專利名稱:一種基于lc諧振電路的片上電容校正電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型屬于移動(dòng)通信技術(shù)領(lǐng)域，一種基于LC諧振電路的片上電容校正電路，包括開關(guān)電容陣列和逐次逼近邏輯控制電路，開關(guān)電容陣列與電感串聯(lián)構(gòu)成LC振蕩電路，開關(guān)電容陣列的上端和電感的下端分別接交流電的輸入端和輸出端，開關(guān)電容陣列的上端接有第一檢波器，電感的下端接有第二檢波器，第一檢波器和第二檢波器的輸出端接電壓比較電路，電壓比較電路連接逐次逼近邏輯控制電路，逐次逼近邏輯控制電路控制開關(guān)電容陣列的電容大小，本實(shí)用新型有益效果在于：利用LC震蕩電路，對(duì)開關(guān)電容陣列進(jìn)行校正，校正精度得到了提高，同時(shí)避免了對(duì)于電容充電的電流不恒定的問題。
【專利說明】
一種基于LC諧振電路的片上電容校正電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型屬于本發(fā)明屬于移動(dòng)通信技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于LC諧振電路的片上電容校正電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在移動(dòng)通信系統(tǒng)中，如RFtransceiver(射頻收發(fā)器)中，需要高精度的模數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC、接收鏈路/發(fā)射鏈路濾波器RX/TXFilter，要想實(shí)現(xiàn)高精度的ADC和Filter，需要有高精度的片上電容，但是，一般的電容都會(huì)隨著工藝、溫度等因素的變化有一個(gè)很大的誤差變化，如TSMC40nm工藝中的電容誤差約為±20%。所以需要一個(gè)校正電路對(duì)電容進(jìn)行自動(dòng)校正，以達(dá)到一個(gè)很高的精度(例如，土 1%)。
[0003]專利號(hào)申請(qǐng)?zhí)?201310059540的專利提到了一種片上電容校正裝置和方法，該發(fā)明公開了一種片上電容校正裝置和方法，所述裝置包括:已校正電阻、開關(guān)電容陣列、比較器電路、邏輯控制電路、以及一端接地、另一端與開關(guān)電容陣列相連的開關(guān);具體的，輸入電I流經(jīng)已校正電阻，產(chǎn)生電壓VI;輸入電流kl對(duì)開關(guān)電容陣列充電T時(shí)間，產(chǎn)生電壓V2;比較器電路對(duì)Vl與V2進(jìn)行比較，并將比較結(jié)果輸出至邏輯控制電路;邏輯控制電路在Vl小于等于V2時(shí)，輸出校正結(jié)束信號(hào)；否則，控制所述開關(guān)閉合，待所述開關(guān)電容陣列放電至零后，斷開所述開關(guān)，以及控制所述開關(guān)電容陣列減小設(shè)定量的電容值后，重復(fù)上述充電、比較過程。但該發(fā)明的開關(guān)電容陣列在充電的過程中開關(guān)電容陣列的電壓不斷升高，充電電流kl在充電過程中不能保持恒流，所以在計(jì)算電容時(shí)會(huì)出現(xiàn)誤差。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型解決上述問題，提供一種基于LC諧振電路的片上電容校正電路
[0005]本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下一種基于LC諧振電路的片上電容校正電路，包括開關(guān)電容陣列和逐次逼近邏輯控制電路，所述的開關(guān)電容陣列與電感串聯(lián)構(gòu)成LC振蕩電路，所述的開關(guān)電容陣列的上端和電感的下端分別接交流電的輸入端和輸出端，所述的開關(guān)電容陣列的上端接有第一檢波器，所述的電感的下端接有第二檢波器，所述的第一檢波器和第二檢波器的輸出端接電壓比較電路，所述的電壓比較電路連接逐次逼近邏輯控制電路，所述的逐次逼近邏輯控制電路控制開關(guān)電容陣列的電容大小。本實(shí)用新型技術(shù)方案中所說的“交流電”是指電流的大小和方向隨時(shí)間作周期性變化的電流，不同于通常意義上的交流電(通常意義上說，交流電一般指大小和方向隨時(shí)間作周期性變化的電壓或電流)，鑒于此“交流電”和通常意義上的交流電在本實(shí)用新型的實(shí)際效果上的區(qū)別，在此特作聲明。
[0006]本實(shí)用新型的實(shí)現(xiàn)過程如下:將恒定的交流電接入交流電的輸入端和輸出端，由于電容存在容抗，電感存在感抗，所以交流電在開關(guān)電容陣列和電感上產(chǎn)生電壓，開關(guān)電容陣列上的的電壓為I/?C，電感上的電壓為《LI，當(dāng)開關(guān)電容陣列的電容值大于或小于校正值時(shí)，開關(guān)電容陣列上的的電壓將小于或大于電感上的電壓，第一檢波器和第二檢波器將開關(guān)電容陣列和電感上的電壓值記錄后傳輸給電壓比較電路，比較出開關(guān)電容陣列和電感上的電壓大小后再輸出給逐次逼近邏輯控制電路，逐次逼近邏輯控制電路調(diào)節(jié)開關(guān)電容陣列完成一次校正，反復(fù)上述校正過程直到開關(guān)電容陣列和電感上的電壓相等結(jié)束校正。
