本實(shí)用新型涉及功率因數(shù)校正技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種三相交錯并聯(lián)功率因數(shù)校正電路。

背景技術(shù)：

隨著新能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，功率因數(shù)校正已成為電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中不可或缺的一部分。其中，功率因數(shù)是指有效功率與總耗電量(視在功率)的比值，用于衡量電力被有效利用的程度，功率因數(shù)越高，電力利用率越高；而功率因數(shù)校正則是通過調(diào)整電流和電壓相位的方式，提高功率因數(shù)。在電源系統(tǒng)中通常設(shè)置有功率因數(shù)校正電路，用于實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)校正，提高電力利用率。

為了進(jìn)行功率因數(shù)校正，目前通常使用如圖1所示的功率因數(shù)校正電路。該功率因數(shù)校正電路為由6只功率開關(guān)器件組成的三相PWM(Pulse Width Modulation，脈沖寬度調(diào)制)整流電路；每相輸入電流通過電感流入相應(yīng)的橋臂，每個橋臂由上下2只功率開關(guān)器件組成，即A相輸入電流Ia通過濾波電感La流入橋臂，相應(yīng)的橋臂由功率開關(guān)器件S1和S4串聯(lián)組成；B相輸入電流Ib通過濾波電感Lb流入橋臂，相應(yīng)的橋臂由功率開關(guān)器件S2和S5串聯(lián)組成；C相輸入電流Ic通過濾波電感Lc流入橋臂，相應(yīng)的橋臂由功率開關(guān)器件S3和S6串聯(lián)組成；母線電壓Vbus和地線之間連接有濾波電容Co。在實(shí)際工作過程中，每相輸入電流可通過控制相應(yīng)橋臂上的2只功率開關(guān)器件的開啟或關(guān)斷，達(dá)到功率因數(shù)校正的目的。

然而，實(shí)用新型人通過研究發(fā)現(xiàn)，在高功率電源的設(shè)計(jì)中，較高的電壓和電流容易導(dǎo)致高電磁干擾；而且為了耐受高電壓和高電流，功率因數(shù)校正電路通常需要采用高電感值的濾波電感和高電容值的濾波電容，由此濾波電感和濾波電容的體積也越來越大，加工成本、難度高的同時容易引起工作熱量集聚，導(dǎo)致功率因數(shù)校正電路甚至整個電源系統(tǒng)過熱、產(chǎn)生工作異常，電源系統(tǒng)的可靠性低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請?zhí)峁┮环N三相交錯并聯(lián)功率因數(shù)校正電路，以解決現(xiàn)有技術(shù)中電源系統(tǒng)電磁干擾高、加工成本及難度高、可靠性低的問題。

根據(jù)第一方面，一種實(shí)施例中提供一種三相交錯并聯(lián)功率因數(shù)校正電路，包括第一轉(zhuǎn)換單元、第二轉(zhuǎn)換單元、以及并聯(lián)的第一電容組和第二電容組，其中：

每個三相輸入端均連接有相應(yīng)的第一轉(zhuǎn)換單元和第二轉(zhuǎn)換單元；

所述第一轉(zhuǎn)換單元包括第一電感、第一二極管、第二二極管、第三二極管、第四二極管、第一功率管和第二功率管；所述第一電容組的兩端并聯(lián)所述第一二極管、所述第一功率管、所述第二功率管和所述第四二極管的串聯(lián)電路；所述第一功率管和所述第二功率管的中間節(jié)點(diǎn)與所述第一電容組的中間節(jié)點(diǎn)連接；所述第一二極管和所述第一功率管的中間節(jié)點(diǎn)、以及所述第二功率管和所述第四二極管的中間節(jié)點(diǎn)之間，并聯(lián)第二二極管和第三二極管的串聯(lián)電路；所述第一電感的一端與所述三相輸入端連接、另一端與所述第二二極管和第三二極管之間的中間節(jié)點(diǎn)連接；

