1.一種H橋電機(jī)驅(qū)動電路，包括H橋電路，其特征在于：所述H橋電路的第一場效應(yīng)管的源極、第二場效應(yīng)管的源極與電源正極之間設(shè)有具有蓄電能力的穩(wěn)壓、濾波電路，用于實(shí)現(xiàn)對電機(jī)電壓補(bǔ)償，所述H橋電路的第三場效應(yīng)管的源極、第四場效應(yīng)管的源極均接地，所述H橋電路的第一場效應(yīng)管的漏極、第三場效應(yīng)管的漏極均與電機(jī)的一端連接，所述H橋電路的第二場效應(yīng)管的漏極、第四場效應(yīng)管的漏極均與電機(jī)的另一端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的H橋電機(jī)驅(qū)動電路，其特征在于：穩(wěn)壓、濾波電路中的穩(wěn)壓電路包括穩(wěn)壓二極管和第五場效應(yīng)管，所述第五場效應(yīng)管的漏極連接電源正極，電源正極經(jīng)過電阻后連接穩(wěn)壓二極管的負(fù)極，穩(wěn)壓二極管的負(fù)極連接第五場效應(yīng)管的控制端柵極，穩(wěn)壓二極管的正極接地，所述第五場效應(yīng)管的源極為輸出端，用于與濾波電路、第一場效應(yīng)管的源極、第二場效應(yīng)管的源極連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的H橋電機(jī)驅(qū)動電路，其特征在于：所述穩(wěn)壓、濾波電路中的濾波電容包括電解電容、陶瓷電容，所述電解電容、陶瓷電容并聯(lián)，所述電解電容的正極與穩(wěn)壓電路的輸出端、第一場效應(yīng)管的源極、第二場效應(yīng)管的源極連接，所述電解電容的負(fù)極接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的H橋電機(jī)驅(qū)動電路，其特征在于：所述第一場效應(yīng)管的源極、第二場效應(yīng)管的源極與電源正極之間設(shè)有繼電器，繼電器經(jīng)H橋控制電路與MCU模塊連接，所述MCU模塊用于輸出控制信號給H橋控制電路，控制繼電器的通電或斷電。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的H橋電機(jī)驅(qū)動電路，其特征在于：所述繼電器的觸點(diǎn)設(shè)置在穩(wěn)壓電路與濾波電路之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的H橋電機(jī)驅(qū)動電路，其特征在于：所述H橋控制電路包括三極管，所述三極管的基極與MCU模塊連接，所述三極管的集電極與電源正極連接，所述三極管的發(fā)射極與繼電器線圈的一端連接，繼電器線圈的另一端接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的H橋電機(jī)驅(qū)動電路，其特征在于：所述H橋電路的第一場效應(yīng)管的控制端柵極與第三場效應(yīng)管的控制端柵極之間設(shè)置非門邏輯電路，使第一場效應(yīng)管與第三場效應(yīng)管不能同時導(dǎo)通，所述H橋電路的第二場效應(yīng)管的控制端柵極與第四場效應(yīng)管的控制端柵極之間設(shè)置非門邏輯電路，使第二場效應(yīng)管、第四場效應(yīng)管不能同時導(dǎo)通。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的H橋電機(jī)驅(qū)動電路，其特征在于：所述H橋電路的控制端柵極與MCU模塊之間設(shè)有用于使能非門邏輯電路的電源控制電路，當(dāng)非門邏輯電路處于使能狀態(tài)，MCU模塊對場效應(yīng)管FET的控制，受非門邏輯電路的保護(hù)；當(dāng)非門邏輯電路處于不使能狀態(tài)，MCU模塊對場效應(yīng)管FET的控制是無效的，電機(jī)不會動作，H橋也沒有工作電流流過。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的H橋電機(jī)驅(qū)動電路，其特征在于：所述H橋電路的控制端柵極與MCU模塊之間設(shè)有EMC電路，用于降低在FET快速工作中造成的輻射騷擾，并過濾從電機(jī)傳導(dǎo)到MCU的騷擾。