專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜型聲波元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜型聲波元件(Film type Acoustic Wave Device)及其制造方法。
比較常用的高頻前端濾波器屬于表面聲波濾波器。表面聲波濾波器以往不只是扮演高頻前端濾波器，而是在中頻的頻帶選擇濾波器上。但是隨著直接轉(zhuǎn)換技術(shù)(即零中頻或近零中頻技術(shù))的發(fā)展，不再需要模擬式的中頻濾波器，表面聲波濾波器的舞臺(tái)只能往高頻濾波器延伸。但表面聲波濾波器本身的插入損耗相當(dāng)大，功率承受度又差。以往用于中頻頻帶選擇濾波器的規(guī)格上，對(duì)于插入損耗的規(guī)格不是很?chē)?yán)格，又其屬于高頻后段，也不需講究功率承受度?，F(xiàn)在若用于高頻前端這兩種規(guī)格將是表面聲波濾波器要面臨的難題。
為了解決此問(wèn)題，日本住友電氣公司(Sumitomo)1998年發(fā)表了在氧化鋅/鉆石/硅基板上成長(zhǎng)交指式電極。利用鉆石的高彈性常數(shù)及導(dǎo)熱佳的特性，在此復(fù)合基板上的交指式電極可承受達(dá)35dBm的功率，仍保有良好的線性度。但是此類(lèi)鉆石基板價(jià)格相當(dāng)昂貴，且在高頻率時(shí)，交指式電極的線寬都在微米以下，且容許誤差相當(dāng)?shù)?，在設(shè)備投資上所費(fèi)不貲。
另外一系列高頻濾波器產(chǎn)品為低溫共燒陶瓷(LTCC)，低溫共燒陶瓷(LTCC)濾波器的最大好處是對(duì)高頻的功率承受度很高，但是待解決的問(wèn)題則相當(dāng)多。包括量測(cè)上的困難、上游陶瓷粉末取得不易、制程上陶瓷發(fā)生收縮的現(xiàn)象，使得制程及模擬結(jié)果偏差很大，且不易修整。
最近利用體聲波濾波器元件技術(shù)，諸如夏普(HP)公司所發(fā)展的薄膜式體聲波共振元件(FBAR，film bulk acoustic resonator)(參考美國(guó)專(zhuān)利第6060818號(hào))，以及NoKia公司所發(fā)展的堆疊式體聲波共振元件(SBAR，stack bulk acoustic resonator)(參考美國(guó)專(zhuān)利第5872493號(hào))可以減小高效能過(guò)濾產(chǎn)品的體積，并可在400MHz到10GHz的頻率范圍內(nèi)操作。例如供CDMA移動(dòng)電話用的雙工器就是這類(lèi)過(guò)濾產(chǎn)品之一。體聲波雙工器的體積只有陶瓷雙工器的一小部分，比表面聲波濾波器擁有更好的排斥、插入損耗與功率處理的能力。這些特性的組合可以讓制造商生產(chǎn)出具高效能的新款迷你型無(wú)線移動(dòng)通訊裝置。體聲波濾波器是一項(xiàng)半導(dǎo)體技術(shù)，所以它能將濾波器結(jié)合到射頻集成電路(RFIC)里，而成為系統(tǒng)晶片(SOC)。
SBAR元件雖然不需要在振蕩器底部形成一空腔結(jié)構(gòu)，但須成長(zhǎng)多層膜，在制程上相當(dāng)復(fù)雜，不利于集成化，作為布拉格反射層的材料選擇相當(dāng)有限，因此元件合格率相當(dāng)?shù)汀?br> FBAR元件在振蕩器底部需形成一空腔結(jié)構(gòu)，一般較成熟的方式為利用背面蝕刻或正面蝕刻基板來(lái)制作空腔結(jié)構(gòu)。利用背面蝕刻時(shí)，其元件密度大大地受限。如

圖1所示，在基板11上依序形成支撐層14、下電極圖案12’、壓電材料層13以及上電極圖案12，之后在所需的振蕩器區(qū)域進(jìn)行背面蝕刻來(lái)形成空腔10。背面蝕刻法的蝕刻深度較深，必須花較長(zhǎng)時(shí)間完成蝕刻，而正面蝕刻法則須從非<100>晶面?zhèn)认蛭g刻以掏空振蕩器下的硅基板，亦須花相當(dāng)長(zhǎng)的蝕刻時(shí)間。且正面蝕刻法易在浮板下面留下山丘狀的硅基板殘余，影響元件的特性。如圖2所示，在基板21上依序形成支撐層24、下電極圖案22’、壓電材料層23以及上電極圖案22，之后在所需的振蕩器區(qū)域進(jìn)行正面蝕刻來(lái)形成蝕刻窗26及空腔20，并留下硅基板殘余28。