所述第一轉(zhuǎn)換單元包括第一電感、第一二極管、第二二極管、第三二極管、第四二極管、第一功率管和第二功率管；所述第一電容組的兩端并聯(lián)所述第一二極管、所述第一功率管、所述第二功率管和所述第四二極管的串聯(lián)電路；所述第一功率管和所述第二功率管的中間節(jié)點(diǎn)與所述第一電容組的中間節(jié)點(diǎn)連接；所述第一二極管和所述第一功率管的中間節(jié)點(diǎn)、以及所述第二功率管和所述第四二極管的中間節(jié)點(diǎn)之間，并聯(lián)第二二極管和第三二極管的串聯(lián)電路；所述第一電感的一端與所述三相輸入端連接、另一端與所述第二二極管和第三二極管之間的中間節(jié)點(diǎn)連接；

所述第一功率管和第二功率管上的驅(qū)動PWM波形相位，超前或滯后所述第三功率管和第四功率管上的驅(qū)動PWM波形相位180度。

可選地，所述第一電感和所述第二電感為耦合電感。

可選地，所述第一功率管、所述第二功率管、所述第三功率管以及所述第四功率管均包括場效應(yīng)晶體管或絕緣柵雙極型晶體管。

可選地，所述第二二極管、所述第三二極管、所述第六二極管以及所述第七二極管均包括高壓整流二極管。

可選地，所述第一二極管、所述第四二極管、所述第五二極管以及所述第八二極管均包括高頻高壓續(xù)流二極管。

可選地，所述高頻高壓續(xù)流二極管包括超快恢復(fù)二極管或碳化硅二極管。

可選地，所述第一電感和所述第二電感的匝數(shù)相等。

可選地，所述第一電容組包括串聯(lián)的第一電容和第二電容，所述第一電容和所述第二電容之間的中間節(jié)點(diǎn)為所述第一電容組的中間節(jié)點(diǎn)；所述第二電容組包括串聯(lián)的第三電容和第四電容，所述第三電容和所述第四電容之間的中間節(jié)點(diǎn)為所述第二電容組的中間節(jié)點(diǎn)。

可選地，所述第一電容的電容值與所述第二電容的電容值相等，且所述第三電容的電容值與所述第四電容的電容值相等。

可選地，所述第一電感的電感值和所述第二電感的電感值相等。

依據(jù)上述實(shí)施例的三相交錯并聯(lián)功率因數(shù)校正電路，包括第一轉(zhuǎn)換單元、第二轉(zhuǎn)換單元、以及并聯(lián)的第一電容組和第二電容組；每個三相輸入端均連接有相應(yīng)的第一轉(zhuǎn)換單元和第二轉(zhuǎn)換單元。所述第一轉(zhuǎn)換單元和第二轉(zhuǎn)換單元相對應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)交錯并聯(lián)，形成三相三開關(guān)三電平拓?fù)浣诲e并聯(lián)的功率因數(shù)校正電路，在工作過程中，紋波電流相互抵消，降低輸入輸出電流脈動，從而有效降低電磁干擾，提高電源的功率密度；而且，紋波電流的降低進(jìn)一步減少濾波電容和電感的體積，在降低生產(chǎn)成本的同時，能夠改善電路散熱性能，保證電源系統(tǒng)的可靠性；另外，所述三相交錯并聯(lián)功率因數(shù)校正電路中的電感采用耦合電感的物理結(jié)構(gòu)，在交錯并聯(lián)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步降低輸入電流和電感電流的脈動，減小電感的體積，能夠有效降低成本和提高可靠性。

附圖說明

圖1為一種目前功率因數(shù)校正電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種三相交錯并聯(lián)功率因數(shù)校正電路第一轉(zhuǎn)換單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種三相交錯并聯(lián)功率因數(shù)校正電路第二轉(zhuǎn)換單元的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種三相交錯并聯(lián)功率因數(shù)校正電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種紋波電流結(jié)果示意圖。

具體實(shí)施方式

下面通過具體實(shí)施方式結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的三相交錯并聯(lián)功率因數(shù)校正電路，包括第一轉(zhuǎn)換單元、第二轉(zhuǎn)換單元，以及并聯(lián)的第一電容組和第二電容組；對于電源系統(tǒng)的三相交流電，每個三相輸入端均連接有相應(yīng)的第一轉(zhuǎn)換單元和第二轉(zhuǎn)換單元；A相交流電的輸入端連接有與所述A相交流電相對應(yīng)的第一轉(zhuǎn)換單元和第二轉(zhuǎn)換單元；B相交流電的輸入端連接有與所述B相交流電相對應(yīng)的第一轉(zhuǎn)換單元和第二轉(zhuǎn)換單元；C相交流電的輸入端連接有與所述C相交流電相對應(yīng)的第一轉(zhuǎn)換單元和第二轉(zhuǎn)換單元；而且，A相交流電、B相交流電和C相交流電的相位依次相差120度。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中，以A相交流電的輸入端所連接的第一轉(zhuǎn)換單元、第二轉(zhuǎn)換單元為例，對所述第一轉(zhuǎn)換單元和第二轉(zhuǎn)換單元的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述。

