本發(fā)明屬于一種vmid電壓產(chǎn)生器，尤指一種在待機(jī)狀態(tài)時(shí)超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生器。

背景技術(shù)：

1、圖1為驅(qū)動(dòng)器的電路架構(gòu)及其電壓區(qū)間示意圖。如圖1所示，驅(qū)動(dòng)器ic?100亦可以為應(yīng)用在液晶面板上的源驅(qū)動(dòng)器ic(source?driver?ic)，其主要架構(gòu)包括正壓運(yùn)算放大器(positive?operational?amplifier，pop)11及負(fù)壓運(yùn)算放大器(negative?operationalamplifier,nop)12。正壓運(yùn)算放大器11產(chǎn)生vmid至avdd之間的電壓，供后面的液晶面板使用，而負(fù)壓運(yùn)算放大器12產(chǎn)生0v至vmid之間的電壓，供后面的液晶面板使用。面板上液晶的跨壓不同，便可顯示出不同的灰階。

2、在中小尺寸液晶面板的源驅(qū)動(dòng)器ic應(yīng)用中，由于液晶翻轉(zhuǎn)電壓在6v以內(nèi)，故以全正半壓的液晶面板架構(gòu)來(lái)說(shuō)，avdd應(yīng)用上會(huì)在12v以內(nèi)，vmid為介于0v至avdd之間的電壓，例如，vmid可以是一個(gè)等于或接近于avdd/2的中值電壓。不同于大尺寸液晶面板的源驅(qū)動(dòng)器ic使用高壓的電子組件(例如32v)，中小尺寸液晶面板的源驅(qū)動(dòng)器ic會(huì)使用中壓的電子組件(例如6v)，來(lái)進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。

3、在中小尺寸液晶面板的源驅(qū)動(dòng)器ic中，其ic內(nèi)部通常需要有一個(gè)vmid電壓產(chǎn)生器來(lái)產(chǎn)生vmid電壓。請(qǐng)參閱圖2為傳統(tǒng)的vmid電壓產(chǎn)生器的架構(gòu)圖。如圖2所示，vmid電壓產(chǎn)生器200包括能隙參考電路21及運(yùn)算放大器22。能隙參考電路21提供參考電壓及參考電流至運(yùn)算放大器22，運(yùn)算放大器22產(chǎn)生vmid電壓并根據(jù)參考電壓及參考電流以提供推力驅(qū)使vmid電壓。

4、源驅(qū)動(dòng)器ic的操作模式包含有正常模式(normal?mode)及待機(jī)模式(standbymode)。在正常模式(normal?mode)時(shí)，源驅(qū)動(dòng)器ic會(huì)將內(nèi)部大部分的電路開(kāi)啟，該開(kāi)啟的電路包含有vmid電壓產(chǎn)生器200，則開(kāi)啟運(yùn)作的vmid電壓產(chǎn)生器200將會(huì)正常提供vmid電壓。在待機(jī)模式(standby?mode)時(shí)，源驅(qū)動(dòng)器ic會(huì)將內(nèi)部大部分的電路關(guān)閉以便降低耗電，然，由于電子組件耐壓的問(wèn)題，源驅(qū)動(dòng)器ic仍需繼續(xù)提供vmid電壓。因此，以往源驅(qū)動(dòng)器ic操作在待機(jī)模式(standby?mode)時(shí)，仍需透過(guò)vmid電壓產(chǎn)生器20來(lái)提供vmid電壓。

5、另，實(shí)際的電路設(shè)計(jì)為例，能隙參考電路21及運(yùn)算放大器22在正常模式(normalmode)開(kāi)啟操作時(shí)，能隙參考電路21耗電約50ua，運(yùn)算放大器22耗電約450ua，則總耗電為500ua；能隙參考電路21及運(yùn)算放大器22在待機(jī)模式(standby?mode)開(kāi)啟操作時(shí)，能隙參考電路21耗電可降至20ua，運(yùn)算放大器22耗電可降至80ua，則總耗電降為100ua。

6、于是，熟知電子電路技術(shù)領(lǐng)域者，應(yīng)該懂得傳統(tǒng)的能隙參考電路21及運(yùn)算放大器22由高耗電的電路組件所組成，即使操作在待機(jī)模式(standby?mode)，只要能隙參考電路21及運(yùn)算放大器22被開(kāi)啟運(yùn)作，vmid電壓產(chǎn)生器200就會(huì)存在不少的耗電(如在待機(jī)模式的共耗電仍有100ua)，導(dǎo)致液晶面板或源驅(qū)動(dòng)器ic在待機(jī)模式很難再進(jìn)一步降低功耗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、以往驅(qū)動(dòng)器ic操作在待機(jī)模式時(shí)，利用傳統(tǒng)的vmid電壓產(chǎn)生器中的能隙參考電路及運(yùn)算放大器來(lái)產(chǎn)生vmid電壓，然而，能隙參考電路及運(yùn)算放大器由高耗電的電子組件所組成，因此，驅(qū)動(dòng)器ic在待機(jī)模式時(shí)仍會(huì)消耗不少的功耗。有鑒于此，本發(fā)明在vmid電壓產(chǎn)生器中增設(shè)一超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路。當(dāng)驅(qū)動(dòng)器ic操作在待機(jī)模式時(shí)，關(guān)閉能隙參考電路及運(yùn)算放大器，開(kāi)啟超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路，以選擇超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路來(lái)提供vmid電壓，由于超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路運(yùn)作時(shí)耗電非常低，故可大幅降低驅(qū)動(dòng)器ic待機(jī)的功耗。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種低待機(jī)耗電的vmid電壓產(chǎn)生器，其特征在于，vmid電壓產(chǎn)生器應(yīng)用在一驅(qū)動(dòng)器ic上，用以提供vmid電壓至驅(qū)動(dòng)器ic，vmid電壓產(chǎn)生器包含：高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路，由高耗電的電子組件所組成；以及超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路，由超低耗電的電子組件所組成，其中高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路的輸出與超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路的輸出共連接至輸出節(jié)點(diǎn)，輸出節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生有vmid電壓；其中，驅(qū)動(dòng)器ic操作在正常模式時(shí)，高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路被開(kāi)啟，超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路被關(guān)閉，vmid電壓由高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路所產(chǎn)生；驅(qū)動(dòng)器ic操作在待機(jī)模式時(shí)，高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路被關(guān)閉，而超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路被開(kāi)啟，vmid電壓由超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路所產(chǎn)生。

