本技術(shù)涉及交流調(diào)壓，具體而言，涉及一種防止半波的可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、交流調(diào)壓電路在現(xiàn)代工業(yè)中應(yīng)用廣泛，特別是在高電壓小電流、或低電壓大電流的直流電源中，常常采用可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)來(lái)調(diào)節(jié)變壓器的一次電壓，器電路原理如圖1所示?，F(xiàn)有的可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)包括兩個(gè)反向并聯(lián)的可控硅，這兩個(gè)可控硅的導(dǎo)通和截止由專門的觸發(fā)電路精確控制、確保交流調(diào)壓電路在交流電的正負(fù)半周都保持相應(yīng)的正反向?qū)ā?/p>

2、但是，在現(xiàn)有的可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)中，若其中一個(gè)可控硅的觸發(fā)電路出現(xiàn)故障，容易使交流調(diào)壓電路出現(xiàn)半波故障、導(dǎo)致該電路不穩(wěn)定，半波故障波形如圖2所示；若半波故障的負(fù)載為變壓器，則會(huì)形成直流短路，嚴(yán)重時(shí)還可能燒壞變壓器線圈。因此，對(duì)于如何設(shè)計(jì)一款可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)、解決現(xiàn)有的可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)中可能出現(xiàn)的半波故障的問(wèn)題具有極其重要意義。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的目的在于提供一種防止半波的可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)，其解決了現(xiàn)有的可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)中可能出現(xiàn)的半波故障的技術(shù)問(wèn)題。

2、為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本申請(qǐng)采用的方案如下：

3、本實(shí)用新型提供一種防止半波的可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)，其特征在于：包括整流電橋、可控硅、變壓器；所述整流電橋的第一節(jié)點(diǎn)接入交流電源，整流電橋的第三節(jié)點(diǎn)與變壓器初始線圈的一端串聯(lián)，所述變壓器初始線圈的另一端接入交流電源；所述可控硅連接在整流電橋的第二節(jié)點(diǎn)和第四節(jié)點(diǎn)之間。

4、在一些實(shí)施例中，所述可控硅的正極與整流電橋的第二節(jié)點(diǎn)相連接，可控硅的負(fù)極與整流電橋的第四節(jié)點(diǎn)相連接。

5、在一些實(shí)施例中，所述整流電橋?yàn)閱蜗嗾麟姌?，所述單相整流電橋包括四個(gè)二極管，所述四個(gè)二極管均與可控硅反向并聯(lián)。

6、在一些實(shí)施例中，還包括觸發(fā)電路，所述觸發(fā)電路與可控硅的控制極相連接，觸發(fā)電路發(fā)送觸發(fā)信號(hào)到可控硅中、控制可控硅導(dǎo)通和截止。

7、本申請(qǐng)的技術(shù)方案至少具有如下優(yōu)點(diǎn)和有益效果：

8、本實(shí)用新型采用單只可控硅調(diào)壓，輸出波形仍然為交流全波，成本低、電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，且該單只可控硅在一個(gè)周波內(nèi)都承受正向電壓、不易受到反向電壓的沖擊，能夠有效地提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性；若該單只可控硅的觸發(fā)系統(tǒng)出現(xiàn)故障，則交流調(diào)壓系統(tǒng)無(wú)波形輸出，能有效預(yù)防半波故障的發(fā)生、從而保護(hù)整個(gè)系統(tǒng)。

技術(shù)特征：

1.一種防止半波的可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)，其特征在于：包括整流電橋、可控硅、變壓器；所述整流電橋的第一節(jié)點(diǎn)接入交流電源，整流電橋的第三節(jié)點(diǎn)與變壓器初始線圈的一端串聯(lián)，所述變壓器初始線圈的另一端接入交流電源；所述可控硅連接在整流電橋的第二節(jié)點(diǎn)和第四節(jié)點(diǎn)之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止半波的可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)，其特征在于，所述可控硅的正極與整流電橋的第二節(jié)點(diǎn)相連接，可控硅的負(fù)極與整流電橋的第四節(jié)點(diǎn)相連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止半波的可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)，其特征在于，所述整流電橋?yàn)閱蜗嗾麟姌颍鰡蜗嗾麟姌虬ǖ谝欢O管、第二二極管、第三二極管、第四二極管，所述四個(gè)二極管均與可控硅反向并聯(lián)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種防止半波的可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)交流電源正通過(guò)其正半波周期供電時(shí)，第一二極管、可控硅vt1、第四二極管、變壓器tm初始線圈連接構(gòu)成電流回路，交流電從電源的正極出發(fā)，依次通過(guò)第一二極管、可控硅vt1、第四二極管、變壓器tm的初始線圈，最后回到電源的負(fù)極。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種防止半波的可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)，其特征在于，當(dāng)交流電源正通過(guò)其負(fù)半波周期供電時(shí)，第二二極管、可控硅vt1、第三二極管、變壓器tm初始線圈連接構(gòu)成電流回路，交流電從電源的負(fù)極出發(fā)，依次通過(guò)變壓器tm的初始線圈、第二二極管、可控硅vt1、第三二極管，最后回到電源的負(fù)極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種防止半波的可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)，其特征在于，還包括觸發(fā)電路，所述觸發(fā)電路與可控硅的控制極相連接，觸發(fā)電路發(fā)送觸發(fā)信號(hào)到可控硅中、控制可控硅導(dǎo)通和截止。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及交流調(diào)壓技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種防止半波的可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)，包括整流電橋、可控硅、變壓器、觸發(fā)電路；整流電橋的第一節(jié)點(diǎn)接入交流電源、第三節(jié)點(diǎn)與變壓器初始線圈的一端串聯(lián)，變壓器初始線圈的另一端接入交流電源；可控硅連接在整流電橋的第二節(jié)點(diǎn)和第四節(jié)點(diǎn)之間；整流電橋包括四個(gè)二極管，四個(gè)二極管均與可控硅反向并聯(lián)；觸發(fā)電路與可控硅的控制極相連接，觸發(fā)電路發(fā)送觸發(fā)信號(hào)到可控硅中、控制可控硅導(dǎo)通和截止。該技術(shù)能夠有效預(yù)防半波故障的發(fā)生，其解決了現(xiàn)有的可控硅交流調(diào)壓系統(tǒng)中可能出現(xiàn)的半波故障的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：吳獻(xiàn)華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：吳獻(xiàn)華
技術(shù)研發(fā)日：20240520
技術(shù)公布日：2025/1/6