專利名稱：晶體振蕩電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種晶體振蕩電路，它是一種使用能得到較大的振蕩輸出、能在短時間內(nèi)啟動、并能實現(xiàn)低相位噪聲的晶體的振蕩器。
背景技術(shù)：
近幾年來，晶體振蕩電路常用于在電子設(shè)備中產(chǎn)生基準(zhǔn)頻率，并進(jìn)而提高數(shù)據(jù)傳輸速率。在這樣的電子設(shè)備中，為了得到低功率消耗，進(jìn)行間歇的工作和低電壓工作，并且為了減少相位噪聲，還需要有基準(zhǔn)頻率。由于這個原因，希望有一種晶體振蕩電路，其中，對于用以得到這些頻率作為基準(zhǔn)的晶體振蕩電路，能夠在短時間內(nèi)進(jìn)行啟動，產(chǎn)生低的相位噪聲，并得到恒定的振蕩輸出。因此，作為電路技術(shù)而言，振蕩電路是非常有用的。
例如，在專利文獻(xiàn)1中所描述的晶體振蕩電路已為大家所知。下面將要描述一個常規(guī)的晶體振蕩電路。圖9是一個電路圖，此圖示出了常規(guī)的晶體振蕩電路的一個例子。在圖9中，2表示振蕩電路部分，3表示負(fù)載電容選擇部分，10表示晶體振蕩元件。常規(guī)的晶體振蕩電路具有這樣的結(jié)構(gòu)，如由電源端子11提供振蕩電路部分2的電源，由晶體振蕩元件10、振蕩電路部分2和負(fù)載電容選擇部分3來構(gòu)成振蕩回路，并由頻率調(diào)整電路6、靈敏度調(diào)整電路7和頻率設(shè)置電路8來控制負(fù)載電容選擇部分3，從而將靈敏度調(diào)整為振蕩頻率變化速率(下文中將稱其為頻率靈敏度)。
下面將參照具有上述結(jié)構(gòu)的晶體振蕩電路來說明此電路的工作。在從電源端子11施加電壓時，電壓提供給了振蕩電路部分2、負(fù)載電容選擇部分3和晶體振蕩元件10，進(jìn)而，電勢施加于負(fù)載電容選擇部分3的控制端子，以確定從晶體振蕩元件10上看到的負(fù)載電容，并根據(jù)(方程1)及(方程2)來確定頻率。
(方程1)f＝1/(2×π×(L1×C1)0.5)×(1+C1/(C0+CL))0.5(方程2)CL＝C01×C02/(C1+C2)
在(方程1)和(方程2)中，L1、C1和C0代表晶體振蕩元件的一個等效電路常量，CL代表從晶體振蕩元件上看到的負(fù)載電容，C01和C02代表由負(fù)載電容選擇部分選出的電容值。
此外，控制負(fù)載電容選擇部分3的MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管的柵極電壓，以使振蕩頻率可以改變，從而響應(yīng)由頻率調(diào)整電路6、靈敏度調(diào)整電路7和頻率設(shè)置電路8控制的電壓信號。當(dāng)MOS晶體管47到49以及MOS晶體管部分的47′到49′設(shè)置在斷路(OFF)狀態(tài)下時，如果在負(fù)載電容選擇部分3的開關(guān)部分中，串聯(lián)連接的電容器20、21、20′和21′和開關(guān)35、36、35′和36′是設(shè)置在斷路(OFF)的狀態(tài)下，那么，負(fù)載電容就等效于非連接狀態(tài)。另外，還可以根據(jù)開關(guān)部分的開關(guān)35、36、35′和36′的狀態(tài)，將整個的負(fù)載電容設(shè)置為僅一個與開關(guān)串聯(lián)連接的電容。
與此相反，當(dāng)把MOS晶體管設(shè)置在接通(ON)狀態(tài)下時，只對與開關(guān)35、36、35′和36′串聯(lián)連接的幾個電容器20、21、20′和21′及MOS晶體管在接通(ON)狀態(tài)下的一個電容器設(shè)置負(fù)載電容，如果MOS晶體管在接通(ON)狀態(tài)下的電阻足夠的低。因此，通過將施加到與電容器串聯(lián)的MOS晶體管47到49以及47′到49′的柵極上的控制電壓，并通過控制開關(guān)35到39以及35′到39′，就能夠自由地設(shè)置頻率靈敏度。