3、較佳地，超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路包含：第一電阻，其一端連接電壓源而另一端連接輸出節(jié)點(diǎn)；以及第二電阻，其一端連接輸出節(jié)點(diǎn)而另一端接地；其中，透過(guò)第一電阻與第二電阻的分壓以在輸出節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生vmid電壓。

4、較佳地，vmid電壓設(shè)定有預(yù)定值，以vmid電壓的預(yù)定值調(diào)整第一電阻及第二電阻的大小。

5、較佳地，超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路包含：第一電阻，其一端連接電壓源而另一端連接第一節(jié)點(diǎn)；第二電阻，其一端連接第一節(jié)點(diǎn)而另一端接地；第一晶體管，為nmos晶體管，其汲極連接電壓源、閘極連接第一節(jié)點(diǎn)而源極連接輸出節(jié)點(diǎn)；及第二晶體管，為pmos晶體管，其汲極接地、閘極連接第一節(jié)點(diǎn)而源極連接輸出節(jié)點(diǎn)；其中第一節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生有第一電壓，vmid電壓介于va+vth_p1與va-vth_n1之間，va為第一電壓，vth_n1為第一晶體管的閥值電壓，而vth_p1為第二晶體管的閥值電壓。

6、較佳地，vmid電壓設(shè)定有預(yù)定值，以vmid電壓的預(yù)定值調(diào)整第一電阻及第二電阻的大小。

7、較佳地，超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路包含：第一電阻，其一端連接電壓源而另一端連接第一節(jié)點(diǎn)；第二電阻，其一端連接第二節(jié)點(diǎn)而另一端接地；第三電阻，連接在第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)間；第一晶體管，為nmos晶體管，其汲極連接電壓源、閘極連接第一節(jié)點(diǎn)而源極連接輸出節(jié)點(diǎn)；及第二晶體管，為pmos晶體管，其汲極接地、閘極連接第二節(jié)點(diǎn)而源極連接輸出節(jié)點(diǎn)；其中第一節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生有第一電壓，第二節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生第二電壓；其中vmid電壓設(shè)定有預(yù)定值，透過(guò)設(shè)定第一電壓及第二電壓的大小以將vmid電壓嵌制在預(yù)定值附近；其中第一電壓被設(shè)定接近且低于vmid+vgs_n1，而第二電壓被設(shè)定接近且高于vmid-vgs_p1，vgs_n1為第一晶體管的vgs電壓，而vgs_p1為第二晶體管的vgs電壓。

8、較佳地，第一電壓、第二電壓與vmid電壓的預(yù)定值透過(guò)調(diào)整第一電阻、第二電阻及第三電阻的大小來(lái)設(shè)定。

9、較佳地，超低耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路包含：第一電阻，其一端連接電壓源而另一端連接第一節(jié)點(diǎn)；第二電阻，其一端連接第二節(jié)點(diǎn)而另一端接地；第一晶體管，為nmos晶體管，其汲極連接電壓源、閘極連接第一節(jié)點(diǎn)而源極連接輸出節(jié)點(diǎn)；第二晶體管，為pmos晶體管，其汲極接地、閘極連接第二節(jié)點(diǎn)而源極連接輸出節(jié)點(diǎn)；第三晶體管，為nmos晶體管，其汲極與閘極共連接至第一節(jié)點(diǎn)而源極連接第三節(jié)點(diǎn)；第四晶體管，為pmos晶體管，其汲極與閘極共連接至第二節(jié)點(diǎn)而源極連接第三節(jié)點(diǎn)；其中第一節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生有第一電壓，第二節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生第二電壓，第三節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生第三電壓；其中第三晶體管的vgs電壓設(shè)計(jì)等于第四晶體管的vgs電壓；其中vmid電壓設(shè)定有預(yù)定值，預(yù)定值被設(shè)定等于第三電壓，vmid電壓被嵌制至預(yù)定值附近。

10、較佳地，第三晶體管的vgs電壓設(shè)定小于第一晶體管的vgs電壓，而第四晶體管的vgs電壓設(shè)定小于第二晶體管的vgs電壓。

11、較佳地，第一電壓、第二電壓及第三電壓透過(guò)調(diào)整第一電阻及第二電阻的大小來(lái)設(shè)定。

12、較佳地，高耗電的vmid電壓產(chǎn)生電路包含：能隙參考電路，用以提供參考電壓及參考電流；以及運(yùn)算放大器，運(yùn)算放大器的輸入端連接能隙參考電路而輸出端連接輸出節(jié)點(diǎn)；其中，運(yùn)算放大器在輸出節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)生vmid電壓，且根據(jù)于參考電壓及參考電流以提供推力驅(qū)使vmid電壓。