驅(qū)動控制電路及具有該電路的壓電噴射閥的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及點(diǎn)膠技術(shù)，特別是指一種驅(qū)動控制電路及具有該電路的壓電噴射閥。
【背景技術(shù)】
[0002]流體點(diǎn)膠技術(shù)是微電子封裝等領(lǐng)域中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)正逐漸從傳統(tǒng)的接觸式點(diǎn)膠方式轉(zhuǎn)化為能高度自動化操作的無接觸式點(diǎn)膠方式。典型的無接觸式點(diǎn)膠技術(shù)采用的裝置包括機(jī)械噴射閥和壓電噴射閥，其中，機(jī)械噴射閥是基于電氣動的原理研制的，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，而壓電噴射閥則是利用壓電材料的逆壓電效應(yīng)設(shè)計(jì)的流體點(diǎn)膠裝置，其具有結(jié)構(gòu)簡單、噴射頻率高的特點(diǎn)，而且壓電噴射閥噴射的膠點(diǎn)能夠小至■級，在噴膠過程中能夠達(dá)到非常高的精度，因此，壓電噴射閥的在點(diǎn)膠領(lǐng)域中得到了廣泛的應(yīng)用。
[0003]目前，現(xiàn)有技術(shù)的壓電噴射閥的驅(qū)動中，為了驅(qū)動壓電噴射閥點(diǎn)膠閥，控制方式采用控制模塊產(chǎn)生兩路反相脈沖驅(qū)動信號控制兩路功率器件（通常采用MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管））交替為壓電噴射閥上成對設(shè)置的壓電陶瓷片供電，來實(shí)現(xiàn)點(diǎn)膠控制。在這種點(diǎn)膠方式中，由于電路元器件的延遲和干擾等因素，控制模塊產(chǎn)生的兩路反相脈沖驅(qū)動信號在同步時(shí)容易出現(xiàn)交叉控制，因此，常加入死區(qū)時(shí)間來避免這一現(xiàn)象，但是，在高速點(diǎn)膠時(shí)，加入死區(qū)時(shí)間帶來的延遲會使點(diǎn)膠速度、精度降低，影響點(diǎn)膠效果。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種速度快、精度高的驅(qū)動控制電路及具有該電路的壓電噴射閥。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供技術(shù)方案如下：
[0006]—種驅(qū)動控制電路，包括電源模塊、控制模塊、第一和第二功率器件，所述第一和第二功率器件的輸出端分別用于驅(qū)動連接壓電噴射閥上成對設(shè)置的壓電陶瓷片，所述控制模塊的一個(gè)輸出端同時(shí)連接所述第一和第二功率器件的輸入端，所述控制模塊的輸出端和第一功率器件的輸入端之間設(shè)置有第一光耦合器，所述控制模塊的輸出端和第二功率器件的輸入端之間設(shè)置有第二光親合器，所述第一光親合器和第二光親合器分別在高、低電平下工作。
[0007]進(jìn)一步的，所述第一光耦合器的內(nèi)部發(fā)光二極管的正極連接所述控制模塊的輸出端，所述第一光耦合器的內(nèi)部發(fā)光二極管的負(fù)極接地；
[0008]所述第二光耦合器的內(nèi)部發(fā)光二極管的正極接電源正極，所述第二光耦合器的內(nèi)部發(fā)光二極管的負(fù)極連接所述控制模塊的輸出端。
[0009]進(jìn)一步的，所述第一光親合器的內(nèi)部發(fā)光二極管的正極和所述控制模塊的輸出端之間設(shè)置有第一穩(wěn)壓二極管；
[0010]所述第二光耦合器的內(nèi)部發(fā)光二極管的負(fù)極和所述控制模塊的輸出端之間設(shè)置有第二穩(wěn)壓二極管。
[0011]進(jìn)一步的，所述第一功率器件和第二功率器件分別為第一 MOSFET和第二 MOSFET，其中：
[0012]所述第一 MOSFET的柵極連接所述第一光耦合器的輸出端，所述第一 MOSFET的漏極接電源正極，所述第一MOSFET的源極和柵極分別經(jīng)電阻后連接所述第二MOSFET的漏極，所述第一MOSFET的漏極和所述第二MOSFET的漏極分別用于驅(qū)動連接壓電噴射閥上成對設(shè)置的壓電陶瓷片中的一個(gè)壓電陶瓷片的兩端；