(專利文獻(xiàn)1)JP-A-9-102714出版物然而，在圖9所示的振蕩電路中，將由頻率調(diào)整電路、靈敏度調(diào)整電路和頻率設(shè)置電路控制的電壓信號施加到負(fù)載電容選擇部分的每個MOS晶體管的柵極上。因此，一旦受到受控的電壓信號的電壓噪聲的影響，MOS晶體管的接通狀態(tài)下的電阻就會立即發(fā)生改變。從而，改變負(fù)載電容選擇部分的電容值，使得頻率變化，因而增加了抖動。其結(jié)果是，存在一個通常未解決的問題，這就是增加了相位噪聲。
此外，還有一個問題，即，為了切換具有預(yù)定電容值的負(fù)載電容，在切換時非連續(xù)地改變相位，這會導(dǎo)致在這樣的一個結(jié)構(gòu)中相位噪聲明顯劣化，這樣的結(jié)構(gòu)是為了根據(jù)溫度特征來改變負(fù)載電容，要使得負(fù)載電容是可以變化的以改變振蕩頻率。
此外，啟動時間的減少取決于啟動時的幅值和正常狀態(tài)下的幅值之比，以及負(fù)電阻R的值、負(fù)載電容和放大因數(shù)。由于這個原因，在圖9所示的一個常規(guī)例子的振蕩電路中，配備了調(diào)整頻率靈敏度的開關(guān)，與沒有配備開關(guān)的振蕩電路相比，前者就能連接從晶體振蕩元件上看到的負(fù)載電容，以便在負(fù)電阻R和在啟動時要輸入到振蕩電路中的幅值之間產(chǎn)生一個差別。其結(jié)果又產(chǎn)生了一個問題，這就是延遲了啟動時間。
為了解決在常規(guī)工藝技術(shù)中的這些問題，本發(fā)明的一個目的是提供一種晶體振蕩電路，它能夠進(jìn)行低相位噪聲的穩(wěn)定工作。此外，本發(fā)明的一個目的是提供一種晶體振蕩電路，它能夠有一個不延遲啟動時間的振蕩輸出。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的提供了一種晶體振蕩電路，它包括用于振蕩晶體振蕩元件的振蕩部分；用于通過選擇電容值來改變振蕩頻率的負(fù)載電容選擇部分；第一調(diào)整部分，它調(diào)整負(fù)載電容選擇部分的電容值以響應(yīng)提供給負(fù)載電容選擇部分的第一控制信號，其中，負(fù)載電容選擇部分連接至用于輸出第二控制信號的第二調(diào)整部分，在第二控制信號中，單位周期的積分值為零。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，除了可調(diào)整負(fù)載電容選擇部分的電容值以響應(yīng)第一控制信號而外，還可調(diào)整電容值以響應(yīng)其中的單位周期的積分值為零的第二控制信號。因此，有可能減少由控制信號電壓的電壓噪聲引起的相位噪聲，并可能根據(jù)轉(zhuǎn)換電容值時的電壓變化來緩慢地改變振蕩頻率。
此外，在本發(fā)明的晶體振蕩電路中，第二調(diào)整部分產(chǎn)生其頻率與振蕩頻率相等的信號。
另外，根據(jù)本發(fā)明的晶體振蕩電路還包括反饋部分，用以將振蕩部分的輸出作為第二控制信號反饋給負(fù)載電容選擇部分。
此外，在根據(jù)本發(fā)明的晶體振蕩電路中，負(fù)載電容選擇部分包括多個彼此并聯(lián)連接并具有彼此不同工作電壓的晶體管以及與這些晶體管串聯(lián)連接的電容。根據(jù)此結(jié)構(gòu)來改變每個晶體管的工作電壓。從而，可以增大輸入電壓的可變范圍，并能更緩慢地改變振蕩頻率。
此外，根據(jù)本發(fā)明的晶體振蕩電路還包括限制部分，用于在接通電源后的一段固定時間內(nèi)，限制提供給負(fù)載電容選擇部分的第一和第二控制信號。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，在施加電源電壓后的一段固定時間內(nèi)，限制向負(fù)載電容選擇部分輸入控制信號。因此，在施加電源電壓后并非立即把電壓施加到負(fù)載電容選擇部分上，而是減少從晶體振蕩元件上看到的電容。其結(jié)果是，能在短時間內(nèi)進(jìn)行啟動。
