一種低成本的浪涌保護(hù)電路的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提出一種低成本的浪涌保護(hù)電路。包括一個(gè)保護(hù)模塊，其輸入端與電源電壓以及設(shè)備輸入端相連，所述保護(hù)模塊的輸出端與一個(gè)緩沖模塊輸入端相連，緩沖模塊的另一端接地；所述緩沖模塊用低成本的元件接收從保護(hù)模塊排出的浪涌能量并儲(chǔ)存，在浪涌結(jié)束后緩沖模塊會(huì)把浪涌能量慢慢釋放出去。本發(fā)明采用廉價(jià)的電容和電阻組成緩沖模塊，降低了保護(hù)模塊中對(duì)MOSFET性能的要求，電路中可以選用低價(jià)的MOSFET，從而降低了整個(gè)浪涌保護(hù)電路的成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種低成本的浪涌保護(hù)電路
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及電路原理和半導(dǎo)體器件，屬于微電子領(lǐng)域，主要涉及一種低成本的浪 涌保護(hù)電路，具體來(lái)說(shuō)是一種以傳統(tǒng)的浪涌保護(hù)電路為基礎(chǔ)，通過(guò)集成電路的方式代替原 有的TVS(瞬態(tài)抑制二極管），具有比較精準(zhǔn)的浪涌保護(hù)效果，同時(shí)降低了成本。
【背景技術(shù)】
[0002] 電路在遭雷擊和在接通、斷開(kāi)電感負(fù)載或大型負(fù)載時(shí)常常會(huì)產(chǎn)生很高的操作過(guò)電 壓，這種瞬時(shí)過(guò)電壓(或過(guò)電流)稱為浪涌電壓(或浪涌電流），是一種瞬變干擾。例如直流6V 繼電器線圈斷開(kāi)時(shí)會(huì)出現(xiàn)300V~600V的浪涌電壓。浪涌電壓現(xiàn)象日趨嚴(yán)重地危及自動(dòng)化設(shè) 備安全工作，消除浪涌噪聲干擾、防止浪涌損害一直是關(guān)系到自動(dòng)化設(shè)備安全可靠運(yùn)行的 核心問(wèn)題。
[0003] 瞬時(shí)的浪涌電壓(或浪涌電流)會(huì)給人們帶來(lái)巨大的損失，因此必須在相關(guān)設(shè)備或 系統(tǒng)上安裝浪涌保護(hù)器(Surge protective device，SH))。浪涌保護(hù)器并聯(lián)在被保護(hù)設(shè)備 的兩端，通過(guò)泄放浪涌電流、限制浪涌電壓來(lái)保護(hù)電子設(shè)備。傳統(tǒng)的浪涌保護(hù)器是由一個(gè)瞬 態(tài)抑制二極管(TVS)完成的。在被保護(hù)電路正常工作，瞬態(tài)浪涌未到來(lái)以前，TVS呈現(xiàn)極高的 電阻，對(duì)被保護(hù)電路沒(méi)有影響;而當(dāng)瞬態(tài)浪涌到來(lái)時(shí)，瞬時(shí)電壓超過(guò)TVS的反向擊穿電壓，此 時(shí)TVS導(dǎo)通，迅速將浪涌電流通過(guò)TVS泄放出去，并將被保護(hù)設(shè)備兩端的電壓限制在較低的 值。到浪涌結(jié)束，TVS又迅速、自動(dòng)地恢復(fù)為極高電阻。它的作用是保證電子設(shè)備免受浪涌過(guò) 電壓(雷電過(guò)電壓、操作過(guò)電壓等)的破壞，既不影響設(shè)備的正常工作，又將過(guò)電壓限制在相 應(yīng)設(shè)備的耐壓等范圍內(nèi)。
