器102分離的離散組件,其余控制器102相接口。例如,數(shù)字信號分析模塊112可以被包括在控制器102內(nèi),而模擬電流感測/轉(zhuǎn)換模塊111可以與控制器102分離并且提供該數(shù)字表示作為向控制器102的輸入。再次參考控制器102的模塊,緩沖器管理器/總線控制器114管理隨機(jī)存取存儲器(RAM)116中的緩沖器并且控制控制器102的內(nèi)部總線仲裁。只讀存儲器(ROM)118存儲系統(tǒng)引導(dǎo)代碼。盡管在圖2A中示出為與控制器102分離地定位,但是在其他實(shí)施例中,RAM116和ROM118之一或兩者可以位于控制器內(nèi)。在其他實(shí)施例中,RAM和ROM的部分可以位于控制器102內(nèi)以及在控制器之外。此外,在一些實(shí)現(xiàn)方式中,控制器102、RAM116和ROM118可以位于單獨(dú)的半導(dǎo)體裸片上。前端模塊108包括提供與主機(jī)或者下一級存儲控制器的電接口的主機(jī)接 口120和物理層接口(PHY)122。主機(jī)接口120的類型的選擇可以取決于所使用的存儲器的類型。主機(jī)接口120的例子包括但不限于SATA、SATAExpress、SAS、光纖通道、USB、PCIe和NVMe。主機(jī)接口120通常促進(jìn)數(shù)據(jù)、控制信號和定時(shí)信號的傳送。后端模塊110包括錯(cuò)誤校正控制器(ECC)引擎124,其對從主機(jī)接收的數(shù)據(jù)字節(jié)編碼,并且對從非易失性存儲器讀取的數(shù)據(jù)字節(jié)解碼并錯(cuò)誤校正。命令排序器126產(chǎn)生要傳輸?shù)椒且资源鎯ζ髀闫?04的命令序列,諸如編程和擦除命令序列。RAID(獨(dú)立驅(qū)動器的冗余陣列)模塊128管理RAID奇偶校驗(yàn)位的傳輸以及失敗數(shù)據(jù)的恢復(fù)。RAID奇偶校驗(yàn)位可以被用作被寫入非易失性存儲器系統(tǒng)100中的數(shù)據(jù)的另外級別的完整性保護(hù)。在一些情況下,RAID模塊128可以是ECC引起124的部分,存儲器接口130提供到非易失性存儲器裸片104的命令序列并且從非易失性存儲器裸片104接收狀態(tài)信息。在一個(gè)實(shí)施例中,存儲器接口130可以是雙數(shù)據(jù)速率(DDR)接口,諸如ToggleMode200、400或800接口??扉W控制層132控制后端模塊110的整體操作。圖2A所示的系統(tǒng)100的另外的組件包括介質(zhì)管理層138,其進(jìn)行非易失性存儲器裸片104的存儲器單元的磨損均衡。系統(tǒng)100還包括其他離散的組件140,諸如外部電接口、外部RAM、電阻器、電容器或者可以與控制器102相接口的其他組件。在可替換的實(shí)施例中,物理層接口122、RAID模塊128、介質(zhì)管理層138和緩沖器管理/總線控制器114的一個(gè)或多個(gè)是可選的組件,它們不是控制器102中所必需的。圖2B是更詳細(xì)地例示非易失性存儲器裸片104的示例組件的框圖。非易失性存儲器裸片104包括外圍電路141和非易失性存儲器陣列142。非易失性存儲器陣列142包括用于存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲器單元。非易失性存儲器單元可以是任何適當(dāng)?shù)姆且资源鎯ζ鲉卧?,包括以二維和/或三維配置的NAND快閃存儲器單元和/或NOR快閃存儲器單元。外圍電路141包括向控制器102提供狀態(tài)信息的狀態(tài)機(jī)152。非易失性存儲器裸片104還包括用于在非易失性存儲器陣列142內(nèi)尋址的地址解碼器148、150以及緩存數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)緩存器156。圖3例示芯片上系統(tǒng)(SoC)300的框圖。SoC是將電子設(shè)備的一些或所有組件集成到單個(gè)芯片中的集成電路的一個(gè)示例。