圖3為先前技術(shù)中HP公司在美國(guó)專(zhuān)利第6060818號(hào)利用犧牲層進(jìn)行正面蝕刻體聲波濾波器的示意圖。如圖3所示，體聲波濾波器元件可在一基板31上形成，首先在基板31上光罩定義并蝕刻一空腔30，并在此區(qū)域鍍上犧牲層35，并利用化學(xué)機(jī)械研磨等方式將犧牲層35作平坦化程序。其后在此結(jié)構(gòu)上依序形成支撐層34、下電極圖案32’、壓電材料層33以及上電極圖案32。之后在所需的振蕩器區(qū)域進(jìn)行正面蝕刻，去除犧牲層35形成空腔30，使基板不會(huì)影響到元件本身的特性。此技術(shù)的缺點(diǎn)為犧牲層35須要達(dá)一定厚度以產(chǎn)生足夠的空腔深度避免受基板影響，且制程上必須在基板上預(yù)挖溝槽及對(duì)犧牲層作化學(xué)機(jī)械研磨等平坦化程序。
然而一般的體聲波元件的品質(zhì)與效能除了蝕刻空腔的品質(zhì)與穩(wěn)健性以外，更決定于元件的效能值(Figure of Merit，F(xiàn)OM)，其定義為K2Q(K2的壓電耦合常數(shù)，Q為元件品質(zhì)因素)。在未來(lái)更多種類(lèi)的應(yīng)用中，必須設(shè)計(jì)并制備不同K2為壓電耦合常數(shù)以配合元件的規(guī)格。以下為商用利用不同壓電基板的表面聲波元件與其應(yīng)用范圍的比較(參考資料C.K.Campbell Surface Acoustic Wave Devices for Mobile andWireless Communications.Page31)

由上可看出一般用于精密型的振蕩器與諧振器或用于中頻的頻率選擇濾波器時(shí)，是采用K2較小的壓電材料(piezoelectric material)，諸如石英基板；而用于寬頻的則多采用K2較大的壓電材料，諸如LiTaO3或是LiNbO3基板等。對(duì)于未來(lái)薄膜型體聲波基板，石英基板與LiTaO3或是LiNbO3基板并非能整合至硅基材或砷化鎵系列的基板。一般常用的壓電型薄膜主要有兩種氧化鋅(ZnO)與氮化鋁(AlN)，其中，氧化鋅(ZnO)多用于砷化鎵基板上，且與砷化鎵材料有相近妁聲波速度。如果在氧化鋅(ZnO)與砷化鎵基板中間如入中間層，諸如氮化矽(SiN)或是氮氧化硅(SiON)，增加氧化鋅(ZnO)在砷化鎵基板上的附著力(Adhesion)，則可以大大地提高聲波的耦合效率，并藉此修正聲速。然而，氮化硅(SiN)或是氮氧化硅(SiON)的聲波損耗使得薄膜型聲波元件的品質(zhì)降低，非常不利于聲波元件的制程。
圖4a及圖4b為先前技術(shù)中美國(guó)能源部在美國(guó)專(zhuān)利第04640756號(hào)中利用成長(zhǎng)特定壓電薄膜晶向的成長(zhǎng)薄膜方法使元件達(dá)到最佳K2的說(shuō)明圖，在此先前技術(shù)中，驅(qū)動(dòng)壓電薄膜的驅(qū)動(dòng)電極產(chǎn)生電場(chǎng)的方向?yàn)槟ず穹较?，其已固定在一定方向，在薄膜制程中必須調(diào)整晶格(lattice)C軸的傾斜方向來(lái)達(dá)到不同的K2值，進(jìn)而達(dá)到最佳化品質(zhì)及符合產(chǎn)品規(guī)格。如圖4a所示，其中40為成膜方向，41為薄膜晶格C軸傾斜方向，43為上電極，44為壓電薄膜層，而45為下電極。薄膜晶格C軸傾斜方向41與成膜方向40之間的夾角即為圖4b的橫軸。由圖4b所示，此為氧化鋅壓電薄膜的例子，從圖中可以發(fā)現(xiàn)薄膜的K2會(huì)隨著不同的晶格(lattice)C軸傾斜方向41而有不同的值。而又可以發(fā)現(xiàn)K2的最大值發(fā)生于C軸傾斜36度左右。然而，壓電薄膜的晶向的成長(zhǎng)并非能如壓電晶體般，藉由后段切削研磨來(lái)控制其晶軸相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電極的傾斜方向。因此，先前技術(shù)中，并無(wú)法如壓電晶體般控制不同晶軸方向來(lái)制備不同K2的壓電耦合系數(shù)以配合不同的元件規(guī)格。