[0004] TVS作為浪涌保護(hù)器存在一個(gè)問(wèn)題，就是TVS的擊穿電壓并不是一個(gè)恒定值， 有一個(gè)波動(dòng)范圍，因此TVS不能精確有效的限制浪涌電壓。對(duì)于上述缺陷，可以用集成電 路的方式替代TVS實(shí)現(xiàn)浪涌保護(hù)的功能。市場(chǎng)上現(xiàn)有的方案是將一個(gè)電壓檢測(cè)模塊和 M0SFET連接成一個(gè)集成電路并聯(lián)在被保護(hù)設(shè)備兩端用來(lái)代替TVS。電壓檢測(cè)模塊的一個(gè)輸 入端輸入可以設(shè)置的閥值，另外一個(gè)輸入端檢測(cè)輸入電壓，一旦輸入電壓超過(guò)這個(gè)閾值，電 壓比較器輸出翻轉(zhuǎn)，使得功率M0SFET導(dǎo)通，浪涌能量就可以通過(guò)功率M0SFET排出。這種方案 在技術(shù)上完全可以達(dá)到浪涌保護(hù)的效果，但是在實(shí)際應(yīng)用中，這種浪涌保護(hù)電路存在一個(gè) 經(jīng)濟(jì)性問(wèn)題。不同面積大小的M0SFET在會(huì)有不同的耐沖擊能力，面積越大的M0SFET耐沖擊 能力越高。當(dāng)瞬間很大的浪涌能量通過(guò)M0SFET時(shí)，會(huì)導(dǎo)致M0SFET發(fā)熱，甚至燒掉M0SFET。因 此若要把瞬間的所有能量從M0SFET中泄放掉，M0SFET的面積必須足夠大以承受浪涌能量， 否則會(huì)導(dǎo)致MOSFET損壞從而使浪涌保護(hù)電路失效。而在MOSFET的制造中，面積越大的 M0SFET造價(jià)越高，過(guò)高的成本會(huì)限制了這種浪涌保護(hù)電路的實(shí)際使用和推廣。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本發(fā)明的目的在于提供一種低成本的浪涌保護(hù)電路， 能在保證浪涌保護(hù)效果的條件下，降低成本并能廣泛推廣使用。
[0006] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案： 一種低成本的浪涌保護(hù)電路，包括一個(gè)保護(hù)模塊，其輸入端與電源電壓以及設(shè)備輸入 端相連，所述保護(hù)模塊的輸出端與一個(gè)緩沖模塊輸入端相連，緩沖模塊的另一端接地;所述 緩沖模塊用低成本的元件接收從保護(hù)模塊排出的浪涌能量并儲(chǔ)存，在浪涌結(jié)束后緩沖模塊 會(huì)把浪涌能量慢慢釋放出去。
[0007] 所述保護(hù)模塊包括母線電容、電壓檢測(cè)模塊和M0SFET;母線電容并聯(lián)在電源電壓 兩端，母線電容有一定的浪涌保護(hù)作用，同時(shí)也能給后級(jí)系統(tǒng)濾除紋波；電壓檢測(cè)模塊的一 個(gè)輸入端輸入一個(gè)可以設(shè)置的閥值，另外一個(gè)輸入端檢測(cè)輸入電壓、輸出端接在M0SFET的 柵極，電壓檢測(cè)模塊的輸出作為M0SFET的驅(qū)動(dòng)電壓;M0SFET的源極和設(shè)備輸入端連接在一 起，漏極接緩沖模塊，用于排出浪涌能量;工作原理：當(dāng)電源電壓為設(shè)備的安全工作電壓時(shí)， 保護(hù)模塊不工作，電源電壓直接輸入到被保護(hù)設(shè)備；電路的接通瞬間會(huì)產(chǎn)生數(shù)倍甚至數(shù)十 倍于正常工作電壓的浪涌尖峰電壓，因此接口部分一定要增加防浪涌功能，如果不對(duì)浪涌 加以限制，那么大幅超出設(shè)備耐壓值的浪涌尖峰電壓會(huì)直接輸入到設(shè)備中并造成設(shè)備的損 壞，因此必須在設(shè)備上并聯(lián)一個(gè)浪涌保護(hù)電路來(lái)排出瞬時(shí)的浪涌能量;在保護(hù)模塊中，母線 電容的容值比較小，否則會(huì)在插拔瞬間產(chǎn)生火花，引起前級(jí)電源電壓跌落；當(dāng)設(shè)備正常工作 時(shí)，電壓檢測(cè)模塊的輸入電壓小于閥值，M0SFET不能導(dǎo)通，浪涌保護(hù)電路不工作;浪涌測(cè)試 時(shí)，母線電容較小無(wú)法遏制浪涌電壓，電壓檢測(cè)模塊的輸入電壓瞬間大于閥值，M0SFET導(dǎo) 通，浪涌能量通過(guò)M0SFET導(dǎo)出，從而保護(hù)了設(shè)備不受浪涌電流的沖擊；當(dāng)浪涌結(jié)束之后，設(shè) 備輸入電壓恢復(fù)正常值，M0SFET截止，保護(hù)模塊不工作，設(shè)備正常運(yùn)行。