如圖3所示,SoC300包 括在單個(gè)芯片基板上的模擬和數(shù)字功能兩者。SoC300包括模擬組件310和數(shù)字組件350。如圖3所示,模擬組件310配置為感測從LDO穩(wěn)壓器輸出的電流并且產(chǎn)生數(shù)字表示。該數(shù)字表示的部分或者全部可以基于感測的電流。在一個(gè)實(shí)施例中,該數(shù)字表示的部分或者全部與感測的電流成反比。在一個(gè)可替換的實(shí)施例中,該數(shù)字表示的部分或者全部與感測的電流成正比。該數(shù)字表示然后被輸入到數(shù)字組件350用于分析。更具體地,模擬組件310包括LDO穩(wěn)壓器320和電流感測&轉(zhuǎn)換核心330。如上所述,一種類型的穩(wěn)壓器是LDO穩(wěn)壓器。在這點(diǎn)上,盡管在圖3中例示了LDO穩(wěn)壓器,但是預(yù)期到其他類型的穩(wěn)壓器。此外,盡管圖3例示了模擬組件310包括所有的LDO穩(wěn)壓器320,但是少于所有的LDO穩(wěn)壓器320可以被包括在模擬組件310中。如以下更詳細(xì)地討論的,LDO穩(wěn)壓器320可以包括一個(gè)或多個(gè)輸出線,穩(wěn)壓電壓(或多個(gè)穩(wěn)壓電壓)在該輸出線上。電流感測&轉(zhuǎn)換組件330可以感測在LDO穩(wěn)壓器320的輸出線之一、一些或所有上的電流。這在圖3中例示為輸入到電流感測&轉(zhuǎn)換組件330的電流(I)輸入。如以下更詳細(xì)地討論的,電流感測&轉(zhuǎn)換組件330配置為進(jìn)行兩個(gè)功能:(i)感測電流(I);以及(ii)將感測的電流轉(zhuǎn)換為數(shù)字表示。作為電流感測&轉(zhuǎn)換組件330的輸出生成該數(shù)字表示,如圖3所示。數(shù)字組件350包括電流測量(CM)數(shù)字核心360和性能監(jiān)視單元(PMU)370。CM數(shù)字核心360配置為輸入該數(shù)字表示以分析該數(shù)字表示,并且基于該分析產(chǎn)生用于輸出到PMU370的中斷。如以下更詳細(xì)地討論的,CM數(shù)字核心360可以通過確定關(guān)于由穩(wěn)壓器輸出汲取的電流量的指示來分析該數(shù)字表示。PMU370可以接收由CM數(shù)字核心360產(chǎn)生的中斷。響應(yīng)于接收到該中斷,PMU370可以進(jìn)行包括以下的一個(gè)或多個(gè)動作:復(fù)位SoC300的部分或全部;或者修改SoC300的部分或全部的操作。例如,PMU370可以禁用或者復(fù)位整個(gè)SoC300。作為另一示例,PMU370可以禁用或復(fù)位少于全部的SoC300,諸如僅禁用或復(fù)位SoC300的一個(gè)組件。如上所述,存儲設(shè)備可以包括ECC核心。響應(yīng)于接收到該中斷,PMU370可以僅用該ECC核心。此外,在更具體地實(shí)施例中,響應(yīng)于接收到來自CM數(shù)字核心360的第一中斷,PMU370可以首先禁用少于所有的SoC300,諸如ECC核心。響應(yīng)于來自CM數(shù)字核心360的第二中斷,PMU370然后可以禁用整個(gè)SoC300。作 為再一示例,響應(yīng)于接收到該中斷,PMU370可以修改SoC300的部分或全部的操作,諸如降低SoC300的系統(tǒng)時(shí)鐘。PMU370可以包括硬件、固件或者硬件和固件的組合。圖4例示圖3所示的模擬組件的包括LDO輸出功率PMOS400和模擬電流感測及測量組件420的部分的框圖。LDO輸出功率PMOS400例示了產(chǎn)生輸出電流Iload的電路元件(PMOS晶體管)。模擬電流感測及測量組件420包括電流鏡,其對從穩(wěn)壓器輸出的電流鏡像。更具體地,圖4將電流鏡例示為PMOS晶體管430,其相對于PMOS晶體管400而定大小。在一個(gè)實(shí)施例中,PMOS晶體管430比PMOS400小N倍,得到鏡像的電流是Iload/N。