另外，在根據(jù)本發(fā)明的晶體振蕩電路中，晶體管是MOS晶體管。此外，在根據(jù)本發(fā)明的晶體振蕩電路中，晶體管還可以是雙極晶體管。另外，在根據(jù)本發(fā)明的晶體振蕩電路中，振蕩部分包括雙極晶體管和電阻器。進(jìn)而，根據(jù)本發(fā)明的晶體振蕩電路還包括晶體振蕩元件。


圖1(a)是方塊圖，該圖根據(jù)本發(fā)明實施例中的例子1，示出了晶體振蕩電路，圖1(b)是電路圖。
圖2(a)是方塊圖，該圖根據(jù)本發(fā)明實施例中的例子2，示出了晶體振蕩電路，圖2(b)是電路圖。
圖3是曲線圖，它示出了按照例子1和2的晶體振蕩電路的輸出頻率的變化。
圖4(a)是方塊圖，該圖根據(jù)本發(fā)明實施例中的例子3，示出了晶體振蕩電路，圖4(b)是電路圖。
圖5是曲線圖，該圖示出了在這種情況下晶體振蕩電路的輸出頻率的變化，這種情況是，其中，將包括MOS晶體管和電容器在內(nèi)的一組負(fù)載電容在兩個級上并聯(lián)連接起來，在此，在負(fù)載電容選擇部分中，MOS晶體管和電容器是彼此串聯(lián)連接的。
圖6(a)是方塊圖，該圖根據(jù)本發(fā)明實施例中的例子4，示出了晶體振蕩電路，圖6(b)是電路圖。
圖7是電路圖，該圖根據(jù)本發(fā)明的例子，示出了使用可變電壓電源的晶體振蕩電路(負(fù)載電容有一個級的情況)。
圖8是電路圖，該圖根據(jù)本發(fā)明的例子，示出了使用可變電壓電源的晶體振蕩電路(負(fù)載電容有多個級的情況)。
圖9是電路圖，該圖示出了常規(guī)的晶體振蕩電路。
在附圖中，1表示恒壓電源，2表示振蕩電路部分，3表示負(fù)載電容選擇部分，4表示放大電路，5表示反饋電路，6表示頻率調(diào)整電路，7表示靈敏度調(diào)整電路，8表示頻率設(shè)置電路，9表示啟動時間調(diào)整電路，10表示晶體振蕩元件，11表示電源端子，12表示恒壓電路，14表示輸出端子，15表示外部應(yīng)用端子，17到18表示晶體連接端子，20到28、30、31和20′至24′表示電容器，35到39和35′到39′表示開關(guān)，41到43表示電阻器，44到46表示倒相器，47到52和47′到49′表示MOS晶體管，61表示可變電壓電源。
具體實施例方式
以下將參照附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明的實施例。
圖1(a)是方塊圖，該圖根據(jù)本發(fā)明的實施例中的例子1，示出了晶體振蕩電路，圖1(b)是電路圖。如圖1(b)所示，由恒壓電源1通過施加至電源端子11的電壓向振蕩裝置的振蕩電路部分2以及放大電路4施加恒定的電壓。在振蕩電路部分2中，恒壓電源1和倒相器45是彼此相連的，進(jìn)而，將電阻器41反饋連接到與放大電路4相連的倒相器45的輸入/輸出端子上。此外，電阻器42的端子之一與倒相器45的輸出端子相連，晶體振蕩元件10和形成晶體振蕩元件10的負(fù)載電容的負(fù)載電容選擇部分3的電容器26與電阻器42的另一端子相連。
進(jìn)而，將MOS晶體管50與電容器26串聯(lián)連接起來，以便在從晶體振蕩元件10上看到的一端上形成負(fù)載電容。形成負(fù)載電容的負(fù)載電容選擇部分3的電容器25與晶體振蕩元件10的另一端子相連，并與倒相器45的輸入端子相連。此外，在放大電路4中的倒相器44的輸出端子與反饋電路5中的電容器27的端子之一相連，電容器27的另一端子與電容器28和負(fù)載電容選擇部分3的MOS晶體管50的柵極相連，以構(gòu)成一個晶體振蕩電路。
下面將根據(jù)具有上述結(jié)構(gòu)的例子1來描述晶體振蕩電路的工作。在把電源電壓施加到電源端子11上時，由穩(wěn)壓電路12輸出一個REG(調(diào)節(jié))電壓。在開始激勵起晶體振蕩元件之后，由外加電壓來提供穩(wěn)定的振蕩頻率，以選擇一個負(fù)載電容和選擇在負(fù)載電容選擇部分3中適合的電容，以響應(yīng)由反饋電路5發(fā)送的反饋信號。
