本發(fā)明涉及電路控制，具體而言，涉及一種浪涌抑制電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和用電設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、相關(guān)技術(shù)方案中采用無源浪涌抑制電路或有源抑制電路來對浪涌進(jìn)行抑制，以實(shí)現(xiàn)浪涌抑制電路的后級(jí)線路的保護(hù)。

2、圖1示出了相關(guān)技術(shù)方案中的無源浪涌抑制電路圖，如圖1所示，其包括熱敏電阻102’、壓敏電阻104’、整流濾波電路106’和電解電容108’。

3、具體地，利用熱敏電阻102’提高后級(jí)線路的輸入阻抗，進(jìn)而抑制流入后級(jí)線路的電流；利用壓敏電阻104’起到限制后級(jí)電壓的作用，根據(jù)不同的壓敏電阻規(guī)格，限幅電壓在幾十到幾百伏，利用電解電容108’存儲(chǔ)浪涌能量，避免能量流向后級(jí)而損壞后級(jí)器件，上述無源浪涌抑制電路通過對電壓、電流的限制和能量存儲(chǔ)，保護(hù)后級(jí)電路。

4、圖2示出了相關(guān)技術(shù)方案中的有源浪涌抑制電路圖，如圖2所示，其包括壓敏電阻104’、整流濾波電路106’和有源浪涌抑制電路110’。

5、然而，上述無源浪涌抑制電路或有源抑制電路都存在浪涌電流過大的問題，而上述問題使得浪涌抑制存在控制復(fù)雜、可靠性低和成本高的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)或相關(guān)技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一。

2、為此，本發(fā)明的第一個(gè)方面在于，提供了一種浪涌抑制電路。

3、本發(fā)明的第二個(gè)方面在于，提供了一種電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置。

4、本發(fā)明的第三個(gè)方面在于，提供了一種用電設(shè)備。

5、有鑒于此，根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種浪涌抑制電路，包括：電容，電容的第一端與正母線連接，電容的第二端與負(fù)母線連接；開關(guān)管，位于正母線或負(fù)母線上；驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電路的第一端與正母線連接，驅(qū)動(dòng)電路的第二端與負(fù)母線連接，驅(qū)動(dòng)電路的輸出端與開關(guān)管的控制端連接；其中，開關(guān)管用于在正母線和/或負(fù)母線上存在浪涌的情況下，隨著浪涌的電流的增大，從飽和區(qū)導(dǎo)通切換到放大區(qū)導(dǎo)通。

6、本技術(shù)的技術(shù)方案提出了一種浪涌抑制電路，該浪涌抑制電路在實(shí)現(xiàn)浪涌的抑制的同時(shí)，能夠抑制浪涌的電流大小，從而為應(yīng)用浪涌抑制電流的電路或設(shè)備提供保護(hù)，降低了其因浪涌的電流過大而出現(xiàn)損壞的幾率，提升了浪涌抑制的保護(hù)效果。

7、本技術(shù)的技術(shù)方案是基于以下原理實(shí)現(xiàn)的，具體地，驅(qū)動(dòng)電路的第一端和第二端分別與正母線和負(fù)母線連接，因此，在正母線和負(fù)母線上存在浪涌的情況下，能夠通過驅(qū)動(dòng)電路的輸出端輸出與之對應(yīng)的電壓，以便調(diào)整開關(guān)管的導(dǎo)通狀態(tài)。

8、具體地，在沒有浪涌的情況下，驅(qū)動(dòng)電路的輸出端輸出電壓，使得開關(guān)管導(dǎo)通，使其工作狀態(tài)處于飽和區(qū)。當(dāng)發(fā)生浪涌的情況下，開關(guān)管的工作狀態(tài)逐漸從飽和區(qū)進(jìn)入放大區(qū)，在此階段下，開關(guān)管所呈現(xiàn)的阻抗變大，浪涌抑制電路的整體阻抗變大，使得浪涌電流得以降低，減少浪涌對浪涌抑制電路所在電路或設(shè)備的損傷，從而確保浪涌抑制效果。

9、在上述技術(shù)方案中，通過設(shè)置電容，以便利用電容來存儲(chǔ)浪涌能量，從而減少正母線和負(fù)母線向負(fù)載或后級(jí)線路供電時(shí)的電壓波動(dòng)，從而確保供電的穩(wěn)定性。

10、在其中一個(gè)技術(shù)方案中，正母線和負(fù)母線是成對設(shè)置并存在的兩條供電線。如正母線用戶提供某一電壓值的電壓，負(fù)母線用戶提供接地電壓。

11、在其中一個(gè)技術(shù)方案中，上述開關(guān)管可以是單一的開關(guān)器件，如mosfet、igbt、三極管、可控硅，亦或可以是由多個(gè)器件所組成的開關(guān)電路。