在這點(diǎn)上,諸如通過選擇較大的N顯著降低反映的電流允許選擇的電容器(電容器440,以下討論)具有較低的值,由此節(jié)省硅面積。模擬電流感測和測量組件420還基于鏡像的電流產(chǎn)生數(shù)字表示。在一個(gè)實(shí)施例中,如圖4所示,通過使用電容器440、NMOS晶體管450和放大器460產(chǎn)生該數(shù)字表示。鏡像的電流對電容器440充電,在節(jié)點(diǎn)V(+)處的電路的充電由圖4中所會的鋸齒波表示。當(dāng)V(+)處的電壓等于Vref時(shí),放大器460接通(輸出邏輯1),由此導(dǎo)通NMOS晶體管450,轉(zhuǎn)而對電容器440放電。因此,在Vout處的電壓在圖4中例示為具有兩個(gè)單獨(dú)的時(shí)段:(1)處于邏輯1的第一時(shí)段,其中NMOS晶體管導(dǎo)通并且電容器正放電;(2)處于邏輯0的第二時(shí)段,在此期間電容器正被充電到Vref。第一時(shí)段是恒定的,取決于NMOS晶體管450和電容器440。第二時(shí)段與LDO輸出電流成反比。在這點(diǎn)上,該數(shù)字表示的僅一部分取決于LDO輸出電流。因此,如果LDO輸出電流較大,則第二時(shí)段較短。相反,如果LDO輸出電流較小,則第二時(shí)段較長。因此,在一個(gè)實(shí)施例中,該數(shù)字表示的一部分(例如第二時(shí)段)與LDO輸出電流成反比。在Vout處的電壓是被發(fā)送到CM數(shù)字核心500的LDO輸出電流的數(shù)字表示的示例。Vout的數(shù)字表示僅僅是用于例示目的。預(yù)期到Iload的其他數(shù)字表示。例如,在一個(gè)可替換實(shí)施例中,該數(shù)字表示的一部分可以與LDO輸出電流成正比。模擬電流感測和測量組件420的值的示例包括:Vref=.85V;以及電容器440~=27pF。給出這些值,第一時(shí)段的持續(xù)時(shí)間是~10納秒,并且第二時(shí)段的持續(xù)時(shí)間是(以120mA的LDO電流)~1微秒。這些值僅僅是用于例示目的。 預(yù)期到其他值。圖5例示如圖3所示的CM數(shù)字核心500的框圖。一個(gè)或多個(gè)信號可以從模擬電流感測和測量組件420傳輸。如圖5所示,來自模擬電流感測和測量組件420的數(shù)字信號(Vout)可以被輸入到CM數(shù)字核心500。如上所述,(在時(shí)間“t”例示的)數(shù)字信號的一部分與Iload成反比。在一個(gè)可替換實(shí)施例中,該數(shù)字信號的部分或者全部可以與Iload成正比。在一個(gè)實(shí)施例中,也可以輸入諸如系統(tǒng)時(shí)鐘的另一信號。系統(tǒng)時(shí)鐘可以經(jīng)由數(shù)字組件350的部分被路由到CM數(shù)字核心500。CM數(shù)字核心500可以分析來自模擬電流感測和測量組件420的數(shù)字信號。由CM數(shù)字核心500進(jìn)行的分析可以包括基于對來自模擬電流感測和測量組件420的數(shù)字信號的分析確定Iload的指示。在一個(gè)實(shí)施例中,該分析可以報(bào)考計(jì)數(shù)器邏輯530,其配置為在時(shí)間段“t”期間對系統(tǒng)時(shí)鐘周期的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)(指示為“n”個(gè)時(shí)鐘周期)。在時(shí)間段“t”期間的計(jì)數(shù)是由CM數(shù)字核心500進(jìn)行的分析的一個(gè)示例。預(yù)期到其他形式的分析。在這點(diǎn)上,計(jì)數(shù)器邏輯530可以將計(jì)數(shù)的時(shí)鐘周期的數(shù)量輸出到一個(gè)或多個(gè)模塊,諸如比較器最小&最大530和比較器閾值540。比較器閾值540可以將系統(tǒng)時(shí)鐘周期的數(shù)量與閾值比較。如圖5所示,由比較器閾值540使用的閾值可以由閾值575提供。