本發(fā)明的上述技術(shù)問(wèn)題是由如下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。
一種薄膜型聲波元件的制造方法，其特征是利用驅(qū)動(dòng)電極圖案設(shè)計(jì)改變波傳方向與薄膜晶向夾角以獲得元件特性最佳化的制造方法。
除上述必要技術(shù)特征外，在具體實(shí)施過(guò)程中，還可補(bǔ)充如下技術(shù)內(nèi)容其中壓電薄膜為氮化鋁壓電簿膜。
其中壓電薄膜為氧化鋅壓電薄膜。
本發(fā)明的上述技術(shù)問(wèn)題還可由如下另一具體技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。
一種薄膜型聲波元件的制造方法，其特征是將壓電薄膜晶格C軸方向傾斜于一特定方向；且使驅(qū)動(dòng)壓電薄膜的驅(qū)動(dòng)電極產(chǎn)生電場(chǎng)的方向?yàn)榇怪蹦ず穹较?；故可藉由改變?qū)動(dòng)電極產(chǎn)生電場(chǎng)的方向繞著成膜方向的旋轉(zhuǎn)角度來(lái)獲得不同的壓電耦合常數(shù)K2。
除上述必要技術(shù)特征外，在具體實(shí)施過(guò)程中，還可補(bǔ)充如下技術(shù)內(nèi)容其中壓電薄膜為氧化鋅壓電薄膜。
其中壓電薄膜晶格C軸方向傾斜的特定方向?yàn)閇101]方向，并可由X-射線量測(cè)得知。
本發(fā)明還提供一種由上述方法所制作的薄膜型聲波元件。
一種薄膜型聲波元件，其特征是包括有薄膜型體聲波元件區(qū)域以及薄膜型表面聲波元件區(qū)域。
除上述必要技術(shù)特征外，在具體實(shí)施過(guò)程中。其中表面聲波元件在此處的作用擔(dān)任較低頻率范圍的的薄膜型聲波元件，而體聲波元件擔(dān)任較高頻率范圍的薄膜型聲波元件。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于1、本發(fā)明的聲波元件(Acoustic Wave Device)的制造方法中利用壓電層材料的晶向性配合不同的電極電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)方向可制作不同效能(Figure ofMerit，F(xiàn)OM)的聲波元件。
2、本發(fā)明的聲波元件(Acoustic Wave Device)的制造方法，同時(shí)可于壓電層上形成薄膜型表面聲波元件及體聲波元件，此表面聲波元件除了可以搭配體聲波元件作為較多頻或多模無(wú)線通訊系統(tǒng)中低頻率規(guī)格的聲波元件。
本發(fā)明上述目的及其優(yōu)點(diǎn)，參考下列依附圖所作的描述更清楚了解。
圖2為先前技術(shù)中以正面基板體型蝕刻的體聲波濾波器示意圖。
圖3為先前技術(shù)中利用犧牲層進(jìn)行正面蝕刻體聲波濾波器的示意圖。
圖4a為先前技術(shù)中利用成長(zhǎng)特定壓電簿膜晶向的成長(zhǎng)薄膜方法與其晶軸相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電極的傾斜方向角度的示意圖。
圖4b為圖4a中利用成長(zhǎng)特定壓電薄膜晶向的成長(zhǎng)薄膜方法的K2與其晶軸相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電極的傾斜方向角度的關(guān)系圖。
