專利名稱：一種mosfet過壓保護(hù)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種M0SFET管過壓保護(hù)裝置。其主要適用于液壓系統(tǒng)中的 電磁閥控制。
技術(shù)背景隨著經(jīng)濟(jì)的快速增長，重卡舉升機(jī)越來越多地應(yīng)用于汽車維修行業(yè)。采用 液壓系統(tǒng)控制設(shè)備的舉升和下降，控制電磁閥采用MOSFET進(jìn)行控制，由于電磁 閥的線圈在斷開時(shí)會產(chǎn)生高電壓，導(dǎo)致MOSFET被擊穿。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種MOSFET過壓保護(hù)裝置，保護(hù) M0SFET的漏極和源極之間避免被關(guān)斷電磁閥線圈時(shí)產(chǎn)生的高電壓擊穿。 本實(shí)用新型采取的技術(shù)措施如下一種MOSFET過壓保護(hù)裝置，由MOSFET、 二極管，電阻和電容組成，其特 征是M0SFET的漏極與二極管的正極和電阻第一極相連接；二極管的負(fù)極與電 阻第二極和電容第一極相接；電容第二極與M0SFET的源極相連接。所述的二極管是肖特基二極管。本實(shí)用新型的積極效果在于在電磁閥控制中使用本裝置，可以提高M(jìn)OSFET 控制電磁閥的可靠性，避免MOSFET被擊穿損壞，提高液壓系統(tǒng)的反應(yīng)速度，從 而達(dá)到提高系統(tǒng)可靠性的目的。


圖l是本實(shí)用新型的電路圖。
具體實(shí)施方式
如圖l所示，保護(hù)裝置9安裝于電磁閥10，電源的負(fù)極16和MOSFET驅(qū)動 電路11之間。保護(hù)裝置9由MOSFET 14、 二極管13，電阻12和電容15組成。 該裝置的M0SFET14的漏極2與二極管13的正極4和電阻第一極5相連接，二 極管13的負(fù)極3與電阻第二極6和電容第一極7相接，電容第二極8與M0SFET14 的源極1相連接。其中二極管是肖特基二極管。MOSFET14為金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管。
權(quán)利要求1、一種MOSFET過壓保護(hù)裝置，由MOSFET(14)、二極管(13)，電阻(12)和電容(15)組成，其特征是MOSFET(14)的漏極(2)與二極管(13)的正極(4)和電阻第一極(5)相連接；二極管(13)的負(fù)極(3)與電阻第二極(6)和電容第一極(7)相接；電容第二極(8)與MOSFET(14)的源極(1)相連接。
2、 如權(quán)利要求l所述的MOSFET過壓保護(hù)裝置，其特征在于所述的二極 管(13)是肖特基二極管。
專利摘要本實(shí)用新型是一種MOSFET過壓保護(hù)裝置，MOSFET(14)的漏極(2)與二極管(13)的正極(4)和電阻第一極(5)相連接；二極管(13)的負(fù)極(3)與電阻第二極(6)和電容第一極(7)相接；電容第二極(8)與MOSFET(14)的源極(1)相連接。本裝置可以保護(hù)MOSFET的漏極和源極之間避免被擊穿，達(dá)到了提高可靠性的目的。
文檔編號H03K17/08GK201113945SQ20072002864
公開日2008年9月10日 申請日期2007年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月30日
發(fā)明者陳玉新 申請人:煙臺奔騰汽車檢測維修設(shè)備制造有限公司