存儲在閾值575中的閾值可以是預(yù)定的且靜態(tài)的,或者可以是動態(tài)確定的。在一個(gè)實(shí)施例中,該閾值是預(yù)定的且靜態(tài)的。更具體地,該閾值可以在制造時(shí)被預(yù)編程到監(jiān)視設(shè)備的存儲器中。在一個(gè)可替換實(shí)施例中,該閾值可以是動態(tài)確定的。在第一個(gè)更具體的實(shí)施例中,可以基于電子設(shè)備的電流操作動態(tài)地確定閾值。例如,電子設(shè)備可以包括多個(gè)組件,每個(gè)組件需要一定量的功率(或電流)。監(jiān)視設(shè)備可以確定多個(gè)組件中的哪個(gè)在電流操作,并且基于該確定計(jì)算達(dá)到電流操作要求所需的閾值。更具體地,不同的組件可能需要不同的操作電壓來恰當(dāng)?shù)剡\(yùn)作。作為一個(gè)示例,第一組件可能需要1.1V的穩(wěn)定電壓,而第二組件可能需要1.06V的穩(wěn)定電壓。響應(yīng)于確定僅第二組件正在操作,可以動態(tài)地選擇閾值使得僅當(dāng)感測的電流指示不能達(dá)到至少1.06V的穩(wěn)定電壓時(shí)產(chǎn)生中斷。在這點(diǎn)上,與之可以基于哪個(gè)組件當(dāng)前在操作而改變。在第二個(gè)更具體的實(shí)施例中,閾值可以基于一個(gè)或多個(gè)查找表而確定。在制造時(shí),存儲器可以被編程 有電子設(shè)備的特性。該特性可以包括操作的類型(例如“快”系統(tǒng)或者“慢”系統(tǒng))或者可以包括操作所需的電壓(例如1.1V)。此外,查找表可以將特性與閾值相關(guān)。例如,查找表可以將“快”系統(tǒng)與第一閾值相關(guān)并且將“慢”系統(tǒng)與第二閾值相關(guān)。在實(shí)踐中,監(jiān)視設(shè)備可以訪問存儲器以確定特性的值(例如“快”系統(tǒng))并且在查找表中使用該特性的值來確定閾值。取決于數(shù)字信號的類型,比較器閾值540可以進(jìn)行與由閾值575提供的閾值的不同比較。如以上關(guān)于圖4所述,先前被描述為數(shù)字表示中的第二時(shí)段的時(shí)間段“t”與Iload成反比。因此,當(dāng)Iload較高時(shí),系統(tǒng)時(shí)鐘周期的數(shù)量(n)將較低。在這點(diǎn)上,比較器閾值540可以將系統(tǒng)時(shí)鐘周期的數(shù)量(n)與閾值比較以確定系統(tǒng)時(shí)鐘周期的數(shù)量(n)是否小于該閾值。響應(yīng)于確定系統(tǒng)時(shí)鐘周期的數(shù)量(n)小于該閾值,比較器閾值530可以產(chǎn)生對PMU的中斷。在其中數(shù)字表示與Iload成正比的可替換實(shí)施例中,比較器閾值540可以比較系統(tǒng)時(shí)鐘周期的數(shù)量(n)是否大于閾值,并且響應(yīng)于確定系統(tǒng)時(shí)鐘周期的數(shù)量(n)大于該閾值,比較器閾值可以產(chǎn)生對PMU的中斷。計(jì)數(shù)器邏輯530同樣可以向一個(gè)或多個(gè)寄存器輸出計(jì)數(shù)值,諸如當(dāng)前計(jì)數(shù)器值555和上一計(jì)數(shù)器值560。分別地,當(dāng)前計(jì)數(shù)器值555存儲由計(jì)數(shù)器邏輯530產(chǎn)生的計(jì)數(shù)器的當(dāng)前值并且上一計(jì)數(shù)器值560存儲由計(jì)數(shù)器邏輯530產(chǎn)生的計(jì)數(shù)器的先前值。例如,存儲在當(dāng)前計(jì)數(shù)器值555中的值可以在數(shù)字表示的時(shí)間“t”期間隨著計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)而遞增。當(dāng)數(shù)字信號中的邏輯“1”被識別時(shí),存儲在當(dāng)前計(jì)數(shù)器值55中的值可以被傳送到上一計(jì)數(shù)器值560中。