此時，為了便于啟動，在施加了電源和振蕩電路的負(fù)電阻量之后，立即由施加到晶體振蕩元件10上的瞬變電壓首先決定一個時間。由激勵電流來確定瞬變電壓，而激勵電流是根據(jù)晶體振蕩元件10的絕對電阻和在負(fù)載電容選擇部分3中選擇的電容值，并通過對REG電壓分壓而得到的，按照(方程3)來計算啟動時間。
(方程3)Tst＝2×L1/(R-R1)×ln(k)在(方程3)中，L1和R1代表晶體振蕩元件的等效電路常數(shù)，k代表穩(wěn)定狀態(tài)下的幅值和啟動時的幅值之比，R代表振蕩電路部分的負(fù)電阻。
由(方程3)可知，啟動時間取決于啟動幅值和穩(wěn)定態(tài)幅值之比以及負(fù)電阻R。進(jìn)而，負(fù)電阻R主要是由晶體管的工作狀態(tài)(一個小信號)決定的，并且，在振蕩電路部分2和負(fù)載電容選擇部分3中，負(fù)電阻R由(方程4)來計算。
(方程4)R＝-gm/(C01×C02×ω2)在(方程4)中，gm代表放大率，C01和C02代表從晶體振蕩元件上看到的負(fù)載電容，ω代表頻率角速度。
由(方程4)還可以看出，負(fù)電阻R與負(fù)載電容和放大因數(shù)有依存性。為了減少在(方程3)和(方程4)中的啟動時間，由以下幾個因素來決定負(fù)電阻R在啟動時與晶體振蕩元件10相關(guān)的幅值，穩(wěn)定態(tài)中的幅值和啟動時的幅值之比，負(fù)電阻R，負(fù)載電容和放大因數(shù)。
此外，在根據(jù)例子1的晶體振蕩電路中，由反饋電路5來反饋由晶體振蕩元件10振蕩的輸出，并將該輸出施加到MOS晶體管50的柵極上。其結(jié)果是，振蕩輸出被疊加在由頻率調(diào)整電路6輸入的負(fù)載電容選擇控制信號上，以便控制負(fù)載電容選擇部分3并調(diào)整振蕩頻率的頻率靈敏度，而且負(fù)載電容選擇控制信號的電壓噪聲難于對MOS晶體管50產(chǎn)生影響。因此，能夠減少相位噪聲。
圖2(a)是方塊圖，該圖根據(jù)本發(fā)明實施例中的例子2，示出了晶體振蕩電路，圖2(b)是電路圖。如圖2(b)所示，除了供外部應(yīng)用的端子15是通過電阻器43連接到MOS晶體管50的柵極上，以代替在圖1(b)的晶體振蕩電路中的反饋電路5的結(jié)構(gòu)而外，使用了相同的結(jié)構(gòu)，并且，凡具有大致等效功能的部件都有相同的標(biāo)識號，因此不再重復(fù)說明。
還是在例子2中，按照與例1相同的方式，將一個其單位周期積分值為零且從一個端子輸入以施加外部電壓的信號同步疊加在負(fù)載電容選擇部分3的且要施加到MOS晶體管50的柵極上的負(fù)載電容選擇控制信號上，該控制信號的電壓噪聲難于對MOS晶體管50產(chǎn)生影響。因此，能夠減少相位噪聲。
圖3是曲線圖，該圖示出了例子1和2中晶體振蕩電路的輸出頻率的變化，其中，橫坐標(biāo)表示來自頻率調(diào)整電路6的電壓輸入，縱坐標(biāo)表示晶體振蕩電路的輸出頻率。如圖中虛線所示，在常規(guī)的振蕩電路中，在電壓1附近的一個小的電壓范圍(輸入D范圍A)內(nèi)，輸出頻率突然改變?yōu)镸OS晶體管50的工作電壓。由于這個緣故，在常規(guī)的振蕩電路中，必須精細(xì)地設(shè)置輸入電壓，或者通過在兩個級中切換的、等于或大于輸入D范圍的電壓來調(diào)整電壓，以調(diào)整輸出頻率。另一方面，如圖中實線所示，在根據(jù)例子1和2的每一個的振蕩電路中，在電壓1附近的一個較寬的電壓范圍(輸入D范圍B)內(nèi)，輸出頻率緩慢地改變了。因此，在根據(jù)例子1和2的每一個的振蕩電路中，并不必精細(xì)地設(shè)置輸入電壓以調(diào)整輸出頻率。這樣，就能夠容易地進(jìn)行控制。
圖4(a)是方塊圖，該圖根據(jù)本發(fā)明實施例中的例子3，示出晶體振蕩電路，圖4(b)是電路圖。如圖4(b)所示，除了電容器30和31以及MOS晶體管51和52還與負(fù)載電容相連的結(jié)構(gòu)而外，使用了相同的結(jié)構(gòu)，在此，在上述的圖1(b)所示的晶體振蕩電路中的負(fù)載電容選擇部分3之內(nèi)，電容器26和MOS晶體管50是串聯(lián)連接的。在例子3中，凡具有與例1中的部件幾乎等效功能的部件都有相同的標(biāo)識號，在此不再重述。