請參考圖2，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種三相交錯并聯(lián)功率因數(shù)校正電路第一轉(zhuǎn)換單元的結(jié)構(gòu)示意圖。所述第一轉(zhuǎn)換單元包括第一電感L1、第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3、第四二極管D4、第一功率管Q1和第二功率管Q2。所述第一電容組包括串聯(lián)的第一電容C1和第二電容C2，可選地，所述第一電容C1的電容值和所述第二電容C2的電容值相等；當(dāng)然在具體實(shí)施時，所述第一電容組可以包括任意多個串聯(lián)或者并聯(lián)的電容，在本實(shí)用新型實(shí)施例中不做限定。

所述第一電容組的兩端并聯(lián)所述第一二極管D1、所述第一功率管Q1、所述第二功率管Q2以及所述第四二極管D4的串聯(lián)電路，所述第一電容組的兩端還分別連接母線Vbus+端和母線Vbus-端；具體地，所述第一二極管D1的負(fù)極連接至第一電容組與母線Vbus+對應(yīng)的連接端；在本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述第一功率管Q1和所述第二功率管Q2可以選用金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)或者絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT；當(dāng)所述第一功率管Q1和所述第二功率管Q2均為金屬氧化物場效應(yīng)晶體管時，可選地，所述金屬氧化物場效應(yīng)晶體管選用N溝MOSFET；第一功率管Q1的漏極與第一二極管D1的正極連接，第一功率管Q1的源極與第二功率管Q2的漏極連接，第二功率管Q2的源極與第四二極管D4的負(fù)極相連接；當(dāng)所述第一功率管Q1和所述第二功率管Q2均為絕緣柵雙極型晶體管時，所述第一功率管Q1的集電極與第一二極管D1的正極連接，所述第一功率管Q1的發(fā)射極與第二功率管Q2的集電極連接，所述第二功率管Q2的發(fā)射極與第四二極管D4的負(fù)極相連接，所述第一功率管Q1的柵極與第一驅(qū)動PWM相連接，所述第二功率管Q2的柵極與第二驅(qū)動PWM相連接；所述第一功率管Q1和所述第二功率管Q2的中間節(jié)點(diǎn)與所述第一電容組的中間節(jié)點(diǎn)連接，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述第一電容組的中間節(jié)點(diǎn)可以理解為所述第一電容C1和所述第二電容C2之間的中間節(jié)點(diǎn)，而且所述第一電容組的中間節(jié)點(diǎn)接地；所述第四二極管D4的正極連接至第一電容組的母線Vbus-對應(yīng)的連接端。

所述第一二極管D1和所述第一功率管Q1之間的中間節(jié)點(diǎn)，以及所述第二功率管Q2和所述第四二極管D4之間的中間節(jié)點(diǎn)之間，并聯(lián)由第二二極管D2和第三二極管D3組成的串聯(lián)電路。所述第二二極管D2的負(fù)極連接至第一二極管D1和第一功率管Q1之間的中間節(jié)點(diǎn)，所述第三二極管D3的正極連接至第二功率管Q2和所述第四二極管D4之間的中間節(jié)點(diǎn)。

所述第一電感L1的一端與A相交流電的輸入端連接，另一端與所述第二二極管D2和第三二極管D3的中間節(jié)點(diǎn)連接。

請參考圖3，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種三相交錯并聯(lián)功率因數(shù)校正電路第二轉(zhuǎn)換單元的結(jié)構(gòu)示意圖。所述第二轉(zhuǎn)換單元包括第二電感L1’、第五二極管D1’、第六二極管D2’、第七二極管D3’、第八二極管D4’、第三功率管Q1’和第四功率管Q2’。所述第二電容組包括串聯(lián)的第三電容C3和第四電容C4，可選地，所述第三電容C3和所述第四電容C4的電容值相等；當(dāng)然在具體實(shí)施時，所述第二電容組可以包括任意多個串聯(lián)或者并聯(lián)的電容，在本實(shí)用新型實(shí)施例中不做限定。