12、其中，mosfet，是metal-oxide-semiconductor?field-effect?transistor的簡寫，全稱為金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管。

13、在其中一個(gè)技術(shù)方案中，igbt是insulated?gate?bipolar?transistor的簡寫，全稱為絕緣柵雙極型晶體管。

14、在上述技術(shù)方案中，由多個(gè)器件所組成的開關(guān)電路可以根據(jù)實(shí)際使用需要進(jìn)行設(shè)置，在此不再進(jìn)行贅述。

15、在上述技術(shù)方案中，浪涌，是一種瞬態(tài)高電壓或大電流。通常情況下，在電子線路遭雷擊或在接通、斷開感性負(fù)載時(shí)，會(huì)產(chǎn)生數(shù)倍到數(shù)十倍于額定電壓、電流的浪涌電壓、浪涌電流，該高電壓大電流危及設(shè)備安全運(yùn)行，影響著設(shè)備輸出的穩(wěn)定，多數(shù)情況下還會(huì)損壞設(shè)備或內(nèi)部器件。因此，浪涌抑制是保障設(shè)備安全可靠運(yùn)行的關(guān)鍵性問題。

16、另外，本技術(shù)提出的浪涌抑制電路還具有以下附加技術(shù)特征。

17、在上述技術(shù)方案中，在開關(guān)管位于負(fù)母線的情況下，驅(qū)動(dòng)電路包括：第一電阻，第一電阻的第一端與正母線連接；第一穩(wěn)壓二極管，第一穩(wěn)壓二極管的負(fù)極與第一電阻的第二端以及開關(guān)管的控制端連接，第一穩(wěn)壓二極管的正極與負(fù)母線連接；第二電阻，第二電阻位于第一穩(wěn)壓二極管的正極與開關(guān)管的第一端之間。

18、在該技術(shù)方案中，細(xì)化了驅(qū)動(dòng)電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，第一電阻，第一穩(wěn)壓二極管串聯(lián)后連接在正母線和負(fù)母線之間，在此情況下，第一電阻、第一穩(wěn)壓二極管與正母線、負(fù)母線之間形成回路。沒有浪涌的情況下，驅(qū)動(dòng)電路能夠輸出某一電壓值，由于第二電阻與開關(guān)管的第一端連接，因此，開關(guān)管的控制端與第一端之間形成電壓值，若該電壓值大于開關(guān)管的導(dǎo)通電壓的情況下，開關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)，并根據(jù)電壓值的大小調(diào)整其自身的導(dǎo)通狀態(tài)。

19、而在存在浪涌的情況下，隨著浪涌電流的增大，流經(jīng)第二電阻的電流會(huì)增大，對應(yīng)的，第二電阻上的電壓會(huì)增大，開關(guān)管的控制端與第一端之間形成的電壓值會(huì)降低，隨著流經(jīng)第二電阻的電流不斷增大，開關(guān)管的控制端與第一端之間形成的電壓值會(huì)不斷降低，最終，電壓值小于開關(guān)管的導(dǎo)通電壓的情況下，開關(guān)管處于截止?fàn)顟B(tài)，開關(guān)管切斷所處的負(fù)母線。

20、在該技術(shù)方案中，當(dāng)發(fā)生浪涌的情況下，開關(guān)管的工作狀態(tài)逐漸從飽和區(qū)進(jìn)入放大區(qū)，在此階段下，開關(guān)管所呈現(xiàn)的阻抗變大，浪涌抑制電路的整體阻抗變大，使得浪涌電流得以降低，減少浪涌對浪涌抑制電路所在電路或設(shè)備的損傷，從而確保浪涌抑制效果。

21、在該技術(shù)方案中，在沒有浪涌的情況下，開關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)，浪涌抑制電路表現(xiàn)為低阻狀態(tài)，其損耗較低，或者忽略不計(jì)，其可以看作熱敏電阻；在存在浪涌的情況下，浪涌抑制電路根據(jù)浪涌電流的大小，自行調(diào)節(jié)其阻抗，在浪涌電流達(dá)到一定值時(shí)，浪涌抑制電路呈高阻狀態(tài)，浪涌能量完全被抑制，進(jìn)而后級(jí)電路被保護(hù)而正常運(yùn)行；當(dāng)浪涌消失后，浪涌抑制電路自行恢復(fù)到初始低阻狀態(tài)，浪涌抑制電路所在電路或設(shè)備正常運(yùn)行，完全不受影響。

22、此外，開關(guān)管上的電壓也會(huì)隨著浪涌電流的增加而增大，承擔(dān)了一部分浪涌電壓，使電容的后級(jí)線路的電壓增加不大，起到了抑制浪涌電壓的作用。