因此,在一個(gè)實(shí)施例中,由計(jì)數(shù)器邏輯530產(chǎn)生的值與存儲在閾值575中的值比較。在更具體的實(shí)施例中,存儲在上一計(jì)數(shù)器值560中的值與存儲在閾值575中的值比較。如以下更詳細(xì)地討論的,存儲器件的另一部分、諸如固件可以分析計(jì)數(shù)器的當(dāng)前和先前的值。此外,比較器最小&最大(minimum&maximum)530可以確定計(jì)數(shù)器值是否小于先前確定的最小計(jì)數(shù)器值或者大于先前確定的最大計(jì)數(shù)器值。具體地,計(jì)數(shù)器邏輯530可以將計(jì)數(shù)器值輸入到比較器最小&最大530。類似地,分別在寄存器565和570中存儲先前確定的最小計(jì)數(shù)器值和最大計(jì)數(shù)器值的寄存器同樣被輸入到比較器最小&最大530。以此方式,比較器最小&最大530可以比較計(jì)數(shù)器值以確定其是否小于先前確定的最小值(如由寄存器565所指示的)或者大于先前確定的最大值(如由寄存器570所指示的)。響應(yīng)于比 較器最小&最大530確定計(jì)數(shù)器值小于先前確定的最小值,比較器最小&最大530用該計(jì)數(shù)器值更新寄存器565。類似地,響應(yīng)于比較器最小&最大530確定計(jì)數(shù)器值大于先前確定的最大值,比較器最小&最大530用該計(jì)數(shù)器值更新寄存器570。如以下更詳細(xì)地討論的,存儲在寄存器565和570中的值可以用于確定存儲在寄存器575中的閾值。圖6例示包括模擬組件和數(shù)字組件的監(jiān)視設(shè)備基于感測的電流確定是否產(chǎn)生中斷的示例的流程圖600。在602,在穩(wěn)壓器輸出處感測電流。如上所述,可以按各種方式感測該電流,諸如通過使用電流鏡。在604,至少部分地基于感測的電流產(chǎn)生數(shù)字表示。如上所述,該數(shù)字表示可以與感測的電流成正比或者成反比。此外,該數(shù)字表示的部分或者全部可以基于感測的電流。例如,在一個(gè)實(shí)施例中,該數(shù)字表示的僅一部分而不是全部可以基于感測的電流。在606,可以分析該數(shù)字表示的部分或全部。如上所述,可以按各種方式進(jìn)行該數(shù)字表示的分析。例如,在其中數(shù)字表示的僅一部分基于感測的電流的實(shí)施例中,僅分析該部分。該分析可以包括例如對在數(shù)字表示的該部分期間的系統(tǒng)時(shí)鐘脈沖的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)。在608,基于該分析確定是否產(chǎn)生中斷。如上所述,可以按幾種方式之一進(jìn)行是否產(chǎn)生中斷的確定。在一個(gè)實(shí)施例中,在606進(jìn)行的分析可以與閾值比較以確定是否產(chǎn)生中斷。該閾值可以是預(yù)定的且靜態(tài)的,或者可以動態(tài)選擇。此外,在一個(gè)實(shí)施例中(其中該數(shù)字表示與感測的電流成反比),當(dāng)在606處進(jìn)行的分析是小于閾值時(shí)觸發(fā)該中斷。在一個(gè)可替換實(shí)施例中(其中數(shù)字表示與感測的電流成正比),當(dāng)在606處進(jìn)行的分析是大于該閾值時(shí)觸發(fā)該中斷。在這點(diǎn)上,想象到各種類型的比較。在一個(gè)更具體的實(shí)施例中,其中分析包括對在該數(shù)字表示的部分期間計(jì)數(shù)的系統(tǒng)時(shí)鐘脈沖的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù),系統(tǒng)時(shí)鐘脈沖的數(shù)量與閾值比較。在其中該數(shù)字表示與感測的電流成反比的實(shí)例中,如果系統(tǒng)時(shí)鐘脈沖的數(shù)量小于閾值則觸發(fā)中斷。