所述第二電容組的兩端并聯(lián)所述第五二極管D1’、所述第三功率管Q1’、所述第四功率管Q2’以及所述第八二極管D4’的串聯(lián)電路，所述第二電容組的兩端還分別連接母線Vbus+端和母線Vbus-端；具體地，所述第五二極管D1’的負(fù)極連接至第二電容組與母線Vbus+對應(yīng)的連接端；在本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述第三功率管Q1’和所述第四功率管Q2’可以選用金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET)或者絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT；當(dāng)所述第三功率管Q1’和所述第四功率管Q2’均為金屬氧化物場效應(yīng)晶體管時，可選地，所述金屬氧化物場效應(yīng)晶體管選用N溝MOSFET；第三功率管Q1’的漏極與第五二極管D1’的正極連接，第三功率管Q1’的源極與第四功率管Q2’的漏極連接，第四功率管Q2’的源極與第八二極管D4’的負(fù)極相連接；當(dāng)所述第三功率管Q1’和所述第四功率管Q2’均為絕緣柵雙極型晶體管時，所述第三功率管Q1’的集電極與第五二極管D1’的正極連接，所述第三功率管Q1’的發(fā)射極與第四功率管Q2’的集電極連接，所述第四功率管Q2’的發(fā)射極與第八二極管D4’的負(fù)極相連接，所述第三功率管Q1’的柵極與第三驅(qū)動PWM相連接，所述第四功率管Q2’的柵極均與第四驅(qū)動PWM相連接；所述第三功率管Q1’和所述第四功率管Q2’的中間節(jié)點(diǎn)與所述第二電容組的中間節(jié)點(diǎn)連接，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述第二電容組的中間節(jié)點(diǎn)可以理解為所述第三電容C3和所述第四電容C4之間的中間節(jié)點(diǎn)，而且所述第二電容組的中間節(jié)點(diǎn)接地；所述第八二極管D4’的正極連接至第二電容組的母線Vbus-對應(yīng)的連接端。

所述第五二極管D1’和所述第三功率管Q1’之間的中間節(jié)點(diǎn)，以及所述第四功率管Q2’和所述第八二極管D4’之間的中間節(jié)點(diǎn)之間，并聯(lián)由第六二極管D2’和第七二極管D3’組成的串聯(lián)電路。所述第六二極管D2’的負(fù)極連接至第五二極管D1’和第三功率管Q1’之間的中間節(jié)點(diǎn)，所述第七二極管D3’的正極連接至第四功率管Q2’和所述第八二極管D4’之間的中間節(jié)點(diǎn)。

所述第二電感L1’的一端與A相交流電的輸入端連接，另一端與所述第六二極管D2’和第七二極管D3’的中間節(jié)點(diǎn)連接。

在具體控制過程中，所述第一功率管Q1上的第一驅(qū)動PWM的波形相位，超前或滯后第三功率管Q1’上的第三驅(qū)動PWM波形相位；所述第二功率管Q2上的第二驅(qū)動PWM的波形相位，超前或滯后第四功率管Q2’上的第四驅(qū)動PWM的波形相位180度。

而且，為了降低輸入電流和電感電流的脈動，在本實(shí)用新型實(shí)施例中，所述第一電感L1和第二電感L1’采用耦合電感的物理結(jié)構(gòu)。兩個電感繞制在同一個磁芯上面，有益于直接并聯(lián)的均流特性和動態(tài)特性；而且，在具體實(shí)施時，所述第一電感L1和第二電感L1’所形成的耦合電感可以采用不同的耦合方式，可選地，所述第一電感L1和第二電感L1’使用磁集成耦合方式，能夠有效減輕電感的重量和體積。可選地，所述第一電感L1和所述第二電感L1’的匝數(shù)相等；所述第一電感L1和所述第二電感L1’的電感值也相等。