【附圖說明】

[0007]圖1為具體實(shí)施例一的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例一進(jìn)行進(jìn)一步說明，如圖1所示，一種基于LC諧振電路的片上電容校正電路，包括開關(guān)電容陣列I和逐次逼近邏輯控制電路32，所述的開關(guān)電容陣列I與電感2串聯(lián)構(gòu)成LC振蕩電路，所述的開關(guān)電容陣列I的上端和電感2的下端分別接交流電的輸入端Ii和輸出端Ιο，所述的開關(guān)電容陣列I的上端接有第一檢波器10，所述的電感2的下端接有第二檢波器20，所述的第一檢波器10和第二檢波器20的輸出端接電壓比較電路30，所述的電壓比較電路30連接逐次逼近邏輯控制電路3，所述的逐次逼近邏輯控制電路3控制開關(guān)電容陣列I的電容大??；
[0009]進(jìn)一步的，第一檢波器10和第二檢波器20為峰值檢波器；
[0010]進(jìn)一步的，逐次逼近邏輯控制電路3每對(duì)開關(guān)電容陣列I進(jìn)行一次校正后，至少經(jīng)過10次交流電周期后進(jìn)行下一次校正，有益效果在于可很好的避免第一檢波器10和第二檢波器20對(duì)LC振蕩電路的影響；
[0011 ]進(jìn)一步的，交流電為正弦交流電；
[0012]進(jìn)一步的，開關(guān)電容陣列I的下端和電感2的上端同時(shí)接地，有益效果在于使開關(guān)陣列電容I和電感2的一端電壓值相等，同時(shí)為零，從理論上說，當(dāng)關(guān)陣列電容I和電感2電壓相等時(shí)，關(guān)陣列電容I和電感2之間連線上的電壓為零，提高了校正的精度。
[0013]當(dāng)正弦交流電輸入LC振蕩電路，開關(guān)電容陣列I的電容值大于或小于校正值時(shí)，開關(guān)電容陣列I上的的電壓將小于或大于電感2上的電壓，第一檢波器10和第二檢波器20將開關(guān)電容陣列I和電感2上的電壓值記錄后傳輸給電壓比較電路30，比較出開關(guān)電容陣列I和電感2上的電壓大小后再輸出給逐次逼近邏輯控制電路3，逐次逼近邏輯控制電路3調(diào)節(jié)開關(guān)電容陣I列完成一次校正，反復(fù)上述校正過程直到開關(guān)電容陣列I和電感2上的電壓相等結(jié)束校正。
[0014]本實(shí)用新型有益效果在于:利用LC震蕩電路，對(duì)開關(guān)電容陣列進(jìn)行校正，校正精度得到了提高，同時(shí)避免了對(duì)于電容充電的電流不恒定的問題。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于LC諧振電路的片上電容校正電路，包括開關(guān)電容陣列和逐次逼近邏輯控制電路，其特征在于:所述的開關(guān)電容陣列與電感串聯(lián)構(gòu)成LC振蕩電路，所述的開關(guān)電容陣列的上端和電感的下端分別接交流電的輸入端和輸出端，所述的開關(guān)電容陣列的上端接有第一檢波器，所述的電感的下端接有第二檢波器，所述的第一檢波器和第二檢波器的輸出端接電壓比較電路，所述的電壓比較電路連接逐次逼近邏輯控制電路，所述的逐次逼近邏輯控制電路控制開關(guān)電容陣列的電容大小。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于LC諧振電路的片上電容校正電路，其特征在于:所述的第一檢波器和第二檢波器為峰值檢波器。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于LC諧振電路的片上電容校正電路，其特征在于:所述的第一檢波器和第二檢波器為平均值檢波器。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于LC諧振電路的片上電容校正電路，其特征在于:所述的第一檢波器和第二檢波器為準(zhǔn)峰值檢波檢波器。5.根據(jù)權(quán)利要求2-4之一所述的一種基于LC諧振電路的片上電容校正電路，其特征在于:所述的逐次逼近邏輯控制電路每對(duì)開關(guān)電容陣列進(jìn)行一次校正后，至少經(jīng)過10次交流電周期后進(jìn)行下一次校正。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于LC諧振電路的片上電容校正電路，其特征在于:所述的交流電為正弦交流電。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種基于LC諧振電路的片上電容校正電路，其特征在于:所述的開關(guān)電容陣列的下端和電感的上端同時(shí)接地。
【文檔編號(hào)】H03H1/02GK205725674SQ201620334233
【公開日】2016年11月23日
【申請(qǐng)日】2016年4月20日
【發(fā)明人】朱曉銳, 章國(guó)豪, 余凱, 李思臻, 林俊明
【申請(qǐng)人】佛山臻智微芯科技有限公司