圖5a為本發(fā)明第一實(shí)施例中利用成長(zhǎng)特定壓電薄膜晶向的成長(zhǎng)薄膜方法與其晶軸相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電極的傾斜方向角度的示意圖。
圖5b為圖5a中，利用成長(zhǎng)氮化鋁或氧化鋅等六方晶系的壓電薄膜晶向的成長(zhǎng)薄膜方法的晶軸相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電極的傾斜方向角度的示意圖。
圖5c為圖5a中，利用成長(zhǎng)氮化鋁壓電薄膜晶向的成長(zhǎng)薄膜方式的K2與其晶軸相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電極的傾斜方向角度的關(guān)系圖。
圖5d為圖5a中，利用成長(zhǎng)氧化鋅壓電薄膜晶向的成長(zhǎng)薄膜方式的K2與其晶軸相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電極的傾斜方向角度的關(guān)系圖。
圖6a為本發(fā)明第二實(shí)施例中利用成長(zhǎng)特定壓電薄膜晶向的成長(zhǎng)薄膜方式與其晶軸相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電極的傾斜方向角度的示意圖。
圖6b為圖6a中，利用成長(zhǎng)氮化鋁或氧化鋅等六方晶系的壓電薄膜晶向的成長(zhǎng)薄膜方式的晶軸相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電極的傾斜方向角度的示意圖。
圖6c為圖6a中，利用成長(zhǎng)氮化鋁壓電薄膜晶向的成長(zhǎng)薄膜方式的K2與其晶軸相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電極的傾斜方向角度的關(guān)系圖。
圖6d為圖6a中，利用成長(zhǎng)氧化鋅壓電薄膜晶向的成長(zhǎng)薄膜方式的K2與其晶軸相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電極的傾斜方向角度的關(guān)系圖。
圖7為本發(fā)明第四實(shí)施例中，結(jié)合薄膜型體聲波元件與表面聲波元件的示意圖。
圖5a為本發(fā)明第一實(shí)施例中利用成長(zhǎng)特定壓電薄膜晶向的成長(zhǎng)薄膜方式與其晶軸相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電極方向角度的示意圖。如圖5a所示，驅(qū)動(dòng)壓電薄膜的驅(qū)動(dòng)電極產(chǎn)生電場(chǎng)的方向52為垂直膜厚方向50，其中50為成膜方向，51為薄膜晶格C軸方向，53為上電極，54為壓電薄膜層。薄膜晶格C軸方向51與成膜方向50之間的夾角為90度，其中C軸方向可由X-射線量測(cè)得知。此時(shí)驅(qū)動(dòng)電極產(chǎn)生電場(chǎng)的方向繞著成膜方向50的旋轉(zhuǎn)角度即為圖6c及圖5d的橫軸。
圖5c即氮化鋁壓電薄膜的K2與橫軸為驅(qū)動(dòng)電極產(chǎn)生電場(chǎng)的方向繞著成膜方向旋轉(zhuǎn)角度的關(guān)系圖。而圖5d即為氧化鋅壓電薄膜的K2與橫軸為驅(qū)動(dòng)電極產(chǎn)生電場(chǎng)的方向繞著成膜方向旋轉(zhuǎn)角度的關(guān)系圖。如圖5c所示，此為氮化鋁壓電薄膜的例子，從圖中可以發(fā)現(xiàn)薄膜的K2會(huì)隨著不同旋轉(zhuǎn)角度而有不同的值。而且可以發(fā)現(xiàn)K2的最大值發(fā)生于旋轉(zhuǎn)角度為36度左右。如圖5d所示，此為氧化鋅壓電薄睽的例子，其薄膜的K2隨著不同旋轉(zhuǎn)角度的趨勢(shì)與圖5c氮化鋁壓電薄膜的趨勢(shì)類(lèi)似，也可以發(fā)現(xiàn)K2的最大值發(fā)生于旋轉(zhuǎn)角度約36度左右。所不同的僅為K2的絕對(duì)值不同。