另外，在具體實(shí)施時，所述第二二極管Q2、所述第三二極管Q3、所述第六二極管Q2’和所述第七二極管Q3’均包括高壓整流二極管，從而起到反向阻斷作用。所述第一二極管Q1、所述第四二極管Q4、所述第五二極管Q1’和所述第六二極管Q4’均包括高頻高壓續(xù)流二極管，具體地，可以選用超快恢復(fù)二極管或者碳化硅二極管；而且，可選地，所述高頻高壓續(xù)流二極管的反向恢復(fù)時間小于100ns，當(dāng)然，根據(jù)具體電路設(shè)計(jì)需求，所述高頻高壓續(xù)流二極管可以選用其他種類二極管例如氮化鎵二極管等，而且所述反向恢復(fù)時間僅是一優(yōu)選數(shù)值并不局限于上述數(shù)值；通過使用反向恢復(fù)時間小的高頻高壓續(xù)流二極管，能夠有效減少反向恢復(fù)損耗，減少電磁干擾，從而提高電路系統(tǒng)的可靠性。

請參見圖4，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種三相交錯并聯(lián)功率因數(shù)校正電路的結(jié)構(gòu)示意圖。在每個三相交流電的輸入端均設(shè)置上述第一轉(zhuǎn)換單元和第二轉(zhuǎn)換單元，且每相交流電對應(yīng)的第一轉(zhuǎn)換單元均共用第一電容組，每項(xiàng)交流電的對應(yīng)的第二轉(zhuǎn)換單元均共用第二電容組；在每相交流電功率因數(shù)校正電路中，相應(yīng)的第一轉(zhuǎn)換單元和第二轉(zhuǎn)換單元的輸入端相連接、輸出端也相連接，從而構(gòu)成交錯并聯(lián)結(jié)構(gòu)，形成完整的三相交錯并聯(lián)功率因數(shù)校正電路，通過使用兩個三相三開關(guān)三電平拓?fù)浣诲e并聯(lián)的方式，可降低輸入輸出電流脈動，減小濾波器體積，同時改善變換器的動態(tài)性能。在具體實(shí)施時，B相交流電對應(yīng)的功率因數(shù)校正電路、以及C相交流電對應(yīng)的功率因數(shù)校正電路與上述A相交流電對應(yīng)的功率因數(shù)校正電路結(jié)構(gòu)相同，在此不再贅述。而且，在B相交流電對應(yīng)的功率因數(shù)校正電路中，功率管Q3上的驅(qū)動PWM的波形相位，超前或滯后功率管Q3’上的驅(qū)動PWM的波形相位180度；功率管Q4上的驅(qū)動PWM的波形相位，超前或滯后功率管Q4’上的驅(qū)動PWM的波形相位180度。在C相交流電對應(yīng)的功率因數(shù)校正電路中，功率管Q5上的驅(qū)動PWM的波形相位，超前或滯后功率管Q5’上的驅(qū)動PWM的波形相位180度；功率管Q6上的驅(qū)動PWM的波形相位，超前或滯后功率管Q6’上的驅(qū)動PWM的波形相位180度。

在本實(shí)用新型實(shí)施例中，以A相交流電為例，詳細(xì)描述所述三相交錯并聯(lián)功率因數(shù)校正電路的工作過程。第一功率管Q1上的第一驅(qū)動PWM、第二功率管Q2上的第二驅(qū)動PWM，根據(jù)第一電感L1的電流來控制，使第一電感L1的電流跟隨A相電壓；第三功率管Q1’上的第三驅(qū)動PWM以及第四功率管Q2’上的第四驅(qū)動PWM，根據(jù)第二電感L1’的電流來控制，使第二電感L1’的電流跟隨A相電壓；第一電感L1和第二電感L1’的電流和即為總的A相電流。具體地，當(dāng)A相交流電電壓為正，第一功率管Q1導(dǎo)通，A相交流電源對第一電感L1充電，電感電流上升，第二二極管D2導(dǎo)通，第一二極管D1承受反向電壓Vbus+關(guān)斷，第一電容C1給負(fù)載提供能量放電電壓下降；當(dāng)?shù)谝还β使躋1關(guān)斷時第一電感L1電壓反向，A相交流電源和第一電感L1共同通過第二二極管D2，第一二極管D1對第一電容C1充電，同時為負(fù)載提供能量，電感電流下降，第一電容C1電壓上升。當(dāng)A相交流電壓為負(fù)時，第二二極管Q2開通，A相交流電源對第一電感L1充電，電感電流負(fù)方向上升，第四二極管D4承受負(fù)方向電壓Vbus-關(guān)斷，第二電容C2給負(fù)載提供能量放電電壓下降；第二功率管Q2關(guān)斷時，第二功率管Q2關(guān)斷時第一電感L1電壓反向，A相交流電源和L1共同通過第三二極管D3，第四二極管D4對第二電容C2充電，同時為負(fù)載提供能量，電感電流下降，第二電容C2電壓上升。A相電流通過第一功率管Q1和第二功率管Q2的通斷控制(即A相電壓為正是控制第一功率管Q1，A相電壓為負(fù)時控制第二功率管Q2)，使得電感電流波形跟隨A相輸入電壓波形,達(dá)到功率因數(shù)校正的目的。