[0008] 所述緩沖模塊包括一個(gè)電容和一個(gè)電阻;所述電容和電阻并聯(lián)組成緩沖模塊，其 一端接在保護(hù)模塊中M0SFET的漏極，另一端接地;工作原理:所述緩沖模塊用于儲(chǔ)存和釋放 浪涌能量，當(dāng)電源電壓穩(wěn)定輸出時(shí)，電壓檢測(cè)模塊輸出為負(fù)，M0SFET截止，緩沖模塊中沒(méi)有 能量;浪涌測(cè)試時(shí)，電壓檢測(cè)模塊輸出為正，M0SFET導(dǎo)通，浪涌電壓加在電容兩端，電容充電 儲(chǔ)存能量；當(dāng)浪涌結(jié)束時(shí)，電壓檢測(cè)模塊輸出為負(fù)，M0SFET截止，此時(shí)緩沖模塊的電容和電 阻構(gòu)成一個(gè)回路，電容上的能量通過(guò)電阻慢慢釋放出去；當(dāng)M0SFET瞬間吸收非常大的能量 時(shí)，容易發(fā)熱損壞，造成浪涌保護(hù)電路不能正常工作；由于緩沖模塊的存在，在發(fā)生浪涌時(shí) 瞬時(shí)，電容兩端電壓不斷升高，存儲(chǔ)了一半能量，使得M0SFET瞬間吸收的能量減少了 一半， M0SFET發(fā)熱情況不明顯，不會(huì)燒毀M0SFET，從而確保上級(jí)的浪涌保護(hù)電路可以正常工作;廉 價(jià)的電容和電阻組成的緩沖模塊可以保護(hù)M0SFET不被燒毀，因此可以降低對(duì)保護(hù)模塊中的 M0SFET的性能要求，選用價(jià)格較低的M0SFET，從而降低了整個(gè)浪涌保護(hù)電路的成本。
[0009] 保護(hù)模塊和緩沖模塊連接成一個(gè)完整的浪涌保護(hù)電路，保護(hù)模塊負(fù)責(zé)將浪涌保護(hù) 電路的鉗位電壓控制在設(shè)備的耐壓值以下，保護(hù)設(shè)備不受浪涌電壓和浪涌電流的沖擊;緩 沖模塊負(fù)責(zé)存儲(chǔ)從M0SFET流出的較大的瞬時(shí)浪涌能量，并在浪涌結(jié)束后將能量泄放掉，廉 價(jià)的電容和電阻組成的緩沖模塊降低了保護(hù)模塊中對(duì)M0SFET性能的要求，降低了 M0SFET的 成本，從而降低了整個(gè)浪涌保護(hù)電路的成本。
[0010]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，具有如下顯而易見(jiàn)的突出實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著技術(shù)進(jìn) 步： (1)本發(fā)明以集成電路的方式代替了傳統(tǒng)的TVS浪涌保護(hù)器，可以進(jìn)行更多的優(yōu)化設(shè) 計(jì)。
[0011] (2)本發(fā)明中將廉價(jià)的電容和電阻并聯(lián)組成一個(gè)緩沖電路，并與低價(jià)小功率的 M0SFET連接從而替代了的高價(jià)大功率M0SFET，避免了瞬時(shí)浪涌能量燒毀M0SFET，在保證浪 涌保護(hù)作用的同時(shí)降低了浪涌保護(hù)電路的成本。
【附圖說(shuō)明】
[0012] 圖1是傳統(tǒng)的TVS浪涌保護(hù)器示意圖。
[0013] 圖2是市場(chǎng)上現(xiàn)有的浪涌保護(hù)電路示意圖。