由圖5a至圖5d所示，當(dāng)驅(qū)動(dòng)壓電薄膜的驅(qū)動(dòng)電極產(chǎn)生電場(chǎng)的方向52為垂直膜厚方向50，亦即壓電薄膜的C軸方向垂直膜厚成長(zhǎng)方向50。此時(shí)可藉由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)電極電場(chǎng)方向52來(lái)控制壓電薄膜的K2值，來(lái)達(dá)到最佳化品質(zhì)及符合產(chǎn)品規(guī)格。在此實(shí)施例中，并不需要如壓電晶體般，藉由后段切削研磨來(lái)控制其晶軸相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電極的傾斜方向，即可在半導(dǎo)體黃光顯影過(guò)程中制備不同K2的壓電耦合系數(shù)以配合不同的元件規(guī)格。
圖6a為本發(fā)明第二實(shí)施例中利用成長(zhǎng)特定壓電薄膜晶向的成長(zhǎng)薄膜方式與其晶軸相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電極電場(chǎng)方向角度的示意圖。如圖6a所示，驅(qū)動(dòng)壓電薄膜的驅(qū)動(dòng)電極產(chǎn)生電場(chǎng)的方向62為垂直膜厚方向60，其中60為成膜方向，61為薄膜晶格C軸方向，63為上電極，64為壓電薄膜層。薄膜晶格C軸方向61傾斜至[101]方向(即為原先C軸與成膜方向一致時(shí)，指向其晶軸[101]的方向)。其中傾斜[101]方向可由X-射線量測(cè)得知。此時(shí)驅(qū)動(dòng)電極產(chǎn)生電場(chǎng)的方向62繞著成膜方向60的旋轉(zhuǎn)角度即為圖6c及圖6d的橫軸。圖6c即為氮化鋁壓電薄膜的K2與橫軸為驅(qū)動(dòng)電極產(chǎn)生電場(chǎng)的方向62繞著成膜方向旋轉(zhuǎn)角度的關(guān)系圖。而圖6d即為氧化鋅壓電薄膜的K2與橫軸為驅(qū)動(dòng)電極產(chǎn)生電場(chǎng)的方向62繞著成膜方向旋轉(zhuǎn)角度的關(guān)系圖。如圖6c所示，此為氮化鋁壓電薄膜的例子，從圖中可以發(fā)現(xiàn)薄膜的K2會(huì)隨著不同旋轉(zhuǎn)角度而有不同的值。而且可以發(fā)現(xiàn)K2的最大值發(fā)生于旋轉(zhuǎn)角度約90度左右。如圖6d所示，此為氧化鋅壓電薄膜的例子，其薄膜的K2隨著不同旋轉(zhuǎn)角度的趨勢(shì)與圖6c氮化鋁壓電薄膜的趨勢(shì)類(lèi)似，可以發(fā)現(xiàn)K2的最大值發(fā)生于旋轉(zhuǎn)角度約180度及0度左右。由圖6a至圖6d所示，當(dāng)驅(qū)動(dòng)壓電薄膜的驅(qū)動(dòng)電極產(chǎn)生電場(chǎng)的方向?yàn)榇怪蹦ず穹较颍嗉幢∧ぞЦ馛軸方向6I傾斜至[101]方向，此時(shí)可藉由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)電極的方向來(lái)控制壓電薄膜K2值，來(lái)達(dá)到最佳化品質(zhì)及符合產(chǎn)品規(guī)格。在此實(shí)施例中，并不需要如壓電晶體般藉由后段切削研磨來(lái)控制其晶軸相對(duì)于驅(qū)動(dòng)電極的傾斜方向，即可在半導(dǎo)體黃光顯影過(guò)程中制備不同K2為壓電耦合常數(shù)以配合不同的元件規(guī)格。