在例子3中，依照圖4(b)所示的結(jié)構(gòu)，這一組負(fù)載電容包括與在負(fù)載電容選擇部分3中的MOS晶體管50串聯(lián)連接的電容器26在內(nèi)，是在三個級中并聯(lián)連接的。通過提供多個負(fù)載電容，有可能消除在通過控制信號的電壓差來切換負(fù)載電容時所產(chǎn)生的不連續(xù)點。
圖5是曲線圖，它示出了在這種情況下晶體振蕩電路的輸出頻率的變化，這種情況是，其中，這一組負(fù)載電容是在兩個級中并聯(lián)連接的，并包括一個MOS晶體管和一個電容器在內(nèi)，它們在負(fù)載電容選擇部分中是彼此串聯(lián)連接的，圖中橫坐標(biāo)表示要從頻率調(diào)整電路6中輸入的電壓，縱坐標(biāo)表示晶體振蕩電路的輸出頻率。MOS晶體管的工作電壓是彼此不同的。如圖中虛線所示，在常規(guī)的振蕩電路中，分別在電壓1和2附近的一個小的電壓范圍內(nèi)，輸出頻率突然改變。由于這個緣故，在常規(guī)的振蕩電路中，必須使電壓1和2彼此接近，以便使輸出頻率盡可能緩慢地改變，此外，還必須精細(xì)地設(shè)置輸入電壓，以便進(jìn)而調(diào)整輸出頻率。另一方面，如圖中實線所示，在根據(jù)此例子的振蕩電路中，在電壓1和2附近的一個寬的電壓范圍內(nèi)，輸出頻率緩慢地改變。因此，在根據(jù)此例的振蕩電路中，晶體管的工作電壓是彼此不同的。其結(jié)果是，有可能擴大輸入電壓的可變化范圍，并更加緩慢地改變振蕩頻率。因此，根據(jù)此例的振蕩電路，不必精細(xì)地設(shè)置輸入電壓以調(diào)整輸出頻率。這樣，就能更容易地進(jìn)行控制。
圖6(a)是方塊圖，該圖根據(jù)本發(fā)明實施例中的例子4，示出了晶體振蕩電路，圖6(b)是電路圖。如圖6(b)所示，除了配置有一個啟動時間調(diào)整電路9的結(jié)構(gòu)而外，使用了相同的結(jié)構(gòu)，啟動時間調(diào)整電路9用于在上述的圖1(b)所示的晶體振蕩電路中，在啟動期間，將GND(接地)或一個脈沖在一段時間內(nèi)施加到負(fù)載電容選擇部分3中的MOS晶體管的柵極上，凡具有大致等效功能的部件都有相同的標(biāo)識號，在此不再重述描述。
在例子4中，在由啟動時間調(diào)整電路9啟動后的一段時間內(nèi)，限制向負(fù)載電容選擇部分3中輸入控制信號。因此，參照要作為恒壓電源1的輸出電壓的REG電壓，將REG電壓作為瞬變電壓施加到晶體振蕩元件10上。用激勵電流來激勵晶體振蕩元件10并使其開始振蕩，在此，激勵電流是利用晶體振蕩元件10的絕對電阻并通過分壓REG電壓而得到的。在激勵晶體振蕩元件10之后，將從反饋電路5上反饋的振蕩輸出信號疊加在從頻率調(diào)整電路6上施加的電壓控制信號上，從而可由負(fù)載電容選擇部分3來選擇適合的負(fù)載電容，并能得到穩(wěn)定的傳輸頻率。根據(jù)例子4，能在短時間內(nèi)啟動振蕩。進(jìn)而，在啟動之后，能夠提供穩(wěn)定的振蕩頻率。
在這樣的電路結(jié)構(gòu)中，由負(fù)電阻R決定的沖擊不足(shock shortage)在電源電壓的工作中造成啟動時間延遲，改進(jìn)了負(fù)載電容，并將振蕩輸出的反饋信號和負(fù)載電容選擇控制信號疊加起來并輸入到上述的負(fù)載電容選擇部分3中，因此，利用這樣的電路結(jié)構(gòu)，可能得到一個能在短時間內(nèi)啟動并能實現(xiàn)低相位噪聲的晶體振蕩電路。
盡管此說明是針對這樣的一種情況，在此情況下，頻率調(diào)整電路6調(diào)整負(fù)載電容選擇部分的電容值，以響應(yīng)提供給負(fù)載電容選擇部分的控制信號，但是，也可能使用可變電壓電源來代替示于圖7(負(fù)載電容只有一個級的情況)和圖8(負(fù)載電容有多個級的情況)中的頻率調(diào)整電路。
盡管是針對一個電路的例子作了說明，而且在此電路的每個例子中，使用了振蕩電路部分2的倒相器和負(fù)載電容選擇部分3的MOS晶體管，但是，即便是用雙極晶體管來代替倒相器和MOS晶體管，也可能得到相同的效益。