[0014] 圖3是本發(fā)明一種低成本的浪涌保護(hù)電路示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015] 為更加清楚明白地介紹本發(fā)明的技術(shù)方案，以下結(jié)合附圖及優(yōu)選實(shí)施例，對(duì)本發(fā) 明作進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0016] 本發(fā)明通過(guò)多個(gè)電路元件組成的一種低成本的浪涌保護(hù)電路，與傳統(tǒng)的浪涌保護(hù) 器相比，不僅起到了浪涌保護(hù)的有效性，還降低了生產(chǎn)成本。
[0017] 如圖1所示，在傳統(tǒng)的浪涌保護(hù)電路中，由一個(gè)TVS并聯(lián)在被保護(hù)設(shè)備兩端實(shí)現(xiàn)浪 涌保護(hù)的功能。在設(shè)備正常工作，瞬態(tài)浪涌未到來(lái)以前，TVS呈現(xiàn)極高的電阻，對(duì)被保護(hù)電路 沒(méi)有影響;而當(dāng)突然出現(xiàn)一個(gè)浪涌電壓時(shí)，瞬時(shí)電壓超過(guò)TVS的反向擊穿電壓，此時(shí)TVS被擊 穿，浪涌電流迅速通過(guò)TVS泄放出去，并將被保護(hù)設(shè)備兩端的電壓限制在較低的水平。到浪 涌結(jié)束，TVS又迅速、自動(dòng)地恢復(fù)為極高電阻。它的作用是保證電子設(shè)備免受浪涌過(guò)電壓(雷 電過(guò)電壓、操作過(guò)電壓等）的破壞，既不影響設(shè)備的正常工作，又將過(guò)電壓限制在相應(yīng)設(shè)備 的耐壓等范圍內(nèi)。但是在實(shí)際應(yīng)用中，TVS的擊穿電壓并不是一個(gè)恒定值，而是在一個(gè)區(qū)間 內(nèi)波動(dòng)。假設(shè)被保護(hù)設(shè)備的耐壓值為30V，TVS的擊穿電壓范圍是28~33V之間，電源電壓為 5V。在接通電源的瞬間，會(huì)產(chǎn)生超過(guò)30V的浪涌電壓，如果沒(méi)有擊穿TVS，那么TVS不導(dǎo)通，浪 涌電壓全部沖擊被保護(hù)設(shè)備，超出了設(shè)備的耐壓值，這樣就會(huì)造成設(shè)備的損壞。
[0018] 如圖2所示，市場(chǎng)上現(xiàn)有的浪涌保護(hù)電路在鉗位電壓的控制上已經(jīng)有了一定的改 進(jìn)。該浪涌保護(hù)電路由電壓檢測(cè)模塊、M0SFET&、母線電容Cs組成。將電源電壓輸出，電壓檢 測(cè)模塊的輸入端、％的源極和設(shè)備輸入端連接在一起，％的輸出端和狐的柵極相連，&的 漏極接地，組成一個(gè)浪涌保護(hù)電路以代替TVS起到保護(hù)設(shè)備的作用。電壓檢測(cè)模塊需要設(shè)置 一個(gè)低于被保護(hù)設(shè)備耐壓值的恒定電壓值馬，一旦輸入電壓超過(guò)％，電壓檢測(cè)模塊輸出值 為正電壓，M0SFET導(dǎo)通，浪涌能量就可以通過(guò)隨排出，從而保護(hù)了設(shè)備不受浪涌電壓和浪涌 電流的影響。
[0019] 這種方案在技術(shù)上可以精確地設(shè)定鉗位電壓，有效地起到浪涌保護(hù)的作用。但是 在實(shí)際應(yīng)用中，這種浪涌保護(hù)電路存在一個(gè)經(jīng)濟(jì)性問(wèn)題。當(dāng)瞬間很大的浪涌電流通過(guò) M0SFET時(shí)，M0SFET會(huì)發(fā)熱，甚至燒掉M0SFET，造成浪涌保護(hù)電路故障。因此若要讓M0SFET不 被浪涌測(cè)試損壞，必須選擇大功率的M0SFET，以承受浪涌能量，否則會(huì)導(dǎo)致M0SFET損壞從而 使浪涌保護(hù)電路失效。而在M0SFET的制造中，功率越高成本越高，過(guò)高的成本會(huì)限制了這種 浪涌保護(hù)電路的實(shí)際使用和推廣。