同樣，對于B相，功率管Q3上的驅(qū)動PWM、功率管Q4上的驅(qū)動PWM，根據(jù)電感L2的電流來控制，使電感L2的電流跟隨B相電壓；功率管Q3’上的驅(qū)動PWM、功率管Q4’上的驅(qū)動PWM，根據(jù)電感L2’的電流來控制，是電感L2’的電流跟隨B相電壓；電感L2和第二電感L2’的電流和即為總的B相電流。對于C相，功率管Q5上的驅(qū)動PWM、功率管Q6上的驅(qū)動PWM，根據(jù)電感L3的電流來控制，使電感L3的電流跟隨B相電壓；功率管Q5’上的驅(qū)動PWM、功率管Q5’上的驅(qū)動PWM，根據(jù)電感L3’的電流來控制，是電感L3’的電流跟隨C相電壓；電感L3和第二電感L3’的電流和即為總的C相電流。具體地，B相和C相原理和A相一致，各自獨(dú)立工作，工作頻率一致，相位依次錯開120度，在此不再贅述。通過驅(qū)動各通道的功率管開通和關(guān)斷，控制L1和L1’,L2和L2’,L3和L3’的電流，使得L1和L1’的電流波形跟隨A相電壓，L2和L2’的電流波形跟隨B相電壓，以及L3和L3’的電流波形跟隨C相電壓。

請參見圖4，同時請參見圖5，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種紋波電流結(jié)果示意圖，由于第一驅(qū)動PWM和第二驅(qū)動PWM的波形相位錯開180度，剛好使L1的電流和L1’的電流上升下降的方向相反，L2的電流和L2’的電流上升下降的方向相反，L3的電流和L3’的電流上升下降的方向相反，從而L1、L2和L3對應(yīng)的總電流IL1，與L1’、L2’和L3’對應(yīng)的總電流IL2，上升下降方向相反；由于輸出并聯(lián)，紋波電流相互抵消，總的輸出電流Iout的紋波也相應(yīng)降低。

由上述實(shí)施例描述可見，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的三相交錯并聯(lián)功率因數(shù)校正電路包括第一轉(zhuǎn)換單元、第二轉(zhuǎn)換單元、以及并聯(lián)的第一電容組和第二電容組；每個三相輸入端均連接有相應(yīng)的第一轉(zhuǎn)換單元和第二轉(zhuǎn)換單元。所述第一轉(zhuǎn)換單元和第二轉(zhuǎn)換單元相對應(yīng)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)交錯并聯(lián)，形成三相三開關(guān)三電平拓?fù)浣诲e并聯(lián)的功率因數(shù)校正電路，在工作過程中，紋波電流相互抵消，降低輸入輸出電流脈動，從而有效降低電磁干擾，提高電源的功率密度；而且，紋波電流的降低進(jìn)一步減少濾波電容和電感的體積，在降低生產(chǎn)成本的同時，能夠改善電路散熱性能，保證電源系統(tǒng)的可靠性；另外，所述三相交錯并聯(lián)功率因數(shù)校正電路中的電感采用耦合電感的物理結(jié)構(gòu)，在交錯并聯(lián)的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步降低輸入電流和電感電流的脈動，減小電感的體積，能夠有效降低成本和提高可靠性。

以上應(yīng)用了具體個例對本實(shí)用新型進(jìn)行闡述，只是用于幫助理解本實(shí)用新型，并不用以限制本實(shí)用新型。對于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型的思想，還可以做出若干簡單推演、變形或替換。