響應(yīng)于確定不產(chǎn)生中斷,流程圖600循環(huán)回到602。響應(yīng)于確定產(chǎn)生中斷,流程圖循環(huán)回610。在610,產(chǎn)生中斷。在其中數(shù)字組件是與電子設(shè)備的可中分離的組件的實(shí)例中,該中斷可以包括輸入到控制器的信號,該信號向控制器指示該中斷。在其中該數(shù)字組件被集成在電子設(shè)備的控制器內(nèi)的實(shí)例中,該中斷可以包括 對控制器的另一部分的軟件中斷,該軟件中斷向控制器的另一部分指示已經(jīng)發(fā)生了中斷。不管中斷的形式如何,電子設(shè)備的控制器可以響應(yīng)于接收到該中斷而進(jìn)行一個(gè)或多個(gè)動作。在一個(gè)實(shí)施例中,該控制器可以終止電子設(shè)備的部分或全部的操作。例如,控制器可以僅終止電子設(shè)備的一個(gè)組件的操作。在具有ECC引擎的存儲設(shè)備的例子中,控制器可以終止該ECC引擎的操作。在一個(gè)可替換實(shí)施例中,該控制器可以修改電子設(shè)備的部分或全部的操作。例如,控制器可以修改時(shí)鐘的操作,諸如降低時(shí)鐘的速度。在本申請中,諸如在本申請中描述的那些的半導(dǎo)體存儲器系統(tǒng)可以包括諸如動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(“DRAM”)或靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(“SRAM”)的易失性存儲器系統(tǒng)、諸如電阻性隨機(jī)存取存儲器(“ReRAM”)、電可擦除可編程只讀存儲器(“EEPROM”)、快閃存儲器(其也可以被認(rèn)為是EEPROM的子集)、鐵電隨機(jī)存取存儲器(“FRAM”)和磁阻隨機(jī)存取存儲器(“MRAM”)的非易失性存儲器以及能夠存儲信息的其他半導(dǎo)體元件。每種類型的存儲器系統(tǒng)可以具有不同的配置。例如,快閃存儲器系統(tǒng)可以以NAND或者NOR配置來配置。存儲器系統(tǒng)可以由無源和/或有源元件以任意組合而形成。通過非限制性的例子,無源半導(dǎo)體存儲器元件包括ReRAM器件元件,其在一些實(shí)施例中包括電阻率切換存儲元件,諸如反熔絲、相變材料等,并且可選地包括諸如二極管等的操縱元件。進(jìn)一步通過非限制性的例子,有源半導(dǎo)體存儲器元件包括EEPROM和快閃存儲器系統(tǒng)元件,其在一些實(shí)施例中包括含有諸如浮置柵極、導(dǎo)電納米粒子或者點(diǎn)和存儲介電材料的電荷存儲區(qū)域的元件。多個(gè)存儲器元件可以配置為使得它們串聯(lián)連接或者敏感元件單獨(dú)可訪問。通過非限制性的例子,以NAND配置的快閃存儲器系統(tǒng)(NAND存儲器)通常包含串聯(lián)連接的存儲器元件。NAND存儲器陣列可以配置為使得該陣列由多個(gè)串存儲器組成,其中串由共享單個(gè)位線被作為一組被訪問的多個(gè)存儲器元件組成。可替換地,存儲器元件可以配置為使得每個(gè)元件單獨(dú)可訪問,例如NOR存儲器陣列。NAND和NOR存儲器配置是示例性的,并且存儲器元件可以另外配置。位于基板內(nèi)和/或基板上的半導(dǎo)體存儲器元件可以按二維或者三維而布置,諸如二維存儲器結(jié)構(gòu)或者三維存儲器結(jié)構(gòu)。在二維存儲器結(jié)構(gòu)中,半導(dǎo)體存儲器元件布置在單個(gè)平面中或者單個(gè)存儲器系統(tǒng)級中。通常,在二維存儲器結(jié)構(gòu)中,存儲器元件布置在基本平行于支撐存儲器元件的基板的主表面而延伸的平面中(例如在x-z方向的平面中)。該基板可以是晶圓(wafer),存儲器元件的層形成在該晶圓上或者該晶圓中,或者其可以是在存儲器元件形成之后附接到存儲器元件的載體基板。作為非限制性的例子,基板可以包括諸如硅的半導(dǎo)體。存儲器元件可以布置在排序的陣列的單個(gè)存儲器系統(tǒng)級中,諸如在多個(gè)行和/或列中。