23、在上述任一技術(shù)方案中，第二電阻可以理解為限流電阻。

24、在上述任一技術(shù)方案中，驅(qū)動(dòng)電路還包括：第三電阻，位于第一穩(wěn)壓二極管的正極與負(fù)母線之間。

25、在該技術(shù)方案中，通過設(shè)置第三電阻，以便利用第三電阻來限制流經(jīng)第一穩(wěn)壓二極管的電流，從而起到保護(hù)第一穩(wěn)壓二極管的效果。

26、在上述任一技術(shù)方案中，在開關(guān)管位于正母線的情況下，驅(qū)動(dòng)電路包括：第二穩(wěn)壓二極管，第二穩(wěn)壓二極管的負(fù)極與正母線連接；第四電阻，第四電阻的第一端與第二穩(wěn)壓二極管的正極、開關(guān)管的控制端連接，第四電阻的第二端與負(fù)母線連接；第五電阻，位于第二穩(wěn)壓二極管的負(fù)極與開關(guān)管的第一端之間。

27、在該技術(shù)方案中，細(xì)化了驅(qū)動(dòng)電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，第四電阻，第二穩(wěn)壓二極管串聯(lián)后連接在正母線和負(fù)母線之間，在此情況下，第四電阻，第二穩(wěn)壓二極管與正母線、負(fù)母線之間形成回路。沒有浪涌的情況下，驅(qū)動(dòng)電路能夠輸出某一電壓值，由于第五電阻與開關(guān)管的第一端連接，因此，開關(guān)管的控制端與第一端之間形成電壓值，若該電壓值大于開關(guān)管的導(dǎo)通電壓的情況下，開關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)，并根據(jù)電壓值的大小調(diào)整其自身的導(dǎo)通狀態(tài)。

28、而在存在浪涌的情況下，隨著浪涌電流的增大，流經(jīng)第五電阻的電流會(huì)增大，對應(yīng)的，第五電阻上的電壓會(huì)增大，開關(guān)管的控制端與第一端之間形成的電壓值會(huì)降低，隨著流經(jīng)第五電阻的電流不斷增大，開關(guān)管的控制端與第一端之間形成的電壓值會(huì)不斷降低，最終，電壓值小于開關(guān)管的導(dǎo)通電壓的情況下，開關(guān)管處于截止?fàn)顟B(tài)，開關(guān)管切斷負(fù)母線。

29、在該技術(shù)方案中，當(dāng)發(fā)生浪涌的情況下，開關(guān)管的工作狀態(tài)逐漸從飽和區(qū)進(jìn)入放大區(qū)，開關(guān)管所呈現(xiàn)的阻抗變大，浪涌抑制電路的整體阻抗變大，使得浪涌電流得以降低，減少浪涌對浪涌抑制電路所在電路或設(shè)備的損傷，從而確保浪涌抑制效果。

30、在該技術(shù)方案中，在沒有浪涌的情況下，開關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)，此時(shí)，浪涌抑制電路表現(xiàn)為低阻狀態(tài)，其損耗較低，或者忽略不計(jì)，其可以看作熱敏電阻；在存在浪涌的情況下，浪涌抑制電路根據(jù)浪涌電流的大小，自行調(diào)節(jié)其阻抗，在浪涌電流達(dá)到一定值時(shí)，浪涌抑制電路呈高阻狀態(tài)，浪涌能量完全被抑制，進(jìn)而后級(jí)電路被保護(hù)而正常運(yùn)行；當(dāng)浪涌消失后，浪涌抑制電路自行恢復(fù)到初始低阻狀態(tài)，浪涌抑制電路所在電路或設(shè)備正常運(yùn)行，完全不受影響。

31、在上述任一技術(shù)方案中，驅(qū)動(dòng)電路包括：第六電阻，位于第二穩(wěn)壓二極管的正極與第四電阻的第一端之間。

32、在該技術(shù)方案中，通過設(shè)置第六電阻，以便利用第六電阻來限制流經(jīng)第二穩(wěn)壓二極管的電流，從而起到保護(hù)第二穩(wěn)壓二極管的效果。

33、在上述任一技術(shù)方案中，開關(guān)管的控制端為g極，開關(guān)管的第一端為s極。在上述任一技術(shù)方案中，第六電阻可以理解為限流電阻。

34、在上述任一技術(shù)方案中，驅(qū)動(dòng)電路還包括：三極管，三極管的第一端與開關(guān)管的控制端連接，三極管的控制端與開關(guān)管的第一端連接，在開關(guān)管位于負(fù)母線的情況下，三極管的第二端與負(fù)母線連接；在開關(guān)管位于正母線的情況下，三極管的第二端與正母線連接。

35、在該技術(shù)方案中，通過設(shè)置三極管，以便利用三極管來限制浪涌電流保持在一定范圍內(nèi)，以便減少因浪涌的電流過大，造成浪涌抑制電路所在的電路或后級(jí)電路因浪涌的電流過大而出現(xiàn)損壞的幾率，從而確保保護(hù)效果。