[0013]所述第二 MOSFET的柵極連接所述第二光耦合器的輸出端，所述第二 MOSFET的源極和柵極分別經(jīng)電阻后接地，所述第二 MOSFET的漏極和所述第二 MOSFET的地分別用于驅(qū)動連接壓電噴射閥上成對設(shè)置的壓電陶瓷片中的另一個(gè)壓電陶瓷片的兩端。
[0014]進(jìn)一步的，所述驅(qū)動控制電路還包括第一恒流源放電回路和/或第二恒流源放電回路，所述第一恒流源放電回路包括第一滑動變阻器、第一運(yùn)算放大器和第三M0SFET，所述第二恒流源放電回路包括第二滑動變阻器、第二運(yùn)算放大器和第四M0SFET，其中：
[0015]所述第一滑動變阻器的兩端分別連接電源正極和地，所述第一滑動變阻器的滑動端經(jīng)電阻后連接所述第一運(yùn)算放大器的同相輸入端，所述第一運(yùn)算放大器的輸出端連接所述第三MOSFET的柵極，所述第一運(yùn)算放大器的反相輸入端經(jīng)電阻后連接所述第三MOSFET的源極，所述第一運(yùn)算放大器的同相輸入端與輸出端之間連接有電容，所述第三MOSFET的源極經(jīng)電阻后接地，所述第三MOSFET的漏極和源極分別用于連接壓電噴射閥上成對設(shè)置的壓電陶瓷片中的一個(gè)壓電陶瓷片的兩端；
[0016]所述第二滑動變阻器的兩端分別連接電源正極和地，所述第二滑動變阻器的滑動端經(jīng)電阻后連接所述第二運(yùn)算放大器的同相輸入端，所述第二運(yùn)算放大器的輸出端連接所述第四MOSFET的柵極，所述第二運(yùn)算放大器的反相輸入端經(jīng)電阻后連接所述第四MOSFET的源極，所述第二運(yùn)算放大器的同相輸入端與輸出端之間連接有電容，所述第四MOSFET的源極經(jīng)電阻后接地，所述第四MOSFET的漏極和源極分別用于連接壓電噴射閥上成對設(shè)置的壓電陶瓷片中的另一個(gè)壓電陶瓷片的兩端。
[0017]進(jìn)一步的，所述驅(qū)動控制電路還包括第一輸出保護(hù)模塊和/或第二輸出保護(hù)模塊，所述第一輸出保護(hù)模塊包括第一光耦隔離器和第一運(yùn)算比較器，所述第二輸出保護(hù)模塊包括第二光耦隔離器和第二運(yùn)算比較器，其中：
[0018]所述第一光耦隔離器的兩個(gè)輸入端分別連接所述第一 MOSFET的源極和所述第二MOSFET的漏極，所述第一光耦隔離器的正極輸出端接電源正極，負(fù)極輸出端連接所述第一運(yùn)算比較器的反相輸入端，所述第一運(yùn)算比較器的同相輸入端連接有第一參考電壓，所述第一運(yùn)算比較器的輸出端連接所述第一 MOSFET的柵極；
[0019]所述第二光耦隔離器的兩個(gè)輸入端分別連接所述第二 MOSFET的源極和所述第二MOSFET的地，所述第二光耦隔離器的正極輸出端接電源正極，負(fù)極輸出端連接所述第二運(yùn)算比較器的反相輸入端，所述第二運(yùn)算比較器的同相輸入端連接有第二參考電壓，所述第二運(yùn)算比較器的輸出端連接所述第二 MOSFET的柵極。
[0020]進(jìn)一步的，所述控制模塊還連接有控制按鍵和液晶顯示器。
[0021]進(jìn)一步的，所述電源模塊包括D/A轉(zhuǎn)換器、集成脈寬調(diào)制芯片、兩個(gè)推挽三極管、DC-DC變壓器、整流電路和濾波電路，其中：
[0022]所述D/A轉(zhuǎn)換器的輸入端連接所述控制模塊的輸出端，所述D/A轉(zhuǎn)換器的輸出端連接所述集成脈寬調(diào)制芯片的輸入端；
[0023]所述集成脈寬調(diào)制芯片的輸出端分別連接所述兩個(gè)推挽三極管的基極上；
[0024]所述兩個(gè)推挽三極管的發(fā)射極相連后接地；
[0025]所述DC-DC變壓器為三輸入兩輸出變壓器，所述兩個(gè)推挽三極管的集電極分別連接所述DC-DC變壓器的兩端的輸入端，所述DC-DC變壓器的中間輸入端接電源正極同時(shí)經(jīng)電容后接地，所述DC-DC變壓器的輸出端經(jīng)所述整流電路和濾波電路后輸出升壓后的直流電壓。
[0026]—種壓電噴射閥，包括上述的驅(qū)動控制電路。
[0027]進(jìn)一步的，所述壓電噴射閥還包括流體加熱控制模塊，所述流體加熱控制模塊包括溫度采集模塊和用于對流體進(jìn)行加熱的加熱開關(guān)電路，其中：
[0028]所述溫度采集模塊的輸出端與所述控制模塊的輸入端連接；
[0029]所述加熱開關(guān)電路的輸入端與所述控制模塊的輸出端連接，所述加熱開關(guān)電路的輸出端用于連接直流加熱棒。
[0030]本實(shí)用新型具有以下有益效果：
[0031]本實(shí)用