此申請書基于2003年3月6日提交的日本專利申請書No.2003-059546，現(xiàn)將該專利申請書的要點歸并于此，以供參考。
工業(yè)實用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明，通過把從反饋電路的振蕩輸出反饋的信號疊加到負(fù)載電容選擇控制信號上，以調(diào)整振蕩頻率的頻率靈敏度，可能得到具有低相位噪聲的輸出。此外，根據(jù)本發(fā)明，還可能產(chǎn)生這樣的一個好處，這就是實施一種晶體振蕩電路，其中，控制信號的輸入是限制在開始進(jìn)行啟動時的短時間內(nèi)，從而能在啟動后得到穩(wěn)定的振蕩輸出。
權(quán)利要求
1.一種晶體振蕩電路，包括振蕩部分，用以振蕩晶體振蕩元件；負(fù)載電容選擇部分，用于通過選擇電容值來改變振蕩頻率；第一調(diào)整部分，用以調(diào)整所述負(fù)載電容選擇部分的電容值，以響應(yīng)提供給所述負(fù)載電容選擇部分的第一控制信號；在此，所述負(fù)載電容選擇部分與用于輸出第二控制信號的第二調(diào)整部分相連接，在所述第二控制信號中，單位周期的積分值為零。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振蕩電路，在此，所述第二調(diào)整部分產(chǎn)生其頻率與所述振蕩頻率相等的信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體振蕩電路，還包括反饋部分，用以將所述振蕩部分的輸出作為所述第二控制信號反饋到所述負(fù)載電容選擇部分中。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任何一項所述的晶體振蕩電路，在此，所述負(fù)載電容選擇部分包括多個彼此間并聯(lián)連接并具有彼此不同工作電壓的晶體管以及與所述晶體管串聯(lián)連接的電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任何一項所述的晶體振蕩電路，還包括限制部分，用以在接通電源后，在一段恒定的時間內(nèi)，限制提供給所述負(fù)載電容選擇部分的所述第一和第二控制信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的晶體振蕩電路，在此，所述晶體管是MOS晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的晶體振蕩電路，在此，所述晶體管是雙極晶體管。
8.根據(jù)權(quán)利要求1到7中的任何一項所述的晶體振蕩電路，在此，所述振蕩部分包括雙極晶體管和電阻器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體振蕩電路，包括所述的晶體振蕩元件。
全文摘要
本發(fā)明的一個目的是得到具有低相位噪聲的穩(wěn)定工作。此外，本發(fā)明的另一個目的是得到一個不會引起啟動時間延遲的振蕩輸出。根據(jù)本發(fā)明，可能實施這樣的一個晶體振蕩電路，該電路能夠把由反饋電路(5)反饋晶體振蕩元件(10)的振蕩輸出而得到的信號疊加在控制信號上，以便選擇負(fù)載電容選擇部分(3)的負(fù)載電容，并且能使控制信號的電壓噪聲難于對MOS晶體管(50)產(chǎn)生影響，從而能減少相位噪聲，并進(jìn)而在啟動時的一段時間內(nèi)限制要輸入到負(fù)載電容選擇部分(3)中的控制信號，并在短時間內(nèi)進(jìn)行啟動。
文檔編號H03B5/00GK1698262SQ20048000004
公開日2005年11月16日 申請日期2004年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月6日
發(fā)明者立山雄一 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社