36、具體地，隨著浪涌的電流的增大，此時(shí)滿足三極管的導(dǎo)通條件，三極管導(dǎo)通，對應(yīng)地，三極管的第一端與第二端之間連通，開關(guān)管的控制端與第一端之間的電壓差迅速降低，開關(guān)管迅速關(guān)斷，切斷其所在負(fù)母線的供電輸出。

37、而在浪涌消失之后，三極管不滿足其導(dǎo)通條件，三極管截止，直至三極管導(dǎo)通。

38、在其中一個(gè)技術(shù)方案中，三極管可以根據(jù)浪涌抑制電路的設(shè)置需要選取為p型三極管或n型三極管。

39、在上述任一技術(shù)方案中，電容為薄膜電容或電解電容。

40、在該技術(shù)方案中，通過限定電容為薄膜電容，以便擯棄大電解電容體積大的弊端。

41、此外，相較于電解電容，薄膜電容具有使用壽命長、可靠性高的特性，能夠適用于直流、交流不同輸入場景，也適用于幾瓦到幾十千瓦的不同功率場景，可應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、家用電器、通信基站、儲(chǔ)能、充電樁等設(shè)備，拓寬了浪涌抑制電路的使用場景。

42、在上述任一技術(shù)方案中，浪涌抑制電路還包括：整流濾波電路，整流濾波電路具有第一輸入端和第二輸入端，第一輸入端和第二輸入端用于連接供電線路；整流濾波電路還具有第一輸出端和第二輸出端，第一輸出端與正母線連接，第二輸出端與負(fù)母線連接。

43、在該技術(shù)方案中，通過設(shè)置整流濾波電路，以便實(shí)現(xiàn)輸入側(cè)供電信號(hào)的濾波和整流，從而向正母線和負(fù)母線輸入供電。

44、在上述技術(shù)方案中，在供電線路為直流供電線路的情況下，整流濾波電路用于實(shí)現(xiàn)直流轉(zhuǎn)直流的電壓變換以及濾除變換后的向正母線和負(fù)母線輸出供電中的電壓干擾。

45、在上述技術(shù)方案中，在供電線路為交流供電線路的情況下，整流濾波電路用于實(shí)現(xiàn)交流轉(zhuǎn)直流的電壓變換以及濾除變換后的向正母線和負(fù)母線輸出供電中的電壓干擾。

46、在上述技術(shù)方案中，整流濾波電路可以根據(jù)實(shí)際使用需要進(jìn)行選取，在此不再進(jìn)行贅述。

47、在上述任一技術(shù)方案中，浪涌抑制電路還包括：第一壓敏電阻，第一壓敏電阻的第一端與第一輸入端連接，第一壓敏電阻的第二端與第二輸入端連接；和/或第二壓敏電阻，第二壓敏電阻的第一端與第一輸出端連接，第二壓敏電阻的第二端與第二輸出端連接。

48、在該技術(shù)方案中，通過設(shè)置第一壓敏電阻和/或第二壓敏電阻，以便利用第一壓敏電阻和/或第二壓敏電阻來限制輸入到整流濾波電路和/或從整流濾波電路輸出的供電的電壓幅值，以便減少位于浪涌抑制電路后級(jí)的線路因電壓幅值過大而出現(xiàn)損壞的幾率，從而確保浪涌抑制的效果。

49、在上述任一技術(shù)方案中，浪涌抑制電路還包括：溫敏電阻，位于第一輸入端和/或第二輸入端。

50、在該技術(shù)方案中，通過設(shè)置溫敏電阻，以便利用溫敏電阻來限制流入到整流濾波電路中電流的大小，從而起到抑制浪涌的效果。

51、在其中一個(gè)技術(shù)方案中，溫敏電阻為負(fù)溫度系數(shù)很大的電阻。

52、根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置，包括：如上述中任一項(xiàng)的浪涌抑制電路。

53、根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種用電設(shè)備，包括：如上述中任一項(xiàng)的浪涌抑制電路。

54、在上述技術(shù)方案中，用電設(shè)備包括以下之一：家電設(shè)備、開關(guān)電源、儲(chǔ)能設(shè)備、充電設(shè)備。

55、在該技術(shù)方案中，家電設(shè)備可以是冰箱、洗衣機(jī)、熱水器、空調(diào)、微波爐中的一種。

56、在該技術(shù)方案中，儲(chǔ)能設(shè)備可以是儲(chǔ)能變流器(power?conversion?system，pcs)。其中，儲(chǔ)能變流器可控制蓄電池的充電和放電過程，進(jìn)行交直流的變換，在無電網(wǎng)情況下可以直接為交流負(fù)荷供電。

57、在上述技術(shù)方案中，充電設(shè)備可以是充電樁或充電車。

58、本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實(shí)踐了解到。