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一種解決半橋拓撲IGBT米勒效應(yīng)的驅(qū)動結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:12409266閱讀:658來源:國知局
一種解決半橋拓撲IGBT米勒效應(yīng)的驅(qū)動結(jié)構(gòu)的制作方法與工藝

本實用新型涉及半橋拓撲結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種解決半橋拓撲IGBT米勒效應(yīng)的驅(qū)動結(jié)構(gòu)。



背景技術(shù):

半橋拓撲結(jié)構(gòu)中,IGBT1開通時,瞬間變化的dv/dt由于下面IGBT2寄生米勒電容Ccg的關(guān)系會在IGBT2的C極——Ccg——門極驅(qū)動電阻Ron之間產(chǎn)生一個電流,并在Ron上產(chǎn)生一個電壓,有令I(lǐng)GBT2導(dǎo)通的風(fēng)險;

同理,在IGBT2導(dǎo)通瞬間,由于IGBT1的寄生米勒電容Cge也會在IGBT1的E極——Cge——Ron之間產(chǎn)生電流,并在Ron上產(chǎn)生電壓,有令I(lǐng)GBT1導(dǎo)通的風(fēng)險。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

本實用新型的目的就是為了解決上述問題,提供一種解決半橋拓撲IGBT米勒效應(yīng)的驅(qū)動結(jié)構(gòu)。

本實用新型的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的:

一種解決半橋拓撲IGBT米勒效應(yīng)的驅(qū)動結(jié)構(gòu),包括脈沖變壓器以及設(shè)置在脈沖變壓器副邊的二極管D1、二極管D2、電阻R1、電阻R2、電阻RON1、電阻RON2、IGBT1、IGBT2,所述二極管D1和所述二極管D2是肖特基二極管,所述二極管D1與電阻R1串聯(lián)后反并聯(lián)在所述電阻RON1兩端,并聯(lián)后連接IGBT1的門極;所述二極管D2與所述電阻R2串聯(lián)后反并聯(lián)在所述電阻RON2兩端,并聯(lián)后連接IGBT2的門極,所述IGBT2的發(fā)射極接地,IGBT2的集電極連接IGBT1的發(fā)射極。

優(yōu)選地,所述IGBT1的發(fā)射極與門極之間連接有電容C1,所述IGBT2的發(fā)射極與門極之間連接有電容C2。

優(yōu)選地,所述電容C1與電容C2的容量分別為10nF。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型有以下有益效果:本實用新型的解決半橋拓撲IGBT米勒效應(yīng)的驅(qū)動結(jié)構(gòu),可有效地減少米勒效應(yīng),消除了電路中一個IGBT管導(dǎo)通瞬間通過寄生的米勒電容而對另一個管子的柵極電壓的影響,電路結(jié)構(gòu)簡單,可實施性強。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例一的電路圖;

圖2為本實用新型實施例二的電路圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型進行清楚、完整地描述。

如圖1所示,實施例一,一種解決半橋拓撲IGBT米勒效應(yīng)的驅(qū)動結(jié)構(gòu),包括脈沖變壓器以及設(shè)置在脈沖變壓器副邊的二極管D1、二極管D2、電阻R1、電阻R2、電阻RON1、電阻RON2、IGBT1、IGBT2,所述二極管D1和所述二極管D2是肖特基二極管,所述電阻RON1和所述電阻RON2為門極驅(qū)動電阻,所述二極管D1與電阻R1串聯(lián)后反并聯(lián)在所述電阻RON1兩端,所述電阻R1與所述電阻RON1并聯(lián)形成等效門極驅(qū)動電阻,并聯(lián)后連接IGBT1的門極;所述二極管D2與所述電阻R2串聯(lián)后反并聯(lián)在所述電阻RON2兩端,所述電阻R2與所述電阻RON2并聯(lián)形成等效門極驅(qū)動電阻,并聯(lián)后連接IGBT2的門極,所述IGBT2的發(fā)射極接地,IGBT2的集電極連接IGBT1的發(fā)射極。如圖2所示,實施例二,所述IGBT1的發(fā)射極與門極之間連接有電容C1,所述IGBT2的發(fā)射極與門極之間連接有電容C2,所述電容C1與電容C2同樣能發(fā)揮減小米勒效應(yīng)的作用。所述電容C1與電容C2的容量分別為10nF。

電路原理:將肖特基二極管與小電阻串聯(lián)之后反向并聯(lián)在Ron的兩端,使IGBT關(guān)斷時的等效門極驅(qū)動電阻Roff大幅度減小,這樣通過米勒電容流過來的電流在Roff上的電壓就會大幅減小,不至于使另一個IGBT導(dǎo)通。其中,電阻大小排列是R/Ron<<Ron。而且并且在G-E端并聯(lián)的10nF的電容還可以分掉一部 分流過Roff的電流,這樣就不至于使IGBT導(dǎo)通。

綜上本實用新型的結(jié)構(gòu)與原理可知,本實用新型的解決半橋拓撲IGBT米勒效應(yīng)的驅(qū)動結(jié)構(gòu),可有效地減少米勒效應(yīng),消除了電路中一個IGBT管導(dǎo)通瞬間通過寄生的米勒電容而對另一個管子的柵極電壓的影響,電路結(jié)構(gòu)簡單,可實施性強。

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