圖7為本發(fā)明第四實(shí)施例，結(jié)合薄膜型體聲波元件與表面聲波元件的示意圖。如圖7所示，其中A11為體聲波元件所位在的位置；而A12為表面聲波元件所位在的位置；71-72、71’-72’為切割線段。由于無(wú)線通訊系統(tǒng)，諸如手機(jī)為雙頻、甚至三頻的多頻規(guī)格，而其中有些頻率范圍落在800MHz-900MHz的范圍，如果利用薄膜型體聲波元件來(lái)制備此等較低頻率范圍的元件，其薄膜厚度將超過(guò)2微米以上。因此在本實(shí)施例中，利用表面聲波元件在此處擔(dān)任較低頻率范圍的亦即A12所在的位置；而以體聲波元件擔(dān)任較低頻率范圍的薄膜型聲波元件，亦即A11所在的位置來(lái)達(dá)到同一制程完成不同規(guī)格的薄膜型聲波元件，以提供不同規(guī)格元件一個(gè)最佳化的設(shè)計(jì)及制造方法，縮短產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間。
由前所述，本發(fā)明可基于特定實(shí)施例及附圖所描述。任何熟習(xí)此技術(shù)者，皆可參考此描述而更清楚了解此描述實(shí)施例的不同的改良及結(jié)合及其它發(fā)明的實(shí)施例。因此，上述實(shí)施例僅為作描述，而非限制此發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種薄膜型聲波元件的制造方法，其特征是利用驅(qū)動(dòng)電極圖案設(shè)計(jì)改變波傳方向與薄膜晶向夾角以獲得元件特性最佳化的制造方法。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所說(shuō)的薄膜型聲波元件的制造方法，其特征是其中壓電薄膜為氮化鋁壓電簿膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所說(shuō)的薄膜型聲波元件的制造方法，其特征是其中壓電薄膜為氧化鋅壓電薄膜。
4.一種薄膜型聲波元件的制造方法，其特征是將壓電薄膜晶格C軸方向傾斜于一特定方向；且使驅(qū)動(dòng)壓電薄膜的驅(qū)動(dòng)電極產(chǎn)生電場(chǎng)的方向?yàn)榇怪蹦ず穹较?；故可藉由改變?qū)動(dòng)電極產(chǎn)生電場(chǎng)的方向繞著成膜方向的旋轉(zhuǎn)角度來(lái)獲得不同的壓電耦合常數(shù)K2。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所說(shuō)的薄膜型聲波元件的制造方法，其特征是其中壓電薄膜為氮化鋁壓電薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所說(shuō)的薄膜型聲波元件的制造方法，其特征是其中壓電薄膜為氧化鋅壓電薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所說(shuō)的薄膜型聲波元件的制造方法，其特征是其中壓電薄膜晶格C軸方向傾斜的特定方向?yàn)閇101]方向，并可由X-射線量測(cè)得知。
8.一種薄膜型聲波元件，其特征是包括有薄膜型體聲波元件區(qū)域以及薄膜型表面聲波元件區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所說(shuō)的薄膜型聲波元件，其特征是其中表面聲波元件在此處的作用擔(dān)任較低頻率范圍的的薄膜型聲波元件，而體聲波元件擔(dān)任較高頻率范圍的薄膜型聲波元件。
全文摘要
一種薄膜型聲波元件及其制造方法，其特征是利用壓電層材料的晶向性配合不同的電極電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)方向來(lái)制作不同效能(Figure of Merit，F(xiàn)OM)的聲波元件，并可藉由結(jié)合體聲波元件與表面聲波元件，以提供不同規(guī)格下元件最佳化的設(shè)計(jì)及制造方法。
文檔編號(hào)H03H9/00GK1433147SQ0210165
公開(kāi)日2003年7月30日 申請(qǐng)日期2002年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月14日
發(fā)明者蔡淑慧, 張靜宜, 林宗賢 申請(qǐng)人:亞太優(yōu)勢(shì)微系統(tǒng)股份有限公司