[0020] 實(shí)施例一： 如圖3所示，本低成本的浪涌保護(hù)電路，包括一個(gè)保護(hù)模塊I，其輸入端與電源電壓IV以 及設(shè)備m輸入端相連，其特征在于:所述保護(hù)模塊i的輸出端與一個(gè)緩沖模塊π輸入端相 連，緩沖模塊π的另一端接地;所述緩沖模塊π用低成本的元件接收從保護(hù)模塊I排出的浪 涌能量并儲(chǔ)存，在浪涌結(jié)束后緩沖模塊會(huì)把浪涌能量慢慢釋放出去。
[0021] 實(shí)施例二:本實(shí)施例與實(shí)施例一基本相同，特別之處如下： 所述保護(hù)模塊I由母線電容％、電壓檢測(cè)模塊和MOSFETCli組成。并聯(lián)在電源垮兩端， 具有一定的浪涌保護(hù)作用并能濾除后級(jí)系統(tǒng)的紋波。％的值不能過(guò)大，否則在拔插瞬間會(huì) 產(chǎn)生火花，引起前級(jí)電源電壓跌落。電壓檢測(cè)模塊的一個(gè)輸入端輸入可以設(shè)置的閥值$，另 外一個(gè)輸入端檢測(cè)輸入電壓。在正常情況下，保護(hù)模塊不工作。當(dāng)突然出現(xiàn)一個(gè)浪涌電壓 時(shí)，由于4的值較小，無(wú)法抑制浪涌電壓，電壓檢測(cè)模塊的輸入電壓瞬間大于閥值％，，由于 ?的輸出端接在的柵極，電壓檢測(cè)模塊的輸出電壓瞬間驅(qū)動(dòng)和Qi導(dǎo)通，浪涌電流經(jīng)過(guò)貸1 流出。此時(shí)由于本方案中使用的功率MOSFETCli為廉價(jià)且功率較小，當(dāng)大電流流過(guò)時(shí)會(huì)發(fā) 熱甚至燒壞，因此需要在和地之間接一個(gè)緩沖模塊用來(lái)儲(chǔ)存瞬時(shí)能量。
[0022] 所述緩沖模塊Π 由電容g和電阻并聯(lián)組成，當(dāng)1?導(dǎo)通時(shí)，絕大部分浪涌電壓會(huì) 加在兩端，相當(dāng)于給q充電，因此$兩端的電壓較小，的發(fā)熱也很小，不會(huì)被燒毀損壞。 當(dāng)浪涌結(jié)束后，截止，％中的能量通過(guò)并聯(lián)在C2兩端的電阻慢慢釋放掉，被保護(hù)設(shè)備 繼續(xù)正常工作。
[0023] 本發(fā)明提出的浪涌保護(hù)電路能及時(shí)準(zhǔn)確地排出浪涌能量，對(duì)設(shè)備的保護(hù)效果較 好，同時(shí)使用的電路元件相對(duì)廉價(jià)，有效的降低了生產(chǎn)成本，因此適合推廣使用。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種低成本的浪涌保護(hù)電路，包括一個(gè)保護(hù)模塊（I)，其輸入端與電源電壓αν)以及 設(shè)備απ)輸入端相連，其特征在于:所述保護(hù)模塊(I)的輸出端與一個(gè)緩沖模塊（π)輸入端 相連，緩沖模塊（π)的另一端接地;所述緩沖模塊（π)用低成本的元件接收從保護(hù)模塊(I) 排出的浪涌能量并儲(chǔ)存，在浪涌結(jié)束后緩沖模塊會(huì)把浪涌能量慢慢釋放出去。2. 根據(jù)權(quán)利要求1中所述的一種低成本的浪涌保護(hù)電路，其特征在于：所述保護(hù)模塊 (I)包括母線電容()、電壓檢測(cè)模塊和MOSFET(fi );母線電容(Cs )并聯(lián)在電源電壓(1?) 兩端，母線電容(?)有一定的浪涌保護(hù)作用，同時(shí)也能給后級(jí)系統(tǒng)濾除紋波；電壓檢測(cè)模塊 的一個(gè)輸入端(2)輸入一個(gè)可以設(shè)置的閥值(?)