但是,存儲器元件可以排列在不規(guī)則的或者非正交的配置中。存儲器元件每個(gè)可以具有兩個(gè)或更多電極或者接觸線,諸如位線和字線。三維存儲器陣列被布置為使得存儲器元件占據(jù)多個(gè)平面或者多個(gè)存儲器系統(tǒng)級,由此形成三維中的結(jié)構(gòu)(即在x、y和z方向上,其中y方向基本是豎直的并且x和z方向與基板的主表面基本平行)。作為非限制性的例子,三維存儲器結(jié)構(gòu)可以垂直地布置為多個(gè)二維存儲系統(tǒng)級的堆疊。作為另一非限制性的例子,三維存儲器陣列可以被布置為多個(gè)垂直的列(例如基本上垂直于基板的主表面、即在y方向上延伸的列),每列具有在每列中的多個(gè)存儲器元件。列可以按二維配置、例如在x-z平面中布置,得到具有在多個(gè)垂直堆疊的存儲器平面上的元件的存儲器元件的三維布置。以三維的存儲器元件的其他布置也可以構(gòu)成三維存儲器陣列。通過非限制性的例子,在三維NAND存儲器陣列中,存儲器元件可以耦合在一起以形成在三個(gè)水平(例如x-z)存儲器系統(tǒng)級內(nèi)的NAND串。可替換地,存儲器元件可以耦合在一起以形成穿過多個(gè)水平存儲器系統(tǒng)級的垂直NAND串??梢韵胂蟮狡渌S配置,其中一些NAND串包含在單個(gè)存儲器級中的存儲器元件,而其他串包含跨越穿過多個(gè)存儲器級的存儲器元件。三維存儲陣列還可以以NOR配置以及以ReRAM配置而設(shè)計(jì)。通常,在單片三維存儲器陣列中,一個(gè)或多個(gè)存儲系統(tǒng)級形成在單個(gè)基板之上??蛇x地,單片三維存儲器陣列還可以具有至少部分地在單個(gè)基板內(nèi)的一個(gè)或多個(gè)存儲器層。作為非限制性的例子,該基板可以包括諸如硅的半導(dǎo)體。在單片三維陣列中,構(gòu)成該陣列的每個(gè)存儲器系統(tǒng)級的層通常形成在該陣列的下層存儲器系統(tǒng)級的層上。然而,單片三維存儲器陣列的相鄰存儲器系統(tǒng)級的層可以被共享或者具有在存儲器系統(tǒng)級之間的中間層。然后,再次,二維陣列可以單獨(dú)形成并且然后封裝在一起以形成具有多 層存儲器的非單片存儲器系統(tǒng)。例如,可以通過在分離的基板上形成存儲器級然后將存儲器級一個(gè)在另一個(gè)上地堆疊而構(gòu)建非單片堆疊的存儲器。在堆疊之前可以使基板變薄或者從存儲器系統(tǒng)級去除基板,但是因?yàn)榇鎯ζ飨到y(tǒng)級初始地形成在分離的基板上,所以得到的存儲器陣列不是單片三維存儲器陣列。此外,多個(gè)二維存儲器陣列或者三維存儲器陣列(單片或者非單片的)可以形成在分離的芯片上然后封裝在一起以形成堆疊芯片存儲器系統(tǒng)。存儲器元件的操作以及與存儲器元件的通信通常需要相關(guān)聯(lián)的電路。作為非限制的示例,存儲器系統(tǒng)可以具有用于控制和驅(qū)動存儲器元件以完成諸如編程和讀取的功能的電路。此相關(guān)聯(lián)的電路可以在與存儲器元件系統(tǒng)的基板上和/或在單獨(dú)的基板上。例如,用于存儲器讀取-寫入操作的控制器可以位于單獨(dú)的控制器芯片上和/或與存儲器元件相同的基板上。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識到,本發(fā)明不限于所述的二維和三維示例結(jié)構(gòu),而是覆蓋如在此所述的且本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的所有相關(guān)存儲器結(jié)構(gòu)。意圖以上詳細(xì)描述被理解為是對本發(fā)明可以采取的所選形式的歷史而不是不是對本發(fā)明的限定。意圖僅僅以下權(quán)利要求書包括所有等同物限定要求保護(hù)的發(fā)明的范圍。最后,應(yīng)該注意,在此所述的任何優(yōu)選實(shí)施例的任何方面可以單獨(dú)使用或者彼此組合使用。當(dāng)前第1頁1 2 3 當(dāng)前第1頁1 2 3