，另外一個(gè)輸入端（1)檢測(cè)輸入電壓(4)、 輸出端(3 )接在MOSFET的柵極，電壓檢測(cè)模塊的輸出作為MOSFET的驅(qū)動(dòng)電壓;MOSFET的源極 和設(shè)備（ΙΠ)輸入端連接在一起，漏極接緩沖模塊（Π)，用于排出浪涌能量;工作原理：當(dāng)電 源電壓(?)為設(shè)備（ΙΠ)的安全工作電壓時(shí)，保護(hù)模塊(I)不工作，電源電壓(?)直接輸入到 被保護(hù)設(shè)備（ΠΟ;電路的接通瞬間會(huì)產(chǎn)生數(shù)倍甚至數(shù)十倍于正常工作電壓的浪涌尖峰電 壓，因此接口部分一定要增加防浪涌功能，如果不對(duì)浪涌加以限制，那么大幅超出設(shè)備耐壓 值的浪涌尖峰電壓會(huì)直接輸入到設(shè)備中并造成設(shè)備的損壞，因此必須在設(shè)備上并聯(lián)一個(gè)浪 涌保護(hù)電路來(lái)排出瞬時(shí)的浪涌能量;在保護(hù)模塊（I)中，母線電容(_)的容值比較小，否則 會(huì)在插拔瞬間產(chǎn)生火花，引起前級(jí)電源電壓跌落;當(dāng)設(shè)備正常工作時(shí)，電壓檢測(cè)模塊的輸入 電壓(?)小于閥值(?),MOSFET不能導(dǎo)通，浪涌保護(hù)電路不工作;浪涌測(cè)試時(shí)，母線電容(? )較小無(wú)法遏制浪涌電壓，電壓檢測(cè)模塊的輸入電壓瞬間大于閥值(?), MOSFET導(dǎo)通，浪涌 能量通過(guò)MOSFET導(dǎo)出，從而保護(hù)了設(shè)備(0不受浪涌電流的沖擊；當(dāng)浪涌結(jié)束之后，設(shè)備（ΙΠ) 輸入電壓恢復(fù)正常值，MOSFET截止，保護(hù)模塊(I)不工作，設(shè)備（ΙΠ)正常運(yùn)行。3. 根據(jù)權(quán)利要求1中所述的一種低成本的浪涌保護(hù)電路，其特征在于：所述緩沖模塊 (Π )包括一個(gè)電容（?)和一個(gè)電阻（?);所述電容(?)和電阻（?)并聯(lián)組成緩沖模塊 (Π )，其一端接在保護(hù)模塊(I)中MOSFET的漏極，另一端接地;工作原理:所述緩沖模塊（Π ) 用于儲(chǔ)存和釋放浪涌能量，當(dāng)電源電壓(，)穩(wěn)定輸出時(shí)，電壓檢測(cè)模塊輸出為負(fù)，MOSFET截 止，緩沖模塊（Π)中沒(méi)有能量;浪涌測(cè)試時(shí)，電壓檢測(cè)模塊輸出為正，MOSFET導(dǎo)通，浪涌電壓 加在電容（?)兩端，電容（?)充電儲(chǔ)存能量；當(dāng)浪涌結(jié)束時(shí)，電壓檢測(cè)模塊輸出為負(fù)， MOSFET截止，此時(shí)緩沖模塊（Π)的電容(?)和電阻(:?)構(gòu)成一個(gè)回路，電容(?)上的能量 通過(guò)電阻(％)慢慢釋放出去；當(dāng)MOSFET瞬間吸收非常大的能量時(shí)，容易發(fā)熱損壞，造成浪涌 保護(hù)電路不能正常工作；由于緩沖模塊（Π)的存在，在發(fā)生浪涌時(shí)瞬時(shí)，電容(C 2 )兩端電壓 不斷升高，存儲(chǔ)了一半能量，使得MOSFET瞬間吸收的能量減少了 一半，MOSFET發(fā)熱情況不明 顯，不會(huì)燒毀M0SFET，從而確保上級(jí)的浪涌保護(hù)電路可以正常工作;廉價(jià)的電容(C2)和電阻 (?)組成的緩沖模塊（Π)可以保護(hù)MOSFET不被燒毀，因此可以降低對(duì)保護(hù)模塊（I)中的 MOSFET的性能要求，選用價(jià)格較低的MOSFET，從而降低了整個(gè)浪涌保護(hù)電路的成本。
【文檔編號(hào)】H02H9/04GK106026061SQ201610338168
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年5月22日
【發(fā)明人】稽維貴, 何志翔, 徐美華, 冉峰, 季淵
【申請(qǐng)人】上海大學(xué)